JPS5911672A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
- Publication number
- JPS5911672A JPS5911672A JP57119787A JP11978782A JPS5911672A JP S5911672 A JPS5911672 A JP S5911672A JP 57119787 A JP57119787 A JP 57119787A JP 11978782 A JP11978782 A JP 11978782A JP S5911672 A JPS5911672 A JP S5911672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bits
- bit
- defect
- reading
- optical sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は読み取り長さの長い光センサに好適な光センサ
アレイ装置に係わシ、特に送信原稿の読み取り欠陥を防
止した密着形光センサアレイ装置に関するものである。
アレイ装置に係わシ、特に送信原稿の読み取り欠陥を防
止した密着形光センサアレイ装置に関するものである。
近年、ファクシミリ送信装置の小形化、高速度化および
高信頼性化を目的として密増形読み取シ方式の光センサ
アレイ装置が提案されている。この光センサアレイ装置
は、透光性ガラス板上に、光電変換機能を有するフォト
ダイオードを一方向に多数並列配置してラインセンサを
形成し、この基板面に送信原稿を密着させて１：１の比
率で読み取るように構成したものである。このような構
成において、送信原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向
に約２２０胡）の場合には、読み取り分解能が８ビツト
／朋としたとき、基板上に２２０ Ｘ ８ ＝１７６０
ビットのフォトダイオードとこのフォトダイオードに直
列接続されるクロストーク防止用ブロッキングダイオー
ドとからなる光センサ素子と、この光センサ素子から読
み出された信号を引き出すマトリックス配線とが必袂と
なる。
高信頼性化を目的として密増形読み取シ方式の光センサ
アレイ装置が提案されている。この光センサアレイ装置
は、透光性ガラス板上に、光電変換機能を有するフォト
ダイオードを一方向に多数並列配置してラインセンサを
形成し、この基板面に送信原稿を密着させて１：１の比
率で読み取るように構成したものである。このような構
成において、送信原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向
に約２２０胡）の場合には、読み取り分解能が８ビツト
／朋としたとき、基板上に２２０ Ｘ ８ ＝１７６０
ビットのフォトダイオードとこのフォトダイオードに直
列接続されるクロストーク防止用ブロッキングダイオー
ドとからなる光センサ素子と、この光センサ素子から読
み出された信号を引き出すマトリックス配線とが必袂と
なる。
第１図は従来よシ提案されている光センサアレイ装置の
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成された光電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用ブ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダ・イオード３との各１１固の組合せで
１ビツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素
子４が１咽間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８
ピツト／覇の読み出しビットが構成され、この８ビツト
／愉の読み出しビットが２２０組集って１７６０ビツト
からなるラインセンサが構成されている。５は光センサ
素子４の共通電極シフトレジスタ、６は光センサ素子４
の読み出し信号引き出すマトリックス配線、Ｔはマトリ
ックス配線６の個別電極シフトレジスタ、８は信号増幅
器である。
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成された光電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用ブ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダ・イオード３との各１１固の組合せで
１ビツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素
子４が１咽間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８
ピツト／覇の読み出しビットが構成され、この８ビツト
／愉の読み出しビットが２２０組集って１７６０ビツト
からなるラインセンサが構成されている。５は光センサ
素子４の共通電極シフトレジスタ、６は光センサ素子４
の読み出し信号引き出すマトリックス配線、Ｔはマトリ
ックス配線６の個別電極シフトレジスタ、８は信号増幅
器である。
しかしながら前記構成による密着形光センサアレイ装置
において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板１
上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
からなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するのに
、基板１上には、トータルで約１ ｃｒｉｌの面積を有
するアモルファスシリコン膜が被着形成されるどとにな
る。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜欠陥四
度が約０．５個／ｃｒＩ程度の割合で発生することから
、１７６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の膜
欠陥による欠陥ビットが発生し、分解能を低下させる。
において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板１
上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３と
からなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するのに
、基板１上には、トータルで約１ ｃｒｉｌの面積を有
するアモルファスシリコン膜が被着形成されるどとにな
る。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜欠陥四
度が約０．５個／ｃｒＩ程度の割合で発生することから
、１７６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の膜
欠陥による欠陥ビットが発生し、分解能を低下させる。
このため、密着形光センサアレイ装置の歩留率ｙは、膜
欠陥密度をａ、有効面積をＤとすると、ｙ＝ｅ−ａ′Ｄ 工。−０，５１ｉＸ１洲 ＝６０％ となり、歩留率は大幅に低下し、生産コストが商価とな
る欠点があった。
欠陥密度をａ、有効面積をＤとすると、ｙ＝ｅ−ａ′Ｄ 工。−０，５１ｉＸ１洲 ＝６０％ となり、歩留率は大幅に低下し、生産コストが商価とな
る欠点があった。
したがって本発明は、前述した欠点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、所定の読み出しビ
ット数よシも多数のビット数を精細な読み取りピッチで
配列して設けるとともに、該多数ビットの複数のビット
を１ビツトとして使用することによって、欠陥ピットの
救済をはかり、歩留率を向上させ、生産コストを低減さ
せた密着形光センサアレイ装置を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、所定の読み出しビ
ット数よシも多数のビット数を精細な読み取りピッチで
配列して設けるとともに、該多数ビットの複数のビット
を１ビツトとして使用することによって、欠陥ピットの
救済をはかり、歩留率を向上させ、生産コストを低減さ
せた密着形光センサアレイ装置を提供することにある。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による光センサアレイ装置の一例を示す
要部回路倒成図であわ、第１図と同記号は同−要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、例えばＡ４
サイズ（２２０ｍ＋ｎ）で８ビツト／ ｍｍの分解能を
有するラインセンサを製作する場合には、基板１上にフ
ォトダイオード２とブロッキングダイオード３とからな
る光センサ素子４を８ビツト／咽の絖み出しビット数よ
りも多い、例えば２倍多い１６ビツ） ／ ｒｔｒｒｎ
の割合で精細に配列形成し、トータルで１７６０ Ｘ２
＝３５２０ピツトを有するラインセンサを構成する。そ
して、このラインセンサは、これらの３５２０ビツトの
光センサ素子４の＋ｉｄ個のもので８ビツト間隔幅でペ
アを作ってマトリックス配線し、例えば１６ピツト分の
信号出力配線を欠陥ビット切断回路９の入力端に接続す
る。−まだ、この欠陥ビット切断回路９から出力される
１６ビツト分の出力ライン１０は各２本毎に１本のライ
ンに接続されて８ピツトの分解能を有する個別電極７フ
トレジスタ７の入力端に接続されている。
要部回路倒成図であわ、第１図と同記号は同−要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、例えばＡ４
サイズ（２２０ｍ＋ｎ）で８ビツト／ ｍｍの分解能を
有するラインセンサを製作する場合には、基板１上にフ
ォトダイオード２とブロッキングダイオード３とからな
る光センサ素子４を８ビツト／咽の絖み出しビット数よ
りも多い、例えば２倍多い１６ビツ） ／ ｒｔｒｒｎ
の割合で精細に配列形成し、トータルで１７６０ Ｘ２
＝３５２０ピツトを有するラインセンサを構成する。そ
して、このラインセンサは、これらの３５２０ビツトの
光センサ素子４の＋ｉｄ個のもので８ビツト間隔幅でペ
アを作ってマトリックス配線し、例えば１６ピツト分の
信号出力配線を欠陥ビット切断回路９の入力端に接続す
る。−まだ、この欠陥ビット切断回路９から出力される
１６ビツト分の出力ライン１０は各２本毎に１本のライ
ンに接続されて８ピツトの分解能を有する個別電極７フ
トレジスタ７の入力端に接続されている。
このように構成された光センサアレイ装置において、所
要の１７６０ビットの読み取りビット数に対してそれよ
りも多い３５２０ビツト数の２インセンサを精細に配列
して設けたことによって、このラインセンサのうち、光
センサ素子４のあるビットがアモルファスシリコン膜の
膜欠陥による欠陥が生じた場合、欠陥ビット切断回路９
でこの欠陥ビットのラインのみに例えば電流を流して欠
陥のフォトダイオード２．ブロッキングダイオード３ま
たはその配線パターン等のいずれかを１ａ気的に切断し
、その欠陥ビットのみを使用不能とさせるとともに、こ
の欠陥を生じたビットについてはこれとベアとなってい
る残シのビットを用いて読み取ることによって、読み取
りビットの欠陥を救済することが可能となる。
要の１７６０ビットの読み取りビット数に対してそれよ
りも多い３５２０ビツト数の２インセンサを精細に配列
して設けたことによって、このラインセンサのうち、光
センサ素子４のあるビットがアモルファスシリコン膜の
膜欠陥による欠陥が生じた場合、欠陥ビット切断回路９
でこの欠陥ビットのラインのみに例えば電流を流して欠
陥のフォトダイオード２．ブロッキングダイオード３ま
たはその配線パターン等のいずれかを１ａ気的に切断し
、その欠陥ビットのみを使用不能とさせるとともに、こ
の欠陥を生じたビットについてはこれとベアとなってい
る残シのビットを用いて読み取ることによって、読み取
りビットの欠陥を救済することが可能となる。
なお、前記実施例において、ラインセンサは、所四の読
み取りビット数を１７６０ビツト、また所＞屁の読み１
収りビット舊文よりも多い読み［９１，リビット数とし
て２倍の３５６０ビツトとした場合について簡明したが
、本発明はビット数に限定されるもので１１．なく、）
′Ｊ［＞屁の睨み取りビット数よりも多いピッ）ｉＵで
ラインセンサを構成することによって、前述と全く同様
の効果が得られることは勿論である。
み取りビット数を１７６０ビツト、また所＞屁の読み１
収りビット舊文よりも多い読み［９１，リビット数とし
て２倍の３５６０ビツトとした場合について簡明したが
、本発明はビット数に限定されるもので１１．なく、）
′Ｊ［＞屁の睨み取りビット数よりも多いピッ）ｉＵで
ラインセンサを構成することによって、前述と全く同様
の効果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、光センサ素子のア
モルファスシリコン膜の欠陥によって生じる読み取りビ
ットの政断を容易に行なうことができるので、密層形光
センサの大形化が高歩留りで実現可能となり、生産コス
トが安価となるとともに、解像度を大幅に向上させるこ
とができるなどの極めて優れた効果が得られる。
モルファスシリコン膜の欠陥によって生じる読み取りビ
ットの政断を容易に行なうことができるので、密層形光
センサの大形化が高歩留りで実現可能となり、生産コス
トが安価となるとともに、解像度を大幅に向上させるこ
とができるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の光センサアレイ装置Ｗの一例を示す」炭
部回路構成図、第２図は本発明による光センーリーアレ
イ装置の一例を示す要部回路構成図である。 １・・・・基板、２・・・・フォトダイオード、３・−
・・ブロッキングダイオード、４・・・・光センサ素子
、５・・・・共通電極／フトレジスタ、６・・・・マト
リックス配線、７・・・・個別電極シフトレジスタ、８
・・・・信号増幅器。
部回路構成図、第２図は本発明による光センーリーアレ
イ装置の一例を示す要部回路構成図である。 １・・・・基板、２・・・・フォトダイオード、３・−
・・ブロッキングダイオード、４・・・・光センサ素子
、５・・・・共通電極／フトレジスタ、６・・・・マト
リックス配線、７・・・・個別電極シフトレジスタ、８
・・・・信号増幅器。
Claims (1)
- 光電変換機能を有するアモルファスシリコン膜からなる
フォトダイオードと前記フォトダイオードに直列接続さ
れかつ前記光電変換信号のクロストークを防止するアモ
ルファスシリコン膜からなるブロッキングダイオードと
からなる光センサ素子と、前記光センサ素子に接続され
かつ出力信号を外部へ引き出すマトリックス配線とを透
光性基板上に多数個配列してなるラインセンサを具備し
た密着形光センサアレイ装置において、前記光センサ素
子は所定の分解能数よシも多数量かつ精細な読み取りピ
ッチで形成したことを特徴とする密着形光センサアレイ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119787A JPS5911672A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光センサアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119787A JPS5911672A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911672A true JPS5911672A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14770208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119787A Pending JPS5911672A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911672A (ja) |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57119787A patent/JPS5911672A/ja active Pending
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