JPS59121684A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents
磁気バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS59121684A JPS59121684A JP57228753A JP22875382A JPS59121684A JP S59121684 A JPS59121684 A JP S59121684A JP 57228753 A JP57228753 A JP 57228753A JP 22875382 A JP22875382 A JP 22875382A JP S59121684 A JPS59121684 A JP S59121684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- posts
- permanent magnet
- chip
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ＋ 発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモｌＪ［置、特にバブルメモリチ
ップと該チップにバイアス磁界を印加する永久磁石との
対向関係を正確に位置決めする構造に関する。
ップと該チップにバイアス磁界を印加する永久磁石との
対向関係を正確に位置決めする構造に関する。
（ｂｌ 技術の背景
情報の蓄積や論理演算等を行なう磁気バブルメモリ装置
は、記憶密度が高く不揮発性であり９、機械的可動部分
を含まない等の利点があるため、広く利用されるように
なった。
は、記憶密度が高く不揮発性であり９、機械的可動部分
を含まない等の利点があるため、広く利用されるように
なった。
このような磁気バブルメモＩＪ ｆｉ置は、一般にバブ
ルメモリチップをセラミック等にてなる基板に搭載し、
該基板は該チップに水平（Ｘ−Ｙ平面）な回転磁界を印
加する駆動コイル（ＸコイルとＹコイル〕と、チップの
垂直方向にバイアス磁界を印刀ＯＴる永久磁石等ととも
に、パッケージ内に装着されている。そして、前記チッ
プと永久磁石は適当な角度だけ傾斜させて対向し所要の
バブルドメイン・ホールド磁界、例えば成る種の磁気バ
ブルメモｌＪ［置において前記傾斜を２４度としそのホ
ールト磁界を９エルステツド（Ｏｅ）としたとき、傾斜
角度に０．２５度の誤差が生じるとホールド磁界は約１
０ｅだけ変化するようになる。
ルメモリチップをセラミック等にてなる基板に搭載し、
該基板は該チップに水平（Ｘ−Ｙ平面）な回転磁界を印
加する駆動コイル（ＸコイルとＹコイル〕と、チップの
垂直方向にバイアス磁界を印刀ＯＴる永久磁石等ととも
に、パッケージ内に装着されている。そして、前記チッ
プと永久磁石は適当な角度だけ傾斜させて対向し所要の
バブルドメイン・ホールド磁界、例えば成る種の磁気バ
ブルメモｌＪ［置において前記傾斜を２４度としそのホ
ールト磁界を９エルステツド（Ｏｅ）としたとき、傾斜
角度に０．２５度の誤差が生じるとホールド磁界は約１
０ｅだけ変化するようになる。
（ｃｌ 従来技術と問題点
第１図はバブルメモリチップを搭載する基板の代表例を
示Ｔ平面図（イ）とそのＩ−Ｉ’断面図（ロ）、第２図
は前記基板とバイアス磁界印刀口用永久磁石との対向関
係を決める従来の装置構造を説明するための側断面図、
＠３図は第２図に示したパッケージ枠体の斜視図である
。
示Ｔ平面図（イ）とそのＩ−Ｉ’断面図（ロ）、第２図
は前記基板とバイアス磁界印刀口用永久磁石との対向関
係を決める従来の装置構造を説明するための側断面図、
＠３図は第２図に示したパッケージ枠体の斜視図である
。
第１図において、セラミックにてなる基板ｌはほぼヨ字
形状であり、表面の中央部にバブルメモリチップ搭載用
の四部２を形成し、その周囲に複数のチップ接続用パッ
ド３が被着された凹部４を形成し、パッケージのリード
端子に接続する複数のパッド５が基板１の一方の対向端
部それぞれに被着されている。ただし、パッ゛ド５はそ
れぞれ基板１の表面から端面を通って基板１の裏面に連
らなり、パッド３と５は基板１の表面に被着した導体パ
ターン（図示せず〕にて所定間それぞれが接続されてお
り、１対の溝１５と１６は搭載チップ７（第２図）に水
平な回転磁界を印加Ｔる１対のコイルを嵌装するための
ものである。
形状であり、表面の中央部にバブルメモリチップ搭載用
の四部２を形成し、その周囲に複数のチップ接続用パッ
ド３が被着された凹部４を形成し、パッケージのリード
端子に接続する複数のパッド５が基板１の一方の対向端
部それぞれに被着されている。ただし、パッ゛ド５はそ
れぞれ基板１の表面から端面を通って基板１の裏面に連
らなり、パッド３と５は基板１の表面に被着した導体パ
ターン（図示せず〕にて所定間それぞれが接続されてお
り、１対の溝１５と１６は搭載チップ７（第２図）に水
平な回転磁界を印加Ｔる１対のコイルを嵌装するための
ものである。
第２図において、６は装置パッケージの枠体、７は基板
１に搭載した磁気バブルメモリチップ、ス ８と９はバイＴＭｖ＆界印加用の板状永久磁石、ｌ。
１に搭載した磁気バブルメモリチップ、ス ８と９はバイＴＭｖ＆界印加用の板状永久磁石、ｌ。
と１１は整磁板である。絶縁性プラスチックをモールド
形成してなる角筒状枠体６は、第３図に示Ｔ如く、−万
の対向周壁それぞれの中央部に複数本のリード端子１２
の中間部がインサートされており、上部開口及び下部開
口に沿って永久磁石８と整磁板１０．永久磁石９と整磁
板１１が嵌合Ｔる凹部１３と１４を有する。ただし、リ
ード端子１２は一方の端部が枠体６の内側へ突出し、そ
の並列ピッチは基板パッド５の被着ピッチと同じになっ
ている。とともに、リード端子１２の並列面は凹部１３
及び１４の底面に対し、適当角度（例えば２．５度）だ
け傾斜している。
形成してなる角筒状枠体６は、第３図に示Ｔ如く、−万
の対向周壁それぞれの中央部に複数本のリード端子１２
の中間部がインサートされており、上部開口及び下部開
口に沿って永久磁石８と整磁板１０．永久磁石９と整磁
板１１が嵌合Ｔる凹部１３と１４を有する。ただし、リ
ード端子１２は一方の端部が枠体６の内側へ突出し、そ
の並列ピッチは基板パッド５の被着ピッチと同じになっ
ている。とともに、リード端子１２の並列面は凹部１３
及び１４の底面に対し、適当角度（例えば２．５度）だ
け傾斜している。
従って第２図に示Ｔ如く、枠体６の内側へ突出Ｔるリー
ド端子１２にパッド５をはんだ付けし、永久磁石８と９
及び整磁板１ｏと１１を組合せて枠体凹部１３と１４に
嵌合Ｔると、チップ７と永久磁石８．９は前記傾斜角度
で対向し、その対向関係は対向空域１５と１６に埋込ん
だシリコン樹脂で固定される。
ド端子１２にパッド５をはんだ付けし、永久磁石８と９
及び整磁板１ｏと１１を組合せて枠体凹部１３と１４に
嵌合Ｔると、チップ７と永久磁石８．９は前記傾斜角度
で対向し、その対向関係は対向空域１５と１６に埋込ん
だシリコン樹脂で固定される。
しかしながら、上記構成になる従来の磁気バブルメモＩ
Ｊ ｆｌ置は枠体（６）をモールド形成Ｔるためひずみ
等により凹部（１３と１４）の底面が全体に渡って平面
でなくなったり、リード端子（１２）の枠体［６７内突
出部が何んらかの外カモ曲げられたり、該突出部と基板
パッド（５１を接続するはんだ等によって、基板（１）
と永久磁石（８と９）との傾斜角度が設定値から外れ、
所望のバイアス磁界が得られないことがあった。
Ｊ ｆｌ置は枠体（６）をモールド形成Ｔるためひずみ
等により凹部（１３と１４）の底面が全体に渡って平面
でなくなったり、リード端子（１２）の枠体［６７内突
出部が何んらかの外カモ曲げられたり、該突出部と基板
パッド（５１を接続するはんだ等によって、基板（１）
と永久磁石（８と９）との傾斜角度が設定値から外れ、
所望のバイアス磁界が得られないことがあった。
なお、前記傾斜角度が大きくなるとホールド磁界も大き
くなり、バブルドメインの駆動力が減少し動作領域が狭
められる不都合があるとともに、傾斜角度が小きくなる
とホールド磁界が減少し、バブルドメインのスタート・
ストップ動作が不安定になりパッドループカｌ定まらな
いようになる不都合が生じる。
くなり、バブルドメインの駆動力が減少し動作領域が狭
められる不都合があるとともに、傾斜角度が小きくなる
とホールド磁界が減少し、バブルドメインのスタート・
ストップ動作が不安定になりパッドループカｌ定まらな
いようになる不都合が生じる。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は、上記問題点を除去した構造の磁気バブ
ルメモＩＪ装置１％提供Ｔることである。
ルメモＩＪ装置１％提供Ｔることである。
ｔｅｌ 発明の構成
上記目的は、本発明によればバブルメモリチップを搭載
した基板と、該チップにバイアス磁界を印加する永久磁
石とが、ボス）ｆ介して対向するように構成してなるこ
とを特徴とＴる磁気バブルメモリ装置を提供して達成さ
れる。
した基板と、該チップにバイアス磁界を印加する永久磁
石とが、ボス）ｆ介して対向するように構成してなるこ
とを特徴とＴる磁気バブルメモリ装置を提供して達成さ
れる。
（ｆｌ 発明の実施例
以下、本発明の一実施例に係わるバブルメモリチップ搭
載基板を示す第４図を用いて、本発明を説明する。
載基板を示す第４図を用いて、本発明を説明する。
第４図は基板の平面内ケ］と側面図（口１であり、セラ
ミックスにてなる基板２１はバブルチップ搭載用凹部２
２、チップ接続用パッド２３．パッド２３を′４ｆ１着
する凹部２４．リード端子へ接続Ｔるためのパッド２５
等が、従来構成の基板１と同様に形成又は被着されてお
り、３箇所のコーナ近傍には表面から上方へ突出するポ
スト２６〜２８．裏面から下方へ突出するポスト２６′
〜２８′が一体形成されている。ただし、ポスト２６〜
２８の各上面を含む平面とポスト２６′〜２８′の各下
面を含む平面は平行であり、かつ、チップ搭載凹部２２
の底面とは適当な角度で所定方向へ傾斜させである。
ミックスにてなる基板２１はバブルチップ搭載用凹部２
２、チップ接続用パッド２３．パッド２３を′４ｆ１着
する凹部２４．リード端子へ接続Ｔるためのパッド２５
等が、従来構成の基板１と同様に形成又は被着されてお
り、３箇所のコーナ近傍には表面から上方へ突出するポ
スト２６〜２８．裏面から下方へ突出するポスト２６′
〜２８′が一体形成されている。ただし、ポスト２６〜
２８の各上面を含む平面とポスト２６′〜２８′の各下
面を含む平面は平行であり、かつ、チップ搭載凹部２２
の底面とは適当な角度で所定方向へ傾斜させである。
そして、基板凹部２２に搭載したチップにバイアス磁界
を、印加する永久磁石は、第４図［Ｅに示丁如く、ポス
ト２６〜２８の上面に一方の面が密着する整磁板３１を
介して板状永久磁石２９を対向させ、ポスト２６′〜２
８′の下面ｌこ一方の面が密着する整磁板３２７ｉ−介
して板状永久磁石３０を対向させ、それらは装置パッケ
ージの空間を埋めるシリコン樹脂で固定される。なお、
第４図（イ）に示す３万の溝３３〜３５は、搭載チップ
に水平な回転磁界を印加Ｔる１対のコ・イルを嵌装Ｔる
ためのものであり、基板２１をパッケージに’ＩＭＮＴ
るには、パッド２５を装置パッケージのリード端子には
んだ付はする等により災施し、該パッケージには永久磁
石２９と３０．磁整板３１と３２の位置を拘束Ｔる嵌合
部が形成されていない。
を、印加する永久磁石は、第４図［Ｅに示丁如く、ポス
ト２６〜２８の上面に一方の面が密着する整磁板３１を
介して板状永久磁石２９を対向させ、ポスト２６′〜２
８′の下面ｌこ一方の面が密着する整磁板３２７ｉ−介
して板状永久磁石３０を対向させ、それらは装置パッケ
ージの空間を埋めるシリコン樹脂で固定される。なお、
第４図（イ）に示す３万の溝３３〜３５は、搭載チップ
に水平な回転磁界を印加Ｔる１対のコ・イルを嵌装Ｔる
ためのものであり、基板２１をパッケージに’ＩＭＮＴ
るには、パッド２５を装置パッケージのリード端子には
んだ付はする等により災施し、該パッケージには永久磁
石２９と３０．磁整板３１と３２の位置を拘束Ｔる嵌合
部が形成されていない。
従って、基板２１に搭載したバブルメモリチップと永久
磁石２９ 、３０との傾斜角度は基板２１の加工精度に
より決定し、パッケージの加工精度や、該パッケージ（
こ基板を接続Ｔる接続部ｌこ影響されないようになる。
磁石２９ 、３０との傾斜角度は基板２１の加工精度に
より決定し、パッケージの加工精度や、該パッケージ（
こ基板を接続Ｔる接続部ｌこ影響されないようになる。
なお上記実施例において、ポスト２６〜２８．２６’〜
２８／は基板２１の一部分として一体に形放すれている
が、それぞれを個片に作成し接層により一体化させても
よい。また、ポスト２６〜２８．２６’〜２８′の位置
は実施例のもので限定されず、例えばポスト２６と２６
′ヲそれぞれポスト２８と２８′の対称位置に形成し、
図示ポスト２６と２６を形成するための基板延長部（溝
３５の図示左側）を無くして基板形状を単純化すること
もできる。さらに、上記実施例では整磁板３１，３２を
介して永久磁石２９．３０が裂ｉされているが、整磁板
を必要としないときは基板ポスト２６〜２８．２６’〜
２８′に永久磁石２９．３０を直接接触させて、搭載チ
ップと対向するようになる。
２８／は基板２１の一部分として一体に形放すれている
が、それぞれを個片に作成し接層により一体化させても
よい。また、ポスト２６〜２８．２６’〜２８′の位置
は実施例のもので限定されず、例えばポスト２６と２６
′ヲそれぞれポスト２８と２８′の対称位置に形成し、
図示ポスト２６と２６を形成するための基板延長部（溝
３５の図示左側）を無くして基板形状を単純化すること
もできる。さらに、上記実施例では整磁板３１，３２を
介して永久磁石２９．３０が裂ｉされているが、整磁板
を必要としないときは基板ポスト２６〜２８．２６’〜
２８′に永久磁石２９．３０を直接接触させて、搭載チ
ップと対向するようになる。
＋ｇ＋ 発明の効果 、
以上説明した如く本発明によれば、バブルメモリが向上
した。のみならず動作領域やスタート・ストップ動作が
安定化したことにより、バブルメモリ装置を設計する際
製造上のマージンを、従来のものより小さく抑えられる
効果は極めて太きい。
した。のみならず動作領域やスタート・ストップ動作が
安定化したことにより、バブルメモリ装置を設計する際
製造上のマージンを、従来のものより小さく抑えられる
効果は極めて太きい。
第１図はバブルメモリチップを搭載する従来基板の代衣
例を示す平面図（イ）とそのＩ−Ｉ／断面図（ｑ１第２
図は第１図の基板とバイアス磁界印加用永久磁石との対
向関係を決める従来の装置構造を説明するための側断面
図、第３図は第２図に示したパッケージ枠体の斜視図、
第４図は本発明の一実施例に係わるバブルメモリチップ
搭載用基板の平面図（イ）とバイアス磁界印加用永久磁
石の対向関係を決める基板構成を説明Ｔるための側面図
（ロ）である。 なお図中において、１．２１は基板、７はバブルメモリ
チップ、８，９，２９．３０はバイアス磁界印加用永久
磁石、２６〜２８．２６’〜２８′はポストを示Ｔ。 察／ＩＩＩ （イ）（Ｃ） 茶２図 第４図 （イノ
例を示す平面図（イ）とそのＩ−Ｉ／断面図（ｑ１第２
図は第１図の基板とバイアス磁界印加用永久磁石との対
向関係を決める従来の装置構造を説明するための側断面
図、第３図は第２図に示したパッケージ枠体の斜視図、
第４図は本発明の一実施例に係わるバブルメモリチップ
搭載用基板の平面図（イ）とバイアス磁界印加用永久磁
石の対向関係を決める基板構成を説明Ｔるための側面図
（ロ）である。 なお図中において、１．２１は基板、７はバブルメモリ
チップ、８，９，２９．３０はバイアス磁界印加用永久
磁石、２６〜２８．２６’〜２８′はポストを示Ｔ。 察／ＩＩＩ （イ）（Ｃ） 茶２図 第４図 （イノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１バブルメモリチップを搭載した基板と、該チップ
にバイアス磁界を印刀口する永久磁石とが、ポストラ介
して対向するように、構成してなることを特徴とする磁
気バブルメモリ装置。 ＋２１ 前記基板と前記ポストとが一体に形成されて
いることをＩ＃徴とする前記特許請求の範囲第（１）項
に記載した磁気バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228753A JPS59121684A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228753A JPS59121684A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121684A true JPS59121684A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16881281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228753A Pending JPS59121684A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 磁気バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121684A (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57228753A patent/JPS59121684A/ja active Pending
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