JPS5918685A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS5918685A JPS5918685A JP57128121A JP12812182A JPS5918685A JP S5918685 A JPS5918685 A JP S5918685A JP 57128121 A JP57128121 A JP 57128121A JP 12812182 A JP12812182 A JP 12812182A JP S5918685 A JPS5918685 A JP S5918685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- reactive sputtering
- single crystal
- crystal semiconductor
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
水素やフッ素等で結合の不完全性が補償された非晶質シ
リコン等の■族元素を主成分とする非単結晶半導体膜は
、製造方法の簡便さ、無公害、価電子制御が可能、可視
領域に於ける光電変換特性がすぐれている等の利点を有
し、光電変換素子としては非常に有望である。
リコン等の■族元素を主成分とする非単結晶半導体膜は
、製造方法の簡便さ、無公害、価電子制御が可能、可視
領域に於ける光電変換特性がすぐれている等の利点を有
し、光電変換素子としては非常に有望である。
水素又はフッ素等で結合の不完全性が補償された非晶質
シリコン等の■族元素を主成分とする非晶質半導体膜を
撮像デバイスとして用いるには高抵抗、高耐圧の特性が
不可欠である。この特性を満足するには、第１図Ａ、Ｈ
の様なショットキー障壁又は同ＣのようなＰＩＮ構造等
の注入阻止型構造にすることと、光電変換膜面方向の抵
抗が大であることが必要とされる。太陽電池等で広く用
いられているプラズマＣＶＤ法にょるＰＩＮ構造では、
１層の比抵抗が１ｏ９〜１ｏ１１Ω・儂と低く撮像デバ
イスとして十分とは言えない。一方２反応性スパッタ法
による■族元素を主成分とした非単結晶半導体は、プラ
ズマＣＶＤ法に比較して高抵抗化が容易であり、解像力
を必要とする撮像デバイスとして有望である。ところが
反応性スパッタ法はプラズマＣＶＤ法に比べてガス圧が
低く、放電電力が大きいので、放電によって発生した高
エネルギーの中性及びイオン粒子が基板に衝突しダメー
ジを与えるという欠点を有する。まだ、反応性スパッタ
膜の上に透明電極等をスパッタ法で形成すると電極形成
時に非単結晶半導体膜との界面に多数の準位をつくるた
め、良好なショットキー障壁を作ることが容易ではない
。
シリコン等の■族元素を主成分とする非晶質半導体膜を
撮像デバイスとして用いるには高抵抗、高耐圧の特性が
不可欠である。この特性を満足するには、第１図Ａ、Ｈ
の様なショットキー障壁又は同ＣのようなＰＩＮ構造等
の注入阻止型構造にすることと、光電変換膜面方向の抵
抗が大であることが必要とされる。太陽電池等で広く用
いられているプラズマＣＶＤ法にょるＰＩＮ構造では、
１層の比抵抗が１ｏ９〜１ｏ１１Ω・儂と低く撮像デバ
イスとして十分とは言えない。一方２反応性スパッタ法
による■族元素を主成分とした非単結晶半導体は、プラ
ズマＣＶＤ法に比較して高抵抗化が容易であり、解像力
を必要とする撮像デバイスとして有望である。ところが
反応性スパッタ法はプラズマＣＶＤ法に比べてガス圧が
低く、放電電力が大きいので、放電によって発生した高
エネルギーの中性及びイオン粒子が基板に衝突しダメー
ジを与えるという欠点を有する。まだ、反応性スパッタ
膜の上に透明電極等をスパッタ法で形成すると電極形成
時に非単結晶半導体膜との界面に多数の準位をつくるた
め、良好なショットキー障壁を作ることが容易ではない
。
したがって、本発明の目的は、これらの欠点を改善する
ことであり、反応性スパッタ法の高抵抗非単結晶半導体
膜の一方又は両側に製作時の膜を１、Ｈえるダメージの
少ないプラズマＣＶＤ法を用いて非単結晶半導体膜層を
形成することにより、阻止型構造をもつ、高解像度、低
暗電流の特長を有する良質の光電変換素子を提供するも
のである。
ことであり、反応性スパッタ法の高抵抗非単結晶半導体
膜の一方又は両側に製作時の膜を１、Ｈえるダメージの
少ないプラズマＣＶＤ法を用いて非単結晶半導体膜層を
形成することにより、阻止型構造をもつ、高解像度、低
暗電流の特長を有する良質の光電変換素子を提供するも
のである。
以下、非晶質シリコンを中心に実施例を用いて本発明の
詳細な説明する。
詳細な説明する。
〔実施例１〕
ガラス基板１上に工ｎ２０３の透明電極２の形成された
状態において、基板温度２５０℃に保ち、圧力Ｉ Ｔｏ
ｒｒでＮ２／５ｉＮ４−２０でＲＦパワー０ 、１Ｗ／
ｃｎデで１０層ｍ ａ−３ｔｘＮ１ 、： Ｈ（水
素ヲ含むアモルファスシリコン）３をプラズマＣＶＤ法
で形成する。さらにＮ２／Ａｒ＝０．１．全圧力５Ｘ１
０ Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１．５Ｗ／ｅｒａでＳｉ多
結晶基板をターゲットとして反応性スパッタ法によりＢ
Ｓ ｉ；Ｈ４を２．０μｍ形成する。これを撮像管
ターゲットとして用いるため、基板温度を室温で５ｂ２
８３層５を１０００人形成する。
状態において、基板温度２５０℃に保ち、圧力Ｉ Ｔｏ
ｒｒでＮ２／５ｉＮ４−２０でＲＦパワー０ 、１Ｗ／
ｃｎデで１０層ｍ ａ−３ｔｘＮ１ 、： Ｈ（水
素ヲ含むアモルファスシリコン）３をプラズマＣＶＤ法
で形成する。さらにＮ２／Ａｒ＝０．１．全圧力５Ｘ１
０ Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１．５Ｗ／ｅｒａでＳｉ多
結晶基板をターゲットとして反応性スパッタ法によりＢ
Ｓ ｉ；Ｈ４を２．０μｍ形成する。これを撮像管
ターゲットとして用いるため、基板温度を室温で５ｂ２
８３層５を１０００人形成する。
第３図に第２図を用いた撮像管ターゲットの光電流１０
、暗電流１１のターゲット電圧依存性を示す。参考のた
め、ａ−８ｉｘＮ１−ｘ：Ｎ３のない場合の光電流１２
、暗電流１３を示す。いずれの場合も解像度は十分であ
るが、本発明の場合の方が耐圧が優れていることがわか
る。
、暗電流１１のターゲット電圧依存性を示す。参考のた
め、ａ−８ｉｘＮ１−ｘ：Ｎ３のない場合の光電流１２
、暗電流１３を示す。いずれの場合も解像度は十分であ
るが、本発明の場合の方が耐圧が優れていることがわか
る。
〔実施例２〕
第４図は、本発明の他の実施例を示したものでホトセン
サに本発明による光電変換膜をＳｔ走走査ティイス形成
しだ光電変換膜積層型固体撮像素子の一単位の断面図を
示しだものである。走査デバイスとしてはＭＯＳあるい
はＣＯＤ等がありいずれでも本発明の趣旨を損うもので
はなく、本実施例ではＣＯＤを用いて説明する。２１は
Ｐ型Ｓｔ基板、２２はｎ＋型のダイオード、２３は電荷
転送のだめのｎ’−型のチャンネルである。２４はゲー
ト電極で信号電荷の読み出しおよび電荷転送を兼ねた機
能を有する。２６は絶縁体で、２６け絵素電極である。
サに本発明による光電変換膜をＳｔ走走査ティイス形成
しだ光電変換膜積層型固体撮像素子の一単位の断面図を
示しだものである。走査デバイスとしてはＭＯＳあるい
はＣＯＤ等がありいずれでも本発明の趣旨を損うもので
はなく、本実施例ではＣＯＤを用いて説明する。２１は
Ｐ型Ｓｔ基板、２２はｎ＋型のダイオード、２３は電荷
転送のだめのｎ’−型のチャンネルである。２４はゲー
ト電極で信号電荷の読み出しおよび電荷転送を兼ねた機
能を有する。２６は絶縁体で、２６け絵素電極である。
２−１〜２６により走査デバイスが形成される。信号読
み込み動作はゲート電ｗ１２４に１ｉ３０秒毎にクロッ
クパルスｖｃＨを印加して行ない、垂直転送は２相ある
いは４相駆動で、１５゜７５ＫＨｚ毎にクロックパルス
■φをゲート％ｉ極２４に印加することにより転送する
ことが出来る。
み込み動作はゲート電ｗ１２４に１ｉ３０秒毎にクロッ
クパルスｖｃＨを印加して行ない、垂直転送は２相ある
いは４相駆動で、１５゜７５ＫＨｚ毎にクロックパルス
■φをゲート％ｉ極２４に印加することにより転送する
ことが出来る。
次に、本発明の構成である光電変換膜について述べる。
２７はプラズマＣＶＤ法により形成された水素化非晶質
シリコンを含むｎ型半導体である。
シリコンを含むｎ型半導体である。
具体的には電極２６からの電流を阻止するため、Ｈ８１
２γとしてはＳｉ１−ｘ−ｙ ｘ ｙｌ １−ｘ
−ｙＮｘＨｙ、５ｉ１−ｘ−ｙＯｘＨｙ（但しＯ＜ ｘ
、 ｙ（１）等の禁止帯幅の大きい利料にｎ型不純物
ＰＨ３等をドープしたものが解像度、暗電流の点から望
ましい〇膜厚としては、Ｓ１走査デバイスの被覆性が充
分であれはよく、２０〜３０００八が適している。
−ｙＮｘＨｙ、５ｉ１−ｘ−ｙＯｘＨｙ（但しＯ＜ ｘ
、 ｙ（１）等の禁止帯幅の大きい利料にｎ型不純物
ＰＨ３等をドープしたものが解像度、暗電流の点から望
ましい〇膜厚としては、Ｓ１走査デバイスの被覆性が充
分であれはよく、２０〜３０００八が適している。
このようなｎ型半導体の形成法としてプラズマＣＶＤ法
がその制御性のよさからすぐれている。
がその制御性のよさからすぐれている。
２８はＮ２ ／Ａ ｒ ＝Ｏ−１〜Ｏ−４、ＲＦパワー
１ 、５ Ｗ ／ｃｒｌでＳｉ多結晶基板をターゲット
として反応性スパッタ法により形成した水素化非晶質シ
リコンを主体とした半導体膜である。反応性スパッタ法
による水素化非晶質シリコンはプラズマＣＶＤ法による
膜に較べて高抵抗で（比抵抗１ｏ１３Ω−α以上）かつ
適当な電子易動度（ｏ、ｏｃｓ〜〜０・１ ｔｒｉ、
／Ｖ−ｓｅａ）を有するだめ解像度劣下が生じない。２
８の膜は耐圧及び製造上から０．５〜１０１１ｍが適し
ている。 ２９はプラズマＣＶＤ法により形成された水
素化非晶質シリコン含むＰ型半導体である。２８が電極
３０に対して、ブロッキング特性を有する場合には２９
は必ずしも必要ではない。このＰ型半導体２９はｎ型半
導体２７と同様、炭素、窒素、酸素等を含有して禁止帯
が増大していてもよい。Ｐ型不純物としてはＢ２Ｈ５等
を混入する方法がある。このようなＰ型半導体の形成法
と１７でプラズマＣＶＤ法がその制御性のよさからすぐ
れている。３０は透明電極で３１は入射光である。
１ 、５ Ｗ ／ｃｒｌでＳｉ多結晶基板をターゲット
として反応性スパッタ法により形成した水素化非晶質シ
リコンを主体とした半導体膜である。反応性スパッタ法
による水素化非晶質シリコンはプラズマＣＶＤ法による
膜に較べて高抵抗で（比抵抗１ｏ１３Ω−α以上）かつ
適当な電子易動度（ｏ、ｏｃｓ〜〜０・１ ｔｒｉ、
／Ｖ−ｓｅａ）を有するだめ解像度劣下が生じない。２
８の膜は耐圧及び製造上から０．５〜１０１１ｍが適し
ている。 ２９はプラズマＣＶＤ法により形成された水
素化非晶質シリコン含むＰ型半導体である。２８が電極
３０に対して、ブロッキング特性を有する場合には２９
は必ずしも必要ではない。このＰ型半導体２９はｎ型半
導体２７と同様、炭素、窒素、酸素等を含有して禁止帯
が増大していてもよい。Ｐ型不純物としてはＢ２Ｈ５等
を混入する方法がある。このようなＰ型半導体の形成法
と１７でプラズマＣＶＤ法がその制御性のよさからすぐ
れている。３０は透明電極で３１は入射光である。
第４図は水素化シリコンを用いた光導電素子において、
その製造法において制御性のすぐれたプラズマＣＶＤ法
と、高抵抗膜が得られやすい反応性スパッタ法とを組合
わせることを特徴とするものであり、高感度で高解像度
は固体撮像素子を得ることができる。第６図は固体撮像
素子の解像度特性を示したものである。縦軸は解像特性
をあられす変調度、横軸はＴＶ本である。第５図の従来
例は、水素化非晶質シリコンをプラズマＣＶＤ法で形成
した場合である。一般にプラズマＣＶＤ法による水素化
非晶質シリコン膜は反応性スノ々ツタ法による膜よりも
膜質がよいと言われているが、本発明に用いる場合には
膜抵抗の低さ、易動度の大きさが逆作用し、解像度特性
を低下させる。また、−古本発明は水素化非晶質シリコ
ンを反応性スパッタ法で形成したもので解像度特性が良
い。
その製造法において制御性のすぐれたプラズマＣＶＤ法
と、高抵抗膜が得られやすい反応性スパッタ法とを組合
わせることを特徴とするものであり、高感度で高解像度
は固体撮像素子を得ることができる。第６図は固体撮像
素子の解像度特性を示したものである。縦軸は解像特性
をあられす変調度、横軸はＴＶ本である。第５図の従来
例は、水素化非晶質シリコンをプラズマＣＶＤ法で形成
した場合である。一般にプラズマＣＶＤ法による水素化
非晶質シリコン膜は反応性スノ々ツタ法による膜よりも
膜質がよいと言われているが、本発明に用いる場合には
膜抵抗の低さ、易動度の大きさが逆作用し、解像度特性
を低下させる。また、−古本発明は水素化非晶質シリコ
ンを反応性スパッタ法で形成したもので解像度特性が良
い。
しかし、ｎ型半導体２７．Ｐ型半導体２９を全て反応性
スパッタ法で形成した場合には、制御性が悪いため歩留
りが低下したり動作電圧が上昇する等の不都合が生じ好
ましくない。以上のように、プラズマＣＶＤ法と反応性
スノ（ツタリング法を組合わせる本発明が、その特性上
も生産性」ユもすぐれている。
スパッタ法で形成した場合には、制御性が悪いため歩留
りが低下したり動作電圧が上昇する等の不都合が生じ好
ましくない。以上のように、プラズマＣＶＤ法と反応性
スノ（ツタリング法を組合わせる本発明が、その特性上
も生産性」ユもすぐれている。
〔実施例３〕
反応性スパッタ中の高エネルギー性又はイオン粒子によ
る基板表面への衝撃は時としてＰ−Ｉ及びＩ−Ｎ界面に
ダメージを与え良好な整流特性が得もねない場合がある
。この様な整流性の悪いＰ−Ｉ−Ｎ接合素子は本来の注
入阻止機能を有しなくなる場合もあり、更に、界面に於
ける電子、正孔の再結合速度の増加をまねき、光電変換
特性が劣化することも捷れではない。これらの欠点を除
外する方法として、界面を形成する部分には、高エネル
ギーの粒子を余り含寸ないグロー放電等のプラズマＣＶ
Ｄ法で膜を形成するということが考えられる。たとえは
、第６図において、第２図と同じく電極取り出し用の電
極２が形成された基板１」二に、ンランガスを主原料と
するプラズマＣＶＤ法によりＳ １１ Ｘ ＣＸ ＋
Ｓ １１ ｘ Ｎｘ 、 Ｓ ｉｌｘ ＯＸ（０く
ｘ〈１）等のシリコンを主成分とするｎ型の非晶質半導
体膜（比抵抗＝１０９〜１０１４０−儂）３を５０人〜
３０００人の厚みに形成し、次にシリコンを主成分とす
る非晶質半導体層４ａをプラズマＣＶＤ法で１００八〜
数４八程度形成する。
る基板表面への衝撃は時としてＰ−Ｉ及びＩ−Ｎ界面に
ダメージを与え良好な整流特性が得もねない場合がある
。この様な整流性の悪いＰ−Ｉ−Ｎ接合素子は本来の注
入阻止機能を有しなくなる場合もあり、更に、界面に於
ける電子、正孔の再結合速度の増加をまねき、光電変換
特性が劣化することも捷れではない。これらの欠点を除
外する方法として、界面を形成する部分には、高エネル
ギーの粒子を余り含寸ないグロー放電等のプラズマＣＶ
Ｄ法で膜を形成するということが考えられる。たとえは
、第６図において、第２図と同じく電極取り出し用の電
極２が形成された基板１」二に、ンランガスを主原料と
するプラズマＣＶＤ法によりＳ １１ Ｘ ＣＸ ＋
Ｓ １１ ｘ Ｎｘ 、 Ｓ ｉｌｘ ＯＸ（０く
ｘ〈１）等のシリコンを主成分とするｎ型の非晶質半導
体膜（比抵抗＝１０９〜１０１４０−儂）３を５０人〜
３０００人の厚みに形成し、次にシリコンを主成分とす
る非晶質半導体層４ａをプラズマＣＶＤ法で１００八〜
数４八程度形成する。
更に、シリコンを主成分とするＩ型の非晶質半導体層４
ｂを反応性スパッタ法で数４八〜５ ／Ｊ ｍ程度形成
し、さらにプラズマ堆積法で、ＳＬ１□ｘＣｘ。
ｂを反応性スパッタ法で数４八〜５ ／Ｊ ｍ程度形成
し、さらにプラズマ堆積法で、ＳＬ１□ｘＣｘ。
Ｓ ’１１ ｘ Ｎ ｘ ＋ Ｓ ’ １ ｘ （
Ｏ＜ｘ＜ ’ ）等の比抵抗に制限のないＰ型シリコン
を主成分とする非晶質半導体膜５を形成し、最後に透明
電極６を形成して、素子を完成する。
Ｏ＜ｘ＜ ’ ）等の比抵抗に制限のないＰ型シリコン
を主成分とする非晶質半導体膜５を形成し、最後に透明
電極６を形成して、素子を完成する。
このようにして形成された素子は、光電変換素子は膜方
向に印加される高い電圧に耐えかつ低電圧で可視光領域
の量子効率が１に近い光電変特性を示す。又、信号走査
において応答時間も満足し得る値であり、かつ膜面方向
の抵抗を十分高く出来ることから、解像度も４００ＴＶ
本以上と実用に耐えうるものである。
向に印加される高い電圧に耐えかつ低電圧で可視光領域
の量子効率が１に近い光電変特性を示す。又、信号走査
において応答時間も満足し得る値であり、かつ膜面方向
の抵抗を十分高く出来ることから、解像度も４００ＴＶ
本以上と実用に耐えうるものである。
以上のように、本発明による光導電素子は、高耐圧で高
解度、高感度という、撮像デバイスに適する特性を有す
る。本発明の製造方法による光導電素子を用いると非晶
質水素化シリコンの特性を生かした特性、無公害で、焼
付けがなく、残像の少ない撮像装置ができる。まだ２段
差の多い基板。
解度、高感度という、撮像デバイスに適する特性を有す
る。本発明の製造方法による光導電素子を用いると非晶
質水素化シリコンの特性を生かした特性、無公害で、焼
付けがなく、残像の少ない撮像装置ができる。まだ２段
差の多い基板。
例えば、固体走査デバイスの膜形成−１−にもステップ
カバーレージが優れており、大面積を均一に形成するこ
とが可能であり、漱産性に優ノまた格別の効果を奏する
ものである。
カバーレージが優れており、大面積を均一に形成するこ
とが可能であり、漱産性に優ノまた格別の効果を奏する
ものである。
第１図Ａ、Ｂ、Ｃけ高耐圧光導電素子のバンド図、第２
図は本発明の一実施例の撮像管ターゲットの断面図、第
３図は撮像管ターゲットの光電流。 暗電流の電圧依存性を示す図、第４図は本発明の他の実
施例の固体撮像装置の１絵素の断面図、第５図は第４図
と従来の変調度特性図、第６図は本発明のさらに他の実
施例の撮像管ターゲットの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、３，２７・・・・・・プラ
ズマＣＶＤ法による水素を含むアモルファスシリコン、
４゜２８・・・・・・反応性スパッタ法による水素を含
むアモルファスシリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名花
１ 図 八 え え Ｐ れ ｉｐ 第２図 第３図 ターケ゛ット・忙及（ｖ） 第４図 第５図 ｔｒ’ｃｔ木ン
図は本発明の一実施例の撮像管ターゲットの断面図、第
３図は撮像管ターゲットの光電流。 暗電流の電圧依存性を示す図、第４図は本発明の他の実
施例の固体撮像装置の１絵素の断面図、第５図は第４図
と従来の変調度特性図、第６図は本発明のさらに他の実
施例の撮像管ターゲットの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、３，２７・・・・・・プラ
ズマＣＶＤ法による水素を含むアモルファスシリコン、
４゜２８・・・・・・反応性スパッタ法による水素を含
むアモルファスシリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名花
１ 図 八 え え Ｐ れ ｉｐ 第２図 第３図 ターケ゛ット・忙及（ｖ） 第４図 第５図 ｔｒ’ｃｔ木ン
Claims (4)
- （１）基板上に、プラズマ堆積法と反応性スパッタ法を
用いて光電変換層となる非単結晶半導体膜を形成するこ
とを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - （２）■族元素からなるガスを主原料ガスとするプラズ
マ堆積法と■族元素を主成分とするターゲットを用い水
素を含むガス中で放電させる反応性スパッタ法にて、光
電変換層となる非単結晶半導体膜層を形成することを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光電変換素子の
製造方法。 - （３）基板が半導体基板よりなり、信号電荷の転送。 読み出し手段が形成されてなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の光電変換素子の製造方法。 - （４）光電変換層が第１．第２．第３の順に形成された
非単結晶半導体層よりなり、前記第１又は第３の非単結
晶半導体層の少くとも一部をプラズマ堆積法で形成し、
前記第２の非単結晶半導体層の少くとも一部を反応性ス
パッタ法で形成することからなる固体撮像板等に用いら
れる光電変換素子の製造方法に関する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128121A JPS5918685A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128121A JPS5918685A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918685A true JPS5918685A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14976900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128121A Pending JPS5918685A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918685A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189274A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-26 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体素子の製造方法 |
| WO1996028587A1 (de) * | 1995-03-14 | 1996-09-19 | Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt Empa | Plasmakammer |
| US5594572A (en) * | 1994-03-18 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element with gap uniformity |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685876A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5774945A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive film for image pick-up tube |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128121A patent/JPS5918685A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685876A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| JPS5774945A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive film for image pick-up tube |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189274A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-26 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 半導体素子の製造方法 |
| US5594572A (en) * | 1994-03-18 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element with gap uniformity |
| WO1996028587A1 (de) * | 1995-03-14 | 1996-09-19 | Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt Empa | Plasmakammer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4419604A (en) | Light sensitive screen | |
| JPS5918685A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH07101598B2 (ja) | 撮像管 | |
| US5600152A (en) | Photoelectric conversion device and its manufacturing method | |
| JPH07192663A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS59143379A (ja) | 光導電体およびその製造方法 | |
| JP3302204B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5954146A (ja) | 撮像装置 | |
| JP2831752B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH08116045A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR840002185B1 (ko) | 광전변환소자 | |
| JP2899052B2 (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JP3020563B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04261070A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2904370B2 (ja) | フォトダイオード | |
| JPH0766380A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH07335936A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH05145110A (ja) | 光電変換装置及びその駆動方法 | |
| JP2692144B2 (ja) | ラインセンサ | |
| JPS6243163A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01192178A (ja) | 受光素子 | |
| JPS5917774A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60142577A (ja) | 光電変換膜の製造方法 | |
| JPS61142767A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH088075B2 (ja) | 光電変換装置 |