JPH0244137B2 - - Google Patents
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- JPH0244137B2 JPH0244137B2 JP58119335A JP11933583A JPH0244137B2 JP H0244137 B2 JPH0244137 B2 JP H0244137B2 JP 58119335 A JP58119335 A JP 58119335A JP 11933583 A JP11933583 A JP 11933583A JP H0244137 B2 JPH0244137 B2 JP H0244137B2
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- Japan
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- mark
- marks
- wafer
- measured
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウエハの位置合わせ方法の改
良に関する。
良に関する。
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、電子ビ
ーム露光装置等のリソグラフイ装置において、光
学系と半導体ウエハとの位置合わせの高精度化が
重要な問題となつている。
ーム露光装置等のリソグラフイ装置において、光
学系と半導体ウエハとの位置合わせの高精度化が
重要な問題となつている。
従来は、半導体ウエハ上に形成されたマークの
位置を測定し、ウエハ全体の平行移動成分及び回
転移動成分を求めてウエハの位置合わせを行つて
いたが、近年ではプロセス処理に起因するウエハ
平面での歪の補正を行うために、チツプ毎に位置
合わせマークを形成して位置合わせを行う方法が
採用されている。このチツプ毎の位置合わせを行
う方法では、多数のマークを測定した場合、欠陥
マークによつて局所的な位置合わせミスが生じる
虞れがある。このため、測定不能な欠陥マークの
位置データを、該マーク周辺のマークの測定デー
タから補間して得るようにしていた。
位置を測定し、ウエハ全体の平行移動成分及び回
転移動成分を求めてウエハの位置合わせを行つて
いたが、近年ではプロセス処理に起因するウエハ
平面での歪の補正を行うために、チツプ毎に位置
合わせマークを形成して位置合わせを行う方法が
採用されている。このチツプ毎の位置合わせを行
う方法では、多数のマークを測定した場合、欠陥
マークによつて局所的な位置合わせミスが生じる
虞れがある。このため、測定不能な欠陥マークの
位置データを、該マーク周辺のマークの測定デー
タから補間して得るようにしていた。
しかしながら、この種の方法にあつては次のよ
うな問題があつた。すなわち、測定不能な欠陥マ
ークについては上記方法で何ら問題はないが、測
定可能な欠陥マークの存在により位置合わせ精度
が劣化すると云う欠点があつた。ここで、測定可
能な欠陥マークとは、ゴミ等の付着によりその位
置が誤つて測定されるマークである。
うな問題があつた。すなわち、測定不能な欠陥マ
ークについては上記方法で何ら問題はないが、測
定可能な欠陥マークの存在により位置合わせ精度
が劣化すると云う欠点があつた。ここで、測定可
能な欠陥マークとは、ゴミ等の付着によりその位
置が誤つて測定されるマークである。
本発明の目的は、測定可能な欠陥マークの存在
に起因する半導体ウエハの位置合わせ精度の劣化
を防止することができ、集積回路の超微細化及び
高密度化にも十分対処し得る半導体ウエハの位置
合わせ方法を提供することにある。
に起因する半導体ウエハの位置合わせ精度の劣化
を防止することができ、集積回路の超微細化及び
高密度化にも十分対処し得る半導体ウエハの位置
合わせ方法を提供することにある。
本発明の骨子は、形成位置が不所望な（測定可
能な）欠陥マークであるか否かを判定し、測定可
能な欠陥マークである場合には、そのマーク位置
を別の手段で求めることにある。
能な）欠陥マークであるか否かを判定し、測定可
能な欠陥マークである場合には、そのマーク位置
を別の手段で求めることにある。
すなわち本発明は、半導体ウエハ上にマトリツ
クス状に配置したマークの位置を測定し、この測
定位置をマーク位置としてウエハの位置合わせを
行う方法において、上記ウエハ上に配置された少
なくとも２個のマークの位置を測定して該ウエハ
の平行移動成分及び回転移動成分を求め、ウエハ
全体の位置座標を決定し、この決定された位置座
標に基づいて上記マトリツクス状に配置された各
マークの位置を計算し、次いで上記マトリツクス
状に配置された各マークの位置を順次測定し、そ
の測定位置と該位置に対応する上記計算位置とを
比較し、これらの差が所定の許容値より大なると
き該マークを欠陥マークと見做し、該マーク周辺
のマークの測定位置から補間した値を該マークの
マーク位置として用いるようにしたものである。
クス状に配置したマークの位置を測定し、この測
定位置をマーク位置としてウエハの位置合わせを
行う方法において、上記ウエハ上に配置された少
なくとも２個のマークの位置を測定して該ウエハ
の平行移動成分及び回転移動成分を求め、ウエハ
全体の位置座標を決定し、この決定された位置座
標に基づいて上記マトリツクス状に配置された各
マークの位置を計算し、次いで上記マトリツクス
状に配置された各マークの位置を順次測定し、そ
の測定位置と該位置に対応する上記計算位置とを
比較し、これらの差が所定の許容値より大なると
き該マークを欠陥マークと見做し、該マーク周辺
のマークの測定位置から補間した値を該マークの
マーク位置として用いるようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図である。図中１
は電子銃で、この電子銃１から発射された電子ビ
ームは各種電磁レンズ２、ブランキング用偏向板
３及び走査用偏向板４を介してSiウエハ５上に照
射される。ウエハ５はテーブル７上に載置されて
おり、テーブル７は駆動回路８によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
せられる。そして、このテーブル７の移動位置は
レーザ側長器９により高精度に測定されるものと
なつている。また、偏向板３，４は計算機１０に
よりそれぞれの印加電圧を制御されるものとなつ
ている。
ビーム露光装置を示す概略構成図である。図中１
は電子銃で、この電子銃１から発射された電子ビ
ームは各種電磁レンズ２、ブランキング用偏向板
３及び走査用偏向板４を介してSiウエハ５上に照
射される。ウエハ５はテーブル７上に載置されて
おり、テーブル７は駆動回路８によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動
せられる。そして、このテーブル７の移動位置は
レーザ側長器９により高精度に測定されるものと
なつている。また、偏向板３，４は計算機１０に
よりそれぞれの印加電圧を制御されるものとなつ
ている。
前記電子ビーム照射によるウエハ５からの反射
電子は固体センサからなる電子検出器１１で検出
され、この検出信号はアナログ・デジタル・コン
バータ（以下Ａ／Ｄと略記する）１３に送出され
る。Ａ／Ｄ１３を介してデジタル化された信号は
メモリ１４に記憶される。そして、メモリ１４の
記憶情報が計算機１０にて解析され、位置データ
が得られるものとなつている。
電子は固体センサからなる電子検出器１１で検出
され、この検出信号はアナログ・デジタル・コン
バータ（以下Ａ／Ｄと略記する）１３に送出され
る。Ａ／Ｄ１３を介してデジタル化された信号は
メモリ１４に記憶される。そして、メモリ１４の
記憶情報が計算機１０にて解析され、位置データ
が得られるものとなつている。
次に、上記構成の装置を用いたウエハ位置合わ
せ方法について説明する。前記ウエハ５上には、
第２図に示す如くチツプのダイシングライン上
に、Siの異方性エツチングによるＶ溝からなるＬ
形位置合わせ用マークがマトリツクス状に形成さ
れている。マーク位置の測定は、第３図に示す如
くビームのＸ方向走査によるＬ形マークのＹ方向
中心線Ｐと、ビームのＹ方向走査によるＬ形マー
クのＸ方向中心線Ｑとの交点Ｒを求めることによ
つて行われる。
せ方法について説明する。前記ウエハ５上には、
第２図に示す如くチツプのダイシングライン上
に、Siの異方性エツチングによるＶ溝からなるＬ
形位置合わせ用マークがマトリツクス状に形成さ
れている。マーク位置の測定は、第３図に示す如
くビームのＸ方向走査によるＬ形マークのＹ方向
中心線Ｐと、ビームのＹ方向走査によるＬ形マー
クのＸ方向中心線Ｑとの交点Ｒを求めることによ
つて行われる。
さて、ウエハ５の位置を測定するには、まず第
２図に示す如くウエハ５から選択された２個のマ
ーク、例えばマーク２１の位置測定によりウエハ
全体の平行移動成分及び回転移動成分を求め、ウ
エハ全体の位置座標を決定する。次いで、この決
定座標によりマトリツクス状マークの位置計算を
行い、第２図に示す如く破線矢印に沿つてマーク
の位置測定を順次行う。そして、各マークの位置
測定毎に該測定位置と前記決定座標からの計算位
置とを比較し、これらの差が許容値以内のときは
上記測定位置をマーク位置データとしてウエハ５
の位置合わせを行う。なお、ウエハ５の位置合わ
せとして、実際には上記マーク位置データから電
子ビームの位置補正データを作成し、この位置補
正データにより描画時に電子ビームの偏向開始位
置を補正しながら露光する。
２図に示す如くウエハ５から選択された２個のマ
ーク、例えばマーク２１の位置測定によりウエハ
全体の平行移動成分及び回転移動成分を求め、ウ
エハ全体の位置座標を決定する。次いで、この決
定座標によりマトリツクス状マークの位置計算を
行い、第２図に示す如く破線矢印に沿つてマーク
の位置測定を順次行う。そして、各マークの位置
測定毎に該測定位置と前記決定座標からの計算位
置とを比較し、これらの差が許容値以内のときは
上記測定位置をマーク位置データとしてウエハ５
の位置合わせを行う。なお、ウエハ５の位置合わ
せとして、実際には上記マーク位置データから電
子ビームの位置補正データを作成し、この位置補
正データにより描画時に電子ビームの偏向開始位
置を補正しながら露光する。
一方、前記測定位置と計算位置との差が許容値
を越えるときは、測定マーク周辺のマークの測定
位置からの補間値をマーク位置データとして用い
る。例えば、マーク２２の位置測定に際し該マー
ク２２の測定位置と計算位置との差が許容値を越
えた場合、マーク２２を形成位置の不所望な欠陥
マークと見做し、該マーク２２の近傍のマーク群
２３からの補間値をマーク位置データとして用い
る。ここで、通常のプロセス処理によるウエハ平
面内の歪量は0.5〔μｍ〕以内であるから、許容値
として0.5〔μｍ〕を設定しておけば、ゴミ等の付
着により測定可能な欠陥マークが存在していたと
しても、該マークのマーク位置データを0.5〔μ
ｍ〕以内の精度で決定することができる。
を越えるときは、測定マーク周辺のマークの測定
位置からの補間値をマーク位置データとして用い
る。例えば、マーク２２の位置測定に際し該マー
ク２２の測定位置と計算位置との差が許容値を越
えた場合、マーク２２を形成位置の不所望な欠陥
マークと見做し、該マーク２２の近傍のマーク群
２３からの補間値をマーク位置データとして用い
る。ここで、通常のプロセス処理によるウエハ平
面内の歪量は0.5〔μｍ〕以内であるから、許容値
として0.5〔μｍ〕を設定しておけば、ゴミ等の付
着により測定可能な欠陥マークが存在していたと
しても、該マークのマーク位置データを0.5〔μ
ｍ〕以内の精度で決定することができる。
また、測定不能な欠損マークについては測定可
能な欠陥マークの同様と該マーク近傍のマーク群
からの補間値をマーク位置データとして用いる。
なお、第４図は上述したウエハ位置合わせ方法の
基本動作を示すフローチヤートである。
能な欠陥マークの同様と該マーク近傍のマーク群
からの補間値をマーク位置データとして用いる。
なお、第４図は上述したウエハ位置合わせ方法の
基本動作を示すフローチヤートである。
かくして本実施例によれば、測定不能な欠陥マ
ークは勿論のこと、測定可能な欠損マークが存在
していたとしても、マーク位置データを高精度に
決定することができる。このため、ウエハの局所
的な位置合わせを高精度に行うことができ、電子
ビーム露光精度の向上等をはかり得る。
ークは勿論のこと、測定可能な欠損マークが存在
していたとしても、マーク位置データを高精度に
決定することができる。このため、ウエハの局所
的な位置合わせを高精度に行うことができ、電子
ビーム露光精度の向上等をはかり得る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。例えば、ウエハ全体の位置情報を得
るために位置測定するマークは、前記チツプダイ
シングラインにマトリツクス状に配置されたもの
のいずれかに限るものではなく、これらと別個に
配置したものであつてもよい。さらに、マークの
形状はＬ形に限らず十字形であつてもよいのは勿
論のことである。また、電子ビーム露光装置に限
らず、光学的縮小投影露光装置のチツプ毎の位置
合わせ処理を行う場合等においても、全く同様に
適用することが可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
のではない。例えば、ウエハ全体の位置情報を得
るために位置測定するマークは、前記チツプダイ
シングラインにマトリツクス状に配置されたもの
のいずれかに限るものではなく、これらと別個に
配置したものであつてもよい。さらに、マークの
形状はＬ形に限らず十字形であつてもよいのは勿
論のことである。また、電子ビーム露光装置に限
らず、光学的縮小投影露光装置のチツプ毎の位置
合わせ処理を行う場合等においても、全く同様に
適用することが可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施するこ
とができる。
［発明の効果］
本発明によれば、形成位置の不所望な欠陥マー
クを測定不能な欠損マークと同様に取り扱うこと
ができ、欠陥マークの存在に起因する位置合わせ
精度の劣化を未然に防止することができる。この
ため、半導体ウエハの局所的な位置合わせを、マ
ークの欠陥の有無に拘りなく全ての領域で高精度
に行うことができる。したがつて、電子ビーム露
光装置や光学式縮小投影露光装置等による微細パ
ターン形成に絶大なる効果を発揮する。
クを測定不能な欠損マークと同様に取り扱うこと
ができ、欠陥マークの存在に起因する位置合わせ
精度の劣化を未然に防止することができる。この
ため、半導体ウエハの局所的な位置合わせを、マ
ークの欠陥の有無に拘りなく全ての領域で高精度
に行うことができる。したがつて、電子ビーム露
光装置や光学式縮小投影露光装置等による微細パ
ターン形成に絶大なる効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子
ビーム露光装置を示す概略構成図、第２図はウエ
ハ上に形成したマークの配置関係を示す平面図、
第３図はマーク位置測定の一例を説明するための
模式図、第４図は上記実施例方法の基本動作を示
すフローチヤートである。 １……電子銃、２……レンズ、３，４……偏向
器、５……ウエハ、７……テーブル、８……駆動
回路、９……レーザ測長器、１０……計算機、１
１……電子検出器、２１，２２，２３……位置合
わせ用マーク。
ビーム露光装置を示す概略構成図、第２図はウエ
ハ上に形成したマークの配置関係を示す平面図、
第３図はマーク位置測定の一例を説明するための
模式図、第４図は上記実施例方法の基本動作を示
すフローチヤートである。 １……電子銃、２……レンズ、３，４……偏向
器、５……ウエハ、７……テーブル、８……駆動
回路、９……レーザ測長器、１０……計算機、１
１……電子検出器、２１，２２，２３……位置合
わせ用マーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハ上にマトリツクス状に配置した
位置合わせ用マークの位置を測定し、この測定位
置をマーク位置としてウエハの局所的な位置合わ
せを行う方法において、上記ウエハ上に配置され
た少なくとも２個のマークの位置を測定して該ウ
エハの平行移動成分及び回転移動成分を求め、ウ
エハ全体の位置座標を決定し、この決定された位
置座標に基づいて前記マトリツクス状に配置され
た各マークの位置を計算し、次いで上記マトリツ
クス状に配置されたマークの各位置を順次測定
し、その測定位置と該位置に対応する上記計算位
置とを比較し、これらの差が所定の許容値より大
なるとき該マークを欠陥マークと見做し、該マー
クの周辺のマークの測定位置から補間した値を該
マークのマーク位置として用いることを特徴とす
る半導体ウエハの位置合わせ方法。 ２ 前記ウエハの平行移動成分及び回転移動成分
を求めるために測定するマークは、前記マトリツ
クス状に配置したマークのいずれか、或いはこれ
らとは別個に配置したマークであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体ウエハの
位置合わせ方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119335A JPS6010730A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
| US06/625,545 US4636968A (en) | 1983-06-30 | 1984-06-28 | Method of positioning a beam to a specific portion of a semiconductor wafer |
| EP84304480A EP0130819B1 (en) | 1983-06-30 | 1984-06-29 | A method of positioning a beam to a specific portion of a semiconductor wafer |
| DE8484304480T DE3484885D1 (de) | 1983-06-30 | 1984-06-29 | Verfahren fuer die positionierung eines strahles an einem bestimmten teil einer halbleiterscheibe. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119335A JPS6010730A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010730A JPS6010730A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0244137B2 true JPH0244137B2 (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=14758930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119335A Granted JPS6010730A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4636968A (ja) |
| EP (1) | EP0130819B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6010730A (ja) |
| DE (1) | DE3484885D1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2146427B (en) * | 1983-08-01 | 1987-10-21 | Canon Kk | Semiconductor manufacture |
| SE452526B (sv) * | 1984-05-09 | 1987-11-30 | Stiftelsen Inst Mikrovags | Forfarande for att inspektera integrerade kretsar eller andra objekt |
| JPS6229135A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置 |
| US4803644A (en) * | 1985-09-20 | 1989-02-07 | Hughes Aircraft Company | Alignment mark detector for electron beam lithography |
| US4710604A (en) * | 1985-12-20 | 1987-12-01 | Nippon Kogaku K. K. | Machining apparatus with laser beam |
| JPH0675590B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1994-09-28 | エヌオーケー株式会社 | 芳香剤 |
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| US4972311A (en) * | 1988-08-15 | 1990-11-20 | Kulicke And Soffa Industries Inc. | X-Y table error mapping apparatus and method |
| US4977328A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-11 | U.S. Philips Corporation | Method of detecting a marker provided on a specimen |
| JP2529555Y2 (ja) * | 1990-10-02 | 1997-03-19 | 隆行 木村 | 身装品等乾燥装置 |
| JP3335845B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画装置及び描画方法 |
| US6127683A (en) * | 1996-09-05 | 2000-10-03 | Hitachi, Ltd. | Electron beam drawing apparatus |
| US6246064B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electron beam drawing apparatus |
| JP3244633B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2002-01-07 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法及び電子線描画装置 |
| US5981118A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd. | Method for charged particle beam exposure with fixed barycenter through balancing stage scan |
| US7013467B1 (en) | 1997-12-09 | 2006-03-14 | Mci Communications Corporation | System and method for managing computer system resources using command control vectors |
| US6781680B1 (en) * | 1999-03-26 | 2004-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical system adjusting method for energy beam apparatus |
| JP3946899B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2007-07-18 | 株式会社東芝 | エネルギービーム装置における光学系の調整方法 |
| JP4253708B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-04-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
| US9535100B2 (en) | 2012-05-14 | 2017-01-03 | Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. | Beam imaging sensor and method for using same |
| US9383460B2 (en) | 2012-05-14 | 2016-07-05 | Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. | Beam imaging sensor |
| JP7105271B2 (ja) * | 2020-04-07 | 2022-07-22 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2559209A1 (de) * | 1975-12-30 | 1977-07-14 | Jenoptik Jena Gmbh | Verfahren zur automatischen feinjustierung eines elektronenstrahls in einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage |
| US4328553A (en) * | 1976-12-07 | 1982-05-04 | Computervision Corporation | Method and apparatus for targetless wafer alignment |
| JPS5856402B2 (ja) * | 1978-08-30 | 1983-12-14 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 位置決め用センサ− |
| JPS5719726A (en) * | 1980-07-10 | 1982-02-02 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
| JPS5731134A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Hitachi Ltd | Drawing device by electron beam |
| JPS57204127A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Drawing method for pattern of electron-ray drawing device |
| JPS5946026A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Toshiba Corp | 試料位置測定方法 |
| US4550374A (en) * | 1982-11-15 | 1985-10-29 | Tre Semiconductor Equipment Corporation | High speed alignment method for wafer stepper |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119335A patent/JPS6010730A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-28 US US06/625,545 patent/US4636968A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-06-29 EP EP84304480A patent/EP0130819B1/en not_active Expired
- 1984-06-29 DE DE8484304480T patent/DE3484885D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3484885D1 (de) | 1991-09-12 |
| EP0130819A2 (en) | 1985-01-09 |
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