JPS59142736A - 連続磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
連続磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS59142736A JPS59142736A JP58016760A JP1676083A JPS59142736A JP S59142736 A JPS59142736 A JP S59142736A JP 58016760 A JP58016760 A JP 58016760A JP 1676083 A JP1676083 A JP 1676083A JP S59142736 A JPS59142736 A JP S59142736A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
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- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録層のほぼ厚さ方向に沿う方向の磁化
によってその記録を行う、いわゆる垂直磁気記録用とし
て新規な構成を有する薄膜型磁気記録媒体に関する。従
来より磁気記録は、ビデオ、オーディオ、ディジタルな
どの各種電気信号の記録に幅広く利用されている。これ
らは、基体上に被着形成された、磁気記録層の面内長手
方向の磁化を用いる方式により発達してきたが、近年、
磁気記録の高密度化が進展するに伴い、媒体面内長手方
向の磁化を用いる記録方式では、記録信号が短波長にな
るにつれ、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減衰と回
転を生じ、再生出方が著しく減少する。このため、その
記録波長をサブミクロす ン以下に各ることは極めて困難である。
によってその記録を行う、いわゆる垂直磁気記録用とし
て新規な構成を有する薄膜型磁気記録媒体に関する。従
来より磁気記録は、ビデオ、オーディオ、ディジタルな
どの各種電気信号の記録に幅広く利用されている。これ
らは、基体上に被着形成された、磁気記録層の面内長手
方向の磁化を用いる方式により発達してきたが、近年、
磁気記録の高密度化が進展するに伴い、媒体面内長手方
向の磁化を用いる記録方式では、記録信号が短波長にな
るにつれ、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減衰と回
転を生じ、再生出方が著しく減少する。このため、その
記録波長をサブミクロす ン以下に各ることは極めて困難である。
一方最近開発された、磁気記録媒体の磁気記録層の厚さ
方向の磁化、いわゆる垂直磁化を用いる垂直磁化記録方
式(例えば〔日経エレクトロニクス) 1978年 8
月7日号(屋192号)に記載されている。)は1記録
波長が短くなるにつれ、該媒体内の残留磁化に作用する
反磁界が減少するという高密度化にとって好ましい性質
があり、本質的に高密度記録に適した方式であると考え
られる。
方向の磁化、いわゆる垂直磁化を用いる垂直磁化記録方
式(例えば〔日経エレクトロニクス) 1978年 8
月7日号(屋192号)に記載されている。)は1記録
波長が短くなるにつれ、該媒体内の残留磁化に作用する
反磁界が減少するという高密度化にとって好ましい性質
があり、本質的に高密度記録に適した方式であると考え
られる。
ところでこのような垂直記録を能率良く°行5磁気記録
媒体としては垂直方向(磁性膜の厚さ方向)に磁化容易
軸を有していなければならない。
媒体としては垂直方向(磁性膜の厚さ方向)に磁化容易
軸を有していなければならない。
このような垂直磁化記録ができる磁気記録媒体には、支
持体上に磁性粉末とバインダーとを主成分とする磁性塗
料を塗布し、磁性膜の垂直方向に磁化容易軸が向くよう
に配向させている塗布型媒体がある。この媒体にはC6
、Fe2O2、r Fe10B 、 Co添加Fs30
4 、 Co添加7 Fe2O3*六方晶7エライト
(例えばバリウムフェライト) % MnB1 などが
磁性粉末として用いられたものが、特開昭52−468
03号。
持体上に磁性粉末とバインダーとを主成分とする磁性塗
料を塗布し、磁性膜の垂直方向に磁化容易軸が向くよう
に配向させている塗布型媒体がある。この媒体にはC6
、Fe2O2、r Fe10B 、 Co添加Fs30
4 、 Co添加7 Fe2O3*六方晶7エライト
(例えばバリウムフェライト) % MnB1 などが
磁性粉末として用いられたものが、特開昭52−468
03号。
453−67406号、同52−78403号、同55
−86103号、同52−78403号、同54−87
202申テ開示されている。このような磁気記録媒体は
、磁性層中に非磁性のバインダーが存在しているため、
磁性体の充填密度を高めることに限度があり充分高いS
N比がとれなかったし、さらに信号が記録できる大きさ
は磁性粒子の寸法に制限されるなど磁性塗膜による磁性
層を有する磁気記録媒体は垂直磁化記録用磁気記録媒体
として不十分であった。
−86103号、同52−78403号、同54−87
202申テ開示されている。このような磁気記録媒体は
、磁性層中に非磁性のバインダーが存在しているため、
磁性体の充填密度を高めることに限度があり充分高いS
N比がとれなかったし、さらに信号が記録できる大きさ
は磁性粒子の寸法に制限されるなど磁性塗膜による磁性
層を有する磁気記録媒体は垂直磁化記録用磁気記録媒体
として不十分であった。
θ
そこで、垂直磁化する磁性農相7体を、例えばバインダ
ーを用いずに、支持体上に被着した連続薄膜型磁気記録
媒体があり、高記録密度に適しているものとして注目さ
れている。
ーを用いずに、支持体上に被着した連続薄膜型磁気記録
媒体があり、高記録密度に適しているものとして注目さ
れている。
この連続薄膜型垂直磁化記録用磁気記録媒体には、(例
えば特公昭57−172824開示されているように、
)コバルトとクロムの合金膜よりなる磁気記録層を有す
るものがあり、特にクロム含有量が、5〜25重量%の
コバルト−クロム合金膜が優れていることが示されてい
る。
えば特公昭57−172824開示されているように、
)コバルトとクロムの合金膜よりなる磁気記録層を有す
るものがあり、特にクロム含有量が、5〜25重量%の
コバルト−クロム合金膜が優れていることが示されてい
る。
さらにコバルト−クロム合金膜に加重量%以下ルトーバ
ナジウム合金膜(例えば米国電気電子通信学会、略称I
EEE 刊行の学会誌’ Tranaaction
onの第18回東北大通研シンポジウム「垂直磁気記録
」論文集を参照)が知ら′れている。このうちコバルト
−クロム系合金膜は垂直磁化用磁気記録媒体として、有
望視されているが磁性膜面に垂直に磁化容易軸を配向さ
せるには1O−7torr以上の高真空中イネ で媒体を作成し、かつ、基条の高度な洗浄度、低スパツ
タ速度な“ど垂直配向制御要因が非常に複雑である。さ
らに信号の記録、再生においては磁気記録媒体と、垂直
記録用ヘッドを相対的に移動させるため、ヘッドと該媒
体間の界面での状態が悪く、磁気記録媒体にきすの発生
、ヘッドの破損、等が起こり、さらに膜質が硬いため可
撓性ある基板上に作製した膜はき裂が入りやす(、また
磁気記録媒体の耐触性も充分でなく保護膜の賦与が必要
であり、さらに原料のコバルトの安定供給が難しく価格
高にも?なかっていた。
ナジウム合金膜(例えば米国電気電子通信学会、略称I
EEE 刊行の学会誌’ Tranaaction
onの第18回東北大通研シンポジウム「垂直磁気記録
」論文集を参照)が知ら′れている。このうちコバルト
−クロム系合金膜は垂直磁化用磁気記録媒体として、有
望視されているが磁性膜面に垂直に磁化容易軸を配向さ
せるには1O−7torr以上の高真空中イネ で媒体を作成し、かつ、基条の高度な洗浄度、低スパツ
タ速度な“ど垂直配向制御要因が非常に複雑である。さ
らに信号の記録、再生においては磁気記録媒体と、垂直
記録用ヘッドを相対的に移動させるため、ヘッドと該媒
体間の界面での状態が悪く、磁気記録媒体にきすの発生
、ヘッドの破損、等が起こり、さらに膜質が硬いため可
撓性ある基板上に作製した膜はき裂が入りやす(、また
磁気記録媒体の耐触性も充分でなく保護膜の賦与が必要
であり、さらに原料のコバルトの安定供給が難しく価格
高にも?なかっていた。
この欠点を補う磁気記録媒体として、酸化物磁性薄膜を
有する磁気記録媒体が考えられているがその理由は1酸
化物故に機械的強度と化学的安定性に富んでおり、合金
薄膜の記録媒体に必要とされる保護膜を必要としないの
でその結果、磁気ヘッドと媒体間をより小さく出来るの
で高密度な記録ができ、又、低価格化に適しているとい
う利点ゆえにであるが、しかし従来この酸化物磁性薄膜
磁気記録媒体は、磁気記録層の面内長手方向の磁化を用
いる方式では、よ(知られているが、磁性膜面の垂直方
向に磁化容易軸をもった磁気記録媒体としては、未だ得
られていなかったし、従来、不可能と考えられていた。
有する磁気記録媒体が考えられているがその理由は1酸
化物故に機械的強度と化学的安定性に富んでおり、合金
薄膜の記録媒体に必要とされる保護膜を必要としないの
でその結果、磁気ヘッドと媒体間をより小さく出来るの
で高密度な記録ができ、又、低価格化に適しているとい
う利点ゆえにであるが、しかし従来この酸化物磁性薄膜
磁気記録媒体は、磁気記録層の面内長手方向の磁化を用
いる方式では、よ(知られているが、磁性膜面の垂直方
向に磁化容易軸をもった磁気記録媒体としては、未だ得
られていなかったし、従来、不可能と考えられていた。
本発明者等は鋭意研究の結果、連続薄膜型垂直磁化膜を
酸化鉄を主成分とした膜で得られることを見い出し本発
明に到達した。
酸化鉄を主成分とした膜で得られることを見い出し本発
明に到達した。
本発明の目的は、磁性膜の垂直方向に磁化容易軸を持ち
残留磁化並びに保磁力の優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体の提供にあり、前記目的は\基体上に=磁性膜を
有する磁気記録媒体において、該磁性膜が酸化鉄を主成
分とした連続薄膜であり、前記磁性膜の面内方向の残留
磁化Mhと垂直方向の残留磁化MYの比Mv / Mh
が0.5以上であることを特徴とする磁気記録媒体によ
って達成される。、以下、本発明にかかる磁気記録媒体
における連続磁性薄膜を単に磁性膜と称す。
残留磁化並びに保磁力の優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体の提供にあり、前記目的は\基体上に=磁性膜を
有する磁気記録媒体において、該磁性膜が酸化鉄を主成
分とした連続薄膜であり、前記磁性膜の面内方向の残留
磁化Mhと垂直方向の残留磁化MYの比Mv / Mh
が0.5以上であることを特徴とする磁気記録媒体によ
って達成される。、以下、本発明にかかる磁気記録媒体
における連続磁性薄膜を単に磁性膜と称す。
本発明にかかる磁気記録媒体は、酸化鉄を主成分〔鉄と
酸素の総和が磁性膜の関重量%以上、好ましくは、70
重量%以上である。)とし、(酸素と鉄)の原子の組成
比(酸素の原子数/鉄の原子の中間状態の酸化鉄等をあ
げることができる。
酸素の総和が磁性膜の関重量%以上、好ましくは、70
重量%以上である。)とし、(酸素と鉄)の原子の組成
比(酸素の原子数/鉄の原子の中間状態の酸化鉄等をあ
げることができる。
基体上に形成された磁性膜は、鉄と酸素以外の金属、非
金属などを含んでいてもよい。
金属などを含んでいてもよい。
前記金属、非金属さらには金属の酸化物等の化合物、半
金属およびその化合物、非金属の化合物等は、磁性膜の
磁気特性(例えば保磁力、飽和磁化量、残留磁化量)お
よび磁性膜を構成しているユニットの例えば結晶性の向
上や、また、結晶の特足軸方向の配向性の向上等を改善
するのが可能また本発明にかかる磁気記録媒体の磁気特
性は試料振動型磁力計C束英工業製)で測定し、磁性膜
の面内方向の残留磁化(これをMhと称す)と磁性膜の
垂直方向の形状による反磁界の効果を補正しない残留磁
化(これをMvと称す)の比(Mマ/Mh )が0.5
以上であれば、磁気モーメントは、膜面内より関度程度
膜面の垂直方向に立ち上っており・垂直磁化記録として
の効果がある。好ましくは、Mv / Mh ) 1で
ある。0.5より小さければ、垂直磁化記録としての感
度が実用に耐えない。
金属およびその化合物、非金属の化合物等は、磁性膜の
磁気特性(例えば保磁力、飽和磁化量、残留磁化量)お
よび磁性膜を構成しているユニットの例えば結晶性の向
上や、また、結晶の特足軸方向の配向性の向上等を改善
するのが可能また本発明にかかる磁気記録媒体の磁気特
性は試料振動型磁力計C束英工業製)で測定し、磁性膜
の面内方向の残留磁化(これをMhと称す)と磁性膜の
垂直方向の形状による反磁界の効果を補正しない残留磁
化(これをMvと称す)の比(Mマ/Mh )が0.5
以上であれば、磁気モーメントは、膜面内より関度程度
膜面の垂直方向に立ち上っており・垂直磁化記録として
の効果がある。好ましくは、Mv / Mh ) 1で
ある。0.5より小さければ、垂直磁化記録としての感
度が実用に耐えない。
以下に本発明についそさらに詳細に説明する。
本発明においては真空ポンプ、その他の真空排気系に連
なる処理室内に磁性材料の蒸発源と1その磁性材料を被
着する基体とを用意−1該基体に前記磁性材料を真空槽
内において磁性膜を構成する原子を飛翔さ”せて連続薄
膜を形成する。
なる処理室内に磁性材料の蒸発源と1その磁性材料を被
着する基体とを用意−1該基体に前記磁性材料を真空槽
内において磁性膜を構成する原子を飛翔さ”せて連続薄
膜を形成する。
沼」
本発明に用いる基体としてはζ磁性材料が要1可能な材
料であればいずれでもよ(、例えばポリエチレンテレフ
タレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカ
ーボネート、ポリイミド。
料であればいずれでもよ(、例えばポリエチレンテレフ
タレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカ
ーボネート、ポリイミド。
ポリアミド、ポリメチルメタクリレートのような基体の
形状につ(ミては、シート、カード、ディスク、ドラム
の他、長尺テープ状基体でも良く一基体を固定設置でき
るような支持板に密着支持させて磁性材料を被着させる
か、基体を走行させつつ磁性材料を被着させることによ
り、本発明の磁気記録媒体を得ることができる。
形状につ(ミては、シート、カード、ディスク、ドラム
の他、長尺テープ状基体でも良く一基体を固定設置でき
るような支持板に密着支持させて磁性材料を被着させる
か、基体を走行させつつ磁性材料を被着させることによ
り、本発明の磁気記録媒体を得ることができる。
前記磁性材料を基体上に被着させる方法としては真空槽
内において磁性膜を構成する原子を飛翔させる方法があ
げられ、前部飛翔方法としては、真空蒸着法(電門蒸着
、イオンプレーテ・グ法を含む。)、スパッタリング法
等の方法がよく知られているが、好ましくは対向ターゲ
ットスパッタ法を用いるのが良い。以下、対向ターゲッ
トスパッタ法を用いた実施例に基づき詳細に説明する。
内において磁性膜を構成する原子を飛翔させる方法があ
げられ、前部飛翔方法としては、真空蒸着法(電門蒸着
、イオンプレーテ・グ法を含む。)、スパッタリング法
等の方法がよく知られているが、好ましくは対向ターゲ
ットスパッタ法を用いるのが良い。以下、対向ターゲッ
トスパッタ法を用いた実施例に基づき詳細に説明する。
第1図は、対向ターゲットスパッタ装置の説明図であ、
る。図において(1)は真空槽、(2〕は真空槽(1)
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、(3)は真空
槽(1)内に所定のガスを導入してガス圧力をio−″
1〜10−’torr程度に設定するガス導入系である
。ところでターゲット電極はターゲットホルダー(4)
により1対のターゲラ)T1.並びにT2を空間を隔て
て平行に対面させた対向夕2−ゲツ)W電極としである
。この対面させたターゲット間には、磁界発生手段(図
示していない。)を用いて、ターゲット間−(5)によ
り支持されている。以上のように構成されているので、
二枚の平行に向い合ったターゲット、T1とT2の表面
に垂直な方向に印加した磁界により、陰極降下部の電界
で加速されたスパッタガスイオンのターゲット表面の衝
撃により放出されたγ電子は・ターゲット空間に束縛さ
れ、反対側のターゲット表面の方へ移動する。そして他
方のターゲット表面に移動したγ電子は、他方の陰極降
下部で反射される。このようにしてγ電子は、ターゲッ
ト、T1. T、間で磁界に束縛されな力)ら往復運動
を繰返す。このようなγ電子の連動のm」に・γ電子は
中性の雰@気ガスと衝突して雰囲気ガスのイオン化と電
子を生成し、それらが・ターゲットからのγ電子の放出
と、雰囲気ガスのイオン化を促進させる。従ってターゲ
ットT1とT、の空隙には高密度プラズマが形成され、
それに伴2て・りA本 一ゲット物質のスパッターが可能となり、基−板−面に
磁性材料が堆積する。対向ターゲットスパッター法は他
の飛翔手段にくらべて、高速スパッター、−IF 高堆積速度製膜か可能であり、基妥がプラズマに直接さ
らされることがなく、又、低い基板温度で製膜ができる
等のことから、垂直磁化膜を有する磁気記録媒体を得る
のに有利である。又、特に対向ターゲットスパッター法
によって飛翔する磁性膜材料の基体への入射エネルギー
は、通常のスパッター法よりも小さいので垂直磁化記録
に適した秩序正しい膜が出来易い。
る。図において(1)は真空槽、(2〕は真空槽(1)
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、(3)は真空
槽(1)内に所定のガスを導入してガス圧力をio−″
1〜10−’torr程度に設定するガス導入系である
。ところでターゲット電極はターゲットホルダー(4)
により1対のターゲラ)T1.並びにT2を空間を隔て
て平行に対面させた対向夕2−ゲツ)W電極としである
。この対面させたターゲット間には、磁界発生手段(図
示していない。)を用いて、ターゲット間−(5)によ
り支持されている。以上のように構成されているので、
二枚の平行に向い合ったターゲット、T1とT2の表面
に垂直な方向に印加した磁界により、陰極降下部の電界
で加速されたスパッタガスイオンのターゲット表面の衝
撃により放出されたγ電子は・ターゲット空間に束縛さ
れ、反対側のターゲット表面の方へ移動する。そして他
方のターゲット表面に移動したγ電子は、他方の陰極降
下部で反射される。このようにしてγ電子は、ターゲッ
ト、T1. T、間で磁界に束縛されな力)ら往復運動
を繰返す。このようなγ電子の連動のm」に・γ電子は
中性の雰@気ガスと衝突して雰囲気ガスのイオン化と電
子を生成し、それらが・ターゲットからのγ電子の放出
と、雰囲気ガスのイオン化を促進させる。従ってターゲ
ットT1とT、の空隙には高密度プラズマが形成され、
それに伴2て・りA本 一ゲット物質のスパッターが可能となり、基−板−面に
磁性材料が堆積する。対向ターゲットスパッター法は他
の飛翔手段にくらべて、高速スパッター、−IF 高堆積速度製膜か可能であり、基妥がプラズマに直接さ
らされることがなく、又、低い基板温度で製膜ができる
等のことから、垂直磁化膜を有する磁気記録媒体を得る
のに有利である。又、特に対向ターゲットスパッター法
によって飛翔する磁性膜材料の基体への入射エネルギー
は、通常のスパッター法よりも小さいので垂直磁化記録
に適した秩序正しい膜が出来易い。
次に以上の装置を用いて磁気記録媒体の作製を用いた装
置の条件を示す。
置の条件を示す。
装置条件
1)ターゲツト材 : 鉄(Coをll1X子2)
基−#−: ガラス 3)ターゲット間隔 : 100m6)基板とター
ゲット端部の間隔: 30mmスパッターは真空槽
内を10 ’ torrに排気後、アルゴンと酸素との
混合ガスを全圧4mtorr導入して行った。スパッタ
ー投入電力は420Wであった。
基−#−: ガラス 3)ターゲット間隔 : 100m6)基板とター
ゲット端部の間隔: 30mmスパッターは真空槽
内を10 ’ torrに排気後、アルゴンと酸素との
混合ガスを全圧4mtorr導入して行った。スパッタ
ー投入電力は420Wであった。
このようにして得られた磁気記録媒体についての磁気特
性を第2図に示す。Mv / Mhは0.5以上であっ
た。(保磁力Heは垂直方向の保持力Hvが920エル
ステツド、面内方向のものHhが750エルステツドで
あった。)なお第2図において縦軸は磁化つ 量(単位ニガ亭ス)、横軸は印加磁界の強さく単位二キ
ロエルステッド)である。又、この磁気記録媒体の組成
をXm(X@マイクロアナリシス)装置 cs立a作所
製rX−556J KEVEX−7000型)で測定し
たところFeが主ピークであり、少量のC。
性を第2図に示す。Mv / Mhは0.5以上であっ
た。(保磁力Heは垂直方向の保持力Hvが920エル
ステツド、面内方向のものHhが750エルステツドで
あった。)なお第2図において縦軸は磁化つ 量(単位ニガ亭ス)、横軸は印加磁界の強さく単位二キ
ロエルステッド)である。又、この磁気記録媒体の組成
をXm(X@マイクロアナリシス)装置 cs立a作所
製rX−556J KEVEX−7000型)で測定し
たところFeが主ピークであり、少量のC。
が含まれていた。又、酸化鉄の状態を調べるためにX線
回折装置(日本電子製r、ynx−10RA」)を用い
て測定したところ第1表に示すように酸イヒ鉄を主成分
とするものであることか判った。また磁性膜は、膜面と
垂直方向に秩序正しく・構造を有していることか電子顕
微鏡で観察された。このように酸化鉄を主成分とする連
続薄膜型磁気記録媒体においてMv / Mhが0,5
以上の該媒体が得られたことは驚くべきことである。
回折装置(日本電子製r、ynx−10RA」)を用い
て測定したところ第1表に示すように酸イヒ鉄を主成分
とするものであることか判った。また磁性膜は、膜面と
垂直方向に秩序正しく・構造を有していることか電子顕
微鏡で観察された。このように酸化鉄を主成分とする連
続薄膜型磁気記録媒体においてMv / Mhが0,5
以上の該媒体が得られたことは驚くべきことである。
′第1図は対向ターゲット式ス、(ツタ−装置の概略を
示したものである。 図において、T1 + %はターゲット、1は真空槽、
ターゲットを示し、第2図は実施例の磁気記録媒体のヒ
ステリス曲線であり、aは磁性面の面内方向磁気特性曲
線、bは磁性面に垂直な方向の磁気特性曲線である。 代理人 桑 原 禮 美 第1区 手続補正書 昭和58年51113ヒ1 ↑1腎ト1)長゛1°−若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和58イ111、“j許願第 16760 号2
発明の名称 磁気配録媒体 、3 補11.をする名 U<(〆1との関係 1、¥γ[出願人件 所 東原
都新宿区西新宿1丁目26番2す名 称 (127)小
西六フj:真工業株式会r1代lL取締役用本信彦 J:+: 所 東京都1:l ’J’f rlさく
ら町Ii!;地6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 「発明の詳細な説明」を以下の如く訂正する。 1、第9頁第6行目の「る。この対面させ学舎た・・・
・・・」を「る。ターゲット材料は、F@5Fe304
、r Fe2O3、ベルトライド化合物(F@30
4とσ−Fe203との中間組成のもの)等からなって
いてよい。この対面させた・・・・・・」と訂正する。
示したものである。 図において、T1 + %はターゲット、1は真空槽、
ターゲットを示し、第2図は実施例の磁気記録媒体のヒ
ステリス曲線であり、aは磁性面の面内方向磁気特性曲
線、bは磁性面に垂直な方向の磁気特性曲線である。 代理人 桑 原 禮 美 第1区 手続補正書 昭和58年51113ヒ1 ↑1腎ト1)長゛1°−若杉和夫殿 1 事件の表示 昭和58イ111、“j許願第 16760 号2
発明の名称 磁気配録媒体 、3 補11.をする名 U<(〆1との関係 1、¥γ[出願人件 所 東原
都新宿区西新宿1丁目26番2す名 称 (127)小
西六フj:真工業株式会r1代lL取締役用本信彦 J:+: 所 東京都1:l ’J’f rlさく
ら町Ii!;地6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 7、補正の内容 「発明の詳細な説明」を以下の如く訂正する。 1、第9頁第6行目の「る。この対面させ学舎た・・・
・・・」を「る。ターゲット材料は、F@5Fe304
、r Fe2O3、ベルトライド化合物(F@30
4とσ−Fe203との中間組成のもの)等からなって
いてよい。この対面させた・・・・・・」と訂正する。
Claims (1)
- 基体上に磁性膜を有する磁気記録媒体において、該磁性
膜が酸化鉄を主成分とした連続薄膜であり、前記磁性膜
の面内方向の残留磁化Mhと垂直方向の残留磁化Mvの
比Mv / Mhが0.5以上であることを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016760A JPS59142736A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 連続磁性薄膜の製造方法 |
| EP84101074A EP0116881A3 (en) | 1983-02-03 | 1984-02-02 | Magnetic recording medium and process of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016760A JPS59142736A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 連続磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142736A true JPS59142736A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0315260B2 JPH0315260B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=11925183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58016760A Granted JPS59142736A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 連続磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142736A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434205A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS57158380A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP58016760A patent/JPS59142736A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434205A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS57158380A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0315260B2 (ja) | 1991-02-28 |
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