JPS59141499A - 単結晶フエライトの製造方法 - Google Patents
単結晶フエライトの製造方法Info
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- JPS59141499A JPS59141499A JP58011496A JP1149683A JPS59141499A JP S59141499 A JPS59141499 A JP S59141499A JP 58011496 A JP58011496 A JP 58011496A JP 1149683 A JP1149683 A JP 1149683A JP S59141499 A JPS59141499 A JP S59141499A
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/26—Complex oxides with formula BMe2O4, wherein B is Mg, Ni, Co, Al, Zn, or Cd and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co, or Al
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野）
本発明は、′磁気ヘッド桐材として利用される単結晶フ
ェライトの製造方法に関するものである。 （従来例の構成とその問題点） 従来 ｆｌ結晶と多結晶とを接合し、これを熱処理する
ことにより多結晶を単結晶化する接合型単結晶の製造方
法が知られている。これは、捷ず、単結晶、多結晶双方
の接合面を鏡面研摩した後、表面活性を高めるためにそ
の鏡面に酸を塗布して両者を張り合わせ、しかる後熱処
理を行な°つて多結晶を単結晶化する。゛しかしながら
、この方法は同相反応であるため単結晶化の速磨の大き
さにはおのずから限界があった。 （発明の目的） 本発明は、上記従来例の欠点を改善したもので、単結晶
化の速度が太きく、低コストで、倒産性の高い単結晶フ
ェライトの製造方法を提侠するものである。 （発明の構成） 上記目的を達成するーために、本発明では、？１１結品
と多結晶の接合に先立って、それらの接合面のいずれか
一方゛マ／こ（ｄ両方に、フェライトの液相焼結を誘起
する化合物の薄膜を予め形成し、そのプ両者の接合面を
張り合わせて熱処理するものである。 シ、１、図面を用いて実施例を詳細に説明する。 （実施例の説明） 第１図は、本発明の接合型単結晶フェライトの単結晶育
成オでのゴニ程を模式的（Ｃ示し／こもので、第１図（
Ａ）は単結晶１七多結晶２とを張り合わせるｎｉｌの状
態を示しており、１ａは単結晶１の接合面、２ａＮ多結
晶２の接合面である。第１図（１＋） ＩＩ、イノＬら
接合面を互いに接合した後、熱処理１７だ接合体を示し
ており、多結晶２′は１部部結晶化している。第１図（
Ｃ）は、第１図（Ｂ）の複合体をｘ−ｘ’で切断した後
、研＋ｑ、エツチングした断面を示している。３は多結
晶から単結晶化した部分であり、１は一！だ１１ｊ結晶
化［７ていない多結晶部分である。５はｊｌ’＋結晶化
の界面である。 本発明の製造方法、を説明すると、捷ず、単結晶１・及
び多結晶２の各接合面１ａ、 ２ａをよく研摩し、そ
の接合面１ａ、’ ２ａの一方又は両方に、後述するフ
ェライトの液相焼結を誘起する化合物を、スパッター、
蒸着、ＣＶＤ（ケミカル ペーパー ディポジション）
、その他の薄膜作製方法により１μｍ以下のＮ ＢｔＡ
として形成する。次に、単結晶１と多結晶２の接合面１
ａ、２ａを合わせ、加熱又は加圧熱処理により互いに接
合する。このようにして後合し／こ接合体如、さらに熱
処理を施Ｉ７、多結晶を単結晶に成長させる。 ここで、単結晶と多結晶の接合面てフェライトの液相焼
結を誘起する化合物を含廿ない場合は、第２図に示した
ように、単結晶部分３と多結晶部分４の結晶粒子との固
相反応により単結晶化が進部分４の結晶粒子が、界面５
で単結晶のれ＋１晶方位に強制的にそろえられ吸引され
ていくため、この反応が律速になる。 一方、本発明方法により、単結晶と多結晶の汲置ｉｎ）
に予め液相焼結を誘起する化合物を形成した場合は、第
３図に示したように、単結晶部分３と多結晶部分４との
界面５において、化合物が周囲のフェライトと反応して
薄い液相６を形成する。 この液相の層の厚さは、最初単結晶と多結晶の接合面に
形成された化合物の薄膜の厚さに比例する。 本発明者等が接合面に形成する化合物の膜厚について実
験、検削を行なっ／こ結果、１μｍ以トの膜ｊワの楊合
如単結晶化の速度が最も大きくなることが判明し／こ。 この液相６の役割は、多結晶７＜１５分４の結晶粒子を
溶かＩ〜込み、この液相中でフェライトの各成分イメン
を拡散移動させ、中結晶ｒｙｔｔ分゛う側で再析出させ
るものである。この過程は、固相反応による結晶粒イの
単結晶への吸収過程に匹べて紗倍速い。その結果、界面
５の移動速度、即ち、単結晶化の速ＩＩが大きくなるも
のである。 本発明方法を実施−ノ“るに当って、液相６に含まれる
化合物が、中、結晶化終了後の単結晶内部に、できるだ
け取り込脣れないこと、即ちフェライト単結晶内に拡散
しにくいこと、あるいは／ことえ拡散しても、磁気的特
杆その他の特性を劣化させるもので々いことが必要であ
る。 本発明者等が、液相焼結を誘起する各種化合物を検討し
た結果、Ｎａ２Ｏ，Ｖ２Ｏ５＋ Ｃａｂ、 ５ｉｏ２．
Ｃ＋＋２０． Ｃｒの酸化物および５ｂ２０３のうち
少なくとも１種類が、単結晶と多結晶の接合面に入って
いると、液相が形成されて本発明の目的が達成され、る
ことかわかった。 次如、本発明の具体的実施例（（ついて説明する。 実施例１ 最終組成比が、５２モル％ＦＣ２０３１３２モル％Ｍｎ
Ｏ。 １６モル％ＺｎＯになるように、純度９９．５ ％のα
−Ｆ（４２０：、。 １８２５ｇと、含有量９１．２％のＭｎＣＯ３８８，７
ｇとＡ純度９ ＜ｓ％のＺｎＯ２８，７ｇを秤量し、ウ
レタンボールミルにて、湿式で１５時間混合し、９００
℃−２時間、空気中で仮焼した。仮焼後、再度、ウレタ
ンボールミルで１５時時間式混合し、その後、その沈殿
物を、１３０℃で１０時間乾燥した。純水を１２〜１５
係加えてライカイ器にて造粒し、粒度をイろえ／Ｃ後、
：３００ｋｇ／Ｇｍ２の成形圧で造粒粉を成形した。こ
の成形体を空気中にて、１２８０°Ｃ−３時間、３００
ｋｇＡｗ？でボッ１グレス１．て、平均結晶粒径２５
μｍ１気孔率００２％の焼結体を得た。この焼結体を］
０’Ｘ ２０ Ｘ ３０Ｊの直方体に切断し、２０Ｘ：
３Ｑｍｍ２の而を接合面とし、この而を寺２０００メツ
／ユのＧＣＣ研削剤、さらに≠４０００ノソンユのＧＣ
研１？剤で研Ｆ？ ｌ、た後、直径３μｍのダイヤモン
ド砥粒で研厚し、鏡面に仕上げだ。このような多結晶を
複数個用、きし、その鏡１ｒｉｉ Ｋ Ａｒカスを用い
たスパック−法により、そわ−ぞれＮａ２Ｏ＋ Ｖ２Ｏ
５１Ｃａｒｔ Ｃｕ２Ｏ＋ ５ｉ０２＋ Ｃｒ２Ｏ３＋
５ｂ２ｏ２及びＳｒＯ，ｐｂｏ、 ８ａＯの薄膜を】
０００＾の厚みで形成した。 一方、多結晶と同組成のＪｌｉ結晶を、フリッンーｌン
法にてイ′［製し、接合面が（１００）面に、そｉｔ、
と垂直な面が４１１０） Ｋなるよって、２０Ｘ３０Ｘ
］５ｍ−の試料片を切断し／こ。接合面の２０Ｘ３Ｑ＋
ｕ＋ を、多結晶と同様な方θ、で鏡面研削し、表面
活性を高めるため希硝酸を塗布後、多結晶とｍ結晶の各
接合面を互いに張り合せ、Ｎ２中で１３２０℃、６時間
の熱処理を行なった。比較のため、同一の多結晶で化合
物をスパッター シないものを用い、同一条件−トで、
単結晶との接合及び熱処理を行なった。熱処理後、接合
体を中央部で切断し、切断面を鏡面研削し、塩酸にてエ
ツチングし、単結晶化の長さＳをｉＩ］１［定した。本
発明のＮａ２Ｏ＋ Ｖ２Ｏ５，Ｃａｂ、 ５ｉ０２．
Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３＋ｓｔ、２ｏ３をスパッター［７
たものでは単結晶化長さＳは４〜５羽、Ｂａｄ、 Ｓｒ
Ｏ，ＰｂＯをスパッターしたものではＳけ約２ ｍｍ、
化合物をスパッターしなかったものではＳは１龍以下で
あった。 上記のごとき本発明方法により多結晶から一中結晶化反
だ部分を切り出し、磁気特性を調べだところ、周波数１
ｋＨｚでの透磁率（μｍｋ）が１．０．０００で、抗
磁力（Ｈｃ）は０．０５ （Ｏｅ）であった。たたし、
１１ａＯ。 ＳｒＯ，ＰｂＯをスパッターしたものでは、μｍｋが５
、０００−６．０００． ＨｃがＱ、ｌｏｅであツ／コ
。一本発明方法によるものは、従来のノリソノマン法で
作製された同一組成の単結晶と同等の特性であった。 この単結晶を用いて磁気ヘッドを試作し、・〜ラドの特
性を調べた結果、Ｓ／′Ｎ及び周波数５ Ｍｌ、、１
ｚでの出力では、ノリフシ−フン法で作製されたものと
、同等もしくはそれ以上イあっ／こ。なお、化合物の７
バツターをｔ１ウ−結晶の接合面にしても、又、両者の
接合面にしても（但Ｌ７薄膜の厚みは台用して１ ／１
ｍを越えないようにする）効果は、同じであった。 実施例２ 実施例１と同様に作成したＭｎ−Ｚｎ多結晶に、Ｎａ
２０ ＋Ｖ２Ｏ５＋ Ｃｕ２Ｏ＋ ５ｉ０２＋
Ｃｒ２Ｏ：＋＋ ５ｂ２０３ を １００人、 ２
０（１０人。 ５０００Ｘ、 １μｍ、 ２μｍの各厚みでスパッター
し、実施例１と同様に単結晶と接合し、熱処理を行なう
ことにより単結晶化を試み／こ。その結果、単結晶化長
さＳは、薄膜の厚みに対して、４ 、４ 、３ 、２
。 ０５關となり１．薄膜の厚みが１／７ｍを越すと、逆に
１１１結晶化が悪くなった。 （発明の効果） Ｊン上説明したよう匠、本発明によれは、ソリノジマン
θミで作製された単結晶と同等以上の唱慴を有する中結
晶フエライ１を、従来の接合型１４１１結晶フエライト
の製造方法に比べて４〜５倍以上速く製造することがで
きる効果がある。
ェライトの製造方法に関するものである。 （従来例の構成とその問題点） 従来 ｆｌ結晶と多結晶とを接合し、これを熱処理する
ことにより多結晶を単結晶化する接合型単結晶の製造方
法が知られている。これは、捷ず、単結晶、多結晶双方
の接合面を鏡面研摩した後、表面活性を高めるためにそ
の鏡面に酸を塗布して両者を張り合わせ、しかる後熱処
理を行な°つて多結晶を単結晶化する。゛しかしながら
、この方法は同相反応であるため単結晶化の速磨の大き
さにはおのずから限界があった。 （発明の目的） 本発明は、上記従来例の欠点を改善したもので、単結晶
化の速度が太きく、低コストで、倒産性の高い単結晶フ
ェライトの製造方法を提侠するものである。 （発明の構成） 上記目的を達成するーために、本発明では、？１１結品
と多結晶の接合に先立って、それらの接合面のいずれか
一方゛マ／こ（ｄ両方に、フェライトの液相焼結を誘起
する化合物の薄膜を予め形成し、そのプ両者の接合面を
張り合わせて熱処理するものである。 シ、１、図面を用いて実施例を詳細に説明する。 （実施例の説明） 第１図は、本発明の接合型単結晶フェライトの単結晶育
成オでのゴニ程を模式的（Ｃ示し／こもので、第１図（
Ａ）は単結晶１七多結晶２とを張り合わせるｎｉｌの状
態を示しており、１ａは単結晶１の接合面、２ａＮ多結
晶２の接合面である。第１図（１＋） ＩＩ、イノＬら
接合面を互いに接合した後、熱処理１７だ接合体を示し
ており、多結晶２′は１部部結晶化している。第１図（
Ｃ）は、第１図（Ｂ）の複合体をｘ−ｘ’で切断した後
、研＋ｑ、エツチングした断面を示している。３は多結
晶から単結晶化した部分であり、１は一！だ１１ｊ結晶
化［７ていない多結晶部分である。５はｊｌ’＋結晶化
の界面である。 本発明の製造方法、を説明すると、捷ず、単結晶１・及
び多結晶２の各接合面１ａ、 ２ａをよく研摩し、そ
の接合面１ａ、’ ２ａの一方又は両方に、後述するフ
ェライトの液相焼結を誘起する化合物を、スパッター、
蒸着、ＣＶＤ（ケミカル ペーパー ディポジション）
、その他の薄膜作製方法により１μｍ以下のＮ ＢｔＡ
として形成する。次に、単結晶１と多結晶２の接合面１
ａ、２ａを合わせ、加熱又は加圧熱処理により互いに接
合する。このようにして後合し／こ接合体如、さらに熱
処理を施Ｉ７、多結晶を単結晶に成長させる。 ここで、単結晶と多結晶の接合面てフェライトの液相焼
結を誘起する化合物を含廿ない場合は、第２図に示した
ように、単結晶部分３と多結晶部分４の結晶粒子との固
相反応により単結晶化が進部分４の結晶粒子が、界面５
で単結晶のれ＋１晶方位に強制的にそろえられ吸引され
ていくため、この反応が律速になる。 一方、本発明方法により、単結晶と多結晶の汲置ｉｎ）
に予め液相焼結を誘起する化合物を形成した場合は、第
３図に示したように、単結晶部分３と多結晶部分４との
界面５において、化合物が周囲のフェライトと反応して
薄い液相６を形成する。 この液相の層の厚さは、最初単結晶と多結晶の接合面に
形成された化合物の薄膜の厚さに比例する。 本発明者等が接合面に形成する化合物の膜厚について実
験、検削を行なっ／こ結果、１μｍ以トの膜ｊワの楊合
如単結晶化の速度が最も大きくなることが判明し／こ。 この液相６の役割は、多結晶７＜１５分４の結晶粒子を
溶かＩ〜込み、この液相中でフェライトの各成分イメン
を拡散移動させ、中結晶ｒｙｔｔ分゛う側で再析出させ
るものである。この過程は、固相反応による結晶粒イの
単結晶への吸収過程に匹べて紗倍速い。その結果、界面
５の移動速度、即ち、単結晶化の速ＩＩが大きくなるも
のである。 本発明方法を実施−ノ“るに当って、液相６に含まれる
化合物が、中、結晶化終了後の単結晶内部に、できるだ
け取り込脣れないこと、即ちフェライト単結晶内に拡散
しにくいこと、あるいは／ことえ拡散しても、磁気的特
杆その他の特性を劣化させるもので々いことが必要であ
る。 本発明者等が、液相焼結を誘起する各種化合物を検討し
た結果、Ｎａ２Ｏ，Ｖ２Ｏ５＋ Ｃａｂ、 ５ｉｏ２．
Ｃ＋＋２０． Ｃｒの酸化物および５ｂ２０３のうち
少なくとも１種類が、単結晶と多結晶の接合面に入って
いると、液相が形成されて本発明の目的が達成され、る
ことかわかった。 次如、本発明の具体的実施例（（ついて説明する。 実施例１ 最終組成比が、５２モル％ＦＣ２０３１３２モル％Ｍｎ
Ｏ。 １６モル％ＺｎＯになるように、純度９９．５ ％のα
−Ｆ（４２０：、。 １８２５ｇと、含有量９１．２％のＭｎＣＯ３８８，７
ｇとＡ純度９ ＜ｓ％のＺｎＯ２８，７ｇを秤量し、ウ
レタンボールミルにて、湿式で１５時間混合し、９００
℃−２時間、空気中で仮焼した。仮焼後、再度、ウレタ
ンボールミルで１５時時間式混合し、その後、その沈殿
物を、１３０℃で１０時間乾燥した。純水を１２〜１５
係加えてライカイ器にて造粒し、粒度をイろえ／Ｃ後、
：３００ｋｇ／Ｇｍ２の成形圧で造粒粉を成形した。こ
の成形体を空気中にて、１２８０°Ｃ−３時間、３００
ｋｇＡｗ？でボッ１グレス１．て、平均結晶粒径２５
μｍ１気孔率００２％の焼結体を得た。この焼結体を］
０’Ｘ ２０ Ｘ ３０Ｊの直方体に切断し、２０Ｘ：
３Ｑｍｍ２の而を接合面とし、この而を寺２０００メツ
／ユのＧＣＣ研削剤、さらに≠４０００ノソンユのＧＣ
研１？剤で研Ｆ？ ｌ、た後、直径３μｍのダイヤモン
ド砥粒で研厚し、鏡面に仕上げだ。このような多結晶を
複数個用、きし、その鏡１ｒｉｉ Ｋ Ａｒカスを用い
たスパック−法により、そわ−ぞれＮａ２Ｏ＋ Ｖ２Ｏ
５１Ｃａｒｔ Ｃｕ２Ｏ＋ ５ｉ０２＋ Ｃｒ２Ｏ３＋
５ｂ２ｏ２及びＳｒＯ，ｐｂｏ、 ８ａＯの薄膜を】
０００＾の厚みで形成した。 一方、多結晶と同組成のＪｌｉ結晶を、フリッンーｌン
法にてイ′［製し、接合面が（１００）面に、そｉｔ、
と垂直な面が４１１０） Ｋなるよって、２０Ｘ３０Ｘ
］５ｍ−の試料片を切断し／こ。接合面の２０Ｘ３Ｑ＋
ｕ＋ を、多結晶と同様な方θ、で鏡面研削し、表面
活性を高めるため希硝酸を塗布後、多結晶とｍ結晶の各
接合面を互いに張り合せ、Ｎ２中で１３２０℃、６時間
の熱処理を行なった。比較のため、同一の多結晶で化合
物をスパッター シないものを用い、同一条件−トで、
単結晶との接合及び熱処理を行なった。熱処理後、接合
体を中央部で切断し、切断面を鏡面研削し、塩酸にてエ
ツチングし、単結晶化の長さＳをｉＩ］１［定した。本
発明のＮａ２Ｏ＋ Ｖ２Ｏ５，Ｃａｂ、 ５ｉ０２．
Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３＋ｓｔ、２ｏ３をスパッター［７
たものでは単結晶化長さＳは４〜５羽、Ｂａｄ、 Ｓｒ
Ｏ，ＰｂＯをスパッターしたものではＳけ約２ ｍｍ、
化合物をスパッターしなかったものではＳは１龍以下で
あった。 上記のごとき本発明方法により多結晶から一中結晶化反
だ部分を切り出し、磁気特性を調べだところ、周波数１
ｋＨｚでの透磁率（μｍｋ）が１．０．０００で、抗
磁力（Ｈｃ）は０．０５ （Ｏｅ）であった。たたし、
１１ａＯ。 ＳｒＯ，ＰｂＯをスパッターしたものでは、μｍｋが５
、０００−６．０００． ＨｃがＱ、ｌｏｅであツ／コ
。一本発明方法によるものは、従来のノリソノマン法で
作製された同一組成の単結晶と同等の特性であった。 この単結晶を用いて磁気ヘッドを試作し、・〜ラドの特
性を調べた結果、Ｓ／′Ｎ及び周波数５ Ｍｌ、、１
ｚでの出力では、ノリフシ−フン法で作製されたものと
、同等もしくはそれ以上イあっ／こ。なお、化合物の７
バツターをｔ１ウ−結晶の接合面にしても、又、両者の
接合面にしても（但Ｌ７薄膜の厚みは台用して１ ／１
ｍを越えないようにする）効果は、同じであった。 実施例２ 実施例１と同様に作成したＭｎ−Ｚｎ多結晶に、Ｎａ
２０ ＋Ｖ２Ｏ５＋ Ｃｕ２Ｏ＋ ５ｉ０２＋
Ｃｒ２Ｏ：＋＋ ５ｂ２０３ を １００人、 ２
０（１０人。 ５０００Ｘ、 １μｍ、 ２μｍの各厚みでスパッター
し、実施例１と同様に単結晶と接合し、熱処理を行なう
ことにより単結晶化を試み／こ。その結果、単結晶化長
さＳは、薄膜の厚みに対して、４ 、４ 、３ 、２
。 ０５關となり１．薄膜の厚みが１／７ｍを越すと、逆に
１１１結晶化が悪くなった。 （発明の効果） Ｊン上説明したよう匠、本発明によれは、ソリノジマン
θミで作製された単結晶と同等以上の唱慴を有する中結
晶フエライ１を、従来の接合型１４１１結晶フエライト
の製造方法に比べて４〜５倍以上速く製造することがで
きる効果がある。
第１図は、本発明の接合型単結晶フＪライトの単結晶育
成捷ての製造工程を模式的匠示した図、第２図は、従来
の固相反応による単結晶化を説明する図、第３図は、本
発明方法による単結晶化を説明する図である。 １ ・・−・・・中結晶、 ２・・・−・・・多結晶、
ｌａ、２ａ・・・・・ 接合面、 ３・・・・・・・
多結晶から単結晶化した部分、 ４ ・・・・・・・・
・多結晶部分、 ５ ・・・・・・・・単結晶化の界面
、 ６・・・・・・・・液相。 特許出願人 松Ｆ電器産業株式会社 第１図 （Ａｌ （８） （Ｃ） 第２図 第３図
成捷ての製造工程を模式的匠示した図、第２図は、従来
の固相反応による単結晶化を説明する図、第３図は、本
発明方法による単結晶化を説明する図である。 １ ・・−・・・中結晶、 ２・・・−・・・多結晶、
ｌａ、２ａ・・・・・ 接合面、 ３・・・・・・・
多結晶から単結晶化した部分、 ４ ・・・・・・・・
・多結晶部分、 ５ ・・・・・・・・単結晶化の界面
、 ６・・・・・・・・液相。 特許出願人 松Ｆ電器産業株式会社 第１図 （Ａｌ （８） （Ｃ） 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） 単結晶と、該単結晶と同−組成又はそれに近
い組成で、かつ前記却結晶と本質的に同一の結晶構造を
有する多結晶とを接合し、この接合体を加熱保持するこ
とにより前記多結晶を単結晶化する単結晶フェライトの
製造方法において、前記単結晶および多結晶の各接合面
のうちいずれか一方または両方に、フェライトの液相焼
結を誘起する化合物の薄膜を予め膜１’Ｐ ＋μｍ以内
で形成し、その後両者の接合面を張り合わせて熱処理す
ることを特徴とする単結晶フェライトの製造方法。 - （２） 前記フェライトの液相焼結を誘起する化合物
として、Ｎａ０２＋ ”２０５＋ ＣａＯ＋ ＣＬＩ２
０１５ｉｏｚ、 Ｃｒの酸化物１Ｓｂ２０３ のうちか
ら１種又は２種以上を選んで用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の単結晶フェライトの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011496A JPS59141499A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011496A JPS59141499A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141499A true JPS59141499A (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=11779635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58011496A Pending JPS59141499A (ja) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311591A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶セラミクスの製造方法 |
| US5302306A (en) * | 1991-03-15 | 1994-04-12 | Sony Corporation | Process for preparing polycrystalline ferrite materials and composites containing them |
-
1983
- 1983-01-28 JP JP58011496A patent/JPS59141499A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311591A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶セラミクスの製造方法 |
| US5302306A (en) * | 1991-03-15 | 1994-04-12 | Sony Corporation | Process for preparing polycrystalline ferrite materials and composites containing them |
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