JPS5914636A - マ−ク検出装置 - Google Patents
マ−ク検出装置Info
- Publication number
- JPS5914636A JPS5914636A JP57123910A JP12391082A JPS5914636A JP S5914636 A JPS5914636 A JP S5914636A JP 57123910 A JP57123910 A JP 57123910A JP 12391082 A JP12391082 A JP 12391082A JP S5914636 A JPS5914636 A JP S5914636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- signal
- detected
- scanning
- peak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は正確なマーク検出を可能にしたマーク検出装置
に関する。
に関する。
電子ビーム露光装置等の荷電粒子ビーム装置においては
、パターンが描画される被描画材料又は該被描画材料を
載置ツる為のステージ材料や該被描画材料の周辺部に配
置される周辺材料等に１個若しくは複数のマークを設【
ノ、該材料上を荷電粒子ビームで走査し、マークから発
生した荷電粒子ビーム信号に基づいてマークの位置を検
出し、該マーク位置に応じて予定されＩＣ描両リすき位
置を湘正し、材料上の所定の□位置にパターンの描画を
行なっている。
、パターンが描画される被描画材料又は該被描画材料を
載置ツる為のステージ材料や該被描画材料の周辺部に配
置される周辺材料等に１個若しくは複数のマークを設【
ノ、該材料上を荷電粒子ビームで走査し、マークから発
生した荷電粒子ビーム信号に基づいてマークの位置を検
出し、該マーク位置に応じて予定されＩＣ描両リすき位
置を湘正し、材料上の所定の□位置にパターンの描画を
行なっている。
さて、この様なマーク検出において次の様な問題があ゛
る。それは、マーク検出の為の荷電粒子ビーム走査領域
内にごみがあると、該ごみをマークと誤って検出してし
まうことである。従来、この様な誤検出を防ぐた□め、
次の様な方法が取られていた。第１図（’ａ）に示づ様
にビームでマークＭ上を走査づる際、成る位置Ｐからピ
ーク信号（マーク又はゴミのエラｊ部がら発生ずる信号
）が発生り−る□迄の距離△、Ｂ（第１図（ｂ）参照）
を求め、更にＢ−Ａを演味し、この値が許容値内にある
か否かにＪ、す、マ□−ク検出をしＩＣかゴミを検出し
たかを判断していた。即ち、通常マークの幅は１０戸程
゛疫に作成されているので許容値を１０＋Ｊとし、一方
通常ゴミの幅は大略１０−より大きいことに着目し、検
出されたＢ−Ａを許容値と比較し、許容値より大き′【
ノれはゴミ、小さ【ノればマーりを夫々検出したと判断
する。しかし、ここに大きな問題が生じた。それは、偶
然マーク検出の為の荷電粒子ビーム走査領域内に１０
ｐｍのゴミがあると、該ゴミを検出したにも拘わらず、
マーク検出したかの如く判断されてしまう。しかも、通
常Ｂ−Ａの値を算出づる迄に、１回の走査ではビームの
変動による誤差が大きい為、２０〜３０回の走査を行な
つ°ＵＢ−Ａの平均値を求めている。従って、前記正し
い検出か誤検出かを判断づる迄に相当の時間（例、８０
〜１２０ＩＩｌｓｅｃ）がかがってしまった。以上のこ
とから、描画精度の向上及び描画全体に要する時間の短
縮化に支障をきたしていた。
る。それは、マーク検出の為の荷電粒子ビーム走査領域
内にごみがあると、該ごみをマークと誤って検出してし
まうことである。従来、この様な誤検出を防ぐた□め、
次の様な方法が取られていた。第１図（’ａ）に示づ様
にビームでマークＭ上を走査づる際、成る位置Ｐからピ
ーク信号（マーク又はゴミのエラｊ部がら発生ずる信号
）が発生り−る□迄の距離△、Ｂ（第１図（ｂ）参照）
を求め、更にＢ−Ａを演味し、この値が許容値内にある
か否かにＪ、す、マ□−ク検出をしＩＣかゴミを検出し
たかを判断していた。即ち、通常マークの幅は１０戸程
゛疫に作成されているので許容値を１０＋Ｊとし、一方
通常ゴミの幅は大略１０−より大きいことに着目し、検
出されたＢ−Ａを許容値と比較し、許容値より大き′【
ノれはゴミ、小さ【ノればマーりを夫々検出したと判断
する。しかし、ここに大きな問題が生じた。それは、偶
然マーク検出の為の荷電粒子ビーム走査領域内に１０
ｐｍのゴミがあると、該ゴミを検出したにも拘わらず、
マーク検出したかの如く判断されてしまう。しかも、通
常Ｂ−Ａの値を算出づる迄に、１回の走査ではビームの
変動による誤差が大きい為、２０〜３０回の走査を行な
つ°ＵＢ−Ａの平均値を求めている。従って、前記正し
い検出か誤検出かを判断づる迄に相当の時間（例、８０
〜１２０ＩＩｌｓｅｃ）がかがってしまった。以上のこ
とから、描画精度の向上及び描画全体に要する時間の短
縮化に支障をきたしていた。
本発明はこの様な点に鑑みてなされたもので、通常凹凸
状マークの高さは１ ）Ｉｌ＋程度であり、ゴミの高さ
く径）は大略１０ｐｌより大きく、即ち、材料面に対づ
−るマークの高さ方向の変化に対して、ゴミの高さ方向
の変化が著しく大きいこと、ビーム走査で該ゴミから検
出される反射電子の量が著しく多いこと及び該反射電子
による信号量が高さ方向の変化に大略対応していること
に着目し、ビームでマーク上を走査する際、検出される
信号の振幅値を測定し、該振幅飴が基準値より大きいか
一小さいかにより該検出が正しい検出か誤った検出かを
判別するようになした新規なマーク検出装置を提供する
ものである。
状マークの高さは１ ）Ｉｌ＋程度であり、ゴミの高さ
く径）は大略１０ｐｌより大きく、即ち、材料面に対づ
−るマークの高さ方向の変化に対して、ゴミの高さ方向
の変化が著しく大きいこと、ビーム走査で該ゴミから検
出される反射電子の量が著しく多いこと及び該反射電子
による信号量が高さ方向の変化に大略対応していること
に着目し、ビームでマーク上を走査する際、検出される
信号の振幅値を測定し、該振幅飴が基準値より大きいか
一小さいかにより該検出が正しい検出か誤った検出かを
判別するようになした新規なマーク検出装置を提供する
ものである。
第２図は本発明の一実施例を示したマーク検出装置の概
略を示づものである。
略を示づものである。
図中１は電子銃で、該電子銃から射出され１＝電子ビー
ム２は偏向器３により、例えば凸状のマーク５（第３図
参照）の設置ノられた材１’３１４上を走査りる。６は
該祠料から発生ずる反射電子を検出する反射電子検出器
、７はアンプ、８は波形整形回路である。９は該波形整
形回路の出力信号のピークツーピーク値を測定りる振幅
検出回路である。
ム２は偏向器３により、例えば凸状のマーク５（第３図
参照）の設置ノられた材１’３１４上を走査りる。６は
該祠料から発生ずる反射電子を検出する反射電子検出器
、７はアンプ、８は波形整形回路である。９は該波形整
形回路の出力信号のピークツーピーク値を測定りる振幅
検出回路である。
１０はあらかじめマークから得られる信号のピークツー
ピーク値より僅かに大きい値を基準賄としてセラ１〜し
ておき、前記振幅検出回路９の出力１５号値をこの基準
値と比較し、該基準値より小さい場合、マーク検出が行
なわれたことを示１信号（例” １ ” ）を制御装＠
１１へ送り、大きい場合、ゴミ検出が行なわれたことを
示゛ス信号（例″’Ｏ”）を制御装置１１へ送る判別回
路である。１２は前記制御装置１１の指令により、走査
中のビームの成る位置（例、走査開始位置）からクロッ
クパルス発生器１３からのクロックパルスを計数し始め
、ピークが発生ずる迄計数するカウンタである。実際に
は該カウンタは２つのカウンタからなり、１つはクロッ
クパルスの計数開始から初めてのピークが発生する迄の
クロックパルス数を計数するもので、もう１つはクロッ
クパルス数開始から２つめのピークが発生Ｊる迄のクロ
ックパルス数を計数するもので、各々計数したものを前
記制御装置１１へ送る。該制御装置は前記判別回路１０
からｕ Ｉ ＩＩ信号が入って来た時、前記カウンタ１
２からの計数値からマーク中心位置を演算すると共に、
該カウンタをリセットさせ、１％ ＯＩＩ信号が入つＣ
来た時、前記カウンタ１２からの計数値を無視すると共
に該カウンタをリセットさせ更に、前記偏向器３にアン
プ１４を介して走査信号を送っている走査信号発生器１
５に、走査Ｉ７１］始点を例えばＹ方向に少しずらし、
そこから例えばＸ方向にビームを走査させるような指令
を送る。
ピーク値より僅かに大きい値を基準賄としてセラ１〜し
ておき、前記振幅検出回路９の出力１５号値をこの基準
値と比較し、該基準値より小さい場合、マーク検出が行
なわれたことを示１信号（例” １ ” ）を制御装＠
１１へ送り、大きい場合、ゴミ検出が行なわれたことを
示゛ス信号（例″’Ｏ”）を制御装置１１へ送る判別回
路である。１２は前記制御装置１１の指令により、走査
中のビームの成る位置（例、走査開始位置）からクロッ
クパルス発生器１３からのクロックパルスを計数し始め
、ピークが発生ずる迄計数するカウンタである。実際に
は該カウンタは２つのカウンタからなり、１つはクロッ
クパルスの計数開始から初めてのピークが発生する迄の
クロックパルス数を計数するもので、もう１つはクロッ
クパルス数開始から２つめのピークが発生Ｊる迄のクロ
ックパルス数を計数するもので、各々計数したものを前
記制御装置１１へ送る。該制御装置は前記判別回路１０
からｕ Ｉ ＩＩ信号が入って来た時、前記カウンタ１
２からの計数値からマーク中心位置を演算すると共に、
該カウンタをリセットさせ、１％ ＯＩＩ信号が入つＣ
来た時、前記カウンタ１２からの計数値を無視すると共
に該カウンタをリセットさせ更に、前記偏向器３にアン
プ１４を介して走査信号を送っている走査信号発生器１
５に、走査Ｉ７１］始点を例えばＹ方向に少しずらし、
そこから例えばＸ方向にビームを走査させるような指令
を送る。
斯くの如き装置において、マーク検出の為に試料上をビ
ームで走査した時、第４図（ａ ）に示す如き信号が振
幅検出回路９に入った時、（第３図に示す如き４ミ１６
上をビームが走査した時）該検出回路はこの信号のピー
クツーピーク値Ｄ１を検出してこれを判別回路１０へ送
る。該判別回路はこのピークツーピーク値Ｄ１と基準値
Ｄｏ （第４図参照）を比較し、Ｄ＋＞Ｄ’ｏからビ
ームがゴミを検出したことを表わす０“信号を制御装置
１１へ送る。該制御装置はカウンタ１２からの出力を無
視し該カウンタをリセットさせると共に、ビームの走査
開始点を変えるよう走査信号発生器１５へ指令を送る。
ームで走査した時、第４図（ａ ）に示す如き信号が振
幅検出回路９に入った時、（第３図に示す如き４ミ１６
上をビームが走査した時）該検出回路はこの信号のピー
クツーピーク値Ｄ１を検出してこれを判別回路１０へ送
る。該判別回路はこのピークツーピーク値Ｄ１と基準値
Ｄｏ （第４図参照）を比較し、Ｄ＋＞Ｄ’ｏからビ
ームがゴミを検出したことを表わす０“信号を制御装置
１１へ送る。該制御装置はカウンタ１２からの出力を無
視し該カウンタをリセットさせると共に、ビームの走査
開始点を変えるよう走査信号発生器１５へ指令を送る。
又、第４図（ｂ）に示す如き信号が振幅検出回路９に入
った時（第３図に示す如きマーク５上をビームが走査し
た時）、該検出回路はこの信号のピークツーピーク値Ｄ
２を検出してこれを判別回路１０へ送る。該判別回路は
このピークツーピーク値Ｄ２と基準値Ｄｏを比較し、Ｄ
２ ＜Ｄｏからビームがマークを検出したことを表わｔ
ＩＩ １ ／ｌ信号を制御装置１１へ送る。該制御装
置はカウンタ１２からの出力、即ち、走査開始点からピ
ークＰ１が検出される迄のクロックパルス数Ｅ１と、走
査開始点］〕２が検出される迄のクロックパルス数Ｅ２
の差の絶対値ｌＥ＋ Ｅ２１の１／２を演算してマー
ク位置を測定りる。
った時（第３図に示す如きマーク５上をビームが走査し
た時）、該検出回路はこの信号のピークツーピーク値Ｄ
２を検出してこれを判別回路１０へ送る。該判別回路は
このピークツーピーク値Ｄ２と基準値Ｄｏを比較し、Ｄ
２ ＜Ｄｏからビームがマークを検出したことを表わｔ
ＩＩ １ ／ｌ信号を制御装置１１へ送る。該制御装
置はカウンタ１２からの出力、即ち、走査開始点からピ
ークＰ１が検出される迄のクロックパルス数Ｅ１と、走
査開始点］〕２が検出される迄のクロックパルス数Ｅ２
の差の絶対値ｌＥ＋ Ｅ２１の１／２を演算してマー
ク位置を測定りる。
尚、判別回路１０からゴミ検出信号が出力さ、れた時、
表示装置にゴミを検出したことを表示させるようにして
もよい。更に、該表示に従って手動にて走査信号発生器
やカウンタを操作してもよい。
表示装置にゴミを検出したことを表示させるようにして
もよい。更に、該表示に従って手動にて走査信号発生器
やカウンタを操作してもよい。
又、ゴミを検出してもカウンタを止めないでそのままマ
ークも検出し、判別回路からの判別信号によりマークを
検出した時のカウンタ値を求めて、マーク位置を検出す
るようにし゛（もよい。
ークも検出し、判別回路からの判別信号によりマークを
検出した時のカウンタ値を求めて、マーク位置を検出す
るようにし゛（もよい。
本発明によれば、マーク検出において、正しくマークが
検出されたのか、誤ってゴミが検出されたのかが精確に
判別され、しかも、マークとゴミとではその検出信号の
振幅値に著しい差がある為、この判別の為に何度もマー
ク走査を行なうことはないので、マーク検出に要する時
間が大幅に短縮化される。以上のことから、描画精度の
向上及び描画全体に要す、る時間の短縮化がなされた。
検出されたのか、誤ってゴミが検出されたのかが精確に
判別され、しかも、マークとゴミとではその検出信号の
振幅値に著しい差がある為、この判別の為に何度もマー
ク走査を行なうことはないので、マーク検出に要する時
間が大幅に短縮化される。以上のことから、描画精度の
向上及び描画全体に要す、る時間の短縮化がなされた。
第１図は従来のマーク検出を示したもの、第２図は本発
明の一実施例を示したマーク検出装置、第３図及び第４
図は該装置の動作の説明を補足りる為のものである。 ２：電子ビーム、３：偏向器、４：試料、５：マーク、
６：反射電子検出器、９：振幅検出回路、１０：判別回
路、１１：制御装置、１５：走査信号発生器。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
明の一実施例を示したマーク検出装置、第３図及び第４
図は該装置の動作の説明を補足りる為のものである。 ２：電子ビーム、３：偏向器、４：試料、５：マーク、
６：反射電子検出器、９：振幅検出回路、１０：判別回
路、１１：制御装置、１５：走査信号発生器。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
Claims (1)
- 荷電粒子ビームをマークが設置Ｊられた材料上で走査さ
せる手段、該材料上から発生した荷電粒子ビームを検出
する手段、該検出したビーム信号の振幅値を測定し、該
測定値を予めセットした基準振幅値と比較し、該基準振
幅値より大きい場合、と小さい場合とを判別した信号を
発生する判別回路からなるマーク検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123910A JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123910A JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914636A true JPS5914636A (ja) | 1984-01-25 |
| JPS634933B2 JPS634933B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=14872365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123910A Granted JPS5914636A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-16 | マ−ク検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116007558A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 深圳市磐锋精密技术有限公司 | 电子产品的内部灰尘检测处理方法、装置和计算机设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5127917A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Supiika |
| JPS5615040A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mark detector |
| JPS5690204A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Pattern check device |
| JPS56149687A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Printed end detector |
-
1982
- 1982-07-16 JP JP57123910A patent/JPS5914636A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5127917A (en) * | 1974-09-02 | 1976-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Supiika |
| JPS5615040A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mark detector |
| JPS5690204A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Pattern check device |
| JPS56149687A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Printed end detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116007558A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 深圳市磐锋精密技术有限公司 | 电子产品的内部灰尘检测处理方法、装置和计算机设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634933B2 (ja) | 1988-02-01 |
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