JPS595484A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS595484A JPS595484A JP57113245A JP11324582A JPS595484A JP S595484 A JPS595484 A JP S595484A JP 57113245 A JP57113245 A JP 57113245A JP 11324582 A JP11324582 A JP 11324582A JP S595484 A JPS595484 A JP S595484A
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- Japan
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- resin
- substrate
- temperature
- thermal expansion
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリデバイスに係シ、特にバイア
スマグネットのチップおよび基板に対する傾斜に正の温
度依存性を持たせる（傾斜角度が温度上昇に伴ない大き
くなる）ようにした磁気バブルメモリデバイスに関する
ものである。
スマグネットのチップおよび基板に対する傾斜に正の温
度依存性を持たせる（傾斜角度が温度上昇に伴ない大き
くなる）ようにした磁気バブルメモリデバイスに関する
ものである。
技術の背景
第１図にスタートストップ動作に着目した磁気バブルメ
モリデバイスの動作マージンの温度特性の一例を示す。
モリデバイスの動作マージンの温度特性の一例を示す。
この場合ホールド磁界は一定である。図中、実線の曲線
は高駆動磁界の温度特性を、点線の曲線は低駆動磁界の
温度特性をそれぞれ示している。なお、図の直線Ａはバ
イアスマグネットの温度特性を示す。図に明らかなよう
に、チップ温度が０℃以下の低温側では、バブルが伝播
しにくくなるためスタートストップ動作は安定になるが
、低駆動高バイアス側の動作マージンが劣化する。そし
て、特に第２図（ａ）に示すようにホールド磁界Ｈ１１
が大きくなると、第２図（ｂ）に示すように駆動磁界が
一方で（ＨＲ−Ｈｈ）と小さくなるため、バブルはより
一層伝播しにくくなる。一方、チップ温度が７０℃以上
の高温側では、バブルはスタートストップ動作がなけれ
ば低駆動側から高駆動側まで安定に動作するが、スター
トストップ動作を行わせるとホールド磁界が十分でなけ
れば第１図のように高駆動高バイアス側が不安定になる
。これを解決するためにはホールド磁界Ｈｈを第３図の
ように大きくすれば良いが（点線から実線へと特性は改
善される）、このようにすると前述したように低温側で
の動作が不安定になる。
は高駆動磁界の温度特性を、点線の曲線は低駆動磁界の
温度特性をそれぞれ示している。なお、図の直線Ａはバ
イアスマグネットの温度特性を示す。図に明らかなよう
に、チップ温度が０℃以下の低温側では、バブルが伝播
しにくくなるためスタートストップ動作は安定になるが
、低駆動高バイアス側の動作マージンが劣化する。そし
て、特に第２図（ａ）に示すようにホールド磁界Ｈ１１
が大きくなると、第２図（ｂ）に示すように駆動磁界が
一方で（ＨＲ−Ｈｈ）と小さくなるため、バブルはより
一層伝播しにくくなる。一方、チップ温度が７０℃以上
の高温側では、バブルはスタートストップ動作がなけれ
ば低駆動側から高駆動側まで安定に動作するが、スター
トストップ動作を行わせるとホールド磁界が十分でなけ
れば第１図のように高駆動高バイアス側が不安定になる
。これを解決するためにはホールド磁界Ｈｈを第３図の
ように大きくすれば良いが（点線から実線へと特性は改
善される）、このようにすると前述したように低温側で
の動作が不安定になる。
上述のように、バブルが安定動作するためには、低温側
ではホールド磁界が小さい方が望ましく、それに対し高
温側ではホールド磁界が大きい万が望ましい。
ではホールド磁界が小さい方が望ましく、それに対し高
温側ではホールド磁界が大きい万が望ましい。
従来技術と問題点
ところが、従来は、低温側と高温側でホールド磁界の大
きさを変えるだめの手段は特にとられておらず、ホール
ド磁界はほぼ一定であるため、デバイスの正常動作領域
は第１図に斜線で示す範囲となシ、デバイスの安定動作
温度範囲が制限されてしまうという欠点があった。
きさを変えるだめの手段は特にとられておらず、ホール
ド磁界はほぼ一定であるため、デバイスの正常動作領域
は第１図に斜線で示す範囲となシ、デバイスの安定動作
温度範囲が制限されてしまうという欠点があった。
また、従来はバブルに対するホールド磁界の付与は、第
４図に示すように、バイアスマグネットｌおよびホモジ
ナイザ２に対してチップ搭載基板３を傾斜させることに
より行っている（ Ｈｈ ＝ ＨｎｓｉｎθキＨＢθ）
が、バイアスマグネットの４πＭ、は一般に負の温度係
数を肩しており（−０，２〜０．３％／ｄｅｇ）、ホー
ルド磁界も同じ傾向に々るので、バブルの安定動作温度
範囲はますます制限されてしまう。
４図に示すように、バイアスマグネットｌおよびホモジ
ナイザ２に対してチップ搭載基板３を傾斜させることに
より行っている（ Ｈｈ ＝ ＨｎｓｉｎθキＨＢθ）
が、バイアスマグネットの４πＭ、は一般に負の温度係
数を肩しており（−０，２〜０．３％／ｄｅｇ）、ホー
ルド磁界も同じ傾向に々るので、バブルの安定動作温度
範囲はますます制限されてしまう。
発明の目的
本発明は上述の欠点を解決するためのもので、チップ搭
載基板のバイアスマグネットに対する傾斜角に正の温度
依存性を持たせることによりバブルにがかるホー・ルド
磁界が温度上昇に伴ない大きく寿るようにして安定動作
温度範囲を広くした磁気バブルメモリデバイヌを提供す
ることを目的としている。
載基板のバイアスマグネットに対する傾斜角に正の温度
依存性を持たせることによりバブルにがかるホー・ルド
磁界が温度上昇に伴ない大きく寿るようにして安定動作
温度範囲を広くした磁気バブルメモリデバイヌを提供す
ることを目的としている。
発明の構成
本発明では、上述の目的を達成するため、２種類の熱膨
張係数が大きく異なるモールド用樹脂（例えばシリコー
ン系とエポキシ系）の熱膨張係数の差を利用して基板の
バイアスマグネット、ホモジナイザに対する傾きを温度
変化に対応して根株的に変化さぜるように構成している
。
張係数が大きく異なるモールド用樹脂（例えばシリコー
ン系とエポキシ系）の熱膨張係数の差を利用して基板の
バイアスマグネット、ホモジナイザに対する傾きを温度
変化に対応して根株的に変化さぜるように構成している
。
発明の実施例
以下、第５図乃至第７図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
シリコーン樹脂の熱膨張係数は大きいもので約ｓ ｘ
ｉｏ−”／ｃｌＢｇであるのに対し、エポキシ樹脂のそ
れは小さいもので約ｓ Ｘ１ｏ−’ ”４ｅｇであり、
約２桁異なる。この２槓類の樹脂をチップ搭載基板の周
囲に該基板の上と下で左右に逆向きに隣接するように交
互にモールドした状態を第５図に示す。図中、１１は磁
気バブルナツプ１２が搭載されたセラミック基板、１３
はシリコーン樹脂、１４はエポキシ樹脂である。この場
合、各樹脂の熱膨張係数が上述のように異なっているた
め、これらの温度が常温（チップでは３０℃）よ９犯℃
変化すると、基板１１は両端（図の左右端）でそれぞれ
５ ＸＩＯ’ Ｘ５ＵＸ ５（厚さ） ＝ ０．１２５
（ｍｍ）ずつ厚さ方向に（一端は下方に、他端は上方に
）変形する。基板１１の長さを約２５ ｍａｎ 、
バイアス磁界を約２２００６ （１，９ｐｍバブルの場
合）とすると、ホールド磁界は （０，１２５Ｘ、 ２ ）ｍｍ ２２０ Ｘ−＝ ２．２（Ｏｅ） 変化する。す５ｍ
ｍ なわち、低温側と高温側（３０°−５０＝ −２０（℃
）と、３゜＋側−８０（℃））とでは４．４０ｅもの差
ができる。
ｉｏ−”／ｃｌＢｇであるのに対し、エポキシ樹脂のそ
れは小さいもので約ｓ Ｘ１ｏ−’ ”４ｅｇであり、
約２桁異なる。この２槓類の樹脂をチップ搭載基板の周
囲に該基板の上と下で左右に逆向きに隣接するように交
互にモールドした状態を第５図に示す。図中、１１は磁
気バブルナツプ１２が搭載されたセラミック基板、１３
はシリコーン樹脂、１４はエポキシ樹脂である。この場
合、各樹脂の熱膨張係数が上述のように異なっているた
め、これらの温度が常温（チップでは３０℃）よ９犯℃
変化すると、基板１１は両端（図の左右端）でそれぞれ
５ ＸＩＯ’ Ｘ５ＵＸ ５（厚さ） ＝ ０．１２５
（ｍｍ）ずつ厚さ方向に（一端は下方に、他端は上方に
）変形する。基板１１の長さを約２５ ｍａｎ 、
バイアス磁界を約２２００６ （１，９ｐｍバブルの場
合）とすると、ホールド磁界は （０，１２５Ｘ、 ２ ）ｍｍ ２２０ Ｘ−＝ ２．２（Ｏｅ） 変化する。す５ｍ
ｍ なわち、低温側と高温側（３０°−５０＝ −２０（℃
）と、３゜＋側−８０（℃））とでは４．４０ｅもの差
ができる。
このように、基板の傾きが厚さ方向に０．２５ｍｍ変化
するだけでホールド磁界は２０ｅ以上変化するので、安
定動作温度範囲の拡大が可能になる。しかも、この変化
は温度に対し可逆的なので長期安定性が保証される。
するだけでホールド磁界は２０ｅ以上変化するので、安
定動作温度範囲の拡大が可能になる。しかも、この変化
は温度に対し可逆的なので長期安定性が保証される。
本発明は上述の樹脂配置を具体化したもので、その製造
工程を第６図によシ説明する。
工程を第６図によシ説明する。
まず、第６図（ａ）に示すように、約１０ Ｘ １０
Ｘ Ｏ，５ｍｍ’のチップ１２を基板１１に搭載した後
、チップと基板の端子間全Ａ１等のワイヤ１５によりボ
ンディングする。
Ｘ Ｏ，５ｍｍ’のチップ１２を基板１１に搭載した後
、チップと基板の端子間全Ａ１等のワイヤ１５によりボ
ンディングする。
次に、第６図（ｂ） Ｋ示すようにｊ、直交する駆動用
のＸコイル１６、Ｙコイル１７を基板１１に嵌挿する。
のＸコイル１６、Ｙコイル１７を基板１１に嵌挿する。
次に、第６図（ｃ）に示すように、コイルが嵌挿された
基板１１を枠１８にリード線１９を介し固定する。
基板１１を枠１８にリード線１９を介し固定する。
この場合、基板１１に歪みが入らないようにリード線１
９ヲ十分長くとるようにする。
９ヲ十分長くとるようにする。
次に、第３図（ｄ）に示すように、第５図の要領で枠１
８内の基板１１（図示を省略したがコイル嵌挿まで完了
している）の周囲にシリコン樹脂１３およびエポキシ樹
脂１４をインサートして熱硬化させるが、この硬化前に
、保持力Ｈｃが小さく磁気的にソフトなホモジナイザ２
０とバイアスマグネット２１ヲ基板１１の上下に装着し
ておいて各樹脂の熱硬化を行う。
８内の基板１１（図示を省略したがコイル嵌挿まで完了
している）の周囲にシリコン樹脂１３およびエポキシ樹
脂１４をインサートして熱硬化させるが、この硬化前に
、保持力Ｈｃが小さく磁気的にソフトなホモジナイザ２
０とバイアスマグネット２１ヲ基板１１の上下に装着し
ておいて各樹脂の熱硬化を行う。
なお、谷樹脂１３ 、１４は、熱硬化条件が異なるため
別々に注入した方が良い。ホモジナイザ２０はバイアス
磁界および駆動磁界を均一化するために必要なものであ
る。
別々に注入した方が良い。ホモジナイザ２０はバイアス
磁界および駆動磁界を均一化するために必要なものであ
る。
最後に、第６図（ｅ）に示すようにシールドケース２２
を嵌挿してデバイスが完成する。
を嵌挿してデバイスが完成する。
このようにして製造されたデバイスは、第５図により説
明したように、ホールド磁界が温度上昇に伴ない増加す
るので、スタートストップ動ｆｉ含めた温度特性が改善
され、安定動作温度範囲が拡大する。しかもその動作の
安定性は長期間にわたり保証される。
明したように、ホールド磁界が温度上昇に伴ない増加す
るので、スタートストップ動ｆｉ含めた温度特性が改善
され、安定動作温度範囲が拡大する。しかもその動作の
安定性は長期間にわたり保証される。
第７図に応用例を示す。
本例の場合は、ホモジナイザ２３がテーパ状のもので、
バイアスマグネット２１は基板１１に平行している。基
板１１の上下には、詳細図示を省略したが前例の第５図
、第６図（ｄ）の場合と同様に２種類の樹月旨がインサ
ートされている。なお、バイアスマグネット２１は、ホ
モジナイザ２３を含めて考えれば、基板１１に対し実質
的に傾斜している。
バイアスマグネット２１は基板１１に平行している。基
板１１の上下には、詳細図示を省略したが前例の第５図
、第６図（ｄ）の場合と同様に２種類の樹月旨がインサ
ートされている。なお、バイアスマグネット２１は、ホ
モジナイザ２３を含めて考えれば、基板１１に対し実質
的に傾斜している。
この場合のバイアス磁界ＨＢｆ−ｉ、矢印線で示すよう
にホモジナイザ２３のテーパ面より垂直に出るが、この
バイアス磁界と基板１１との相対関係を前例と同様にす
れば、前例と同様の作用効果が得られる。
にホモジナイザ２３のテーパ面より垂直に出るが、この
バイアス磁界と基板１１との相対関係を前例と同様にす
れば、前例と同様の作用効果が得られる。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、熱膨張係数の異な
る２種類の樹脂を基板の上下で逆向きに隣接させてモー
ルドすることによって、基板のバイアスマグネットに対
する傾斜が周囲温度の上昇に伴なって漸次大きく彦るよ
うに、すなわちホールド磁界が温度上昇に伴ない増加す
るようになっているため、デバイスの動作に不可決なス
タートストップ動作特性を低温側および高温側で改善し
てデバイスを安定使用できる温度範囲を拡大することが
可能で、より苛酷な環境に対する安定動作が実現できる
。
る２種類の樹脂を基板の上下で逆向きに隣接させてモー
ルドすることによって、基板のバイアスマグネットに対
する傾斜が周囲温度の上昇に伴なって漸次大きく彦るよ
うに、すなわちホールド磁界が温度上昇に伴ない増加す
るようになっているため、デバイスの動作に不可決なス
タートストップ動作特性を低温側および高温側で改善し
てデバイスを安定使用できる温度範囲を拡大することが
可能で、より苛酷な環境に対する安定動作が実現できる
。
第５図乃至第７図は本発明に係る磁気バブルメモ（Ｏｅ
・リゾバイスの実施例を示すもので、第５図は２種類の
樹脂の配置要領図、第６図（ａ）〜＜ｅ）は磁気バブル
メモリデバイスの製造工程図、第７図は応用例を示す要
部概要図である。 図中、１１はセラミック基板、１２は磁気バブルチップ
、１３はシリコーン樹脂、１４はエポキシ樹脂、１６
、１７は駆動用コイル、１８は枠、１９はリード想、２
０ 、２３はホモジナイザ、２１はバイアスマグネット
、２２はシールドケースである。 第１８ チップ温度（０Ｃ） 第２図 （ａ） （ｂ）第３０ １Ｅ勧拐玄＄Ｈ尺（ＯＣ） 第４図 第５図 第７図
・リゾバイスの実施例を示すもので、第５図は２種類の
樹脂の配置要領図、第６図（ａ）〜＜ｅ）は磁気バブル
メモリデバイスの製造工程図、第７図は応用例を示す要
部概要図である。 図中、１１はセラミック基板、１２は磁気バブルチップ
、１３はシリコーン樹脂、１４はエポキシ樹脂、１６
、１７は駆動用コイル、１８は枠、１９はリード想、２
０ 、２３はホモジナイザ、２１はバイアスマグネット
、２２はシールドケースである。 第１８ チップ温度（０Ｃ） 第２図 （ａ） （ｂ）第３０ １Ｅ勧拐玄＄Ｈ尺（ＯＣ） 第４図 第５図 第７図
Claims (1)
- 磁気バブルチップが搭載された基板に互いに直交する２
つの駆動コイルを嵌挿し、これらを樹脂モールドにより
覆うとともに、該樹脂モールドの上下に前記基板をはさ
むバイアスマグネットをそれぞれ装着してなる磁気バブ
ルメモリデバイスにおいて、前記樹脂モールドが、熱膨
張係数の異なる第１．第２の樹脂金、周囲温度の上昇に
伴なって前記バイアスマグネットの前記基板に対する傾
斜が該第１．第２の樹脂の熱膨張係数の差により漸次太
きくなるように前記基板の上下で逆向きに隣接゛して配
置されたことを特徴とする磁気バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113245A JPS595484A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113245A JPS595484A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595484A true JPS595484A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14607245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113245A Pending JPS595484A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033889A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 乗客コンベア |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113245A patent/JPS595484A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH033889A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 乗客コンベア |
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