JPS6238034B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6238034B2 JPS6238034B2 JP55102506A JP10250680A JPS6238034B2 JP S6238034 B2 JPS6238034 B2 JP S6238034B2 JP 55102506 A JP55102506 A JP 55102506A JP 10250680 A JP10250680 A JP 10250680A JP S6238034 B2 JPS6238034 B2 JP S6238034B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chemical solution
- porous material
- nozzle
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Nozzles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ウエツト処理装置、更に詳しくはホ
トエツチング技術のうち、特に基板表面に薬液を
供給する工程に用いるウエツト処理装置に関する
ものである。
トエツチング技術のうち、特に基板表面に薬液を
供給する工程に用いるウエツト処理装置に関する
ものである。
従来、基板表面のウエツト処理の方法として、
第１図に示すように基板１を入れたカセツト２を
薬液３が満たされた処理槽４に浸すデイツプ方式
と、第２図および第３図に示すように基板１を真
空チヤツク５に吸着保持し回転させながら、第２
図のようにノズル６により霧状になつた薬液３を
吹き付けるスプレー方式と、第３図のように一端
７ａが閉じられた中空パイプのノズル７をほぼ基
板１と平行に配設し、底面に設けた多数の小穴７
ｂより薬液を滴下するシヤワー方式とが知られて
いる。
第１図に示すように基板１を入れたカセツト２を
薬液３が満たされた処理槽４に浸すデイツプ方式
と、第２図および第３図に示すように基板１を真
空チヤツク５に吸着保持し回転させながら、第２
図のようにノズル６により霧状になつた薬液３を
吹き付けるスプレー方式と、第３図のように一端
７ａが閉じられた中空パイプのノズル７をほぼ基
板１と平行に配設し、底面に設けた多数の小穴７
ｂより薬液を滴下するシヤワー方式とが知られて
いる。
しかしながら、これらの方式はいずれも一長一
短を有する。すなわち、デイツプ方式は基板表面
に機械的強度の弱い物質の膜が形成されている場
合のウエツト処理、例えばポジのホトレジスト膜
の現像の場合、レジストの表面に機械的ダメージ
を与えずに高品質に現像できる利点を持つ。その
反面、基板表面に新しい液が供給されないので、
異物が付着する。また生産の連続化、自動化が困
難であるなどの欠点を有する。これに対し、スプ
レー方式およびシヤワー方式は生産の連続化を容
易に実現でき、常に新しい薬液が基板表面に供給
できる利点を有するが、例えばポジのホトレジス
トのように機械強度の弱い膜の現像の場合、レジ
スト膜の表面を機械的に破壊してしまい、品質を
悪くする欠点を有している。更にスプレー方式の
場合、薬液のミストが基板周囲の装置の壁に付着
し、凝結して基板上にボタ落ちし、製品を不良に
する欠点も有している。
短を有する。すなわち、デイツプ方式は基板表面
に機械的強度の弱い物質の膜が形成されている場
合のウエツト処理、例えばポジのホトレジスト膜
の現像の場合、レジストの表面に機械的ダメージ
を与えずに高品質に現像できる利点を持つ。その
反面、基板表面に新しい液が供給されないので、
異物が付着する。また生産の連続化、自動化が困
難であるなどの欠点を有する。これに対し、スプ
レー方式およびシヤワー方式は生産の連続化を容
易に実現でき、常に新しい薬液が基板表面に供給
できる利点を有するが、例えばポジのホトレジス
トのように機械強度の弱い膜の現像の場合、レジ
スト膜の表面を機械的に破壊してしまい、品質を
悪くする欠点を有している。更にスプレー方式の
場合、薬液のミストが基板周囲の装置の壁に付着
し、凝結して基板上にボタ落ちし、製品を不良に
する欠点も有している。
本発明は前記スプレー方式の欠点を解消したウ
エツト処理装置を提供することを目的とする。
エツト処理装置を提供することを目的とする。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第４図は本発明になるウエツト処理装置の一実施
例を示す。同図に示すように、基板１は真空チヤ
ツク５に吸着保持されて回転させられ、また基板
１の上方に基板１と平行に一端８ａが閉じられた
中空パイプのノズル本体８が配設されている点は
従来と同じである。
第４図は本発明になるウエツト処理装置の一実施
例を示す。同図に示すように、基板１は真空チヤ
ツク５に吸着保持されて回転させられ、また基板
１の上方に基板１と平行に一端８ａが閉じられた
中空パイプのノズル本体８が配設されている点は
従来と同じである。
本発明においては、前記ノズル本体８は第５図
に示すように下面にスリツト８ｂが設けられてお
り、このスリツト８ｂを覆うように下面に多孔質
材料９が溶接などにより固定されている。ここ
で、前記ノズル本体８の材料としてはステンレス
鋼、石英ガラスあるいはテフロンなどを用い、ま
た多孔質材料９としてはステンレス鋼、パイレツ
クス、テフロンなどの焼結材を用いる。
に示すように下面にスリツト８ｂが設けられてお
り、このスリツト８ｂを覆うように下面に多孔質
材料９が溶接などにより固定されている。ここ
で、前記ノズル本体８の材料としてはステンレス
鋼、石英ガラスあるいはテフロンなどを用い、ま
た多孔質材料９としてはステンレス鋼、パイレツ
クス、テフロンなどの焼結材を用いる。
次にかかる構成よりなる装置の作用について説
明する。ノズル本体８に設けられた多孔質材料９
を基板１に近接（数mm程度離す）して配設し、真
空チヤツク５を約100r.p.mの低速で回転させな
がらノズル本体８の薬液供給口８ｃより薬液３を
ノズル本体８に供給する。これにより、薬液３は
スリツト８ｂより多孔質材料９に流入し、これよ
り基板１上に流出する。さて、基板１は低速で回
転し、かつ多孔質材料９は基板１に近接して配設
されているので、多孔質材料９より流出した薬液
３は表面張力で基板１に付着し、基板１全面にレ
ンズ状に盛り上つた薬液の液膜が形成されてウエ
ツト処理が行なわれる。この場合、基板１へ供給
され古くなつた薬液３は遠心力により基板１の外
に排出され、基板上に形成された薬液の膜は常に
新しい液で穏やかに置換される。また、基板１へ
の薬液３の供給は吐出口が多孔質よりなる多孔質
材料９により行なわれるので、ノズル全面から穏
やかににじみ出るように均一に常に新しい液に置
換されて行なわれる。このため、基板上に形成さ
れた機械強度の弱い膜も破壊されることもなく、
また従来のように凝結した薬液が基板上にボタ落
ちすることもないので、高品質のウエツト処理が
行なわれる。
明する。ノズル本体８に設けられた多孔質材料９
を基板１に近接（数mm程度離す）して配設し、真
空チヤツク５を約100r.p.mの低速で回転させな
がらノズル本体８の薬液供給口８ｃより薬液３を
ノズル本体８に供給する。これにより、薬液３は
スリツト８ｂより多孔質材料９に流入し、これよ
り基板１上に流出する。さて、基板１は低速で回
転し、かつ多孔質材料９は基板１に近接して配設
されているので、多孔質材料９より流出した薬液
３は表面張力で基板１に付着し、基板１全面にレ
ンズ状に盛り上つた薬液の液膜が形成されてウエ
ツト処理が行なわれる。この場合、基板１へ供給
され古くなつた薬液３は遠心力により基板１の外
に排出され、基板上に形成された薬液の膜は常に
新しい液で穏やかに置換される。また、基板１へ
の薬液３の供給は吐出口が多孔質よりなる多孔質
材料９により行なわれるので、ノズル全面から穏
やかににじみ出るように均一に常に新しい液に置
換されて行なわれる。このため、基板上に形成さ
れた機械強度の弱い膜も破壊されることもなく、
また従来のように凝結した薬液が基板上にボタ落
ちすることもないので、高品質のウエツト処理が
行なわれる。
なお、上記実施例においては、ホトレジストの
現像の場合について説明したが、他のウエツト処
理例えばエツチング、染色、水洗等にも同様に適
用できることは勿論である。
現像の場合について説明したが、他のウエツト処
理例えばエツチング、染色、水洗等にも同様に適
用できることは勿論である。
以上の説明から明らかな如く、本発明になるウ
エツト処理装置によれば、機械強度の弱い膜が形
成された基板表面に対し、高品質なウエツト処理
ができる。
エツト処理装置によれば、機械強度の弱い膜が形
成された基板表面に対し、高品質なウエツト処理
ができる。
第１図、第２図、第３図は従来のウエツト処理
装置を示し、第１図はデイツプ方式の断面図、第
２図はスプレー方式の斜視図、第３図はシヤワー
方式の斜視図、第４図は本発明になるウエツト処
理装置の一実施例を示し、ａは正面図、ｂはａの
Ａ−Ａ線断面拡大図、第５図は第４図のノズルを
示し、ａは一部切欠き正面図、ｂはａのＢ−Ｂ線
断面図である。 １……基板、３……薬液、５……真空チヤツ
ク、８……ノズル本体、９……多孔質材料。
装置を示し、第１図はデイツプ方式の断面図、第
２図はスプレー方式の斜視図、第３図はシヤワー
方式の斜視図、第４図は本発明になるウエツト処
理装置の一実施例を示し、ａは正面図、ｂはａの
Ａ−Ａ線断面拡大図、第５図は第４図のノズルを
示し、ａは一部切欠き正面図、ｂはａのＢ−Ｂ線
断面図である。 １……基板、３……薬液、５……真空チヤツ
ク、８……ノズル本体、９……多孔質材料。
Claims (1)
- １ 基板を保持し回転する基板保持手段と、基板
上に薬液を供給するノズルとを備えたウエツト処
理装置において、前記ノズルの吐出口は多孔質材
料よりなることを特徴とするウエツト処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250680A JPS5727168A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Equipment for wet treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10250680A JPS5727168A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Equipment for wet treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5727168A JPS5727168A (en) | 1982-02-13 |
| JPS6238034B2 true JPS6238034B2 (ja) | 1987-08-15 |
Family
ID=14329278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10250680A Granted JPS5727168A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Equipment for wet treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5727168A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192955A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | Developing method |
| US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
| JPS59112872A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転塗装装置 |
| JPS59145525A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electronics Corp | レジスト現像方法 |
| JPS59154361U (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-16 | 三菱レイヨン株式会社 | 塗布装置 |
| JPS61104825A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Akira Nakajima | プラスチツク線材の連続一体化装置 |
| JPS63260040A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Yamaguchi Nippon Denki Kk | 半導体素子の固着方法 |
| JPH01253235A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 基板処理方法および装置 |
| JP3910151B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP5760439B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-08-12 | Tdk株式会社 | スラリー供給装置及び塗布装置 |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP10250680A patent/JPS5727168A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5727168A (en) | 1982-02-13 |
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