JPS59145525A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
- Publication number
- JPS59145525A JPS59145525A JP58020056A JP2005683A JPS59145525A JP S59145525 A JPS59145525 A JP S59145525A JP 58020056 A JP58020056 A JP 58020056A JP 2005683 A JP2005683 A JP 2005683A JP S59145525 A JPS59145525 A JP S59145525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- development
- sample
- chamber
- laminar flow
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導側・製造の写真食刻工程等に用いるレジス
ト現像方法に関する。
ト現像方法に関する。
従来例のＩ’ｆｌ′ｆ成とその問題点
う１〈心体装置ｉｌｌ゛製造におけるマスク製作、半導
体プロセスの写真食刻工程においては、シリコン、カラ
ス枯板及Ｏ−是板上の各抑制ね膜等を選択エノチンクす
る場合、基板上にマスクとなるレジスト層を形成するこ
とが行われている。
体プロセスの写真食刻工程においては、シリコン、カラ
ス枯板及Ｏ−是板上の各抑制ね膜等を選択エノチンクす
る場合、基板上にマスクとなるレジスト層を形成するこ
とが行われている。
このレジメ１一層は、塗布、露光、現像等の工程を経て
パターンに形成される。中でも、近年半導体製造工程に
おいてポジ型し−ジヌトの使用が普及するにつれて、現
（象工程の良否はレシヌ１〜パターンの死命を制する程
になっている。
パターンに形成される。中でも、近年半導体製造工程に
おいてポジ型し−ジヌトの使用が普及するにつれて、現
（象工程の良否はレシヌ１〜パターンの死命を制する程
になっている。
従来、現像を行う方法としては、レジス１−露光後のシ
リコン基板、マスクプレート等（以後単一試料と称す）
を現像液が満たされた桑液槽に浸漬する方法（以後ティ
ップ法を称す）、試桐をスピンナー上にのせて回転させ
ながら１．現像液をノスルから霧状に＋１２−１出させ
て行う方法（以グツ、プレー法と称す）とかある。
リコン基板、マスクプレート等（以後単一試料と称す）
を現像液が満たされた桑液槽に浸漬する方法（以後ティ
ップ法を称す）、試桐をスピンナー上にのせて回転させ
ながら１．現像液をノスルから霧状に＋１２−１出させ
て行う方法（以グツ、プレー法と称す）とかある。
一般に、ティップ法では一度に多部のＨＡ Ｊニー１ヲ
現像できる、現像ｉ夜の描１度を一定に保持できる等の
利点があるか、現像後の其米Ｉ表面に汚れがつき易い、
現像の終点を？Ｉｒ！Ｉ御しにくい皆・の欠点かある。
現像できる、現像ｉ夜の描１度を一定に保持できる等の
利点があるか、現像後の其米Ｉ表面に汚れがつき易い、
現像の終点を？Ｉｒ！Ｉ御しにくい皆・の欠点かある。
スプレー法では、試料に汚れがつき（にくいという利点
があるか、一度に多回の試料を処理できない現像の終点
を制御しにくい等の欠点かある。更に電子ビームレジヌ
ト等において現像に長時間を要する場合、現像液を霧状
に噴出させるので、現像部１１度が急激に低下し、現１
象が進行しなくなる、現像後のベーキング時間が長いた
め長大なべ）Ｖ ｌ一式オープンを必・要とする等の問
題点がある。
があるか、一度に多回の試料を処理できない現像の終点
を制御しにくい等の欠点かある。更に電子ビームレジヌ
ト等において現像に長時間を要する場合、現像液を霧状
に噴出させるので、現像部１１度が急激に低下し、現１
象が進行しなくなる、現像後のベーキング時間が長いた
め長大なべ）Ｖ ｌ一式オープンを必・要とする等の問
題点がある。
発明の目的
本発明はこれらの欠点を除去し、良好なレジストパター
ンを得ることがで、きるレジメｌ−現像方法を提供せん
とするものである。
ンを得ることがで、きるレジメｌ−現像方法を提供せん
とするものである。
発明のｆｆ／７成
本発明はレジスト層表面に沿ってＮ♂い層流となって流
下する現像液およびリンス液等の液体中でレジスト層ヲ
現像、パターン形成するレシスｌ−現嫁方法である。本
発明によれば、連続処理が可能であり、比較的簡単な装
置により、レシス［−現像を迅速に行々うことが可能で
ある。
下する現像液およびリンス液等の液体中でレジスト層ヲ
現像、パターン形成するレシスｌ−現嫁方法である。本
発明によれば、連続処理が可能であり、比較的簡単な装
置により、レシス［−現像を迅速に行々うことが可能で
ある。
実施例の説明
本発明によるレジヌト現像方法では、連続的。
又は所定間隔で断続的に試料を現像部に送り込む。
この現象部で、単数又は複数の孔をもつノズルより霧状
又はシャワー状に噴出した現像液を直接試料のレジスト
面に接触させることかしに試料面以外の場所で薄い層流
に変えた現像液中にさらす。
又はシャワー状に噴出した現像液を直接試料のレジスト
面に接触させることかしに試料面以外の場所で薄い層流
に変えた現像液中にさらす。
リンスも同じく層流に変えたリンス液中にさらす。
リンス後ヒ乾燥用の気流中にさらして乾燥する。
更に試料前面又は裏面より所定温度で加熱するという一
連の工程より々る。このような現象方法に試断ｌを常時
清浄な層流の中で現像するので、ティップ法において発
生するような試料の汚れが出ない、現像液温を一定に保
持できるので、現像条件の再現性がよい。現像液の層流
を透して現像の終点の検出ができる、スプレー法のよう
な一枚ずつヌピンナーから取りはずす作業が不要なので
、連続処理が可能であり、装置の機１；、ｌ、；も［６
ｊ素になる等の利点をもつ。
連の工程より々る。このような現象方法に試断ｌを常時
清浄な層流の中で現像するので、ティップ法において発
生するような試料の汚れが出ない、現像液温を一定に保
持できるので、現像条件の再現性がよい。現像液の層流
を透して現像の終点の検出ができる、スプレー法のよう
な一枚ずつヌピンナーから取りはずす作業が不要なので
、連続処理が可能であり、装置の機１；、ｌ、；も［６
ｊ素になる等の利点をもつ。
次に、本発明によるレジスト現像方法を実施する為の装
置について図面を参照しながら詳細に髄１明する。
置について図面を参照しながら詳細に髄１明する。
第１図（２Ｌ）は本発明によるレシヌト現像方法を実施
する為の装置の正面図であり、第１図（ｂ’）はそのＡ
−Ａ／断面を示したものである。
する為の装置の正面図であり、第１図（ｂ’）はそのＡ
−Ａ／断面を示したものである。
第１１図において、１は試料ロープインク室、２ｉｌ−
ＩＸ現像室、３はリンス室、４は乾燥室、５はベーキン
ク？：イ、６は試ねＩアンローデオング室である。
ＩＸ現像室、３はリンス室、４は乾燥室、５はベーキン
ク？：イ、６は試ねＩアンローデオング室である。
各室は隔ｔ、Ｈ，Ｙニア −１〜７−４でわけられてお
り、そして各隔壁７−１〜７−４には試着１が移動する
ために必要な最低限の大きさの窓様の明り込み８−１〜
８−５が設けられている。現像室２、リンス室３には各
々ノズルａ−１，ａ”−２が設けられており、乾燥室４
にはガス吹き出し用ノズ）Ｖ９−３が設けられている。
り、そして各隔壁７−１〜７−４には試着１が移動する
ために必要な最低限の大きさの窓様の明り込み８−１〜
８−５が設けられている。現像室２、リンス室３には各
々ノズルａ−１，ａ”−２が設けられており、乾燥室４
にはガス吹き出し用ノズ）Ｖ９−３が設けられている。
１ｏは試料搬送用のベルトである。勺しト１０には試料
保持枠部１１が設けられており、試料の形状、大きさ、
Ｒさにあゎぜて前記枠部１１の形状は凹状又は凸状に形
成される。
保持枠部１１が設けられており、試料の形状、大きさ、
Ｒさにあゎぜて前記枠部１１の形状は凹状又は凸状に形
成される。
全体として試才゛１はローディング室１がら乾燥室４へ
向って試λ３１搬送用ベル１−１０の移動と共に、連続
的又は断続的に移動していく。又１２は試米」であり、
１３は現像液の層流であり、試料、保持部１１又は試１
１１２の表面を流下する。１４はノズ／Ｌ’９−１から
出た現像液が層流１３に変換するための層流発生部であ
る。１５は現像の終点を検出するだめのセンサーである
。１６はｔ弐粘１１２に塗布されたレシヌ１一層である
。１７は現像液、リンス液回収用の槌部であら濾過機（
図示せず）へつながっている。
向って試λ３１搬送用ベル１−１０の移動と共に、連続
的又は断続的に移動していく。又１２は試米」であり、
１３は現像液の層流であり、試料、保持部１１又は試１
１１２の表面を流下する。１４はノズ／Ｌ’９−１から
出た現像液が層流１３に変換するための層流発生部であ
る。１５は現像の終点を検出するだめのセンサーである
。１６はｔ弐粘１１２に塗布されたレシヌ１一層である
。１７は現像液、リンス液回収用の槌部であら濾過機（
図示せず）へつながっている。
第１図（Ｃ）は第１図（ｂ）における試料、保持枠部１
１の構造を説明するものであり、１８は駆動用のチェー
ン、１９は駆動用の歯車、２０はモータである。試料保
持枠部１１が設けられたヘル１−１０は駆動用チェーン
１８と密着している。駆動用歯車１９を介してモータ２
０の回転がべ／ｌ／ ｌ−１０に伝えられると、試才」
保持枠部１１は連続的又は所定の間隔で断続的に移動し
、その移！ｖＪ速度は現像の終点を検出するセンサー１
５からの移動停止信号によって決定される。
１の構造を説明するものであり、１８は駆動用のチェー
ン、１９は駆動用の歯車、２０はモータである。試料保
持枠部１１が設けられたヘル１−１０は駆動用チェーン
１８と密着している。駆動用歯車１９を介してモータ２
０の回転がべ／ｌ／ ｌ−１０に伝えられると、試才」
保持枠部１１は連続的又は所定の間隔で断続的に移動し
、その移！ｖＪ速度は現像の終点を検出するセンサー１
５からの移動停止信号によって決定される。
次に本装置の動作を説明する。ローディング室１より現
像室２へ搬入された試料１２は、搬入されるにしたがっ
て、層流１３′Ｌよっておおわれ、レジスト層１６は所
要パターンが形成される。レジストパターンの状態に終
点検出するセンサ−１５によって検査され、ベルト移動
速度の変化による現像時間の変更でもって制御される。
像室２へ搬入された試料１２は、搬入されるにしたがっ
て、層流１３′Ｌよっておおわれ、レジスト層１６は所
要パターンが形成される。レジストパターンの状態に終
点検出するセンサ−１５によって検査され、ベルト移動
速度の変化による現像時間の変更でもって制御される。
隔壁７−２を超過した１滅料１２はリンス室３へ入り、
リンスがなされる。リンス終了後の試料は乾燥室４にて
ノズル７−３から出たカスにさらされる。
リンスがなされる。リンス終了後の試料は乾燥室４にて
ノズル７−３から出たカスにさらされる。
四にベーキング室５をとおり、アシロープインク室６に
てカセｙ＋−に収納される。
てカセｙ＋−に収納される。
以」二のようなｊｉ、ｊｉ成をとると現像液溜、が一定
にできるので、現象条件の再現性がよくなる。
にできるので、現象条件の再現性がよくなる。
第２図（ａ）ｆは電子ビームレジストを用いた場合にお
ける適−１１」４光■１）−と現１象湿度の関係を示し
た図であり現像の一１限温度を下せわるとレジスＩ一層
１６が現像除去されている試料面に粒状の残存物が発生
する。そして高すきると膜ベリが、舅る。第２図（ｂ）
はスプレー法で現像をおこ々った場合Ａの試料の７品度
分布と、本発明による現像をおこなった場合Ｂの試料の
７品度分布をＩＵ１１定した例であり、スプレー法によ
る現像で（は温１１分布の幅が広いが本発明による方法
では狭いことがわかる。尚、スプレー法による現像の場
合、レジヌｌ−１ｉ１６がリンク状に現象されたり、粒
状の残存物が発生したりする。第１表はディップ法とス
プレー法と本発明による方法ｒよる現像前間をそれ、そ
れ比較した一例であり、本発明による方法でｄニスプレ
ー法にくらべて、現像ｆＶＪ’ ｌ’ｉＪが短縮される
ことがわかる。そして一定の枚数を処理するのに必要な
時間が短いこともわかる。更にディップ法に比べて欠陥
の数が少いこともわかる。
ける適−１１」４光■１）−と現１象湿度の関係を示し
た図であり現像の一１限温度を下せわるとレジスＩ一層
１６が現像除去されている試料面に粒状の残存物が発生
する。そして高すきると膜ベリが、舅る。第２図（ｂ）
はスプレー法で現像をおこ々った場合Ａの試料の７品度
分布と、本発明による現像をおこなった場合Ｂの試料の
７品度分布をＩＵ１１定した例であり、スプレー法によ
る現像で（は温１１分布の幅が広いが本発明による方法
では狭いことがわかる。尚、スプレー法による現像の場
合、レジヌｌ−１ｉ１６がリンク状に現象されたり、粒
状の残存物が発生したりする。第１表はディップ法とス
プレー法と本発明による方法ｒよる現像前間をそれ、そ
れ比較した一例であり、本発明による方法でｄニスプレ
ー法にくらべて、現像ｆＶＪ’ ｌ’ｉＪが短縮される
ことがわかる。そして一定の枚数を処理するのに必要な
時間が短いこともわかる。更にディップ法に比べて欠陥
の数が少いこともわかる。
第１表 現１象法の比１ｔｘ
尚、以上のように本発明における実施例ては、現砥液、
リンヌ（夜はそれぞれノズルから噴出させるようになっ
ているが、層流発生部に密接して）１女が湧出する（苗
造にしてもよい。乾燥はスピンナーによって行ってもよ
い。ベーキングは抵抗加熱式ホ７＋−プレー１一式の他
、赤外線ヒーターを用いてもよい。現像用ノズルはスプ
レー現像と併用又は切りかえができるように試料表面に
沿って移動しうるＩｆ／ｆ造になっていてよいことはい
う寸でもない。
リンヌ（夜はそれぞれノズルから噴出させるようになっ
ているが、層流発生部に密接して）１女が湧出する（苗
造にしてもよい。乾燥はスピンナーによって行ってもよ
い。ベーキングは抵抗加熱式ホ７＋−プレー１一式の他
、赤外線ヒーターを用いてもよい。現像用ノズルはスプ
レー現像と併用又は切りかえができるように試料表面に
沿って移動しうるＩｆ／ｆ造になっていてよいことはい
う寸でもない。
発明の効果
以」二説明したごとく、本発明によれば、現像条件の（
１」現性がよい、試料の処理］１１が増加する。試料の
汚れが減少する。現像の終点検出、現象の自動化が容易
である等多大の利点がある。
１」現性がよい、試料の処理］１１が増加する。試料の
汚れが減少する。現像の終点検出、現象の自動化が容易
である等多大の利点がある。
第１図Ｗ） 、 （ｔ）） 、 （Ｃ）は本発明実施例
現像装ドなの正面図、断面図、要部機（イー（説明図、
第２図（２Ｌ）、（ｂ）は本発明の効果を示す特性図で
ある。
現像装ドなの正面図、断面図、要部機（イー（説明図、
第２図（２Ｌ）、（ｂ）は本発明の効果を示す特性図で
ある。
１・・ 試料ローティング室、２・・・・・現像室、３
・・・・リンス室、４・・・・・乾燥室、５・・・ベー
キング室、６・・・・・・試料アンロープインク室、７
−１〜７−４・・・隔９，９−１〜９−３・・・・・ノ
ズル、１１・・・・・試料保持枠部、１２・・・・試料
、１３・・・・層流、１４・・・・・・層流発生部。
・・・・リンス室、４・・・・・乾燥室、５・・・ベー
キング室、６・・・・・・試料アンロープインク室、７
−１〜７−４・・・隔９，９−１〜９−３・・・・・ノ
ズル、１１・・・・・試料保持枠部、１２・・・・試料
、１３・・・・層流、１４・・・・・・層流発生部。
第１図
おける適−１１」４光ｆｊｉ−と現１象湿度の関係を示
した図であり現像の一１沢流度を下まわるとレジヌｌ−
ｉ７１６が現像除去されている試料面に粒状の残存物が
発生する。そして高すきると膜ベリが、舅る。第２図（
ｂ）はスプレー法で現像をおこ々った場合Ａの試料の７
品度分布と、本発明による現像をおこなった場合Ｂの試
料の７品度分布をＩＵ１１定した例であり、スプレー法
による現像で（は温１１分布の幅が広いが本発明による
方法では狭いことがわかる。尚、スプレー法による現像
の場合、レジヌｌ−１ｉ１６がリンク状に現象されたり
、粒状の残存物が発生したりす尚、以上のように本発明
における実施例では、現１象液、リンヌイ夜ばそれぞれ
ノズルから噴出させるようになっているが、層流発生部
に密接して）１女が湧出する（苗造にしてもよい。乾燥
はスピンナーによって行ってもよい。ベーキングは抵抗
加熱式ホ、Ｉ−プレー１一式の他、赤外線ヒーターを用
いてもよい。現像用ノズルはスプレー現像と併用又は切
りかえができるように試料表面に沿って移動しうるＩｆ
／ｆ造になっていてよいととはいう寸でもない。
した図であり現像の一１沢流度を下まわるとレジヌｌ−
ｉ７１６が現像除去されている試料面に粒状の残存物が
発生する。そして高すきると膜ベリが、舅る。第２図（
ｂ）はスプレー法で現像をおこ々った場合Ａの試料の７
品度分布と、本発明による現像をおこなった場合Ｂの試
料の７品度分布をＩＵ１１定した例であり、スプレー法
による現像で（は温１１分布の幅が広いが本発明による
方法では狭いことがわかる。尚、スプレー法による現像
の場合、レジヌｌ−１ｉ１６がリンク状に現象されたり
、粒状の残存物が発生したりす尚、以上のように本発明
における実施例では、現１象液、リンヌイ夜ばそれぞれ
ノズルから噴出させるようになっているが、層流発生部
に密接して）１女が湧出する（苗造にしてもよい。乾燥
はスピンナーによって行ってもよい。ベーキングは抵抗
加熱式ホ、Ｉ−プレー１一式の他、赤外線ヒーターを用
いてもよい。現像用ノズルはスプレー現像と併用又は切
りかえができるように試料表面に沿って移動しうるＩｆ
／ｆ造になっていてよいととはいう寸でもない。
発明の効果
以」二説明したごとく、本発明によれば、現像条件の（
Ｉ」現性がよい、試料の処理Ｊ１１が増加する。試料の
汚れが減少する。現像の終点検出、現象の自動化が容易
である等多大の利点がある。
Ｉ」現性がよい、試料の処理Ｊ１１が増加する。試料の
汚れが減少する。現像の終点検出、現象の自動化が容易
である等多大の利点がある。
第１図（ａｌ） 、 （ｔ）） 、 （ｃ）は本発明実
施例現像装ドなの正面図、断面図、要部機（イー（説明
図、第２図＜Ｌ）、 （ｂ）は本発明の効果を示す特性
図である。 １・・ 試料ローティング室、２・・・・・現像室、３
・・・・リンス室、４・・・・・乾燥室、５・・・ベー
キング室、６・パ・・・試料アンロープインク室、７−
１〜７−４・・・隔９，９−１〜９−３・・・・・ノズ
ル、１１・・・・・試料保持枠部、１２・・・・試料、
１３・・・・層流、１４・・・・・・層流発生部。
施例現像装ドなの正面図、断面図、要部機（イー（説明
図、第２図＜Ｌ）、 （ｂ）は本発明の効果を示す特性
図である。 １・・ 試料ローティング室、２・・・・・現像室、３
・・・・リンス室、４・・・・・乾燥室、５・・・ベー
キング室、６・パ・・・試料アンロープインク室、７−
１〜７−４・・・隔９，９−１〜９−３・・・・・ノズ
ル、１１・・・・・試料保持枠部、１２・・・・試料、
１３・・・・層流、１４・・・・・・層流発生部。
Claims (2)
- （１）試料表面に沿って流下する現像処理用液体の層流
中でンジヌトパターンを前記試料表面に形成せしめるこ
とを特徴とするレジスト現像方法。 - （２）流下する現像処理用液体の層流の幅がその層流の
埋みより人とする特許請求の範囲第１項に記載のレジス
ト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020056A JPS59145525A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020056A JPS59145525A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | レジスト現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145525A true JPS59145525A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0144011B2 JPH0144011B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=12016413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020056A Granted JPS59145525A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195118A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
| CN104714376B (zh) * | 2015-04-02 | 2018-09-18 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显影设备及显影方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104849968B (zh) * | 2015-05-28 | 2019-12-31 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种显影机及显影方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513173A (en) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Hakumakupataanseizosochi |
| JPS5575223A (en) * | 1978-12-04 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing semiconductor device |
| JPS565312U (ja) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | ||
| JPS5727168A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-13 | Hitachi Ltd | Equipment for wet treatment |
| JPS57117237A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
| JPS57192955A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | Developing method |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP58020056A patent/JPS59145525A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513173A (en) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Hakumakupataanseizosochi |
| JPS5575223A (en) * | 1978-12-04 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing semiconductor device |
| JPS565312U (ja) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | ||
| JPS5727168A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-13 | Hitachi Ltd | Equipment for wet treatment |
| JPS57117237A (en) * | 1981-01-13 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
| JPS57192955A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | Developing method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195118A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
| CN104714376B (zh) * | 2015-04-02 | 2018-09-18 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显影设备及显影方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0144011B2 (ja) | 1989-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100217291B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
| US5372651A (en) | Method for cleaning a substrate | |
| US6579382B2 (en) | Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof | |
| TWI253098B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and developing apparatus | |
| KR940022696A (ko) | 기판세정방법 및 그 장치 | |
| JP3923676B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP4564186B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0144011B2 (ja) | ||
| JPS6238034B2 (ja) | ||
| US6806005B2 (en) | Method and apparatus for forming resist pattern | |
| JPH08264418A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01283930A (ja) | ウエハチヤツク | |
| JPH09314019A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 | |
| JPH097939A (ja) | 基板の処理方法と装置 | |
| JP2004014869A (ja) | 現像装置 | |
| US6896997B2 (en) | Method for forming resist pattern | |
| JPH04196425A (ja) | 薬液処理装置 | |
| JPS59132127A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法及び装置 | |
| JPS61251134A (ja) | 自動現像装置 | |
| Krishna et al. | Integrated yield and CD enhancement for advanced DUV lithography | |
| KR0186199B1 (ko) | 웨이퍼의 규소박막 세정장치 | |
| JPH039512A (ja) | レジストの現像方法 | |
| JPH01181519A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS60210843A (ja) | 薬液滴下用ノズル | |
| JP2000077489A (ja) | ウェーハ上の異物検査方法および装置 |