JPS5913072A - スパツタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、フィルム状基体の両面に機能薄膜としてのス
パッタ薄膜を連続的に形成するスパッタリング装置に関
する。

〔発明の背景技術およびその問題点〕

近年、記録媒体層がスパッタ薄膜によって形成された磁
気記録媒体が出現している。スパッタ薄膜は、通常、低
圧の不活性ガス中でグロー放電を行なわせ、この放電に
よって生じた陽イオンをターゲットに衝突させ、この衝
突によってターゲットからたｆＣき出された金属微粒子
を所定の支持基体の表面に付着させることによって形成
される。したがって、ターゲットとして磁気記録性に富
んだ材料を遺択すれば、良好な　゛記録媒体層を形成す
ることができる。

ところで、最近では、フィルム状基体の両面にスパッタ
薄膜で形成された記録媒体層を有する磁気記録媒体の出
現が望まれ、との磁気記録媒体を製造し得るスパッタリ
ング装置の提案も幾つかなされ１いる。

スパッタリングによって形成された磁気記録媒体層の磁
気的特性の均一性は、スパッタリング時における不活性
ガス圧力、基体とターゲットとの間の距離、スパッタ速
度、基体温度等によって左右され、このうち、基体とタ
ーゲットの間の距離および基体温度を一定に保つことは
重要である。このような点を考慮に入れると、フィルム
状基体の両面にスパッタ薄膜を連続的に形成するにはワ
ークロールによってフィルム状基体を保持させる方式が
例かと有利である。

すなわち、内部を通流する冷媒によって冷却され、かつ
回転駆動されるワークロールの外周面に沿わせてフィル
ム状基体を移送させるとともに上記フィルム状基体の上
記ワークロールの外周面に接触している部分の表面にス
パッタ薄膜を連続的に形成するようにする。このように
すると、フィルム状基体がワークロールに接触している
時間を長くでき、これによって基体を良好に冷却できる
とともにワークロールによって基体とターゲットとの間
の距離を常に一定に保つことができる。このように、フ
ィルム状基体をワークロールの外周面に沿わせ彦がらス
パッタリングを行ない、かつフィルム状基体の両面にス
パッタ薄膜を形成する場合には、両面に同時にスパッタ
薄膜を形成する゛ことができず、どちらか一方の表面に
、まず、スパッタ薄膜を形成し、次に時間的にずらして
他方の表面にスパッタ薄［を形成する順序を採用せざる
を得ない。

この場合、他方の表面にスパッタ薄膜を形成するときに
は、すでに一方の表面にスパッタ薄膜が形成されている
ので、他方の表面にスパッタ薄膜を形成する工程に移行
させる間にすでに形成されているスパッタ薄膜に傷など
がつき易い虞れがある。また、一般にスパッタ源を付勢
すると、スパッタ源から不純物が放出され、この不純、
物が基体の表面に付着する虞れがある。さらには、基体
に付着した蒸着物がスパッタ源上に落下してスパッタリ
ング条件を乱す虞れもある。また、両面にスパッタ薄膜
を形成する場合、一方の面だけに形成する場合に較べて
装置全体が大型化するが、排気系蝉の面からできるだけ
小型化することが望まれる。！、た、スパッタ速度の向
上化も当然要求される。

〔発明の目的〕

本発明は、上述した要望を満たすことができ、もって、
フィルム状基体の両面に良質のスパッタ薄膜を連続的に
かつ高速度に形成することができ、しかも装置全体の小
型化も図れるスパッタリングｉｔを提供することを目的
としている。

〔発明の概要］ 本発明に係るスパッタリング装置は、フィル５− ム状基体の一方の表面へのスパッタ薄膜形成工程に関与
するワークロールを下段に、他方の表面へのスパッタ薄
膜形成工程に関与するワークロールを上段にそれぞれの
軸心線を平行させて２段構成に配置するとともに上記各
ワークの外周面に対向する各スパッタ源を対応すゐワー
クロールの軸心線ヲ通って描かれる水平線よｐ下側でか
つ上記軸心線を通って描かれる垂直線に対して傾斜させ
てそれぞれ配置し、さらに、スパッタリング実行時に上
記フィルム状基体を下段に位置するワークロールの外周
面を経由させた後に上段に位置するワークロールの外周
面を経由させて進行させる下側から上側へ折り返す睦 経鍮で案内する機構を設けたことを特徴としている。

〔発明の効果〕

上記構成であると、各ワークロール、供給および巻取リ
ールを円に近い配置に設置できるので装置全体を小型化
でき、排気系を小型化できる。

６一 また、上記構成であると、フィルム状基体杖、まず下段
側において、その下面にスパッタ薄膜が形成され、次に
上記スパッタ薄膜が上面となるように折シ返されて上段
のワークロールに沿って進行し、この上段においてその
下面にスパッタ薄膜が形成され、結局、両面にスパッタ
薄膜が形成される。そして、下段から上段に移行させる
ときにフリーロール等の中継ロールを経由させる必要が
あるが、この中継ロールの位置は、必然的にスパッタ薄
膜が形成されていない面側と々る。したがって、中継ロ
ールによってすでに形成されているスパッタ薄膜が傷つ
けられ墨のを最少限に抑えることができ、それだけ品質
の高いものを製造できる。また、上記構成であると、基
体のスパッタ源と対向する部分がスパッタ源より常に斜
上方、換言すると、スパッタ源が基体の対向面よシ斜下
方に位置していることになるので、上記スパッタ源よシ
放出された不純物が基体側に付着するの゛を防止ヤきる
とともにスパッタ源に各種異物が付着するのを防止でき
、この点からも良質のスパッタ薄膜を形成させることが
できる。ｔた、ワークロールの軸心線を通って描かれる
垂直線に対してスパッタ源を傾斜させて設けているので
、上述した利点を損わずに１つのワークロールに対して
２個以上のスパッタ源を対向設置することができる。し
たがって、スパッタ速度の高速化を実現することができ
る。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。なお、この実施例は、高分子フィルムの両面に磁気記
録媒体層を形成する装置に本発明を適用した例である。

第１図において、図中１は、たとえば金輌材製の真空容
器であシ、この真空容器ｌは、軸心線が重力方向に対し
て旧交するように配置された円筒部２と、この円筒部２
の両端開口部を気密に蓋する蓋体３ａ　、Ｊｂ（但し３
ｂは図示せず。）とで構成されている。そしそ、円筒部
２には図示しない排気系に通じる排気口４と同じく図示
しない不活性ガス供給系に通じるガス導入口５とが形成
されている。なお、前記蓋体３ｂは選択的に開閉できる
構造に形成されている。

しかして、真空容器１内には、この真空容器１内におい
て、フィルム状基体Ｐを前記円筒部２の軸心線に対して
直交する進路で、かつ下から上へとコ字状の経路で案内
走行させる案内機構１１が設けられている。この案内機
構１１は、真空容器１内の上下２分割仮想線よｐ下方に
図中左方か−ら右方に亘って配置された供給リール１２
およびワークロール１３．１４と、上下２分割仮想線よ
シ上方に図中右方から左方に亘って配置されたワークロ
ール１５．１６および巻取り−ル１７と、これらの間に
それぞれ配置されたフリーロール１８とで構成されてい
る。これらフリーロール１８、ワークロール１３゜１４
．１５．１６、供給リール１２および巻取リール１７は
、それぞれ、その軸心線が前記円筒部２０軸心廁と平行
するように６Ｃ置されている。そして、供給リール１２
から巻戻され良７９− ィルム状基体ｐ線、ワーク四−ル１３．１４゜１５　、
　Ｊ’　６の順に各ワークロールの外周面に沿い、かつ
各ワークロール毎にその最下面゛位置において折り返す
関係に案内され、最終的に巻取リール１７に巻取られる
ように案内される。

上記□供給リール１２および巻取リール１７には、それ
ぞれ駆動軸（図示せず）が連結されておシ、これら駆動
軸は、蓋体３ａを上記蓋体３ｍとの間が絶縁された状態
で気密にかつ回転自在に貫通して、第２゛図にそれぞれ
にを付して示す直流分巻形のモータ１２ａ、１７ｍの回
転軸に連結されている。また、前記ワークロール１３゜
１４．１５．１６は、それぞれ二重筒状に形成されてお
シ、これらワークロール１３．１４・１５．１６には、
それぞれ二重筒状に形成された駆動軸が対応する９間ど
うしを連通させた状態に連結されている。そして、二重
筒状に形成された各駆動軸は、着体３ｍを上記蓋体３１
との間が絶縁された状態で気密にかつ回転自在に貫通し
て第２図にそれぞれ虐を付して示す直流１０− 分巻形のモータｌ　Ｊ　ａ　ｍ　１４　ａ　ｅ　１５　
ａ　＊　１６ｍの回転軸に連結されている。なお、二重
筒状に形成され九上記各駆動軸の真空容器１外に位置す
る部分には、それぞれ、上記駆動軸の中央部に存在する
空間を通してワークロールの中央部に存在する空間に熱
媒体を送り込み、この熱媒体をワークロール内の外側空
間および駆動軸内の外側空間を介して外部へ排出させる
ロータリジヨイント機構が設けてあシ、これら−一タリ
ジョイント機構はそれぞれ高温液体源および低温液体源
に選択的に接続されるようになっている。

しかして前記真空容器１内には、各ワークロール１Ｂ、
１４．１５．１６の外周面に２個づつ対向する関係に合
計８個のスパッタ源２１゜２２、・・・２８が配置され
ている。これらスパッタ源２１．２２．・・・２８はそ
れぞれ円板状に形成されたターゲットの外側にこれと同
心円状にリング状の陽極を上記ターゲットとは絶縁させ
て配置するとともにターゲットの背面に一方の′ａ極面
が接触するように永久磁石を配置したマグネトロン形の
平板状構造に形成されている。

そして、各スパッタ源２１．ｊ１２・・・２８は、各ワ
ークルール１３．１４．１５．１６の外周面に対し、各
ワークロールの軸心線を通る水平憩よシ下方で、かつ上
記軸心線を通る垂直線を基準にし、この垂直線とターゲ
ットの軸心線との間の開き角θが３０〜６０度の範囲で
斜下方から対面する関係にそれぞれ設けられている。な
お、この実施例の場合、スパッタ源２１．２２゜２５．
２６のターゲットはパーマロイで形成されておシ、スパ
ッタ源２３．２４．２７．２８のターゲットはＣｏ−Ｃ
ｒ合金で形成されている。そして、各スパッタ源２１，
２２．・・・２８のターゲットと陽極とは蓋体３ａを気
密に貫通して設けられた図示しないリード線を介してそ
れぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に接続され
ている。

一方、前記供給リール１２とワークロール１３との間、
ワークロール１３．１４間、ワークルール１４．１５間
、ワークロール１５．１６問およびワークロール１６と
巻取リール１７との間には、これらの間を進行するフィ
ルム状基体Ｐの張力を検出する張力検出器３１，３２．
・・・力 ３５が設置されている。これら張外検出器３１゜３２、
・・・は、たとえば張力を機械的な変位に変換し、この
変位量を電気信号として出力するように構成されている
。また、ワークロール１３および１６の図中左方には、
正転、逆転操作に連動して各ワーク四−ルに選択的に抑
圧接触するピンチローラ３７．３８が設けられている。

しかして、前記各モーター２８．１３ｍ。

１４ａ、・・・１７ｍは、第２図に示すようにサーボ制
御回路４１．４２．・・・４６によって独立的に駆動さ
れる。この回路４１．４２．・・・４６は、入力信号と
して導入された設定速度信号とモータに１結された直流
発電機４８で得られた現実の速度信号との偏差が常に零
となるようにモータの速度を制御するように構成されて
いる。そして、上記各サーボ制御回路４１．４２．・・
・４６１３− の入力端に紘、速度設定器５１、正転逆転切換器５２お
よび速度補正器５３　、５４　、５５．５６゜５７を介
して設定速度信号が導入される。

上記速度補正器５３　、５４　、５５　、５６．５７は
、それぞれ張力設定器６１で与えられた張力信号ｚｏと
各張力検出器で得られた張力信号ｚ１との偏差を求める
回路６１１と、この回路６２で求められた偏差信号で前
記速度設定器５１から与えられた設定速度信号を補正す
る回路６３とで構成されている。すなわち、ｚｏに対し
てｚｌが小さいときには、両者の差に対応した分だけ設
定速度信号を増加させ、また、逆の場合には設定速度信
号を減少させるようにしている。

また、回路６３は正転逆転切換器５２に応動して、増減
信号弁の極性を切換えるようにしている。しかして、こ
の実施例の場合には、供給リー、Ａ／１２、各ワークロ
ール１３　、１４　、１５゜１６および巻取リール１７
を第１図中実線矢印で示すように回転駆動させてフィル
ム状基体Ｐを走行させている状態を正転とし、との正転
状１４− 態においては、モータ１２ｍを制御するサーボ制御回路
４１に信号源６４から低速度設定信号に対応する信号を
直接導入し、また、モータ１３１ｔ−制御するサーボ制
御回路４２に正転逆転切換器５２を通った設定速度信号
を直接導入し、さらにモータ１４８＠１５１ａ＠１６８
０１７ｍを制御するサーボ制御回路４３　、４４　。

４５．４６に、上記モータによって駆動されるワークロ
ールおよび巻取リールの位置の直前に位置する張力検出
器の出力が導入される速度補正器を通った信号を設定速
度信号として導入するようにしている。そして、逆転状
態においては、これらの関係を切換えるようにしている
。

したがって、第２図に示すように、正転逆転切換器５２
の切換操作に連動して切換わるスイッチ６６が設けてあ
如、この第２図は正転状態を示している。そして、図中
６８は逆転状態時にサーボ制御回路４６に低速度信号を
与える信号源を示している。また、第１図中７０．７１
はスパッタ源を保持するホルダを示し、また、７２は仕
切板を示し、７３はスパッタリングによって薄膜が形成
される領域を規制するマスクを示している。また、ピン
チローラ３７は正転逆転切換器５２の切換操作に応動し
て正転のときだけワークロール１３に抑圧接触するよう
に制御され、また、ピンチローラ３８は逆転のときだけ
ワークロール１６に抑圧接触するように制御される。

次に上記のように構成された装置を使ってフィルム状基
体Ｐの両面にパーマロイ層およびＣｏ−Ｃｒ層からなる
二層構造のスパッタ薄膜を形成する場合の使用例ｔ−説
明する。

まず、真壁容器１の蓋体３ｂを開け、フィルム状基体Ｐ
の巻回された巻取リールを第１図に示すようにセットし
、次に、上記巻取リール１７に巻回されているフィルム
状基体Ｐを所定の長さ巻戻し、これを第１因に示すよう
に各フリーロール１８、張力検出器３５　、３４　、３
！Ｉ　。

３２．３１および各ワークロール１６．１５゜１４．１
３に沿わせた後、その遊端を供給リー゛ル１２に巻き付
け、所定の張力が加わるように調整し、蓋体３ｂｔ−閉
じる。次に排気系を作動させて真空容器１内を十分低圧
に排気する。次に、各ワークルール１Ｂ、１４，１５．
１６の二重筒状に形成された駆動軸を介して高温液体を
各ワークロール１Ｂ、１４．１５．１６内に通流し、こ
れによって、各ワークロール１３゜１４．１ｇ、１６の
表面温度を定められた一定の高温度に保持する。次に、
正転逆転切換器５２を逆転側に切換える。この切換えに
よって、各スイッチ６６は第２図に示す状態とは逆の関
係に切換わる。また、ピンチルーラ３８がフィルム状基
体Ｐを介してワークロール１６に圧接すＪＤ′。次に、
張力設定器６１から所定の張力信号Ｚｏｔ−出力させる
とともに速度設定器５１から所定の設定速度信号を出力
させる。この状態で、各サーボ制御回路４１．４２．・
・・４６に始動指令８ｔ−与える。

このように始動指令８が与えられると、各サーボ制御回
路４１．４２．４３・・・４６が作動し、１７− モータ１２ｍ、１３ａ＊１４ｍ・・・１７ｍが一斉に回
転を開始する。すなわち、モータ１７ｍは、信号源６８
の出力信号によって訣まる値に低速回転し、また、モー
タ１６ｍは速度設定器５２の設定速度信号に対応した速
度で回転し、さらにモータ１５ｍ＊１４ａ＊１３ｍ、１
２ｍは速度設定器５２の設定速度信号を速度補正器５６
゜５５．５４．５３で補正した信号に対応した速度で回
転する。このため、巻取リール１７、ワークロール１６
，１５．１４．１３および供給リール１２が第１図に実
線矢印で示す方向とは反対方向に回転し、これによって
、フィルム状基体Ｐは、巻取リール１７から供給リール
１２に徐々に巻取られる。この場合、各ワークロール１
Ｂ、１４．１５．１６は、前述の如く、高温液体によっ
て高温に保持されているので、これに接触するフィルム
状゛基体Ｐも加熱され、この結果、゛フィルム状基体Ｐ
に付着している不純ガスが放□出される。すなわち、上
述した動作によってフィルム状基体Ｐの前処理が実行さ
れる。

１８− なお、巻取リール１７ｔ−低速で回転させるのは、慣性
によって巻取リール１７が回ル過ぎるのを防止するため
であ夛、シたがって、信号源６８（６４）としては巻厚
の減少に伴なって出力信号が徐々に増加するものが望ま
しい。しかして、上記のように前処理を行ない、巻厚表
示器の指示値からフィルム状基体Ｐの終端が巻取リール
１７を離れる直前に至った時点で各サーボ制御器Ｍ４１
．４２．・・・４６への始動指令８の供給を停止し、こ
れによって巻取リール１７、各ワークロール１６．１５
．１４．１３および供給リール１２０回転を停止させて
前処理工程を終了する。この前処理工程によってフィル
ム状基体Ｐに付加しているガスのほとんどは排気系に移
行して除去される。

、次に、各９５−クロール１３．１４．１５゜１６内で
の高温液体の通流を停止させ、続いて各ワークロール１
３．１４．１５．．１６内へ、たとえば−１５℃の低温
液体を通流さする。この低温液体の通流によって、各ワ
ークレール１３゜１４．１５．１６の表面は十分低温に
冷却される。

次に、正転逆転切換器５２ｔ−操作して正転側に切換え
る。この切換えによって各スイッチ６６は第２図の状態
に切換わる。また、速度設定器５１および張力設定器６
１の出力をそれぞれ所望の値に設定する。

この状態で各サーボ制御器４１．４２．・・・４６に始
動指令８を与える。この結果、供給リール１２、ワーク
ロール１３．１４．１５．１６および巻取リール１７が
第１図中実線矢印で示す方向に回転を開始し、フィルム
状基体Ｐは、供給リール体から巻取リール１７１１１１
へと移行を開始する。次に１．ガス導入口５からたとえ
ばＡｔガスを連続的に導入するとともに、この状態で真
墾容器内が゛、′たとえば３〜７Ｘ１０°’、Ｔｏｒｒ
の圧力となるように排気系およびＡｒがス供給系會調整
し、続いてもスパッタ源２１．２２・・・２８の陽極と
ターゲットとの間に数百ボルトの直流電圧を印加す不。

この印加によって陽極とターゲットとの間にグー−放電
が生じ、これによって、よく知られている原！に基づき
、ターゲットを構成している金属微粒子がたたき出され
る。

このたたき出された金属微粒子の一８１！は、ターゲッ
トの前面をワークロールの外周面に沿って進行するフィ
ルム状基体Ｐの表面に付着する。

前述の如く、スパッタ源２１．　、２２のターゲラ、ト
はパーマロイで形成されており、オた、スパッタ源２３
．２４のターゲットはＣｏ−Ｃｒ合金で形成されている
。したがって、フィルム状基体Ｐが下段に位置するワー
クロール２１３゜１．４の外周面に沿って通過する間に
、このフィル、ム状基体Ｐの一方の表面にパーマロイ層
およ。

びＣｏ−Ｃｙ層からなる二層構造のスパッタ、薄膜層が
形成されることになる。そして、フィルム状基体Ｐが上
段に位置する。ワークロール１５゜１６の外周面に、沿
って進行するときには、すでにろバッタ薄膜層が形成さ
些ている面がロー１りｐ−ル１．５．１６の外周面に接
触する関係に案内される。４したがって１、この７区間
内を通過する２１− ときにはフィルム状基体Ｐの他方の表面にパーマロイ層
およびＣｏ７Ｃｒ層からなる二層構造のスパッタ薄膜層
が形成されることになシ、結局巻取リール１７にはフィ
ルム状基体Ｐの両面に二層構造、のスパッタ薄膜の形成
されたものが巻取られることになる。そして、上記のよ
うにスパッタリングが行なわれると、このスパッタリン
グによってフィルム状基体Ｐが加熱されようとするが、
この熱は各ワークロールｌ　Ｊ、、　１４゜１５．１６
を介して各ワークロー化内管通流している低温液体に伝
達される。し九がって、フィルム状基体Ｐが熱的表損傷
を受けるようなことはない。また、上記熱によって万一
、フィルム状基体Ｐに伸びが生じた場合には、次のよう
に動作する。すなわち、上記のようにフィルム状基体Ｐ
が伸びると、この伸びは、各ワークロール間を進行する
基体に加わ仝磁力の低下となって表われる。たとえば今
、ワークロール１４と１５との間を進行する基体の張力
が低下すると１、この低下は張力検出器３３によって検
、出さ２２− れる。このように、張力検出器３３の出力が低下すゐと
、第２図に示す速度補正器５５０回路６２の出力が増加
し、この結果、回路６３の出力も増加する。したがって
、サーボ制御器４４０入力が増加するのでモータ１５ａ
の回転速度が増加し、これに伴なってワークロール１５
の回転速度が増加する。したがって、張力が低下した分
だけワークロール１５の巻込みが早められるので、再び
張力が増加することになり、結局、ワークロール１５の
回転速度と、このワークロール１５の外周面に沿って進
行するフィルム状基体Ｐの進行速度との相対速度差がほ
ぼ零となるようにワークロール１５の回転速度が制御さ
れる。このような制御は、他のワークロール１４．１６
および巻取り−ル１７についても同様に行なわれる。し
たがって、フィルム状基体Ｐは、各ワークロール１４．
１５．１６との間のスリップが常に非常に小さい状態で
進行することになる。このため、特に、ワークロール１
５．１６の外周面に沿って進行するとき、すつく虞れが
ない。また、スリップ増加したときに起こり易い冷却性
能の低下も発生しない。

そして、この場合には、特に、スパッタリング時に、フ
ィルム状基体Ｐを下段側から上段側へと下から上へ折シ
返す経路で案内させているので、各要素を円に近い配置
で設置できる。したがって全体の小型化を図れるばかシ
か排気系の小型化も図れる。また、上下段間に位置する
中継用のフリーロール１８は、スバッｐｗｉに接触する
ことがない。したがって、中継用のフリーロールによっ
て、すでに形成されているスパッタ薄膜が傷つけられる
ことはない。また、スパッタ源２１．２２．２３．・・
・２８を、これらが対面する基体面より斜下方に位置さ
せているのでスパッタ源からでた不純物が基体側へ落下
するようなことがないしスパッタ源に異物が付着するよ
うなこともない。したがって、品質の高いスパッタ薄膜
を両面に亘って形成することができる。また、スパッタ
源を上記関係に配置しているので上述した利点ｔ？払わ
ずに実施例に示されるように１つのワークロールに対し
て２個あるいはそれ以上のスパック源を対向させること
ができ、これによってスパッタ速度の大幅な向上化管図
れ、結局、前述した効果が得られることになる。

なお、上述した実施例では、いわゆる帳力制御装置を複
数の張力検出器と、これら検出器の出力に基いて各ワー
クロ゛−ル駆動モータの設定速度を補正する複数の速度
補正齢とで構成しているが、これに限られるものでは力
い。すなわち、各ワークロールを駆動するモータの電流
を検出器で検出し、これら検出、器の出力に応じて各モ
ータの速度補正を行なうようにしてもよい。

また、フィルム状基体の伸び量が予め判明しているとき
には、各モータの設定速度に予め差を設けるようにして
もよい。また、各ワークロール間に、これらの間を進行
すゐフィルム状基体に一定荷重を加える重＃）べ゛荷重
器を設けるようにしてもよい。さらに、前処理時に、各
ワーク−２５〜 、ロールとたとえば真空容器との間に電圧を印加して各
ワークロール付近にプラズマを発生させ、このプラズマ
によってフィルム状基体の表面を活性化させ、−これに
よって脱ガスと付着性の向上化とを図るようにしてもよ
い。この場合、スパッタ源とフィルム状基体との間にシ
ャッタを設け、スパッタ源に不純物が付着するのを防止
するようにしてもよい。また、上述した実施例は二層構
造のスパッタ薄膜形成用のものに本発−を適用した例で
あるが、一層構造形成用のものにも適用できることは勿
論である。また、各マス゛りを冷却する手段を設けても
よい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るスパッタリング装＃に
おける要部の模式的縦断面図、第２図は同装置の制御回
路図である １・・・真空容器、１２・・・供給リール、１７・・・
巻取リール、１３．１４．１５．１６・・・ワークロー
ル、１８・・・フリーロール、２１．２２．２３゜ｊ１
４．２５，２６．２７．２８・・・スパッタ源、２６一 ３１．３２．３３．３４．３５・・・張力検出器、５３
．５４．５５．５６．５７・・・速度補正器、Ｐ・・・
フィルム状基体。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦手続補正書 、８ゎ５７，９、．１０８ 特許庁長官　　　若　杉　相　夫　殿 １、事件の表示 特願昭５７−１１９５５１号 ２、発明の名称 スノ量ツタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 株式会社　徳用製作所 〒１０５　　　電話０３　（５０２）　３１８１　（大
代表）６、補正の対象 委任状、明細書全文 ７、補正の内容 （１１委任状１通を別紙の通り補正する。 （２）明細書の浄書（内容Ｃ二変更なし）。 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　　殿１．事件の表示 特願昭５７−１１９５５１号 ２、発明の名称 スノヤツタリング装置 ３、補正をする者 事件との関係　　　　持重出願人 ６、補正の対象 明　　細　書 ７、補正の内容 （１１明細書（昭和５７年９月１０日付提出の手続補正
書に添附された浄書明細書、以下同じ。）の第１１頁１
７行目に「それぞれ円板状に」とあるのを「それぞれ、
たとえば円板状に」と訂正する。 （２１明細書の第２０頁１６行目に ｒ　３〜７　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ　Ｊとあるのを３ 「３〜７ｘ１０　Ｔｏｒｒ」と訂正する。 　２−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 供給リールから巻戻されたフィルム状基体を複数のワー
   クロールの外周面に順次沿わせて移送させた後に巻取リ
   ールで巻取るととも釦上記フィルム状基体が上記供給リ
   ールから上記巻取リールに至るまでの間に上記各ワーク
   ロールの外周面にそれぞれ対向させて設けられたスパッ
   タ源で上記フィルム状基体の両面にスパッタ薄膜を形成
   するようにしたδバッタリング装置において、上記フィ
   ルム状基体の一方の表面へのスパッタ薄膜形成工程に関
   与するワークロールを下段に、他方の表面へのスパッタ
   薄膜形成工程に関与するワークロールを上段にそれぞれ
   軸心線を平行させて２段構成に配置するとともに上記各
   ワークロールの外周面に対向する各スパッタ源を対応す
   るワークロールの軸心線を通って描かれる水平層より下
   側で、かつ上記軸心線全通って描かれる垂直線に対して
   傾斜させてそれぞれ配置し、さらに、スパッタリング実
   行時に上記フィルム状基体管下段に位置するワークロー
   ルの外周面を経由させた後に上段に位置するワークロー
   ルの外周面を経由させて進行式せる下側から上側へ折シ
   返す経路で案内する機構を設けてなることを特徴とする
   スパッタリング装置。