JPS59116745A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はパターン形成方法に関するものであシ、特に電
子線を照射して微細パターンを形成する方法に関するも
のである。

（２）技術の背景 ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装置が高密度化されるにつれ
て微細加工技術の確立がよシ重要と々って来た。加工技
術においてはポリマの反応性、溶解性を利用してパター
ンを形成しこれをマスクとして基板加工を行うリングラ
フィが従来から使用されている。リングラフィにおいて
はポリマの反応にあずかるエネルギー源としては高解像
性ヲ得るために従来の紫外線から回折散乱効果の７］＼
さい高エネルギー線である電子線（ＥＢ）が使用されて
いる。

（３）従来技術と問題点 従来、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＩＧ’ＩＡ
）等の電子線レジストをノやターニングするには、基板
上に該レジストをスピンコード法、スジレイ法等によシ
塗布し、該レジストに電子線ビームを選択的に照射し、
そのノｅターンを現像することによって行われる。この
ように電子線を用いてレジストを用いてレジストをパタ
ーニングする場合、レジストに電子線全照射した時に照
射部のレジスト周辺に電荷が蓄積される。すなわち連続
してパターニングする際、次のショット位置が前回の露
光によって生じた電荷によってずらされる。

（４）発明の目的 上記欠点を鑑み本発明は電子線を照射しても位置ずれの
ない良好なレジスト・ヤターンを形成する方法を提供す
ることを目的とする。

（５）発明の構成 本発明の目的は基板上に光導電性レジストを塗布し、次
に該レジストに光を照射しながら電子線を照射する工程
を含んでなることを特徴とするレジストパターンの形成
方法によって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明を実施例に基づいて説明する。例えばシリコ
ン基板上にポリビニルカルバゾール１．５μ塗布し、 該レジスト全体に、約３００ないし５００　ｎｍの波長
を有する光を照射しながら電子線を照射して露光、現像
を行なった。電子線の照射条件は加速電圧２０　ｋＶで
行彦っだ。ポリビニルカルバゾールは３００ないし５０
０　ｎｍの波長を壱する光を照射することにより導電性
を有するものである。

このようにレジストに導電性を持たぜることによって電
子線を照射した時に形成されたパターンに不要の電荷が
蓄積されるのが防止される、従って連続して正確な・ぐ
ターニングをすることが可能となり、レジス）ノＪター
ンの位置ずれが従来の（１１５）〜（１／１０　）程度
と向上させることが出来た。

（７）発明の詳細 な説明したように本発明によれは、電子線照射によって
所望の・やターンに精度よく露光し得るために位置ずれ
のない良好なレジストパターンを得ることが出来る。

−２し

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に光導電性レジストを塗布し、次に前記レジ
   ストに光を照射しながら電子線を照射する工程を含んで
   なることを特徴とするレジストのノやターン形成方法。 ２　前記光導電性レジストがポリビニルカルバゾール（
   ＰＶＣｚ　）、ポリビニルピレン（ｐｖｐ　、り又はポ
   リビニルアクリジン（ＰＶＡｃｒ）であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３．３００ないし５００　ｎｍの波長の光を該レジスト
   に照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項に記載の方法。