JPS5914891B2 - 回転塗布方法および回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布方法および回転塗布装置Info
- Publication number
- JPS5914891B2 JPS5914891B2 JP54148413A JP14841379A JPS5914891B2 JP S5914891 B2 JPS5914891 B2 JP S5914891B2 JP 54148413 A JP54148413 A JP 54148413A JP 14841379 A JP14841379 A JP 14841379A JP S5914891 B2 JPS5914891 B2 JP S5914891B2
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- JP
- Japan
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- photoresist
- wafer
- semiconductor substrate
- coated
- spin coating
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回転塗布方法ならびに回転塗布装置に関し、半
導体装置製造のホトリングラフィー工程における半導体
基板（以降ウェハーという）表面への樹脂（以降ホトレ
ジストという）の異物を含まないホトレジストの均一塗
布を目的とするものである。
導体装置製造のホトリングラフィー工程における半導体
基板（以降ウェハーという）表面への樹脂（以降ホトレ
ジストという）の異物を含まないホトレジストの均一塗
布を目的とするものである。
従来のウエー・一被塗布面（以降表面という）へのホト
レジストの塗布は主にスピンナー法と呼はれるものが多
く用いられ、第１図に示す如く、モーター１に直結のウ
ェハーチャック２上にウェハ５−３をセットし上方より
注射器４あるいはノズル等により適量のホトレジスト５
を滴下し、上記ウエ・・−３の表面は上向きのまま回転
塗布するものであつた。
レジストの塗布は主にスピンナー法と呼はれるものが多
く用いられ、第１図に示す如く、モーター１に直結のウ
ェハーチャック２上にウェハ５−３をセットし上方より
注射器４あるいはノズル等により適量のホトレジスト５
を滴下し、上記ウエ・・−３の表面は上向きのまま回転
塗布するものであつた。
ところが注射器、ノズル等によるホトレジスト１０の滴
下法ではホトレジスト中に含まれる異物も同時に塗布さ
れ、さらに上記ウエー・−３の表面は上向きであるため
空気中に存在する異物をも付着させたままホトレジスト
５を滴下塗布する、したがつて第１図の方法では異物が
原因でパターン欠陥１５を発生させ半導体装置の製造歩
留わを大巾に低下させることになる。
下法ではホトレジスト中に含まれる異物も同時に塗布さ
れ、さらに上記ウエー・−３の表面は上向きであるため
空気中に存在する異物をも付着させたままホトレジスト
５を滴下塗布する、したがつて第１図の方法では異物が
原因でパターン欠陥１５を発生させ半導体装置の製造歩
留わを大巾に低下させることになる。
また滴下するホトレジストの量は例えば３イン。
チウエハーで膜厚１００ＯＯＡ塗布する場合、約５×１
０ｃｗｌが塗布されるが実際には塗布ムラを２０なくす
るために約５×１０ｃｄ程度の多くの量を注射器でウエ
・・一上に滴下した後高速回転塗布する必要がある。
０ｃｗｌが塗布されるが実際には塗布ムラを２０なくす
るために約５×１０ｃｄ程度の多くの量を注射器でウエ
・・一上に滴下した後高速回転塗布する必要がある。
したがつて、第１図に示された方法では非常に無駄なホ
トレジストを費やすことになる。更に第１図ではウェハ
ーの中央部のみにホ２５トレジストを滴下させるため、
ウェハーの表面全面にホトレジストがなじまず、特にウ
エ・゛−の周辺部においては膜厚の不均一なホトレジス
ト膜が形成されることになわ微細加工が非常に困難とな
る。３０また以上のような問題点を解決するために、特
願昭５２−１４１３６２号（特開昭５４−７３５７６号
公報参照）Ｖｃて改良した方法が提案された。
トレジストを費やすことになる。更に第１図ではウェハ
ーの中央部のみにホ２５トレジストを滴下させるため、
ウェハーの表面全面にホトレジストがなじまず、特にウ
エ・゛−の周辺部においては膜厚の不均一なホトレジス
ト膜が形成されることになわ微細加工が非常に困難とな
る。３０また以上のような問題点を解決するために、特
願昭５２−１４１３６２号（特開昭５４−７３５７６号
公報参照）Ｖｃて改良した方法が提案された。
この方法を第２図にて説明する。ウェハー１１の表面１
２を下面にしてウエ′゛−３５チャック１３Ｖｃセット
した後、上記ウェハー１１の表面１２をホトレジスト１
４の液面１５Ｖｃ近接した位置１に設置した後、加圧室
１６に加圧ガスを導入し、隔壁膜１７を１７′のごとく
膨張させればホトレジスト１４の液面１５は盛ｂ上がｂ
破線１５５の如くなり、ウエ・・−１１の表面１２のほ
ぼ全面に付着される。
２を下面にしてウエ′゛−３５チャック１３Ｖｃセット
した後、上記ウェハー１１の表面１２をホトレジスト１
４の液面１５Ｖｃ近接した位置１に設置した後、加圧室
１６に加圧ガスを導入し、隔壁膜１７を１７′のごとく
膨張させればホトレジスト１４の液面１５は盛ｂ上がｂ
破線１５５の如くなり、ウエ・・−１１の表面１２のほ
ぼ全面に付着される。
つづいて上記加圧室１６内の圧力を減じ上記ホトレジス
ト１４の液面１５２を定常位置１５に戻し、モータ−１
８によ勺上記ウエハーチヤツク１３を回転させるととも
に、上記ウエハーチヤツク１３を位置■まで引き上げて
上記ウエハ−１１の表面１２にホトレジスト膜を形成す
るものである。この方法に関して本発明者の検討によれ
ぱ次のごとき問題が判明した。
ト１４の液面１５２を定常位置１５に戻し、モータ−１
８によ勺上記ウエハーチヤツク１３を回転させるととも
に、上記ウエハーチヤツク１３を位置■まで引き上げて
上記ウエハ−１１の表面１２にホトレジスト膜を形成す
るものである。この方法に関して本発明者の検討によれ
ぱ次のごとき問題が判明した。
すなわち、ウエー・一表面にホトレジストを付着させる
際、ウエハーとホトレジスト液面は静止の状態で付着さ
せていることからウエハー表面に形成されている凹部に
よｂウエー・一表面に気泡が生じやすく均−な塗布が困
難であり、またウエハー全面に付着させ得ないことから
同じくウエハー周辺においてはホトレジスト膜厚のムラ
が生じ微細加工は困難である。更に、ホトレジストを付
着させる以前にウエハー表面に付着している異物はその
ままホトレジスト中に塗ｂ込まれるためホトレジスト膜
の均一塗布が困難であるとともに、異物に１名、パター
ン不良もいぜんとして発生する。本発明はこのような不
都合を除去できるホトレジストの均一塗布が可能で微細
加工に好適な塗布方法ならびに装置を提供するものであ
り第３図にて本発明の一実施例にかかる方法の構成を示
す。
際、ウエハーとホトレジスト液面は静止の状態で付着さ
せていることからウエハー表面に形成されている凹部に
よｂウエー・一表面に気泡が生じやすく均−な塗布が困
難であり、またウエハー全面に付着させ得ないことから
同じくウエハー周辺においてはホトレジスト膜厚のムラ
が生じ微細加工は困難である。更に、ホトレジストを付
着させる以前にウエハー表面に付着している異物はその
ままホトレジスト中に塗ｂ込まれるためホトレジスト膜
の均一塗布が困難であるとともに、異物に１名、パター
ン不良もいぜんとして発生する。本発明はこのような不
都合を除去できるホトレジストの均一塗布が可能で微細
加工に好適な塗布方法ならびに装置を提供するものであ
り第３図にて本発明の一実施例にかかる方法の構成を示
す。
第３図に示す如く、２１は表面２２を下向きにしたウエ
ハー、２８は上記ウエハ−２１を保持するウエハーチヤ
ツク、２４はウエハーチヤツタ２３を回転させるモータ
ー、２５はホトレジスト液、２６はホトレジスト液溜置
用のタンノ（容器）２７はホトレジスト２５の液面２８
に凹凸を形成させるための超音波振動発生装置である。
ウエー−２１の表面２２はホトレジスト２５の液面２８
とほぼ平行となるように設置されている。またウエハ−
２１，ウエハーチヤツタ２５，モーター２４よりなる部
分Ａあるいはタンク２６、超音波振動発生装置２７より
なる部分Ｂの少なくともいずれか一方が上下可動となつ
ている。次に塗布方法について説明すると、上記ブロツ
ク部分Ａあるいはブロツ夕部分Ｂのいずれかを上下に移
動させて上記ウエハ−２１の裏面２２の全面をホトレジ
スト２５の液面２８に接触させる。
ハー、２８は上記ウエハ−２１を保持するウエハーチヤ
ツク、２４はウエハーチヤツタ２３を回転させるモータ
ー、２５はホトレジスト液、２６はホトレジスト液溜置
用のタンノ（容器）２７はホトレジスト２５の液面２８
に凹凸を形成させるための超音波振動発生装置である。
ウエー−２１の表面２２はホトレジスト２５の液面２８
とほぼ平行となるように設置されている。またウエハ−
２１，ウエハーチヤツタ２５，モーター２４よりなる部
分Ａあるいはタンク２６、超音波振動発生装置２７より
なる部分Ｂの少なくともいずれか一方が上下可動となつ
ている。次に塗布方法について説明すると、上記ブロツ
ク部分Ａあるいはブロツ夕部分Ｂのいずれかを上下に移
動させて上記ウエハ−２１の裏面２２の全面をホトレジ
スト２５の液面２８に接触させる。
こうして、少なくとも接触している間は超音波振動発生
装置２７によりホトレジスト２５の液面２８には凹凸を
生じせしめておく。この時の凹凸の振幅は超音波振動発
生装置２７の出力，周波数にて決竜するが、ウエー・−
２１の裏面２９にホトレジスト２５が付着しない程度の
条件とする。つまりウエハ−２１の裏面２９にホトレジ
スト２５が付着し、更にウエー・−チヤツタ２３まで付
着すると、ウエハ−２１の表面２２にホトレジスト２５
を回転塗布した後、ウエハ−２１をウエー・ーチヤツク
２３からとｂはずす際、ウエハ−２１がウエハーチヤツ
ク２３に接着されているためとシはずしが困難となる。
これは塗布装置を自動化した場合にスムースなウエハー
の搬送ができない原因となる可能性があう、この状態は
避ける必要がある。つづいてウエ・・−チャツク２３を
上方に移動させるか、あるいはタンク２６を下方に移動
させてウエー・−２１の裏面２２をホトレジスト２５の
液面２８から適当な距離だけ離す。
装置２７によりホトレジスト２５の液面２８には凹凸を
生じせしめておく。この時の凹凸の振幅は超音波振動発
生装置２７の出力，周波数にて決竜するが、ウエー・−
２１の裏面２９にホトレジスト２５が付着しない程度の
条件とする。つまりウエハ−２１の裏面２９にホトレジ
スト２５が付着し、更にウエー・−チヤツタ２３まで付
着すると、ウエハ−２１の表面２２にホトレジスト２５
を回転塗布した後、ウエハ−２１をウエー・ーチヤツク
２３からとｂはずす際、ウエハ−２１がウエハーチヤツ
ク２３に接着されているためとシはずしが困難となる。
これは塗布装置を自動化した場合にスムースなウエハー
の搬送ができない原因となる可能性があう、この状態は
避ける必要がある。つづいてウエ・・−チャツク２３を
上方に移動させるか、あるいはタンク２６を下方に移動
させてウエー・−２１の裏面２２をホトレジスト２５の
液面２８から適当な距離だけ離す。
その後所望のホトレジスト膜厚を得るべき回転数にて上
記ウエハーチヤツク２３をモータ−２４にて回転させホ
トレジスト膜を塗布する。第３図で示したごとくホトレ
ジスト２５に超音波振動発生装置２７を用いて超音波振
動を与えるとホトレジスト２５の液面に振巾の微小な凹
凸が発生し、その凸部が上記ウエハ−２１の表面２２に
形成された凹部にも充分人り込み、ホトレジストを全体
に均一に付着させる。
記ウエハーチヤツク２３をモータ−２４にて回転させホ
トレジスト膜を塗布する。第３図で示したごとくホトレ
ジスト２５に超音波振動発生装置２７を用いて超音波振
動を与えるとホトレジスト２５の液面に振巾の微小な凹
凸が発生し、その凸部が上記ウエハ−２１の表面２２に
形成された凹部にも充分人り込み、ホトレジストを全体
に均一に付着させる。
更にホトレジスト２５の液面２８に発生している微小振
動は上下左右の運動量を持つているため、塗布前にウエ
・・−２１の裏面２２に付着している異物も簡単に除去
される。このようにウエー・一裏面を下向きにしてホト
レジストに超音波振動を与えながらホトレジスト液面に
接触させる方法によれば次のような効果がもたらされる
。
動は上下左右の運動量を持つているため、塗布前にウエ
・・−２１の裏面２２に付着している異物も簡単に除去
される。このようにウエー・一裏面を下向きにしてホト
レジストに超音波振動を与えながらホトレジスト液面に
接触させる方法によれば次のような効果がもたらされる
。
（１） ウエハー表面に形成されているパターンの凹部
にも完全にホトレジストを付着させることが可能となる
ため、均一なホトレジスト塗布が実現できる。
にも完全にホトレジストを付着させることが可能となる
ため、均一なホトレジスト塗布が実現できる。
（２）塗布前にウエー・一表面に異物がのつていてもホ
トレジスト液面の超音波振動ｔτよｂ完全に除去される
。
トレジスト液面の超音波振動ｔτよｂ完全に除去される
。
均一なホトレジストの塗布と異物の除去は高密度な半導
体装置の製造に極めて大切であり、本発明はこの点の改
善に大きく寄与する。
体装置の製造に極めて大切であり、本発明はこの点の改
善に大きく寄与する。
以上のように本発明によれば、異物を含まない均一なホ
トレジスト膜の形成が可能となｂ、パターン不良による
製造歩留りの向上を図ることができ、半導体装置の製造
に大なる工業的価値を発揮するものである。
トレジスト膜の形成が可能となｂ、パターン不良による
製造歩留りの向上を図ることができ、半導体装置の製造
に大なる工業的価値を発揮するものである。
第１図は従来のホトレジスト塗布法の基本的購成図、第
２図は改善されたホトレジスト塗布法を示す装置の概略
構成断面図、第３図は本発明の一実施例にかかるホトレ
ジスト塗布法における塗布装置の概略構成断面図である
。 ２１・・・・・・ウエハ一、２３・・・・・・ウエハー
チヤツク、２４・・・・・・モーター、２５・・・・・
・ホトレジスト液、２６・・・・・・タンク（容器）、
２７・・・・・・超音波振動発生装置、２８・・・・・
・液面。
２図は改善されたホトレジスト塗布法を示す装置の概略
構成断面図、第３図は本発明の一実施例にかかるホトレ
ジスト塗布法における塗布装置の概略構成断面図である
。 ２１・・・・・・ウエハ一、２３・・・・・・ウエハー
チヤツク、２４・・・・・・モーター、２５・・・・・
・ホトレジスト液、２６・・・・・・タンク（容器）、
２７・・・・・・超音波振動発生装置、２８・・・・・
・液面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の被塗布面を下向きにし、超音波振動が
与えている容器内の樹脂液面に該半導体基板の被塗布面
の全面を少くとも１回以上接触させた後、該樹脂液面と
該半導体基板の被塗布面を離して該半導体基板を所望の
回転数にて回転させることを特徴とする回転塗布方法。 ２ 超音波振動発生装置を有する容器と、該容器内に溜
置された樹脂液面上に半導体基板の被塗布面が対向する
ように設置された回転台と、該回転台を回転させる回転
駆動機構とを備え、該容器あるいは該回転台の少なくと
もいずれか一方が上下して該半導体基板の被塗布面が該
容器内の該樹脂面に接触し、前記樹脂を半導体基板表面
に塗布することを特徴とする回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148413A JPS5914891B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54148413A JPS5914891B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5670635A JPS5670635A (en) | 1981-06-12 |
| JPS5914891B2 true JPS5914891B2 (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15452230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54148413A Expired JPS5914891B2 (ja) | 1979-11-15 | 1979-11-15 | 回転塗布方法および回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914891B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186344U (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-10 | スタ−ロイ産業株式会社 | カツタ−ビツト |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3207016B2 (ja) * | 1993-07-05 | 2001-09-10 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置の樹脂コーティング方法 |
| CN113341654B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-02-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光刻胶供给装置 |
-
1979
- 1979-11-15 JP JP54148413A patent/JPS5914891B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186344U (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-10 | スタ−ロイ産業株式会社 | カツタ−ビツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5670635A (en) | 1981-06-12 |
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