JPS5911293A - ヒ−トモ−ドレ−ザ−ビ−ムレコ−デイング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＶ−ザービームによる熱的な蒸発除去を利用し
たヒートモードレーザービームレコーディング（以下、
ＨＭＬＢＲと略称する）方法に関する。

リアルタイムで記録する方式としては、従来より各種の
方法が利用されている。例えば、磁気記録、電子束によ
る記録などがある。これらの記録方式に比較して、ＨＭ
ＬＢＲ方式は、経年変化のない記録ができること、可視
パターンとして記録できること、情報の追加記録が容易
にできることについて特に優れている。このよりなＩ（
Ｍ′ＬＢＲ方式の記録用部材としては、レーザービーム
の輻射エネルギーを吸収して、熱的に蒸発除去される材
料が使用されるが、このような材料であればどのような
材料でもよいという訳ではなく、いくつかの特性を持つ
ことが要求される。その代表的な特性は機械的強度、安
定性、反射率、吸収係数、熱伝導率、蒸発温度（昇華温
度）である。即ち、記録部材には、非常に高密度な情報
が記録されることから、記録された部材は微細なパター
ン伏を呈するものであり、その後の取り扱いに対して機
械的損傷を受けないように十分な機械的強度を持ってい
なければならない。壕だ、記録された部材が、周囲の温
度、湿度、経時変化等によって変化することのない安定
な材料でなければ表らない。

また、レーザービームの輻射エネルギーが記録層内部に
効果的に到達することにより、出来るだけ弱いレーザー
ビームを使用して記録が達成されるために、記録層の反
射率は小さいことが望ましい。また、同様に効率的な記
録がなされるために、記録層の吸収係数は大きいことが
望まれる。吸収係数が大きいことは、記録層中においで
、レーザービームの輻射エネルギーが効率よ〈熱エネル
ギーに変換されて、その結果、レーザービームの照射部
の蒸発除去が容易に行われることになる。

また、解像力の点から、記録層の熱伝導率は小さいこと
が望まれる。熱伝導率が大きい場合には、レーザービー
ムの照射部が蒸発除去される際に、照射部の熱が周囲に
伝導して、照射部周囲が溶解したり、一部蒸発したりし
て解像力が損われる。ま左記録１−は、蒸発温度（昇華
温度）が低いことが望ま第１る。必袂とするレーザービ
ームの強度は蒸発温度にｔｌは比例する。レーザービー
ムの照射装置の簡易化及び記録速度の点から記録層の蒸
発温度は低いことが望まれる。このような緒特性を満た
す記録層の構成材料の選択は非常に離しい技術を含んで
いる。

従来採用されてきた材料は、ロジウム等の金属である。

これらの金属は光学濃度、安定性、耐傷摩耗性、といっ
た点では優れているが、反射率（７０〜９０チ）が高い
こと、融点（約２０００℃）及び沸点（約４５００℃）
が高いこと、また熱伝導率（約１．５　ｗａｔｔ／ｃＩ
ｎ℃）が大きいことが指摘され、レーザービーム出力を
低く設定すること、記録速度の向上並びに高密度情報を
記録する場合における解像力の確保のために、なお改善
が主まれる材料である。

而して本発明は、従来の金属材料に代る優れた材料を使
って、ＨＭＬＩ（Ｒ法記録の性能を一層高めることを主
たる目的とする。

その特徴とするところは、結晶性カルコゲンを主体とし
て形成されている記録層にレーザービームを照射し７、
結晶性カルコゲン層の一部を熱的に蒸発除去して情報を
記録するヒートモードレーザービームレコーディング方
法にある。

本発明における記録層は結晶性カルコゲンを主体として
構成される。本発明において、結晶性カルコゲンとは、
カルコゲン元素、即ち、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、
テルル（Ｔｅ）の少なくとも１つを主体とするガラス転
移点を示さない実質的に結晶性物質であり、カルコゲン
元素の結晶性単体物質及び結晶性化合物である。

本発明において有効な代表例は、Ｓｅ、Ｔｅなどの結晶
性竿体カルコゲン、Ａｓ−８系＋Ａｓ−８ｅ系。

Ａｓ−Ｔｅ系、　５−８ｅ系、　８　ｂ−８ｅ系、５ｂ
−Ｔｅ系、Ｂ１−８系。

Ｂ１−８ｅ系、Ｂ１−Ｔｅ系、５ｔ−８系、Ｚｎ−８系
、　Ｇｅ−８系。

Ｉｎ−８系、Ａｔ−８系及びＮｉ−８系などの結晶性二
元カルコゲン化合物、Ａｓ−８−Ｔｅ系、Ａｓ−８−Ｔ
ｅ系及びＡｓ−８ｅ−Ｔｅ系などの結晶性三元カルコゲ
ン化合物である。

結晶性カルコゲン層を形成する場合、必要に応じて、ハ
ロゲン、Ｇｅ、Ｓｔなどの元素を活性剤として少量（１
モルチ以下）加えることもまた有効である。

またカルコゲンの構成成分として、Ｎａ、に等のアルカ
リ金属、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、Ｓｔ、Ｇｅ
、Ｓｎ、Ｐｂ等の■ｂ族元素、Ｔ　ｔ　Ｉ　Ａ　ｔ　Ｈ
Ｉｎ等の第１ｂ族元索、Ｚｎ等の第ｔｔｂ族元素、Ｅｕ
、Ｓｍ等のランタン系希土類、Ｕ等のアクチニド希土類
、などの元素を添加することも有効である。

またさらに、添加剤として、少量の金属を添加すること
は光学濃度及び光感度の点で有効である。添加する金属
としては、代表的なものはＡｇｔ　Ｃｕｔ　Ｃｄ、Ｍｎ
、Ｇａｙ　　Ｉｎ、ＢｉｔＳｂ、Ｆｅ、Ｎｉまたはこれ
らの合金が挙げられ、特にＡｇ及びＣｕが好適である。

尚、本発明者らは、先に、ガラス伏カルコゲンが非常に
優れた記録層を提供することを認め、ガラス転移点を示
す実質的にガラス伏のカルコゲンについて特許出願をし
た。しかし、その後の継続的研究の結果、結晶性カルコ
ゲンに関しても、はぼ同様に優れた記録層を提供するこ
とを確認し本発明に到ったものである。結晶性カルコゲ
ンとガラス伏カルコゲンは、光屈折率、比熱、熱伝導度
、熱膨張係数などについて異なる性質を示す。例えば、
ＡＳｔＳｓの組成のカルコゲンについて云えば、結晶状
態の光屈折率（波長５５０〜５８０ｍμ）は２，６６で
あるのに対し、ガラス状態の光屈折率は２．７７である
。また、ＡＳ、Ｓｅ、の組成のカルコゲンの結晶状態の
熱伝導率け４　Ｘ　Ｉ　０８ｃａ、／、／ｃＴｎ−ｓｅ
ｅ　・℃であり、ガラス状態でのイーれは７　Ｘ　１０
’ｃａｔ＾・ｓｅｃ・℃である。

また、特に、カルコゲンは、金属層とカルコゲン層との
積層の構成において、輻射エネルギーを受けることｆよ
り、全域のカルコゲンへの光拡散を生ずる性質を有する
が、この性質は結晶性カルコゲンについては小さく、ガ
ラス状カルコゲンについて顕著であることが指摘される
。

結晶性カルコゲンを記録層に用いた場合と、ガラス状カ
ルコゲンを記録層に用いた場合との性能の相違について
は後に説明する。

カルコゲンは原則として、その製造条件の相違に依って
、結晶状態とガラス状態の両者を取り得る。この製造条
件の相違は、個々の実際の製造条件について、個別に定
められる可きものであり、全体に共通に適用される一般
条件を規定することは、極めて困難である。このことに
関して、本発明の場合について説明すると、記録層の代
表的な製造は、カルコゲンの蒸着、カルコゲンの溶液の
塗布、カルコゲン融解物の塗布若しくは融Ｍ（例えば、
カルコゲン粉末層を支持体−ヒに設けて、加熱融解によ
って連続層とする方法）などの手法によって行われる。

これらの各々の手法について、カルコゲンの結晶ｔＪ［
とガラス状態の状態制御は、蒸着の場合には、蒸着源を
結晶状態とするか基板温度をガラス転移点附近とすると
蒸着後の条件では、結晶状態が得られ易く、また、蒸着
源をガラス状態にするか基板温度をガラス転移点以下通
常は室温以下てパ の比較的低温と保持するなどの条件ではガラス状態が得
易い。筐た、カルコゲンの溶液（カルコゲンはアルカリ
に可溶であるから、通常、アルカリ溶液である）を支持
体上に塗膜形成する場合には、支持体の温度を１００℃
以上の比較的高温にし塗布後除冷するか、塗布後ガラス
転移点以上で熱処理するなどの条件では結晶状態が得易
く、加熱したアルカリ溶液を室温以下に冷却した支持体
上に高速で塗布する条件ではガラス状態が得易い。また
、カルコゲン融解による場合には、融解後除冷する条件
では結晶状態が得易く、急冷する条件ではガラス状態が
得易い０ ガラス状態と結晶状態のいずれの状態になり易いかに関
係している他の要因は、カルコゲンの組成の種類並びに
組成比である。例えば、Ｚｎ−８系、　ＡｓｘＳｅ、　
−ｘ　（ｘ　＜　０．４　）　、　Ｇｅ　−８−Ｐ系。

Ｇｅ−８−Ｃｕ系、及びＡｓ−Ｔｅ系などは結晶状態を
とり易く、Ｇｅｔ　−Ｘ５Ｘ（０，４＜　ｘ　＜０．６
　。

ｘ＞０．６６　）ＡｓｘＳ、　−Ｘ　（０，１５＜ｘ（
０，５５）、　Ｇｅｔ−ｘＳｅｘ（ｘ＞０．７５　）ｔ
　Ｇｅ　−８−Ｎａ系及びＡｓ−８−１などは、ガラス
状態をとり易い。まだ、上記した外、記録層を形成する
に用いるカルコゲンの出発材料が結晶状態にある場合に
は形成された記録層も結晶状態を与える傾向があること
も考慮される。結晶状態にあるカルコゲン記録層の形成
は一１二連した条件、組成並びに傾向に基いて行われ、
ガラス転移点を示さない状態の記録層を製造する。個々
の組成のカルコゲンを用いて結晶性カルコゲンを製造す
る操作は実施例において説明される。

結晶性カルコゲンのＨＭＬＢＲ法記録の記録材料として
の特性は次のように説明される。

結晶性カルコゲンの屈折率は通常２〜４の範囲にあり、
これから決定される反射率は３０〜６０％で、レーザー
ビームの記録層内部への吸収効率は高く、レーザービー
ムの強度を低く設定できる。また、結晶性カルコゲンの
吸収端は共通して、可視部（３５０以上）及び可視部よ
り長波長側にある。また、その組成及び組成比を変える
ことによって、吸収端の位置を選択することができ、従
って、使用するレーザービーム波長に対応した吸収を持
つ記録層を形成することができ、レーザービームの輻射
エネルギーの熱エネルギーへの転換を効果的になさしめ
て、速い速度の記録を可能にさせる。

また、分光特性における吸収端の調整は特定波長以外の
光線に対し不感性とすることが出来る。結晶性カルコゲ
ンの熱伝導率は０．５〜０．Ｏｌ（ｗａｔｔ／ｃｒｎ℃
）と充分小さく、レーザービームの照射部周辺における
熱的効果（溶融、蒸発等）を低く押えるととができ、さ
らには、熱伝導による熱ひずみによる亀裂、それに伴う
剥離を避けることができ、全体として、高解像性のシャ
ープなパターンを作ることができる。また、結晶性カル
コゲンの他の特徴として、蒸発温度（通常、／１０（１
〜１５００℃）が低いことが指摘される。

結晶性カルコゲンに対してレーザー光を照射して記録を
行なおうとすると、結晶性カルコゲンは融解［７蒸発す
る。このとき蒸発しなかったものは再び凝固するが、そ
の際高温から一気にクエンチされるので、その凝固部分
はガラス伏になる事が多い。従って記録部分の周辺は粒
状性のないシャープなパターンとなる。

このような緒特性は、結晶性カルコゲンを記録材として
最も好適に利用せしめる。

結晶性カルコゲンを記録層と１７で用いることについて
挙げる他の特徴は、金属に較べて、任意の厚さの且つ均
一な記録層の形成が非常に容易であることが指摘される
。これは結晶性カルコゲンが非昇華性、低融点、低沸点
であり、Ｗ。

Ｔａ、Ｍｏ等の金属と高温でも未反応（１ｊ（反応）と
いつだ物性を持っているためであり、蒸着方法による記
録層の形成の際、金属に較べて、厚く、且つ均一な蒸着
層の形成がより容易に行われ得ることである。

まだ、他の特長は、結晶性カルコゲンの硬さは、金属に
較べてや＼劣るが、フィルム、ペーパー等の屈曲性の支
持体に対する接着性が非常に優していることである。こ
れは結晶性カルコゲン自体が屈曲性に富んでいるためで
ある。従って結晶性カルコゲンを用いることによって、
プレート状、フィルム伏、ペーパー伏の各種の形状の記
録部材の提供が比較的容易になされる。

結晶性カルコゲンの採用によって、記録速度、解像性、
記録装置の簡易化、使用するレーザービームの押船に応
じた記録層の製造、さらには用途に応じた記録部材の製
造について、非常に改善されるものである。

ＨＭＬＩ３Ｒ用制録部材としてのカルコゲンにおいて、
状態をガラス状態とするかあるいは本発明におけるよう
な結晶状態とするかは）■■、ＢＲ用記録部材の使用条
件とガラス状態及び結晶状態の特徴とによって最も適当
なものを選択される。

カルコゲンにおけるガラス状態と結晶状態との特徴の比
較は次の通りである。先に述べたようにＩ（ＭＬＢＲ用
記録部材の物性の内、主なものは照射された光エネルギ
ーを熱エネルギーに変換する効率を決定する光学的性質
すなわち反射率（屈折率）、吸収係数の値と分光特性（
吸収端）と照射部が蒸発（昇華）するまでに必要な熱エ
ネルギーを決定する熱的性質すなわち比熱、融解熱、気
化熱である。これらの物理社は組成。

組成比によって変化するものである。例えば代表的なカ
ルコゲンであるＡｓ５ｅｓの屈曲率（波長５５０〜５８
０脩μ）は結晶状態では約２．６６゜ガラス状態では２
．７７である。但し結晶状態で大きな光学的異方性のあ
る物質たとえばＳｏは結晶状態で正常光方向と異常光方
向の屈折率が大１１］に異なりガラス状態のそれと同一
ではなくなる。ガラス状態の吸収端は結晶状態のそれの
多少変形を受けたもので本質的には同じとみなせること
はよく知られている。熱的性質は融点に達するまでの比
熱がガラス状態と結晶状態と異なるだけ他は両状態で同
一の値を有する。

結晶状態とガラス状態の性質の差はこれらの光学的及び
熱的性質を決定する組成及び組成比の選択に課せられる
条件によって生ずる。すなわちガラス状態はどんな組成
２組成比でも実現するものでなく、ガラス領域の中での
み存在する。しかしこのガラス化領域の中では組成比は
連続的に変化させることができる。このことはたとえば
吸収端のような値をある範囲で自由に選択できる長所と
なる。結晶状態となる組成及び組成比の範囲はガラス状
態のそれよりはるかに太きい。ｌ〜かしながら組成比は
ある程度のずれは可能ではあるがほぼ化学量論的に決定
される不連続値となる。

このように結晶性カルコゲン化合物は先に本発明者らに
よって提供されたカルコゲンガラスとあいまって、広範
囲の要求を満すＨ１ｌａＢＲ用記録部材全記録するもの
である。たとえばＨｅＣｄレーザー（波長３’ｌ　５　
ｔｒｇｔ　）　　を使用して■］■、ｌ記録を行い、可
視光には不感（安全光）とする要求を満す記録部材に１
カルコゲンガラスより紫外域に近い吸収端を有するＺｎ
Ｓのような結晶性カルコゲンが適している。

ＨＭＬＢＲ法による記録の最も代表的な装置は第１図に
示される。レーザービーム照射装置１から放射された矢
印にて示され九レーザービームは可干渉性の平行光であ
る。レーザービームは変調信号を出す変調制御器８から
の信号を受けてレーザービームを変調（ビームのＯＮ　
−ＯＦＦ’操作、或いはビームの強度制御）させる光変
調器２によって変調されて集光レンズ３に入る。

集光レンズ３の焦点は記録部材７の記録面に設定されて
いる。集光レンズを通過して収束されたレーザービーム
の収束光は回転多面鏡４によって水平方向に偏向され、
さらにガルバーｇ動系６によって駆動されるガルバノメ
ータ式回転鏡によって垂直方向に偏向されて記録部材７
に達して記録が行われる。記録される可き情報は変調制
御器に入り変Ａ倍号に変換されている。記録部材に記録
される情報の密度は、レーザービームの強度、ビーム径
、回転多面鏡の回転速度並びにガルバノメータ式回転鏡
の回転速度によって王として制御される。記録された情
報の再生は、これをほぼ逆の経路で信号として取り出さ
れる。第１図に示される装置は、マイクロファクシミリ
の受信器、ＩＣパターンジエネンータ、マイクロフイマ
ーカメラ等としても利用されている。

本発明による記録部材の最も代表的な構成は第２図に示
され、支持体９と記録層である結晶性カルコゲン層ｌＯ
から構成される。

結晶性カルコゲン層は一般には蒸着スパッタリングによ
って形成されるが、加熱による融解塗布、によって形成
されてもよい。結晶性カルコゲン層の厚さは、通常の場
合において、１０μ〜１０？？Ｌμに設定される。特に
高速度記録あるいは高密度記録をする場合には、５００
〜１０？？Ｌμに設定される。なお、結晶性カルコゲン
層に記録されだ形状について、レーザービームの照射部
の結晶性カルコゲン層が完全に全部除去しないで、その
一部を除去して記録をする場合には、結晶性カルコゲン
層の厚さの制約はなく、例えば５〜０．２−程度まで厚
く設定されてもよい。

また、このように厚い場合には、支持体は必要によって
除去されてもよい。

第２図に示される記録部材を用いて情報を記録する態様
は第３図に示される。感光部材はレーザービーム１１の
照射を受けて結晶性カルコゲン層はその照射部において
除去されて、記録される。結晶性カルコゲン層の記録は
第３図に示されるように、層の厚さ方向全体に形成され
′Ｃることを一般の形態とする。

本発明においては、第４図に示すように、結晶性カルコ
ゲン層の一部を熱的に蒸発除去して記録を形成する。こ
れは、レーザービームの強度を弱くして行なうとき、結
晶性カルコゲン層が厚いとき、また、結晶性カルコゲン
層に形成された凹凸性を利用して若しくは凹凸性に拭く
光学濃度差を利用して情報を記録するときに適用する。

記録層の結晶性カルコゲンの組成、組成比などをどのよ
うに設定するかは記録部材の使用条件によって決定され
るべきものである。たとえば光源について云えば、Ｈｅ
−Ｎｅレーザーの６３００人の波長を選ぶならば使用さ
れる結晶性カルコゲンの吸収端は可視光の長波長側もし
くは近赤外域にあることが望ましい。その条件を満足す
る組成はたとえばＡｓを１つの構成元素とするときイオ
ウ族元素はＴｅが最適であり、Ｔｅを原子数比で６０％
以上とするのが望ましい。又％ＧａｘＳ１−ｚの系にお
いてはＧｅ、Ｉｎの組成比Ｘを、ｘ）０．５のようにＧ
ｅを多く含ませ、ＧｅとＧｅｇ。Ｓ、。の混晶の形をと
るのがよい。

又、書き込みにＡｒレーザー（４８８０人）あるいはＨ
ｅ　−Ｃｄレーザー（４４００人）等の短波長側を用い
、読み出しにはＨｅ　−Ｎ　ｅレーザー（６３００人）
のような長波長の光を安全光として使用するという特別
な条件においては吸収端が短波長にあるのが望ましい。

その場合Ａｓに対して１イオウ族元素としてはＳがよく
、かつＳの原子数パーセントが８５％以上のＳの多い結
晶性カルコゲンが客易に得られる。

Ａ　ｓ　　Ｓ　＠　Ａ　８Ｓ　ｅ　ｇ　Ｇ　ｅ　　Ｓ　
＠　Ｓ　ｎ　　Ｓ等の２元系カルコゲン、ＡＢ−８−８
ｅ、Ｇｅ−８ｅ−８等の３元系カルコゲンの吸収端をよ
シ長波側に移動させるためにはさらにＡｇ。

Ｃｕ、Ｐｂ、Ｉｎ等の金属、Ｇｅ、　８６等の半導体物
質を加えることが有効である。これらの今風、半導体を
添加する方法としては一般には結晶性カルコゲンをそれ
ぞれの構成元素を設定された組成比で熔融合成する際に
これらの金属、半金属を追加し、真空中あるいはＮ、ガ
ス不活性ガス中で溶融合成除冷する方法が用いられてい
る。本発明においても通常この方法が利用される０ 結晶性カルコゲンの組成の設定に際して、さらに配慮さ
れるべき点は結晶性カルコゲンの組成によって、Ｓｅｔ
　’Ｉ”ｅ、Ｔｔ、ＡＢ、Ｓｂ。

Ｃｄなどの有毒性の材料を扱う場合には、記録系を密閉
系で実施することが望ましい。しかしＧ　ｅ　＋　Ｓ　
ｉ　＋　Ｓ　ｎ　ＨＩ　ｎ　ｇ　Ｚ　ｎ　Ｉ　Ｆ　ｅ　
ｒ　Ｃｕ　＋Ａｇ、Ｎｉなとの金属若しくは半導体とＳ
との組合わせにより組成される結晶性カルコゲンは、こ
れらの元素が毒性がないか、殆んどないものであるので
、このような問題点に対す配慮は省かれてよい。

支持体は本質的な影響をもつものではない。

すなわちＨＭＴ、ＢＲにより書き込遣れた情報を読み出
す時、透過光を用いるか反射光を利用するかなどの差に
より支持体を透明、半透明、不透明物質にするかが設定
される。又、使用するレーザービームの強度等により支
持体の熱容量、反射率等の物理量が制限されるのでこれ
からも支持体物質が設定される。通常用いられる支持体
はポリエステル、ポリエチレン、アセテート等の透明な
高分子膜、酸化物ガラス、板状又は箔状のＡｔ等の金属
等である。

次に実施例を挙げてさらに本発明を説明する。

実施例１ ）ｆＭＩ、ＢＲによりマイクロフィルムを作製した。

）ＴＭＬＢＲによる画像記録では記録部材の性能は主に
記録に必要な最少エネルギーＳ（エルグ／−）（以後こ
のＳを感度と称する。）によって比較される。ここでＳ
と種々の記録条件とは次のような関係がある。

有効記録面積Ａ（ｉ）（縦ａｃｍ横ｂα）レーザー光有
効出力Ｗ（エルグ７秒）レーザービームの直径Ｄ　（ａ
ｍ　）とするとレーザービームのエネルギー密度Ｅ（エ
ルグ７秒Ｏ１りは 単位スポットの記録に必要な時間ｔ（秒）は　　４　Ｗ 走査速度Ｖ　（ｃｍ　７秒）は ｔ　πＳＤ 総記録時間Ｔ（秒）は Ｄ４Ｗ４Ｗ となる。実験は、ＨＭＬＢＲ記録に必要な走査速度Ｖと
レーザービーム径り及びレーザービーム有効出力Ｗを測
定し、前述の式から感度Ｓを求めた。なお、結晶性カル
コゲンＡＳ２　Ｔｅ　Ｓの作製は通常の熔融法によった
。すなわち高純度（９９，９９９チ以上）のＴｅを７．
２を及びＡｓを２．８１を石英製アンプルに真空封入（
１０Ｔｏｒｒ以下）し電気炉で６００℃約８時間加熱熔
融した後空気中で除冷した。

次に得られた試料をＸ−線回折測定した処、ＡＳ２Ｔｅ
＠の結晶ピークが観察された。また、示差熱分析測定で
はガラス転移点は認められなかった。このようにして得
た結晶性カルコゲンを０゜１５ｆｌ’ｉｌ−量しポリエ
ステルフィルム（膜厚（資）μ）上に真空蒸着した。蒸
着条件はボート温度９００℃でＴａボートを使用した。

尚、電板温度は８０℃に認定された。得られた蒸着膜は
黒色で２００惧μであった。なおこの蒸着膜の示差熱分
析をしても、ガラス転移点は認められなかった。

次に蒸着膜を巾１６ｍのフィルムに切り出しマイクロフ
ィルム用記録部材に加工し、ＨＭ［、ＢＲにより画像を
記録した。

使用したＨＭＬＢＲ装置は第１図の形式のもので、レー
ザーは２００ｍｗアルゴンレーザー（波長４８８ｍμ）
レーザービームの直径３０μとした。記録部材の位置と
等価な場所で測定されたレーザービームのエネルギー密
度’ｌ’ｉ　約５．６　ｘ　１０”ジュール７秒−であ
った。

以上の条件でＡＳｖＴｅ　ｓ記録部材に種々の走査速度
で画像を記録１／　％その結果を倍率５０の顕微鏡で観
察して画像を評価した。その結果走査速度２０　ｃｍ　
７秒で解像力１６本／鴫の良好な画像が得られた。これ
より計算されるＡｓｔ　Ｔｅ　ａフィルムの感度Ｓは３
．５　Ｘ　１０’エルグ／−であった０第１表は各組成
の結晶性カルコゲンフィルムについて同等の実験を行い
解像力１６本／、、を得たときの感度Ｓを示したもので
ある０結晶性カルコゲンフイルムはすべてポリエステル
フィルム上に真空蒸着によって膜厚２００〜３００ｍμ
に形成した。

第１表 実施例２ 通常の熔融法で作製したＧｅｔＳｔ　カルコゲンガラス
を厚さ２００μのガラス基板上に真空蒸着し膜厚２００
ｍμのＧｅｔＳ＊カルコゲンガラス蒸着膜を得た。次に
この蒸着膜を硫化水素中で４００℃約３０分熱処理した
。熱処理した蒸着膜は示差熱分析ではガラス転移点を示
さなかった。次に実施例１で使用した）（ＭＬＢＲ装置
により画像記録を行い感度を測定した。その結果熱処理
した試料（結晶性カルコゲン化合物）と未熟実施例３ 試薬として市販されている高純度ＺｎＳ　（９９，９９
チ以上）を蒸着源として厚さ２００μのガラス基板上に
真空蒸着し膜厚３００？ＦｌμのＺｎＳ蒸着膜を作製し
た。蒸着条件はＴａ製のふた付のボートによりボート温
度１２００℃、ａｉ；板温度１６０℃、真空度５Ｘ１０
Ｔｏｒｒであった。このＺｎＳ蒸着膜はガラス転移点を
示さすｘｍ回折でもＺｎＳの明瞭なピークを示した。分
光透過率は長波点側から４００惧μまでは約６０％以上
透過し約３５０ｍｐ以上の短波長は不透明であつだ。

次に実施例１で使用したＨＭＬＢＲ装置により画像記録
を行い感度評価を行った。但しレーザーは実施例１の２
００ｍＷアルゴンレーザー（７）代りにＨｅ−Ｃｄレー
ザー（波長３２５　ｍｐ　）　を

【図面の簡単な説明】

第１図はヒートモードレーザービーム記録装置の１態様
を示す説明図。第２図は本発明による記録部材の１態様
を示す説明図。第３図、第４図は記録された部材の各々
１態様を示す説明図０ ９は支持体、１０はカルコゲンガラス層、１１はレーザ
ービーム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 結晶性カルコゲンを主体として形成されている記録層に
   レーザービームを照射し、結晶性カルコゲン層の一部を
   熱的に蒸発除去して情報を記録スルヒートモードレーザ
   ービームレコーディング方法。