JPS59124724A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59124724A JPS59124724A JP13783A JP13783A JPS59124724A JP S59124724 A JPS59124724 A JP S59124724A JP 13783 A JP13783 A JP 13783A JP 13783 A JP13783 A JP 13783A JP S59124724 A JPS59124724 A JP S59124724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- electrode
- plasma etching
- etching apparatus
- plate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置製造に使用されるプラズマエツ
チング装置に関するものである。
チング装置に関するものである。
従来、半導体基板表面に付着した金属膜あるいは、絶縁
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保饅膜として選
択的にパターンをエツチング加工するプラズマエツチン
グ装置は、高周波発振器に接続されている電極の位置が
反応管内中心部のエツチング処理台に載せられた半導体
基板より外側に設置されていたが、半導体基板内のエツ
チング速度が電極側に近い周辺部よりエツチングが進む
ため半導体基板内のエツチング均一性が悪い。今後、半
導体基板の大型化が進むと、この現象は顕著に表われ半
導体基板中央部と周辺部にパターン加工差が生じ半導体
装置の歩留低下を招く要因となる。
膜を酸化膜あるいはフォトレジスト膜を保饅膜として選
択的にパターンをエツチング加工するプラズマエツチン
グ装置は、高周波発振器に接続されている電極の位置が
反応管内中心部のエツチング処理台に載せられた半導体
基板より外側に設置されていたが、半導体基板内のエツ
チング速度が電極側に近い周辺部よりエツチングが進む
ため半導体基板内のエツチング均一性が悪い。今後、半
導体基板の大型化が進むと、この現象は顕著に表われ半
導体基板中央部と周辺部にパターン加工差が生じ半導体
装置の歩留低下を招く要因となる。
この発明の目的は係る従来装置の欠点を除去し喪有効な
プラズマエツチング装置を提供する事にある。
プラズマエツチング装置を提供する事にある。
この発明のプラズマエツチング装置は、例えばガス導入
管及びガス排出管を有し反応管内部に電極を配置した筒
状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガ
ス排出管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波
発振器を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処
理台にフォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、ガ
ス導入管より送られる種々のガスにより、選択的にパタ
ーンをエツチング加工するプラズマエツチング装置にお
いて、エツチング処理台に載せられた半導体基板に対し
て垂直に該半導体基板の外側に配置されている２つの筒
状の電極板のうち、内側に配置でれた電極板と半導体基
板との間に多数の穴が開孔した筒状の板が設置されてい
る構造を有している。
管及びガス排出管を有し反応管内部に電極を配置した筒
状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給源、該ガ
ス排出管に連結する高真空源、該電極に連結する高周波
発振器を含み、反応管中心部に設置されたエツチング処
理台にフォトレジスト工程を経た半導体基板を載せ、ガ
ス導入管より送られる種々のガスにより、選択的にパタ
ーンをエツチング加工するプラズマエツチング装置にお
いて、エツチング処理台に載せられた半導体基板に対し
て垂直に該半導体基板の外側に配置されている２つの筒
状の電極板のうち、内側に配置でれた電極板と半導体基
板との間に多数の穴が開孔した筒状の板が設置されてい
る構造を有している。
この発明のプラズマエツチング装置は、エツチング処理
台に載せられた半導体基板と電極との間に多数の穴が開
孔した板が設置されているため、半導体基板周辺部にか
かる電界を弱め、半導体基板内のエツチング速度の均一
性を向上させる事ができた。
台に載せられた半導体基板と電極との間に多数の穴が開
孔した板が設置されているため、半導体基板周辺部にか
かる電界を弱め、半導体基板内のエツチング速度の均一
性を向上させる事ができた。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する。
第１図は、この発明の一実施例を説明するためのプラズ
マエツチング装置であり、第２図は、本実施例のプラズ
マエツチング装置を使用した場合の効果を示す。
マエツチング装置であり、第２図は、本実施例のプラズ
マエツチング装置を使用した場合の効果を示す。
この実施例のプラズマエツチング装置は、ガス導入管１
及びガス排出管２を有し反応管３内外に筒状の電極４，
５を配置した筒状の反応管３．該ガス導入管１に連結す
るガス供給源、該ガス排気管２に連結する高真空源、該
電極４，５に接続する高周波発振器を含み反応管３中心
部に設置されたエツチング処理台６にフォトレジスト工
程を経た半導体基板、７を載せ、ガス導入管１から種々
のエツチングガスを導入し選択的にパターンをエツチン
グ加工するプラズマエツチング装置であり、エツチング
処理台６に載せられた半導体基板７に対して、垂直に該
半導体基板７の外側に配置されている２つの筒状の電極
板４，５のうち、内側に配置された電極板４と半導体基
板７との間に多数の穴９が開孔した筒状の板８が設置さ
れている。
及びガス排出管２を有し反応管３内外に筒状の電極４，
５を配置した筒状の反応管３．該ガス導入管１に連結す
るガス供給源、該ガス排気管２に連結する高真空源、該
電極４，５に接続する高周波発振器を含み反応管３中心
部に設置されたエツチング処理台６にフォトレジスト工
程を経た半導体基板、７を載せ、ガス導入管１から種々
のエツチングガスを導入し選択的にパターンをエツチン
グ加工するプラズマエツチング装置であり、エツチング
処理台６に載せられた半導体基板７に対して、垂直に該
半導体基板７の外側に配置されている２つの筒状の電極
板４，５のうち、内側に配置された電極板４と半導体基
板７との間に多数の穴９が開孔した筒状の板８が設置さ
れている。
即ち、この実施例によれば電極４と半導体基板７との間
に設置された高周波電力遮断板８が半導体基板７周辺部
の電界を弱める為、半導体基板７中央部と同程度のエツ
チング速度が得られ、第２図に示す様に半導体基板内の
パターン加工均一性が向上する。第２図で←＋→は従来
のプラズマエツチング装置によるデータ１０であり、ト
÷→は本発明の一実施例によるプラズマエツチング装置
によるデータ２０である。このように従来装置で発生し
ていた半導体基板中央部と周辺部のパターン加工精度差
が生じないため結果的に半導体装置の歩留向上に貢献で
きる。
に設置された高周波電力遮断板８が半導体基板７周辺部
の電界を弱める為、半導体基板７中央部と同程度のエツ
チング速度が得られ、第２図に示す様に半導体基板内の
パターン加工均一性が向上する。第２図で←＋→は従来
のプラズマエツチング装置によるデータ１０であり、ト
÷→は本発明の一実施例によるプラズマエツチング装置
によるデータ２０である。このように従来装置で発生し
ていた半導体基板中央部と周辺部のパターン加工精度差
が生じないため結果的に半導体装置の歩留向上に貢献で
きる。
第１図は本実施例を説明するためのプラズマエツチング
装置の断面図である。第２図は本発明の実施例のプラズ
マエツチング装置を用いた場合の効果を従来装置を使用
した場合のパターン加工精度と比較した図である。 尚、図において、１・・・・・・ガス導入管、２・・・
・・・ガス排出管、３・・・・・・反応管、４．５・・
・・・・電極板、６・・・・・・エツチング処理台、７
・・・・・・半導体基板、８・・・・・・高周波電力遮
断板、９・・・・・・孔、１０・・・・・・従来のプ５
− ラズマエッチング装置によるデータ、２０・・・・・・
本発明の一実施例のプラズマエツチング装置によるデー
タ。 ６一 竿２伝 −１０７一
装置の断面図である。第２図は本発明の実施例のプラズ
マエツチング装置を用いた場合の効果を従来装置を使用
した場合のパターン加工精度と比較した図である。 尚、図において、１・・・・・・ガス導入管、２・・・
・・・ガス排出管、３・・・・・・反応管、４．５・・
・・・・電極板、６・・・・・・エツチング処理台、７
・・・・・・半導体基板、８・・・・・・高周波電力遮
断板、９・・・・・・孔、１０・・・・・・従来のプ５
− ラズマエッチング装置によるデータ、２０・・・・・・
本発明の一実施例のプラズマエツチング装置によるデー
タ。 ６一 竿２伝 −１０７一
Claims (1)
- ガス導入管及びガス排出管を有し反応管内部に電極を配
置した筒状の反応管、該ガス導入管に連結するガス供給
源、該ガス排出管に連結する高真空源、該電極に接続す
る高周波発振器を含むプラズマエツチング装置において
、エツチング処理台に載せられた半導体基板に対して垂
直に該半導体基板の外側に配置されている２つの筒状の
電極板のうち、内側に配置された電極板と半導体基板と
の間に多数の穴が開孔した筒状の金属板が設置されてい
る事を特徴とするプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13783A JPS59124724A (ja) | 1983-01-04 | 1983-01-04 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13783A JPS59124724A (ja) | 1983-01-04 | 1983-01-04 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124724A true JPS59124724A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=11465638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13783A Pending JPS59124724A (ja) | 1983-01-04 | 1983-01-04 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124724A (ja) |
-
1983
- 1983-01-04 JP JP13783A patent/JPS59124724A/ja active Pending
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