JPS59131509A - 炭化けい素の製造方法 - Google Patents

炭化けい素の製造方法

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JPS59131509A
JPS59131509A JP58005761A JP576183A JPS59131509A JP S59131509 A JPS59131509 A JP S59131509A JP 58005761 A JP58005761 A JP 58005761A JP 576183 A JP576183 A JP 576183A JP S59131509 A JPS59131509 A JP S59131509A
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plasma flame
silicon carbide
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plasma
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Haruo Okamoto
岡本 治男
Motoyuki Yamada
素行 山田
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化けい素−特には微細に分割された炭化けい
素の製造方法に関するものである。
炭化けい素は、その焼結体が耐酸化性、耐衝撃性、高温
強度などにすぐれた特性を示し、しかも高硬度であると
いうことから、従来からの用途である耐火物や研摩剤な
どの他に高温構造材料としても注目されている。そして
、この高温構造材料としての炭化けい素焼鞘体を得るた
めの焼結法l二ついては一反応焼結法、ホットプレス法
−常圧焼結法などが知られているが−これらの方法によ
って高強度の焼結体を得るためにはこの出発材料となる
炭化けい素をできるだけ微細な粉末とすることが必要と
される。
他方、この炭化けい素微粉の製造方法については、1)
アチソン法によって製造された炭化叶い熱分解させる方
法などが知られているが−このl)の方法の機械的粉砕
にはその微粉化に一定の限界があり、2)の方法にはこ
の生成物が比較的粗大な粒子と微粒子の共存したものと
なるため篩別工程が必要とされるほか、これには炭化け
い素の焼MJ二有害なりリカが多量に含有されるという
不利がある。これに対し、3)の方法はこの生成物が微
細な炭化けい素となるし、特にこの熱源としてプラズマ
炎を用いる場合C二はその粒子が非常に微細になり、不
純物混入もないという利点をもつものであるけれども、
これにはプラズマ炎の安定性に問題があるほか一反応管
内壁への反応物の付着により反応管が破損されるという
不利があり一未だ実用化されるに到っていない。
すなわち−このオルガノシラン類の気相熱分解による炭
化けい素粉の製造(二ついては例えば特開昭56−32
316号公報、英国特許第1134872号などが知ら
れているが−この前者の方法はオルガノシランなどの原
料ガスを予じめプラズマ作動ガスと混合し、これをプラ
ズマ炎中に導入するものであるため、原料ガスの供給速
度を増大させるとプラズマ火炎の安定度が低下するほか
、プラズマ炎上部で午じた反応生成物が反応管内壁に付
着、堆積され、これが高周波誘導で加熱されるために、
場合によっては反応管が破損されてしまうという不利が
あり、この後者の方法では原料ガスがプラズマ炎の外側
から、プラズマ炎尾部に供給されるために原料ガスとプ
ラズマガスとの混合が不充分となり1反応率が低下する
という欠点があった。
本発明はどのような不利を解決した炭化けい素の製造方
法に関するものであり、これは一般式Rn510t4−
n(こ\にRは水素原子または1価の炭化水素基でその
うち少なくとも1個は炭化水素基、nは1〜4の正数)
で示されるオルガノシランのガス状物および/または一
般式HmSICt4−m(こ\にmは0〜4の正数2で
示されるシランと揮発性炭化水素化合物との混合ガスな
、高周波誘導プラズマ炎の中心部に尋人し。
このプラズマ炎内で熱分解させることを特徴とするもの
である。
これを説明すると1本発明者らはオルガノシラン類の高
周波誘導プラズマを利用する気相熱分解法による炭化け
い素の製造方法について種々検討し、これについては原
料ガスをそれがプラズマ炎の中心軸に貫入するように供
給すればこの原料ガスの供給用を増加させても高周波誘
導プラズマに対する電気的影響が軽微となり、プラズマ
炎が安定に保持されること−またこれによれば原料ガス
のプラズマ炎からの受熱が多くなるのでその熱分解反応
が促進され、結果において遊離けい素や遊離炭素量の少
ない炭化けい素粒子を高い反応率で得ることができるこ
とを見出し、この反応条件などについての研究を進め、
本発明を完成させた。
本発明の方法で始発材とされるシラン類は前記した一般
式 R5iOL4−nで示されるものであるが−これは
その熱分解によって炭化げい累(’5in)  を発生
するものであることから、その分子中に少なくとも1個
の炭素原子とけい素原子を含むものでなければならない
。したがって、上記一般式における只のうちの1個はメ
チル基、エチル基、フェニル基などの炭化水素基とされ
、これにはこれらの炭化水素基を含む各種のオルガノシ
ランが使用されるが、これらの中ではメチルトリクry
oシラン、ジメチルジグロ口νラン、トリメチルグロ口
νラン、メチルジクロロシラン、テトラメチルシラン、
メチルフェニルジグロロシラン、トリメチルシランが単
価が安く一人手し易いために好適とされるが−これはま
たそのRが一冊OH2S IH(OHa ) )i−で
示されるジメチルシリルトリメチルシリルメタンなどの
ようなオルガノシランもそれが炭化けい素繊維の主原料
であるポリカルボシランの製造工程中に多量に晶1」生
するものであるということから好ましいものとされる。
また、このシラン類としては一般式HmSiOt4−m
 で示されるシランも使用することができるが−この場
合には炭化けい素を形成する炭素源としての炭化水素化
合物または一般式%式%) で示される塩素化炭化水素化合物との混合ガスとして使
用する必要があり−この炭化水素化合物としてはメタン
、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレ
ンなどが、またこの塩素化炭化水素としてはメチルグロ
ライドーエチルグロライド、四塩化炭素−メチルグロσ
ホルムなどが例示される。なお、これらのシラン類はそ
の分子中に含有されている炭素原子数がけい素原子の数
より多い場合には、炭素が生成され、これが目的とする
炭化けい素中に混入されることがあるが、これには必要
に応じこの反応系に炭素原子を含まない四塩化けい素、
トリグσロシランなどのけい素化合物のガス状物を混合
するようにすればよい。
なお−この始発剤としてのシラン類またはこのシランと
炭化水素化合物はキャリヤーガスに伴流させてプラズマ
炎中に導入してもよく、これには周期律表第8族の不活
性としてのクリプトン−、キセノン、ラドン、アルゴン
などが使用されるが。
工業的には安価であるアルゴンとすればよい。
つぎに本発明方法を添付の図面にもとづいて説明すると
、第1図は本発明方法に使用される反応装置の縦断面要
因を示したものであり、これは原料ガスも入管1−プラ
ズマガス龜入管2を有する内管3と冷却ガス導入管4を
その頭部に備えたプラズマ反応管5と、これに付設され
た高周波ワークコイル6とから構成されており、このプ
ラズマ反応管5の下部には粒子捕集部7とガス排出口8
が設けられている。本発明の方法の実施は、まずこの反
応管5にプラズマガス導入管2からアルゴンガスを送入
したのち、高周波ワークコイル6に晶周波電力を印加し
、図示していない点火棒を用いて内管3の光跡にグミ−
放電を発生させると。
このグミー放屯が種火となって反応管5の中にプラズマ
炎9が発生されるので、このプラズマ炎の発生後、原料
ガス導入管lからシランガスおよび/またはシランガス
と炭化水素化合物さらには必要に応じけい素化合物を導
入して反応を開始させればよい。この制周波電力はその
周波数が0.5MHz  より低いとプラズマの発生が
困難となり、10MHz  より高いと高周波に起因す
る不用意なスパークが発生し易くなるので、これは05
〜10MHz の節回のものとすることがよく−これは
またl−100KW程度のものとすればよい。
このプラズマ炎発生中1作動ガスとしてのアルゴンガス
に加えて、この反応を抑制しないガス、例えば水素ガス
を添加することは、プラズマ炎への入力増加時にアルゴ
ンガスだけを作動ガスとじた左きに発生するプラズマ炎
の揺動を防止するだめの有効な手段であり、これはプラ
ズマ炎が安定して発生できる範囲内で尋人することがよ
い。
本発明の方法はこの1京料ガスをプラズマ炎9の中心部
に尋人して原料ガス流がプラズマ炎内で完全にプラズマ
で包囲されるようにし、これによってプラズマ炎からの
熱を充分原料ガスに斗えて炭化けい累の形成反応を促進
させるものであるから。
上記した原料ガス導入管1はその中心軸がプラズマ炎9
の中心軸と同一線上にくるように設置する必要があるが
、この原料ガスはアルゴンガスなどのキャリヤーガス(
二よってプラズマ炎の頂部に送入するようにすればよい
。また、こめ原料ガスの流速はそれが遅いと噴出流がプ
ラズマ炎9に貫入されず、その外縁に沿って流れてしま
うおそれがあり、これが速すぎるとプラズマ炎9が吹き
消されてしまうので、これは50crn/抄以上、好ま
しくは1〜4m/秒の範囲とすることがよく、このガス
流速の制御はこ\に導入する原料ガスの量、キャリヤー
ガスの量を調整するか、あるいは顔料ガス導入管1の先
端部内径を調整すればよい。
上記によりプラズマ炎の中心部に貫入されたシランまた
はこれと炭化水素化合物との混合ガスは。
このプラズマ炎からの加熱によって2,000℃程度の
薗温となり、気相熱分解してβ型の炭化けい系となるが
、こ\に生成する炭化けい素はその殆んどが111m以
下の微粉状物となり、これはまた望ましくない不純物の
混入もない状態で得られるし、この場合にはプラズマ炎
外域での反応がないので、こ\で発生した炭化けい素が
プラズマ炎近傍の反応管壁部に付着するということもな
#<。
反応管下部に設けられているガス排出口8から排出され
る排ガスに随伴されて粒体補集部7に落下してくるので
、容易に回収することができる。
これを要するに1本発明方法はシラン化合物のプラズマ
炎による気相熱分解法において、この原料ガスをプラズ
マ炎の中心部に貫入させることを特徴とするものであり
、これf二よれば原料ガスの供給速度を増加させてもプ
ラズマ炎が不安定になることがないし、原料ガスのプラ
ズマ炎による加熱が極めて有効に行なわれるので、高い
反応率、高い生成速度で炭化けい素を得ることができる
という有利性が与えられるほか、こ\に得られる炭化け
い素が非常に微細なβ型炭化けい素粒子であることから
、このものはセラミック材としての焼結体形成用材とし
て有用のものとされるという工業的宜利性が与えられる
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例 直径3’7m+nφの石英管をプラズマ反応管とし、こ
れに第1図に示したように原料ガス4人肯−プラズマガ
ス心人管−冷却ガス導入管を付設し、こ\に第1表に示
したような作動ガスを9人したのち高周波ワークコイル
に3.6MHz−10KWの高周波電力を印加し1点火
沖を用いてグミ−放電を発生させたところ、管内にプラ
ズマ炎が発生したので、こ\に第1表に示した原料ガス
を導入して反応を開始させた。
この場合、原料ガス−作動ガスの流速を第1表−に併記
したように調整すると共に、原料ガスがプラズマ炎の中
心部に尋人されるように調節したところ、第1表に併記
したとおりの結果が得られ。
得られた炭化けい素粉はその粒径を遠心沈降法で測定し
たところ、第1表に示したように1μm以下の粒子が9
7〜98係というものであった。
なお、比較のため、この原料ガスを作動ガスと混合した
場合(比較例1)、原料ガスの供給をプラズマ炎の中心
部でなくプラズマ炎尾部に供給した場合(比較例2)に
ついて、上記と同じ条件で処理したところ−この場合に
は第1表に併記したように炭化けい素の収量が低下する
ほか、遊離のけい素、炭素の量が増加していた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施するプラズマ反応装置の縦…
■面要図を示したものである。 1・・・原料ガス8入管  2・・・プラズマガス鴫入
管3・・・内1      4・・・冷却ガス導入管5
・・・プラズマ反応管  6・・・高周波ワークコイル
7・・・粒子捕集部    8・・・ガス排出口9・・
・プラズマ炎 特許出願人 信越化学工業株式会社 第11ン1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 Rn5iOt4−n(こ\にRは水素原子
    または1価炭化水素基でその少なくとも1個は1価炭化
    水累基、nは1〜4の正数)で示されるオルガノシラン
    のガス状物および/または一般式 Hm81Ct4−m
    (こ贋二mは0〜4の正数)で示されるシランと揮発性
    炭化水素化合物との混合ガスを、高周波誘導プラズマ炎
    の中心部に1人し、プラズマ炎内で熱分解させることを
    特徴とする微細に分割された炭化けい素の製造方法 2、高周波誘導プラズマ炎の作動ガスとしてアル
JP58005761A 1983-01-17 1983-01-17 炭化けい素の製造方法 Granted JPS59131509A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6311513A (ja) * 1986-06-30 1988-01-19 Agency Of Ind Science & Technol 焼結密度の高い炭化ケイ素粒子の製造方法
US5876683A (en) * 1995-11-02 1999-03-02 Glumac; Nicholas Combustion flame synthesis of nanophase materials

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632316A (en) * 1979-08-20 1981-04-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of sic superfine particle
JPS56127709A (en) * 1980-03-10 1981-10-06 Hitachi Ltd Fine powder synthesizing furnace

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