JPS59134832A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS59134832A JPS59134832A JP913583A JP913583A JPS59134832A JP S59134832 A JPS59134832 A JP S59134832A JP 913583 A JP913583 A JP 913583A JP 913583 A JP913583 A JP 913583A JP S59134832 A JPS59134832 A JP S59134832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- stainless steel
- plasma etching
- matter
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程等において広く用いら
口つつある。ドライエツチング装置に関するものである
。
口つつある。ドライエツチング装置に関するものである
。
従来用いら口ている平行平板型のプラズマエツチング装
置について、第１図を参照して説明する。
置について、第１図を参照して説明する。
反応槽（１）内を、排気口（２）から排気を行ないなが
ら、ガス導入口（３）から所定流鍬の反応ガスを導入し
て一気圧以下の所定のガス圧力に設定する。その後、高
周波電極（５）に高周波電極（５）に高周波Ｓ：源（６
〕から整合回路（７）を通して高周波電力を印加してガ
スプラズマ（８）をつくり、発生した反応成分と高周波
嶌Ｍ （５）上の被加工物（９）との反応によりエツチ
ングを行なう。
ら、ガス導入口（３）から所定流鍬の反応ガスを導入し
て一気圧以下の所定のガス圧力に設定する。その後、高
周波電極（５）に高周波電極（５）に高周波Ｓ：源（６
〕から整合回路（７）を通して高周波電力を印加してガ
スプラズマ（８）をつくり、発生した反応成分と高周波
嶌Ｍ （５）上の被加工物（９）との反応によりエツチ
ングを行なう。
ここにおいて従来のエツチング装置では、高周波電極（
５）の材料としては多くの場合ステンレスが用いら口て
おシ、図示しない水冷等の冷却ａ構が付加さｒしている
。
５）の材料としては多くの場合ステンレスが用いら口て
おシ、図示しない水冷等の冷却ａ構が付加さｒしている
。
しかしながら、このステンレスは熱伝導性がよく、電極
全体が低温に保たｎる。従って、被加工物で覆わｎない
電極部に、反応ガスあるいは反応生成物等の付着が発生
し、被加工物の加工の再現性を悪化させる。又、ステン
レスがガスプラズマにさらさ口ることにより、ステンレ
スの成分による被加工物の汚染等も発゛生ずる。
全体が低温に保たｎる。従って、被加工物で覆わｎない
電極部に、反応ガスあるいは反応生成物等の付着が発生
し、被加工物の加工の再現性を悪化させる。又、ステン
レスがガスプラズマにさらさ口ることにより、ステンレ
スの成分による被加工物の汚染等も発゛生ずる。
本発明は、上記のようなステンレス製屯極を有する４Ａ
ｆｆｔの欠点を除去するためのものであり、被加工物で
覆わｎる電極部分の材質をステンレスとし、そｎ以外の
電極部分を炭素により形成あるいは被覆することにより
、汚染がなく、再現性のよいエツチング装置を提供する
ことを目−的としている。
ｆｆｔの欠点を除去するためのものであり、被加工物で
覆わｎる電極部分の材質をステンレスとし、そｎ以外の
電極部分を炭素により形成あるいは被覆することにより
、汚染がなく、再現性のよいエツチング装置を提供する
ことを目−的としている。
以下、本発明の一実施１例を第２図について説明する。
同図において、諸周波電極（５）は二つの部分に分けて
階成さｎる。まず、被加工物で覆わｎる部分α０の材質
をステンレスとし、この部分を水冷等の冷却機構により
冷却する。七ね以外の部分Ｑｌ）の杓′ａを炭素とする
。
階成さｎる。まず、被加工物で覆わｎる部分α０の材質
をステンレスとし、この部分を水冷等の冷却機構により
冷却する。七ね以外の部分Ｑｌ）の杓′ａを炭素とする
。
本発明のように、被加工物で覆われる電極部分を熱伝導
性のよいステン、レス製とし、そｎ以外の電極部分を熱
伝導性の悪い炭素製とすることにより、被加工物の冷却
効果を損うことなく、プラズマにさらさｎている電極部
分の表面を比較的高い温度に保つことができる。これに
よシ、反応ガスあるいは反応生成物等の電極への付着を
防止し、力ロエの再現性を高めることができる。又、ス
テンレスのプラズマへの露出面積を小さくすることがで
き、ステンレスの成分による被加工物への汚染を防止す
ることができる。
性のよいステン、レス製とし、そｎ以外の電極部分を熱
伝導性の悪い炭素製とすることにより、被加工物の冷却
効果を損うことなく、プラズマにさらさｎている電極部
分の表面を比較的高い温度に保つことができる。これに
よシ、反応ガスあるいは反応生成物等の電極への付着を
防止し、力ロエの再現性を高めることができる。又、ス
テンレスのプラズマへの露出面積を小さくすることがで
き、ステンレスの成分による被加工物への汚染を防止す
ることができる。
なお、上記実施例では、高周波電極に被加工物を揃く場
合を示したが、高周波電極と対向する電画に被加工物を
置く場合の該電極にも本発明を適用することができる。
合を示したが、高周波電極と対向する電画に被加工物を
置く場合の該電極にも本発明を適用することができる。
第１図は従来のプラズマエツチング装置の構成を示す断
面側面図、第２図は本発明の特徴とする高周波電極の一
例を示す断面側面図である。 （１）・・・反応僧、（２ン・・・排気口、（３）・・
・ガス導入口、（４）・・・対間電極、（５）・・・高
周ｅ、嘉極、（６）・・・高周波ｍ源、（７）・・・整
合回路、（３）・・・ガスプラズマ、（９）・・・被加
工物、θ０・・・被加工物で覆われる部分、０］）・・
・被加工物で覆わｔＬない部分 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 特許庁長官殿 １．事件の表示 特願昭５８−９１８５月２、発明
の名称 プラズマエツチング装― ３ 補正をする者 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八
部 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の禰及び因−６、補正の内容 （１ン明細書をつぎのとおり訂正する。 （２）第１図を別紙のとおり訂正する。 ′以 第１図
面側面図、第２図は本発明の特徴とする高周波電極の一
例を示す断面側面図である。 （１）・・・反応僧、（２ン・・・排気口、（３）・・
・ガス導入口、（４）・・・対間電極、（５）・・・高
周ｅ、嘉極、（６）・・・高周波ｍ源、（７）・・・整
合回路、（３）・・・ガスプラズマ、（９）・・・被加
工物、θ０・・・被加工物で覆われる部分、０］）・・
・被加工物で覆わｔＬない部分 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 特許庁長官殿 １．事件の表示 特願昭５８−９１８５月２、発明
の名称 プラズマエツチング装― ３ 補正をする者 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八
部 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の禰及び因−６、補正の内容 （１ン明細書をつぎのとおり訂正する。 （２）第１図を別紙のとおり訂正する。 ′以 第１図
Claims (2)
- （１）一対の相対向する電極を有する反応槽内に、所定
のガスを導入し、一方の側の電極に高周波電力を印加し
て高周波放電を励起し、発生したガスプラズマにより、
核高周波電極あるいはとｎと対向する電極上Ｖｃ負かｎ
た被加工物を食刻するプラズマエツチング装置において
、被加工物を慣く側の電極は、波加工物で覆わｎる部分
が熱伝導の良い部材で構成され、そｎ以外の部分が熱伝
導の悪い部材で博成さｎたことを特徴とするプラズマエ
ツチング装置。 - （２）上記熱伝導の艮い部材としてステンレスを用い、
熱伝導の悪い部材として炭素を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のプラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP913583A JPS59134832A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP913583A JPS59134832A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134832A true JPS59134832A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11712179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP913583A Pending JPS59134832A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4968374A (en) * | 1988-06-09 | 1990-11-06 | Anelva Corporation | Plasma etching apparatus with dielectrically isolated electrodes |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP913583A patent/JPS59134832A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4968374A (en) * | 1988-06-09 | 1990-11-06 | Anelva Corporation | Plasma etching apparatus with dielectrically isolated electrodes |
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