JPS5986255A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
- Publication number
- JPS5986255A JPS5986255A JP57196010A JP19601082A JPS5986255A JP S5986255 A JPS5986255 A JP S5986255A JP 57196010 A JP57196010 A JP 57196010A JP 19601082 A JP19601082 A JP 19601082A JP S5986255 A JPS5986255 A JP S5986255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical sensor
- array device
- sensor array
- photodiode
- blocking diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は読み取り長さの長い光センサに好適な光センサ
アレイ装置に係わり、特に送信原稿の読み取シ欠陥を防
止した密着形光センサアレイ装置化および高信頼性化を
目的として密着形読み取シ方式の光センサアレイ装置が
提案されている。この光センサアレイ装置は、透光性ガ
ラス板上に、光電変換機能を有するフォトダイオードを
一方向に多数並列配置してラインセンサを形成し、この
基板面に送信原稿を密着させて１：１の比率で読み取る
ように構成したものである。このような構成において、
送信原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向に約２２０ｗ
ｍ）の場合には、読み取シ分解能が８ビツト／鰭とした
とき、基板上に２２０Ｘ８＝１７６０ビツトのフォトダ
イオードとこのフォトダイオードに直列接続されるクロ
ストーク防止用ブロッキングダイオードとからなる光セ
ンサ素子と、この光センサ素子から読み出された信号を
引き出すマトリックス配線とが必要となる。
アレイ装置に係わり、特に送信原稿の読み取シ欠陥を防
止した密着形光センサアレイ装置化および高信頼性化を
目的として密着形読み取シ方式の光センサアレイ装置が
提案されている。この光センサアレイ装置は、透光性ガ
ラス板上に、光電変換機能を有するフォトダイオードを
一方向に多数並列配置してラインセンサを形成し、この
基板面に送信原稿を密着させて１：１の比率で読み取る
ように構成したものである。このような構成において、
送信原稿の大きさがＡ４サイズ（長手方向に約２２０ｗ
ｍ）の場合には、読み取シ分解能が８ビツト／鰭とした
とき、基板上に２２０Ｘ８＝１７６０ビツトのフォトダ
イオードとこのフォトダイオードに直列接続されるクロ
ストーク防止用ブロッキングダイオードとからなる光セ
ンサ素子と、この光センサ素子から読み出された信号を
引き出すマトリックス配線とが必要となる。
第１図は従来よシ提案されている光センサアレイ装置の
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成された光電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用プ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダイオード３との各１個の組合せで１ビ
ツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素子４
が１曙間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８ピツ
） ／ ｔｔａｎの銃み出しビットが構成され、この８
ビツト／調の読み出しビットが２２０組集って１７６０
ビツトからなるラインセ／すが構成されている。５は光
センサ素子４の共通電極シフトレジスタ、６は光センサ
素子４の読み出し信号を引き出すマトリックス配線、Ｔ
はマトリックス配線６０個別電極シフトレジスタ、８は
信号増幅器である。
一例を示す要部回路構成図である。同図において、１は
透光性ガラス板からなる基板、２は基板１上の長手方向
に多数個形成された光電変換機能を有するアモルファス
シリコン薄膜からなるフォトダイオード、３は基板１上
に前記フォトダイオード２に直列接続して形成されたア
モルファスシリコン薄膜からなるクロストーク防止用プ
ロッキングダイオードであシ、このフォトダイオード２
とブロッキングダイオード３との各１個の組合せで１ビ
ツトの光センサ素子４が構成され、この光センサ素子４
が１曙間隔の中に８個の割合で形成されて分解能８ピツ
） ／ ｔｔａｎの銃み出しビットが構成され、この８
ビツト／調の読み出しビットが２２０組集って１７６０
ビツトからなるラインセ／すが構成されている。５は光
センサ素子４の共通電極シフトレジスタ、６は光センサ
素子４の読み出し信号を引き出すマトリックス配線、Ｔ
はマトリックス配線６０個別電極シフトレジスタ、８は
信号増幅器である。
しかしながら、前記構成による密着形光センサアレイ装
置において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板
１上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３
とからなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するの
に、基板１１；Ｅｖｘ、 ）ｌ ルテ約１ ｃａの面
積を有するアモルファスシリコン膜が被着形成されるこ
とになる。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜
欠陥密度が約０．５個／ｄ程度の割合で発生することか
ら、１７６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の
膜欠陥による欠陥ビットが発生し、分解能を低下させる
という問題があった。例えば、ブロッキングダイオード
３においては、膜欠陥が生じた場合、このブロッキング
ダイオード３は常時導通状態となシ、とのブロッキング
ダイオード３とフォトダイオード２との間に、フォトダ
イオード２０入射光量に対応する電荷が注入されても同
等蓄積され得なくなシ、このビットは欠陥ビットとなっ
てしまうとれたものでアシ、その目的とするところは、
フォトダイオードに少なくとも２個のブロッキングダイ
オードを直列接続して光センサ素子を構成することによ
って、自動的に欠陥ビットの救済をはかシ、歩留シ率を
向上させ、生産コストを低減させた密着形光センサアレ
イ装置を提供することにあ以１図面を用いて本発明の実
施例を詳細に説明する。
置において、送信原稿が例えばＡ４サイズの場合、基板
１上にフォトダイオード２とブロッキングダイオード３
とからなる光センサ素子４を１７６０ビツト形成するの
に、基板１１；Ｅｖｘ、 ）ｌ ルテ約１ ｃａの面
積を有するアモルファスシリコン膜が被着形成されるこ
とになる。そして、通常、アモルファスシリコン膜は膜
欠陥密度が約０．５個／ｄ程度の割合で発生することか
ら、１７６０ビツトの読み出しビットに対して複数個の
膜欠陥による欠陥ビットが発生し、分解能を低下させる
という問題があった。例えば、ブロッキングダイオード
３においては、膜欠陥が生じた場合、このブロッキング
ダイオード３は常時導通状態となシ、とのブロッキング
ダイオード３とフォトダイオード２との間に、フォトダ
イオード２０入射光量に対応する電荷が注入されても同
等蓄積され得なくなシ、このビットは欠陥ビットとなっ
てしまうとれたものでアシ、その目的とするところは、
フォトダイオードに少なくとも２個のブロッキングダイ
オードを直列接続して光センサ素子を構成することによ
って、自動的に欠陥ビットの救済をはかシ、歩留シ率を
向上させ、生産コストを低減させた密着形光センサアレ
イ装置を提供することにあ以１図面を用いて本発明の実
施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による光センサアレイ装置の一例を示す
要部回路構成図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、フォトダイ
オード２とプロツキングダをブロッキングダイオード３
に同一極性で直列接続して設け、これらのブロッキング
ダイオード３゜ゴとフォトダイオード２との組合せで１
ビツトの光センサ素子４′を構成したものである。
要部回路構成図であり、第１図と同記号は同一要素とな
るのでその説明は省略する。同図において、フォトダイ
オード２とプロツキングダをブロッキングダイオード３
に同一極性で直列接続して設け、これらのブロッキング
ダイオード３゜ゴとフォトダイオード２との組合せで１
ビツトの光センサ素子４′を構成したものである。
このような構成によれば、直列接続して設けられた２個
のプロツキ／グダイオード３，３′のうち、いずれか一
方に膜欠陥が発生した場合、残る他方のブロッキングダ
イオードが正常であるので、フォトダイオード２から注
入された電荷はこの正常なブロッキングダイオードで阻
止することができる。したがって、膜欠陥に起因する欠
陥ビットの発生を容易に救済することが可能となる。
のプロツキ／グダイオード３，３′のうち、いずれか一
方に膜欠陥が発生した場合、残る他方のブロッキングダ
イオードが正常であるので、フォトダイオード２から注
入された電荷はこの正常なブロッキングダイオードで阻
止することができる。したがって、膜欠陥に起因する欠
陥ビットの発生を容易に救済することが可能となる。
なお、前記実施例において、ブロッキングダイオードは
、直列に２個設けた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、複数個設けることによ
って、欠陥ビットの発生をトが自動的に救済することが
できるので、歩留）が大幅に向上させることができると
いう極めて優れた効果が得られる。
、直列に２個設けた場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、複数個設けることによ
って、欠陥ビットの発生をトが自動的に救済することが
できるので、歩留）が大幅に向上させることができると
いう極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の光センサアレイ装置の一例を示す要部回
路構成図、第２図は本発明による光センサアレイ装置の
一例を示す要部回路構成図である。 １・１１１１６基板、２・・・・フォトダイオード、３
．３・・・・ブロッキングダイオード、４ 、４’脅・
・・光センサ素子、５・・・・共通電極シフトレジスタ
、６・・・・マトリックス配線、Ｔ・・・・・個別電極
シフトレジスタ、８・・・・信号増幅器。 第１図 ５ 第２図
路構成図、第２図は本発明による光センサアレイ装置の
一例を示す要部回路構成図である。 １・１１１１６基板、２・・・・フォトダイオード、３
．３・・・・ブロッキングダイオード、４ 、４’脅・
・・光センサ素子、５・・・・共通電極シフトレジスタ
、６・・・・マトリックス配線、Ｔ・・・・・個別電極
シフトレジスタ、８・・・・信号増幅器。 第１図 ５ 第２図
Claims (1)
- フォトダイオードとブロッキングダイオードとの各１個
を直列接続してなる光センサ素子を１ビツトの読み出し
画素として多数個具備してなる密Ｍ形光センサアレイ装
置において、前記光センサ素子のブロッキングダイオー
ドは、前記ブロッキングダイオードと＃′！ｉは同等の
特性を有するブロッキングダイオードを複数直列接続し
て構成したことを特徴とする光センサアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196010A JPS5986255A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196010A JPS5986255A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986255A true JPS5986255A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16350723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196010A Pending JPS5986255A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986255A (ja) |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57196010A patent/JPS5986255A/ja active Pending
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