JPS59114821A - Ｉｃパタ−ンの検査方法 - Google Patents
Ｉｃパタ−ンの検査方法Info
- Publication number
- JPS59114821A JPS59114821A JP57223680A JP22368082A JPS59114821A JP S59114821 A JPS59114821 A JP S59114821A JP 57223680 A JP57223680 A JP 57223680A JP 22368082 A JP22368082 A JP 22368082A JP S59114821 A JPS59114821 A JP S59114821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference chip
- wafer
- secondary electron
- chip
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はＩＣパターンの検査方法に関する。本発明によ
る方法は、−例として、電子ビーム露光装置を使用して
パターンの露光を行う場合のノ４ターンの検査に用いら
れる。
る方法は、−例として、電子ビーム露光装置を使用して
パターンの露光を行う場合のノ４ターンの検査に用いら
れる。
（２）技術の背景
近年、集積回路の高密度化、微細化が増々進展しておシ
このような集積回路を製造する上で電子ビームを利用し
た露光方法が発展しつつある。一方、高密度、微細化し
たノリ―ンの検査も需要が高まシ、露光と同様に電子ビ
ームを利用した装置の開発が進められている。しかし電
子ビームを用いた検査装置においては被検査試料の材料
へ構造等による要因あるいは装置側の照射量、加速電圧
等による要因などを常に考慮せねばならず、非能率的な
部分が多く改善が要望されていた。
このような集積回路を製造する上で電子ビームを利用し
た露光方法が発展しつつある。一方、高密度、微細化し
たノリ―ンの検査も需要が高まシ、露光と同様に電子ビ
ームを利用した装置の開発が進められている。しかし電
子ビームを用いた検査装置においては被検査試料の材料
へ構造等による要因あるいは装置側の照射量、加速電圧
等による要因などを常に考慮せねばならず、非能率的な
部分が多く改善が要望されていた。
（３）従来技術と問題点
従来、電子ビームを用いてウェハを検査する場合に、被
測定パターン上を電子ビーム走査した結果得られた反射
２次電子波形から、被測定１？ターンの位置あるいは大
きさ勢を求め、あらかじめ与えられている設計値との比
較を計算機処理する方法が提案されている。しかし、被
測定ウエノ−から得られた２次電子波形は、被測定ウェ
ハの材質、構造等の要因によ多波形形状を異にし、また
電子ビームを照射する側の装置による照射量、加速電圧
等の要因によってもその強度にバラツキを生ずる。特に
大量検査においてウェハ間ロット間のバラツキを生じや
すく最初のウェハで調整したものが最後のウェハまで継
続させることは難しい。また被測定ウェハの条件として
レジストが付いている場合あるいは絶縁膜が伺いている
場合等によっても２次電子強度は変化してしまう。従っ
てこの方法で大量ウェハを検査することは上述したよう
なウェハ間ロット間のバラツキを常に補正してやる必要
があシ検査精度、作業能率等が悪いという問題があった
。
測定パターン上を電子ビーム走査した結果得られた反射
２次電子波形から、被測定１？ターンの位置あるいは大
きさ勢を求め、あらかじめ与えられている設計値との比
較を計算機処理する方法が提案されている。しかし、被
測定ウエノ−から得られた２次電子波形は、被測定ウェ
ハの材質、構造等の要因によ多波形形状を異にし、また
電子ビームを照射する側の装置による照射量、加速電圧
等の要因によってもその強度にバラツキを生ずる。特に
大量検査においてウェハ間ロット間のバラツキを生じや
すく最初のウェハで調整したものが最後のウェハまで継
続させることは難しい。また被測定ウェハの条件として
レジストが付いている場合あるいは絶縁膜が伺いている
場合等によっても２次電子強度は変化してしまう。従っ
てこの方法で大量ウェハを検査することは上述したよう
なウェハ間ロット間のバラツキを常に補正してやる必要
があシ検査精度、作業能率等が悪いという問題があった
。
（４）発明の目的
本発明の目的は上述の問題点に鑑み、ウェハホルダ内の
所定の位置に基準チップを設け、この基準チップはウェ
ハの適切なロット度に再設定し得るようにすることによ
υウェハのロットバラツキによる誤差をなくし作業能率
を向上させるような方法を提供することを目的とする。
所定の位置に基準チップを設け、この基準チップはウェ
ハの適切なロット度に再設定し得るようにすることによ
υウェハのロットバラツキによる誤差をなくし作業能率
を向上させるような方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
この目的は本発明によれば、ウェハホルダ内の被測定ウ
ェハと同一面上の所定の位置に設けられた基準チップを
電子ビーム走査し、得られたデータを基準データとして
デジタル化し工記憶し、被測定個所を電子ビーム走査し
て得られたデータと該基準データとを比較することによ
シ、該被測定個所の検査を行うことを特徴とするＩＣ−
母ターンの検査方法、を提供することによシ達成される
。
ェハと同一面上の所定の位置に設けられた基準チップを
電子ビーム走査し、得られたデータを基準データとして
デジタル化し工記憶し、被測定個所を電子ビーム走査し
て得られたデータと該基準データとを比較することによ
シ、該被測定個所の検査を行うことを特徴とするＩＣ−
母ターンの検査方法、を提供することによシ達成される
。
（６）発明の実施例
第１図は本発明によるｉ？ターンの検企方法を実施する
ための装置のブロック図である。第１図において、１０
は電子ビーム露光装置を概略的に示したもので、１１は
被測定用ウェハの交換を行う試料交換案、１２は被測定
用ウェハを収納する試料室である。試料室１２内には被
測定用ウェハ１４から反射される２次電子検出器１３が
設けられ、被測定用ウェハ１４はウェハホルダ１５上に
設置されウェハホルダ１５はＸＹステージ１６に設置さ
れる。試料室１２は真空ポンプ１７．１８にょシ所定の
真空度に保たれる。２１は電子銃および各種レンズの電
源制御装置、２２ 、＋ ２３および２４はそれぞれブ
ランキング増幅器、偏向器用増幅器および電子ビーム走
査制御装置である。２５．２６は各々電流増幅器および
２次電子信号処理装置であって２次電子検出器１３によ
シ検出された反射２次電子を増幅しデジタル化するため
の装置である。２７．２８は試料室内の真空度の検出、
ｘｙステージの位置の検出を行う真空度、位置検出器お
よびこれを制御する装置である。３１は上述の各装置か
らの信号を処理する中央処理装置であシ、３２は入出力
装置、３３．３４は各々記憶装置および補助記憶装置で
ある。
ための装置のブロック図である。第１図において、１０
は電子ビーム露光装置を概略的に示したもので、１１は
被測定用ウェハの交換を行う試料交換案、１２は被測定
用ウェハを収納する試料室である。試料室１２内には被
測定用ウェハ１４から反射される２次電子検出器１３が
設けられ、被測定用ウェハ１４はウェハホルダ１５上に
設置されウェハホルダ１５はＸＹステージ１６に設置さ
れる。試料室１２は真空ポンプ１７．１８にょシ所定の
真空度に保たれる。２１は電子銃および各種レンズの電
源制御装置、２２ 、＋ ２３および２４はそれぞれブ
ランキング増幅器、偏向器用増幅器および電子ビーム走
査制御装置である。２５．２６は各々電流増幅器および
２次電子信号処理装置であって２次電子検出器１３によ
シ検出された反射２次電子を増幅しデジタル化するため
の装置である。２７．２８は試料室内の真空度の検出、
ｘｙステージの位置の検出を行う真空度、位置検出器お
よびこれを制御する装置である。３１は上述の各装置か
らの信号を処理する中央処理装置であシ、３２は入出力
装置、３３．３４は各々記憶装置および補助記憶装置で
ある。
第２図（ａ） 、 （ｂ）および（Ｃ）は本発明による
パターンの検査方法を実施するためにウェハホルダ内の
所定の位置に設けられた基準チップおよび被測定クエ・
・を示す図である。第２図（ａ）において、ウェハホル
ダ１５内には基準位置４１．４２および４３によシ位置
合せされた被測定ウェハ１４と本発明による基準チップ
４４とが同一面上に配置される。
パターンの検査方法を実施するためにウェハホルダ内の
所定の位置に設けられた基準チップおよび被測定クエ・
・を示す図である。第２図（ａ）において、ウェハホル
ダ１５内には基準位置４１．４２および４３によシ位置
合せされた被測定ウェハ１４と本発明による基準チップ
４４とが同一面上に配置される。
第２図（ｂ）は基準チップ４４および粗位置検出マーク
４５．４６を拡大したものであシその構成は、チップの
四隅に設けられた偏向器調整マーク４４１、位置検出、
フォーカス調整および波形調整等に用いられる位置検出
バーコード４４２、および中心位置粗検出用マーク４４
３で構成される。第２図（Ｃ）はチップ４８の１つを拡
大した図であシ前述と同様四隅に偏向器調整マーク４４
１を有する。
４５．４６を拡大したものであシその構成は、チップの
四隅に設けられた偏向器調整マーク４４１、位置検出、
フォーカス調整および波形調整等に用いられる位置検出
バーコード４４２、および中心位置粗検出用マーク４４
３で構成される。第２図（Ｃ）はチップ４８の１つを拡
大した図であシ前述と同様四隅に偏向器調整マーク４４
１を有する。
このような構成において、最初に基準チップの設定は次
の手Ｊ＠釦よシ行われる。すなわち、ウェハホルダ１５
の所定の位置に基準チップ４４と被測定ウェハ１４を配
置しまず基準チップで位置出しを行う。この場合、基準
チップに基づいて、電子銃およびアライメント（軸合せ
）の調整を行い所望のビーム電流値を設定し、次に基準
チップ上の凹凸をビーム走査し２次電子検出器１３によ
シ得られた反射２次電子の波形を最も集束するように対
物レンズを調整し、次に基準チップ上の凹凸を走査して
２次電子検出器１３によシ得られた波形のレベル及び感
度を調整する。さらに基準チップ内の各種マーク４４１
．４４２および４４３を用いてビーム偏向系の利得、回
転量、オフセット誤差量等を求め偏向系の補正演算ユニ
ットに供給して補正する。このよう々手順を経た後に基
準チツブ内にある基準ノ４ターンをビーム走査し得られ
た２次電子を装置２５．２６によ多信号処理しデジタル
化して中央処理装置３１に基準値として記憶しておく。
の手Ｊ＠釦よシ行われる。すなわち、ウェハホルダ１５
の所定の位置に基準チップ４４と被測定ウェハ１４を配
置しまず基準チップで位置出しを行う。この場合、基準
チップに基づいて、電子銃およびアライメント（軸合せ
）の調整を行い所望のビーム電流値を設定し、次に基準
チップ上の凹凸をビーム走査し２次電子検出器１３によ
シ得られた反射２次電子の波形を最も集束するように対
物レンズを調整し、次に基準チップ上の凹凸を走査して
２次電子検出器１３によシ得られた波形のレベル及び感
度を調整する。さらに基準チップ内の各種マーク４４１
．４４２および４４３を用いてビーム偏向系の利得、回
転量、オフセット誤差量等を求め偏向系の補正演算ユニ
ットに供給して補正する。このよう々手順を経た後に基
準チツブ内にある基準ノ４ターンをビーム走査し得られ
た２次電子を装置２５．２６によ多信号処理しデジタル
化して中央処理装置３１に基準値として記憶しておく。
次に被測定ウェノ・はウェノ・ホルダ１５に設置された
後、中心位置検出マーク４４３によυウエノ・の中心位
置を合わせ、次に粗位置検出マーク４５．４６によって
ウェハの回転量、膨張などを求めこれらの補正が行われ
る。補正が行われた後各チッグの測定が行われ、装置２
５．２６によ多信号処理され中央処理装置３１に記憶さ
れる。このような手順が各チップについて順次行われデ
ータとして蓄積される。このようにして蓄積されたデー
タは基準チップと比較処理され各チップの合、否を判別
する。
後、中心位置検出マーク４４３によυウエノ・の中心位
置を合わせ、次に粗位置検出マーク４５．４６によって
ウェハの回転量、膨張などを求めこれらの補正が行われ
る。補正が行われた後各チッグの測定が行われ、装置２
５．２６によ多信号処理され中央処理装置３１に記憶さ
れる。このような手順が各チップについて順次行われデ
ータとして蓄積される。このようにして蓄積されたデー
タは基準チップと比較処理され各チップの合、否を判別
する。
（７）発明の効果
以上詳しく説明したように本発明によるＩＣ／Ｊ？ター
ンの検査方法は、基準チップを同一ウエノ・ホルダ内に
配置するようにしたので、大量生産におけるロット検査
において誤差をなくし作業能率を大幅に向上させる効果
がある。
ンの検査方法は、基準チップを同一ウエノ・ホルダ内に
配置するようにしたので、大量生産におけるロット検査
において誤差をなくし作業能率を大幅に向上させる効果
がある。
第１図は、本発明によるＩＣノリ―ンの検査方法を実施
するための装置のブロック図、第２図（ａ）〜（ｃ）は
、ウェハホルダ内に設けられた基準チップおよび被測定
ウェハの検出マークの一例を示す図である。 １０・・・電子ビーム露光装置、１１・・・試料交換室
、１２・・・試料室、１３・・・２次電子検出器、１４
・・・被測定用ウェハ、１５・・・ウェハホルダ、１６
・・・ＸＹステージ、１７．１８・・・真空ポンプ、２
１・・・ガン、レンズ電源制御装置、２２・・・ブラン
キング増幅器、２３・・・偏向器増幅器、２４・・・電
子ビーム走査制御装置、２５・・・電流増幅器、２６・
・・２次電子信号処理装置、２７・・・真空度、位置検
出器、２８・・・真空度、位置制御装置、３１・・・中
央処理装置、３２・・・入出力装置、３３・・・記憶装
置、３４・・・補助記憶装置。
するための装置のブロック図、第２図（ａ）〜（ｃ）は
、ウェハホルダ内に設けられた基準チップおよび被測定
ウェハの検出マークの一例を示す図である。 １０・・・電子ビーム露光装置、１１・・・試料交換室
、１２・・・試料室、１３・・・２次電子検出器、１４
・・・被測定用ウェハ、１５・・・ウェハホルダ、１６
・・・ＸＹステージ、１７．１８・・・真空ポンプ、２
１・・・ガン、レンズ電源制御装置、２２・・・ブラン
キング増幅器、２３・・・偏向器増幅器、２４・・・電
子ビーム走査制御装置、２５・・・電流増幅器、２６・
・・２次電子信号処理装置、２７・・・真空度、位置検
出器、２８・・・真空度、位置制御装置、３１・・・中
央処理装置、３２・・・入出力装置、３３・・・記憶装
置、３４・・・補助記憶装置。
Claims (1)
- １、９エバホルダ内の被測定ウェノ・と同一面上の所定
の位置に設けられた基準チップを電子ビーム走査し、得
られたデータを基準データとしてデジタル化して記憶し
、被測定個所を電子ビーム走査して得られたデータと該
基準データとを比較することにより、該被測定個所の検
査を行うことを特徴とするＩＣパターンの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223680A JPS59114821A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | Ｉｃパタ−ンの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57223680A JPS59114821A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | Ｉｃパタ−ンの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114821A true JPS59114821A (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=16801961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57223680A Pending JPS59114821A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | Ｉｃパタ−ンの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179114A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPS63278242A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693339A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Function test device of integrated circuit |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57223680A patent/JPS59114821A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693339A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Function test device of integrated circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179114A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPS63278242A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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