JPS59148242A - 受像管装置 - Google Patents
受像管装置Info
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- JPS59148242A JPS59148242A JP58023447A JP2344783A JPS59148242A JP S59148242 A JPS59148242 A JP S59148242A JP 58023447 A JP58023447 A JP 58023447A JP 2344783 A JP2344783 A JP 2344783A JP S59148242 A JPS59148242 A JP S59148242A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
- H01J29/503—Three or more guns, the axes of which lay in a common plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、クロスオーバ虚像の径大化を防ぎ、高輝度と
なる大ビーム電流時においても径小のビームスポットが
得られるように構成した高解像度の受像管装置に関する
。
なる大ビーム電流時においても径小のビームスポットが
得られるように構成した高解像度の受像管装置に関する
。
従来例の構成とその問題点
カラー受像管には通常、パイポテンシャル形電子銃が用
いられている。バイポテンシャン形電子銃は、高電圧特
性およびフォーカス特性においてすぐれているが、良好
なフォーカス特性が得られるのは主として小ビーム電流
時であって、高輝度となる大ビーム電流時にはビームス
ポット（輝点）径が大きくなり、ブルーミングを生じて
解像度が著しく低下する。
いられている。バイポテンシャン形電子銃は、高電圧特
性およびフォーカス特性においてすぐれているが、良好
なフォーカス特性が得られるのは主として小ビーム電流
時であって、高輝度となる大ビーム電流時にはビームス
ポット（輝点）径が大きくなり、ブルーミングを生じて
解像度が著しく低下する。
これを第１図により説明すると、陰極１から放射された
熱電子は、陰極１、第１グリツドとしての０１電極２お
よび第２グリツドとしての０２電極３によって生成され
るカノードレ／ズ４により中心軸へ向かい、クロスオー
バ６をつくって発散する。そして、Ｇ２電極３と第３グ
リツドとしての０３電極６とによって生成されるプリフ
ォーカスレンズ７によりビーム状となされ、Ｇ３電極６
およびＧ４電極８によって生成されるメインレンズ９に
射入する。メインレンズ９はクロスオ−バ６の虚像１０
を螢光体スクリーン１１上に結像させ、これによって輝
点としてのビームスポット１２が生成される。
熱電子は、陰極１、第１グリツドとしての０１電極２お
よび第２グリツドとしての０２電極３によって生成され
るカノードレ／ズ４により中心軸へ向かい、クロスオー
バ６をつくって発散する。そして、Ｇ２電極３と第３グ
リツドとしての０３電極６とによって生成されるプリフ
ォーカスレンズ７によりビーム状となされ、Ｇ３電極６
およびＧ４電極８によって生成されるメインレンズ９に
射入する。メインレンズ９はクロスオ−バ６の虚像１０
を螢光体スクリーン１１上に結像させ、これによって輝
点としてのビームスポット１２が生成される。
ところで、メインレンズ９での電子ビーノ、径のが小さ
ずぎたり大きすぎたりするとビームスポット１２が径大
化するので、ビーム発散角ａ′をプリフォーカスレンズ
７により制御し、電子ビーム径０を最適値に設定するこ
とが重要となる。
ずぎたり大きすぎたりするとビームスポット１２が径大
化するので、ビーム発散角ａ′をプリフォーカスレンズ
７により制御し、電子ビーム径０を最適値に設定するこ
とが重要となる。
径小のビームスポット１２を得るためには、クロスオー
バ虚像１Ｑが径小でカければならないが、これはビーム
電流が増すほど困難に庁る。とくに、バイボテンシャル
形電子銃におけるＧ３電極電位は高だか１０Ｋｖ程度で
あるから、ビー１、電流の増大によってクロスオーバ虚
像１ｏが犬きぐなり、ビームスポット１２が径大化する
。
バ虚像１Ｑが径小でカければならないが、これはビーム
電流が増すほど困難に庁る。とくに、バイボテンシャル
形電子銃におけるＧ３電極電位は高だか１０Ｋｖ程度で
あるから、ビー１、電流の増大によってクロスオーバ虚
像１ｏが犬きぐなり、ビームスポット１２が径大化する
。
７’ ＩＪ ７オーカスレンズ７とクロスオーバ虚ｆ＆
１０との関係は第２図に示すとおりであり、同図には陰
極１の中央領域からの電子軌道の外郭が曲線１３＆、１
３ｂで、陰極１の周辺領域からの電子軌道の外郭が曲線
１４ａ、１４ｂでそれぞれ示されている０プリフオーカ
スレ／ズ７は、Ｇ２電極３の出口付近に生成される集束
レンズ部分７ａと、Ｇ３電極６の入日付近に生成される
発散レンズ部分７ｂとからカる。
１０との関係は第２図に示すとおりであり、同図には陰
極１の中央領域からの電子軌道の外郭が曲線１３＆、１
３ｂで、陰極１の周辺領域からの電子軌道の外郭が曲線
１４ａ、１４ｂでそれぞれ示されている０プリフオーカ
スレ／ズ７は、Ｇ２電極３の出口付近に生成される集束
レンズ部分７ａと、Ｇ３電極６の入日付近に生成される
発散レンズ部分７ｂとからカる。
陰極１の中央領域から放射された熱電子は、カソードレ
ンズ４の影響をあ１り受けず、陰極１から遠い位置でク
ロスオーバ６ａをつくる。このクロスオーバ６ａは、集
束レンズ部分Ｙａ内に入り込むので、集束レンズ部分７
ａによる集束作用はあｔり受けず、発散レンズ部分７ｂ
で弱い発散作用を受けるがため、プリフォーカスレンズ
７の影響をほとんど受けないことになる。
ンズ４の影響をあ１り受けず、陰極１から遠い位置でク
ロスオーバ６ａをつくる。このクロスオーバ６ａは、集
束レンズ部分Ｙａ内に入り込むので、集束レンズ部分７
ａによる集束作用はあｔり受けず、発散レンズ部分７ｂ
で弱い発散作用を受けるがため、プリフォーカスレンズ
７の影響をほとんど受けないことになる。
一方、陰極１の周辺領域から放射された熱電子は、カソ
ードレンズ４の球面収差の影響を大きく受け、陰極１に
近い位置でクロスオーバ６ｂをつくる。そして、比較的
大きい発散角ａでもって集束レンズ部分７ａに射入し、
発散レンズ部分７ｂで若干発散して、発散角ビでもって
０３電極６内に入り、メインレンズに射入する。
ードレンズ４の球面収差の影響を大きく受け、陰極１に
近い位置でクロスオーバ６ｂをつくる。そして、比較的
大きい発散角ａでもって集束レンズ部分７ａに射入し、
発散レンズ部分７ｂで若干発散して、発散角ビでもって
０３電極６内に入り、メインレンズに射入する。
クロスオーバ虚像１０の径は、電子軌道曲線１３ａ、１
３ｔ）の直線部分延長線１３＆’、 １３ｂ’と、電子
軌道曲線１４１Ｌ、１４ｂの直線部分延長線１４ａ’、
１４ｂ’との交点位置における径で決捷り、カソードレ
ンズ４およびプリフォーカスレンズ７の球面収差が大き
いほど犬となる１、一般に、軸対称電界による電子レン
ズのレンズ作用強さは なる量で決まる。ただし、ここでＶは軸」−電位。
３ｔ）の直線部分延長線１３＆’、 １３ｂ’と、電子
軌道曲線１４１Ｌ、１４ｂの直線部分延長線１４ａ’、
１４ｂ’との交点位置における径で決捷り、カソードレ
ンズ４およびプリフォーカスレンズ７の球面収差が大き
いほど犬となる１、一般に、軸対称電界による電子レン
ズのレンズ作用強さは なる量で決まる。ただし、ここでＶは軸」−電位。
ｖ″ハソノ二次微分ｖ″−（ｄ２ｖ）／（ｄＺ２）。
ａはレンズ入口位置、ｂはレンズ出口位置、ｖｂはレン
ズ出口位置における軸上電位を示ず○第３図は軸上電位
Ｖとその二次微分ｖ″とを、軸方向距離Ｚの関数として
示したもので、陰極近傍の小さな山１６がカソードレン
ズ領域に対応し、これに続く２つの山１６．１７がプリ
フォーカスレンズ領域に対応し、Ｇ２電極の出口付近位
置Ｚ１にｑｔｒ の極大値（正）を生じ、Ｇ３電極の入
日付近位置ｚ２ にｖ′ の極小値（負）を生じる。そ
して、レンズ作用の強さは前述のように’ｌ″／、／’
ｉの積分値で決まり、Ｖが低いほどレンズ作用が強くな
り、全体としては集束形のレンズとなる。
ズ出口位置における軸上電位を示ず○第３図は軸上電位
Ｖとその二次微分ｖ″とを、軸方向距離Ｚの関数として
示したもので、陰極近傍の小さな山１６がカソードレン
ズ領域に対応し、これに続く２つの山１６．１７がプリ
フォーカスレンズ領域に対応し、Ｇ２電極の出口付近位
置Ｚ１にｑｔｒ の極大値（正）を生じ、Ｇ３電極の入
日付近位置ｚ２ にｖ′ の極小値（負）を生じる。そ
して、レンズ作用の強さは前述のように’ｌ″／、／’
ｉの積分値で決まり、Ｖが低いほどレンズ作用が強くな
り、全体としては集束形のレンズとなる。
電子し／ズはその口径が大きく、かつ、レンズ生成用電
界が緩やかに変化しているものほど球面収差が少ない。
界が緩やかに変化しているものほど球面収差が少ない。
そこで従来は、Ｇ２電極およびＧ３電極の各電子ビーム
通過孔を可及的に径大と外し、かつ、両電極間隔をでき
るだけ広げて滑らかな電位分布となしていた。すなわち
、極大値Ｚ１ と極小値Ｚ２ との間隔を１，６０
１倍以上（０１はＧ１電極の電子ビーム通過孔径）とな
し、Ｇ３電極の電子ビーム通過孔径を０２電極の電子ビ
ーム通過孔径の２倍以上となし、軸上電界の最大値（Ｖ
’ｍａｘ）を６×１０’ Ｖ ７ｃｍ以下に抑えるのが
通例であった。
通過孔を可及的に径大と外し、かつ、両電極間隔をでき
るだけ広げて滑らかな電位分布となしていた。すなわち
、極大値Ｚ１ と極小値Ｚ２ との間隔を１，６０
１倍以上（０１はＧ１電極の電子ビーム通過孔径）とな
し、Ｇ３電極の電子ビーム通過孔径を０２電極の電子ビ
ーム通過孔径の２倍以上となし、軸上電界の最大値（Ｖ
’ｍａｘ）を６×１０’ Ｖ ７ｃｍ以下に抑えるのが
通例であった。
発明の目的
本発明は、Ｇ２電極と０３電極との間隔を十分に狭めな
がら、大ビーム電流時においても径小のビームスポット
、したがって高い解像度の得られる受像管装置を提供す
るものである。
がら、大ビーム電流時においても径小のビームスポット
、したがって高い解像度の得られる受像管装置を提供す
るものである。
発明の構成
本発明の受像管装置によると、プリフォーカスレンズを
従来とは逆に、できるたけ強いレンズ電界で生成し、ク
ロスオーバ虚像を可及的に径小化せしめる。ず々わち、
軸上電位の一次微分（軸」−電界）が５ Ｘ １０５Ｖ
／ ｔｗ＋で、軸上電位二次微分の極大値お」：び極
小値の位置Ｚ＋ 、 Ｚ２を１、ｏＤ＋≦２１≦２．０
０１ ０．６Ｄ１≦２２−Ｚ＋≦１．２ Ｄ＋となすのであり
、これを以下図面に示した実施例とともに詳しく説明す
る。
従来とは逆に、できるたけ強いレンズ電界で生成し、ク
ロスオーバ虚像を可及的に径小化せしめる。ず々わち、
軸上電位の一次微分（軸」−電界）が５ Ｘ １０５Ｖ
／ ｔｗ＋で、軸上電位二次微分の極大値お」：び極
小値の位置Ｚ＋ 、 Ｚ２を１、ｏＤ＋≦２１≦２．０
０１ ０．６Ｄ１≦２２−Ｚ＋≦１．２ Ｄ＋となすのであり
、これを以下図面に示した実施例とともに詳しく説明す
る。
実施例の説明
第４図において、Ｇ２電極１８おＪ：びＧ３電極１９は
従来に比して径小の電子ビーム通過孔１８ａ。
従来に比して径小の電子ビーム通過孔１８ａ。
１９ａをそれぞれ有し、Ｇ２電極１８とＧ３電極１９と
の相互間隔も従来構成に比［７てかカリ小さい。また、
軸上電位Ｖとその二次微分Ｖ“は第６図に示すよう斤も
のとなる。カソードレンズ領域の１１．、＋ ２０は従
来どほどんど変らがいが、ブリフォーカスレンズ領域に
おいては、Ｖ″ の極大値および極小値の位置Ｚ＋、
Ｚ２が相互に近接し、しかも極大お」こび極小の絶対値
が非常に大きく、正部分２１の面積および負部分２２の
面積がかなり大きくなっている。
の相互間隔も従来構成に比［７てかカリ小さい。また、
軸上電位Ｖとその二次微分Ｖ“は第６図に示すよう斤も
のとなる。カソードレンズ領域の１１．、＋ ２０は従
来どほどんど変らがいが、ブリフォーカスレンズ領域に
おいては、Ｖ″ の極大値および極小値の位置Ｚ＋、
Ｚ２が相互に近接し、しかも極大お」こび極小の絶対値
が非常に大きく、正部分２１の面積および負部分２２の
面積がかなり大きくなっている。
このよう外軸上電位分布にすると、第４図のブリフォー
カスレンズ２３の集束レンズ部分２３ ａおよび発散レ
ンズ部分２３ｂの各レンズ作用がともに強くなり、以下
にのべるよう々収差抑制効果が新たに現われ、クロスオ
ーバ虚像２４が著しく径小化される。
カスレンズ２３の集束レンズ部分２３ ａおよび発散レ
ンズ部分２３ｂの各レンズ作用がともに強くなり、以下
にのべるよう々収差抑制効果が新たに現われ、クロスオ
ーバ虚像２４が著しく径小化される。
陰極１の中央領域から放射された熱電子は、曲線２６ａ
、２６ｂで示す電子軌道に沿って進行し、クロスオーバ
２６＆をつくるのに対し、陰極１の周辺領域から放射さ
れた熱電子は、曲線２７ａ。
、２６ｂで示す電子軌道に沿って進行し、クロスオーバ
２６＆をつくるのに対し、陰極１の周辺領域から放射さ
れた熱電子は、曲線２７ａ。
２７ｂで示す電子軌道に沿って進行１−、クロスオーバ
２６ｂをつくる。そして、クロスオーバ２６ｂから発散
角ａで発散した熱電子は、集束レンズ部分２３２Ｌに射
入し、ここで非常に強い集束作用を受け、曲線部分Ｃで
中心軸側へ急激に曲げられる。
２６ｂをつくる。そして、クロスオーバ２６ｂから発散
角ａで発散した熱電子は、集束レンズ部分２３２Ｌに射
入し、ここで非常に強い集束作用を受け、曲線部分Ｃで
中心軸側へ急激に曲げられる。
そして、その直後に位置する発散レンズ部分２３ｂに射
入することにより、曲線部分ｄで進行の向きを急激に戻
し、最終的にはａ“ なるビーム発散角で０３電極２８
内に入り、メインレンズに射入する○ このように、プリフォーカスレンズ２３を構成する集束
レンズ部分２３＆と発散レンズ部分２３ｂとを相互に近
接させ、かつ、両レンズ部分２３ａ。
入することにより、曲線部分ｄで進行の向きを急激に戻
し、最終的にはａ“ なるビーム発散角で０３電極２８
内に入り、メインレンズに射入する○ このように、プリフォーカスレンズ２３を構成する集束
レンズ部分２３＆と発散レンズ部分２３ｂとを相互に近
接させ、かつ、両レンズ部分２３ａ。
２３ｂに強いレンズ作用を営まぜると、プリフォーカス
レンズ２３の入［］におけるビーム発散角がａなる大ビ
ーム電流時においても、径小にしてかつビーム発散角ａ
′ が従来値どおりの電子ビームを、プリフォーカスレ
ンズ２３からとり出すことができる。
レンズ２３の入［］におけるビーム発散角がａなる大ビ
ーム電流時においても、径小にしてかつビーム発散角ａ
′ が従来値どおりの電子ビームを、プリフォーカスレ
ンズ２３からとり出すことができる。
一方、曲線２５＆、２５ｂで示される電子軌道を進む近
軸電子は、前述のようにプリフォーカスレンズ２３によ
るレンズ作用をほとんど受けないから、曲線２５１Ｌ、
２５ｂの直線部分延長線２鈍゛、２５ｂ’ と、曲線
２７ａ、２７ｂの直線部分延長線２７ａ’ 、２７ｂ’
との交点位置におけるクロスオーバ虚像２４は著しく径
小化されることに々る。そして、これは前述のようにカ
ソードレンズおよびプリフォーカスレンズの球面収差の
悪影響を抑制するのに役立つ。
軸電子は、前述のようにプリフォーカスレンズ２３によ
るレンズ作用をほとんど受けないから、曲線２５１Ｌ、
２５ｂの直線部分延長線２鈍゛、２５ｂ’ と、曲線
２７ａ、２７ｂの直線部分延長線２７ａ’ 、２７ｂ’
との交点位置におけるクロスオーバ虚像２４は著しく径
小化されることに々る。そして、これは前述のようにカ
ソードレンズおよびプリフォーカスレンズの球面収差の
悪影響を抑制するのに役立つ。
しかし、大ビーム電流時の収差抑制効果が過大であると
、小ビーム電流時におけるビームスポット径が犬きぐな
るという弊害が現われる。これは、小ビーム電流時にお
ける陰極の実効的外電子放射面積が狭小となり、クロス
オーバが陰極のごく近くに生じてブリフォーカスレンズ
作用が効きやすく々す、ビーム発散角が過小となって、
プリフォーカスレンズとメインレンズとを総合したレン
ズ倍率が過大となることに原因している。
、小ビーム電流時におけるビームスポット径が犬きぐな
るという弊害が現われる。これは、小ビーム電流時にお
ける陰極の実効的外電子放射面積が狭小となり、クロス
オーバが陰極のごく近くに生じてブリフォーカスレンズ
作用が効きやすく々す、ビーム発散角が過小となって、
プリフォーカスレンズとメインレンズとを総合したレン
ズ倍率が過大となることに原因している。
本発明においては、これらの諸点を勘案して、５Ｘ１０
’Ｉ／１Ｍ≦Ｖ’ｍａｘ≦５Ｘ１０ Ｖ７ｃｍ１
．０ＤＩ≦２１≦２．ＯＤ＋ ０．５ＤＩ≦２２−Ｚ＋ ≦１．２０＋となす。
’Ｉ／１Ｍ≦Ｖ’ｍａｘ≦５Ｘ１０ Ｖ７ｃｍ１
．０ＤＩ≦２１≦２．ＯＤ＋ ０．５ＤＩ≦２２−Ｚ＋ ≦１．２０＋となす。
ただし、０１はＧ１電極の電子ビーム通過孔径、Ｚ＋
、Ｚ２は陰極の電子放射面から軸上電位二次微分の極大
値、極小値にいたる軸上距離を示す。
、Ｚ２は陰極の電子放射面から軸上電位二次微分の極大
値、極小値にいたる軸上距離を示す。
つぎに、本発明の実施例の具体的斂値を示すと、バイボ
テ／シャ用形電子銃において、 Ｇ１電極の電子ビーム′３Ｉｎ過孔径・・・・・・１ｍ
ｍΩＧ２’ｒ’？を極の ・・・・・
・０．７〜１．３咽Ｏ０３電極の ・
・・・・・０７〜１．３Ｊ陰極と０１電極との間隔・・
・・・・・・・・・・・・０．１〜０．２關Ｇ１電極と
０２電極との間隔・・・・・・・・０．３〜０．６ｒｒ
ａｎＧ２電極とＧ３電極との〃 ・・・・・・・・・α
６〜１．２陥Ｇ１電極の厚み・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ｃ）、 １−０．２
ｔｉｎＧ２電ｆｆｌの〃 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・０．６〜１，２咽Ｇ３’
Ｆｌの〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・０．３〜１ ＋Ｏｍｍ陰極の電位・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・２０〜２００ ＶＧ１電極の電位・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｏＶＧ２電極
の 〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・３００〜８００ｖＧ３電極の〃 ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・６〜
ａＫＶＧ４電極の〃 ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・２０〜３０ＫＶであり、４ｍ
Ａ程度の大ビーム電流時において、従来の３６〜４６チ
に相当する径小のビームスポットを得ることができる。
テ／シャ用形電子銃において、 Ｇ１電極の電子ビーム′３Ｉｎ過孔径・・・・・・１ｍ
ｍΩＧ２’ｒ’？を極の ・・・・・
・０．７〜１．３咽Ｏ０３電極の ・
・・・・・０７〜１．３Ｊ陰極と０１電極との間隔・・
・・・・・・・・・・・・０．１〜０．２關Ｇ１電極と
０２電極との間隔・・・・・・・・０．３〜０．６ｒｒ
ａｎＧ２電極とＧ３電極との〃 ・・・・・・・・・α
６〜１．２陥Ｇ１電極の厚み・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ｃ）、 １−０．２
ｔｉｎＧ２電ｆｆｌの〃 ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・０．６〜１，２咽Ｇ３’
Ｆｌの〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・０．３〜１ ＋Ｏｍｍ陰極の電位・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・２０〜２００ ＶＧ１電極の電位・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｏＶＧ２電極
の 〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・３００〜８００ｖＧ３電極の〃 ・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・６〜
ａＫＶＧ４電極の〃 ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・２０〜３０ＫＶであり、４ｍ
Ａ程度の大ビーム電流時において、従来の３６〜４６チ
に相当する径小のビームスポットを得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明の受像管装置によると、小ビーム電
流時および大ビーム電流時を通じて径小のビームスボン
ドを得ることができ、良好な解像度で画像再現ができる
。
流時および大ビーム電流時を通じて径小のビームスボン
ドを得ることができ、良好な解像度で画像再現ができる
。
第１図は従来の受像管装置の電子銃とその動作態様を示
す断面図、第２図は同電子銃のブリフォーカスレンズ生
成部における動作を説明するだめの断面図、第３図は同
装置の軸上電位とその二次微分とを、軸方向距離を関数
として示した電位分布図、第４図は本発明の受像管装置
のプリフォーカスレンズ生成部における動作を説明する
だめの断面図、第６図は同装置の軸上電位とその二次微
分とを、軸方向距離を関数として示した電位分布図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第５
図 手続補正書 昭和５８年５ 月 ４ 日 １事件の表示 昭和６８年特許願第２３４４７ 号 ２発明の名称 受像管装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市太字門真１００６番地名 称
（５８４）松下電子工業株式会社代表者
三 由 清 −４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ５補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面 ２ − ６、補正の内容 （１）明細用第３貞第１８行お」＝び第２ｏ行の各「の
外郭」を削除し斗す。 （２）同書第７頁第１３行〜第１６行のｒＧ２電極１８
および・・・・・・Ｇ３電極１９との相互間隔」を「Ｇ
２電極１９およびＧ３電極２８ｄ：従来に比して径小の
電子ビーム通過孔１９ａ、２８ａをそれぞｆ１有し、Ｇ
２電極１９とＧ３電極２８との相互間隔」に補正し１ず
。 （摘 同書第１１頁を別紙のとお粋に補正し−ます。 （４）図面第４図を別紙のとおりに補正しオす。 つぎに、本発明実施の具体的数値例を示すと、パイポテ
ンシャル形電子銃において、 ０１電極の電子ビーム通過孔径を１とするとき、Ｇ２電
極の電子ビーム通過孔を・・・・・・０．７〜１．３Ｇ
３電極の 〃 ・・・・・・０．７〜１．
３陰極と０１電極との間隔を・・・・・・・・・・・・
０．１〜０．２０１電極と０２電極との間隔を・・・・
・・０．３〜０．５０２電極と０３電極との 〃 ・・
・・・・０．５〜１．２０１電極の厚みを・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．１〜０．２
ＣＴ２電極の 〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・０．５〜１．２Ｇ３電極の 〃 ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．３〜
１．○とする。そして、陰極の電位・・・・・・・・・
２０〜２００ＶＧ１電極の電位・・・０ｖ Ｇ２電極の〃 ・・・３００〜８００ＶＧ３電極の〃
・・・６〜８ＫＶ Ｇ４電極の〃 ・・・２０〜３０ＫＶ であり、４ｍ人程度の大ビーム電流時において、従来の
３５〜４６％に相当する径小のビームスポットを得るこ
とができる。 発明の効果
す断面図、第２図は同電子銃のブリフォーカスレンズ生
成部における動作を説明するだめの断面図、第３図は同
装置の軸上電位とその二次微分とを、軸方向距離を関数
として示した電位分布図、第４図は本発明の受像管装置
のプリフォーカスレンズ生成部における動作を説明する
だめの断面図、第６図は同装置の軸上電位とその二次微
分とを、軸方向距離を関数として示した電位分布図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか１名第５
図 手続補正書 昭和５８年５ 月 ４ 日 １事件の表示 昭和６８年特許願第２３４４７ 号 ２発明の名称 受像管装置 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市太字門真１００６番地名 称
（５８４）松下電子工業株式会社代表者
三 由 清 −４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ５補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面 ２ − ６、補正の内容 （１）明細用第３貞第１８行お」＝び第２ｏ行の各「の
外郭」を削除し斗す。 （２）同書第７頁第１３行〜第１６行のｒＧ２電極１８
および・・・・・・Ｇ３電極１９との相互間隔」を「Ｇ
２電極１９およびＧ３電極２８ｄ：従来に比して径小の
電子ビーム通過孔１９ａ、２８ａをそれぞｆ１有し、Ｇ
２電極１９とＧ３電極２８との相互間隔」に補正し１ず
。 （摘 同書第１１頁を別紙のとお粋に補正し−ます。 （４）図面第４図を別紙のとおりに補正しオす。 つぎに、本発明実施の具体的数値例を示すと、パイポテ
ンシャル形電子銃において、 ０１電極の電子ビーム通過孔径を１とするとき、Ｇ２電
極の電子ビーム通過孔を・・・・・・０．７〜１．３Ｇ
３電極の 〃 ・・・・・・０．７〜１．
３陰極と０１電極との間隔を・・・・・・・・・・・・
０．１〜０．２０１電極と０２電極との間隔を・・・・
・・０．３〜０．５０２電極と０３電極との 〃 ・・
・・・・０．５〜１．２０１電極の厚みを・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．１〜０．２
ＣＴ２電極の 〃 ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・０．５〜１．２Ｇ３電極の 〃 ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・０．３〜
１．○とする。そして、陰極の電位・・・・・・・・・
２０〜２００ＶＧ１電極の電位・・・０ｖ Ｇ２電極の〃 ・・・３００〜８００ＶＧ３電極の〃
・・・６〜８ＫＶ Ｇ４電極の〃 ・・・２０〜３０ＫＶ であり、４ｍ人程度の大ビーム電流時において、従来の
３５〜４６％に相当する径小のビームスポットを得るこ
とができる。 発明の効果
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第２グリツドと第３グリツドとが向き合う領域において
、軸上電位の一次微分（軸上電界）の最大値が５Ｘ１０
’〜６×１０５ｖ／αの範囲にあり、かつ、二次微分の
極大値と極小値の位置を、陰極の電子放射面を基準とし
てそれぞれＺｌ、Ｚ２とし、第１グリツドの電子ビーム
通過孔径を０１とするとき、 １、ＱＤ＋≦２１≦２．０Ｄ＋ ０．６０１≦Ｚ２−Ｚ＋≦１．２ＤＩ となる電極構成と外したことを特徴とする受像管装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023447A JPS59148242A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 受像管装置 |
| US06/579,504 US4542320A (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Cathode ray tube |
| DE8484101452T DE3464437D1 (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Cathode ray tube |
| EP84101452A EP0117475B1 (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023447A JPS59148242A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 受像管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148242A true JPS59148242A (ja) | 1984-08-24 |
| JPH0132623B2 JPH0132623B2 (ja) | 1989-07-07 |
Family
ID=12110753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58023447A Granted JPS59148242A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 受像管装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4542320A (ja) |
| EP (1) | EP0117475B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59148242A (ja) |
| DE (1) | DE3464437D1 (ja) |
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1983
- 1983-02-14 JP JP58023447A patent/JPS59148242A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-13 US US06/579,504 patent/US4542320A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-02-13 EP EP84101452A patent/EP0117475B1/en not_active Expired
- 1984-02-13 DE DE8484101452T patent/DE3464437D1/de not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0132623B2 (ja) | 1989-07-07 |
| EP0117475A1 (en) | 1984-09-05 |
| DE3464437D1 (en) | 1987-07-30 |
| EP0117475B1 (en) | 1987-06-24 |
| US4542320A (en) | 1985-09-17 |
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