JPS59154452A - 軟ｘ線転写用マスク及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＬＳｉ、超ＬＳＩの如へ集積回路等の製造の際
の軟Ｘ線露光に使用する軟Ｘ線転：Ｉｊ用マスクムびぞ
の製造法に関する。

軟Ｘ線１メ光では１：１の転写をｊ−ｊなうので、転写
パターンの寸法精度は、１１．、（Ｘ線マスクの加工精
度に大きく依存する。しかるに欽Ｘｉべ露光をどのよう
な方法で適用するかにより、軟Ｘ線マスクへの要求が異
なってくる。曵状でｌｉ！□＋発が１１（−められてい
る露光システムθつ１つとしてサブミク［１ンパターン
をイ〕する１１８Ｌ８１回路等にｉｆｆ用ｊるだめのス
テ、ブ・アンド・レビー１゛転写力戊があ（ｔらＪする
。、−２の方式に用いるＩ睨写用マスクとしく−はグミ
クｃｒンバターンでアスペクト比Ｑ＞商い吸収パターン
をイ〕“３−る高粘度でかつ化較的小−リｆズ（例えば
２’９ｉ程度）のものが要求さノ１．ていて）。又、開
発中の他の露光システムとじ〜Ｃ従東、紫り１線、よた
は遠紫外線点光によっているｌ　／ｒｍ匍ｒ７’Ｗ　ｆ
史のパターンのものを中欠Ｘポ宝露光を用いて４１！、
石し、より生産性の向上をねらった人面稍一括転写方式
があけらｉ”Ｌる。この方式は、秋Ｘ線が軽元素を主体
としたゴミを透過し号）い、′−と苓二イ”ｌ用した、
この種の小さなゴミによる転′ｌｊパターンの欠陥の減
少化、および閤感ル：の’ｆｌ）（Ｘ線用レンストを用
いての大面積一括Ｉ１１ム写によイ）ｆ冒イスルー　フ
゛ット化をねらいとするものである。

ｔ′１．：、　ｉｉＬ’：　２力式は共に′市子線励起
、プラズマ励起、士人−はアーク放電１等により発生す
る拡散型の線（ｉｙ’、＋、を用いるものであり、高い
層間位置合せ精度合一必修とｊ゛る場合はどうしても多
層レジストを用いねばならず、リソグラフィ一工程が複
・質化し生産性が悪くなる。

更に開発中の第３の露光方式としｒ、電子蓄（、ｊ 積リングからの放ＱＪ　（Ｓ　ＯＲ５ｙｎｃｈｒｏｔｒ
ｏｎ　０ｒｂｉｔａｌＲ・ａ＋ｌｉ＋ｉｔ　１ｏｎ）を
利用する方式があけられる。この方式′は放射光の高い
平行光性により用層レジス）・でも十分安解像庶が得ら
れ、−Ｃ１つ高輝度性により露光時間が短か＜’＋ニー
５いスフレープ、トが得られるという利点をイｊする反
面、面輝度性のためｊ累光中のマスクおよびつ１バーの
熱変形が生じ易く、それに起因する位置合せの誤差が大
きくなってくる難点がある。それ故、この方式には熱変
形の小さいマスクが望ましい。

従来、軟Ｘ線転写用マスクの吸収パターン支持体として
は無機単層膜として１３　ｄｏｐｅｄ　Ｓｉ、　Ａ４０
ｓ。

１ゝ′ Ｓｉ３Ｎ４．　Ｓｉ　Ｃ，ＢＮ、　Ｔｉ々凱〜゛有機単
層膜としてポリ」、チレンテレソタレート、ポリイミド
、ポリパーｆｙ　Ａ−ｖ　’）　Ｌ／　ｙｄテコ畳ｇｉ
　（！：　Ｌ、Ｓ　ｌ　５　Ｎ４　／　８１　Ｌ１２　
。

Ｓ＋　５　Ｎ４　／　Ｓ＋　Ｏｘ　／　Ｓ＋　５Ｎ４　
、　　Ｓ　晩Ｎ４　／　５ｉＯＮ　／　５ｉ５Ｎ４　。

Ｓ　Ｉ３　Ｎ４　／ボリパラキンリ　レン、　　１３Ｎ
／ポリイ　ミ　ド。

Ｔ１／ポリイミド等がＳｉ枠もしくはカラス枠上でヌン
グレン化されてきた。この゛）ち大口径のマスク（３′
φ以上のウィンドーを持つもの）は、自機’ｔ’　Ｊｄ
　ＩＩＷではマイラー、ポリイミドと、無機ｆｉｔ層１
１９では、′Ｉ″ｌ、複合膜ではＢＮ／ポリイミド。

’］”＋　／ポリイミドのみであった。而して５．Ｌ−
肥大１１　（：’Ｉ’：化マスクにぬ用可能な材料のう
ち有機単層膜は熱’ｒｌＬ張率（例、ポリイミド：　４
　Ｘ　Ｉ　Ｑ５／ｄｅｇ　）が大きくピッチずれが生じ
易いという欠点があった。また１ｌｌｉ　ｉＥ−は可視
光を通さないため、　ｉ″Ｉ／Ｉ／ポリイミド膜ととも
に可視光透過２６．Ｈｑ）アラ・ｆメントおよび検査は
下げｔ１しであるという欠点があった。またＢＮ膜は非
７ｎにもろく破損し易いのと欠陥密度が高いのでポリイ
ミドＩＴｅとの複合体として用いられているが、熱１１
彩張率がＩ　Ｘ　１．０＝　／　ｄｅｇ　で、Ｓ　ｉ　
ＯＨ膜の４　Ｘ　１０−７〜７　Ｘ　１０−７／　＋−
１ｅｇ　　よりも大へいという欠点があった。

木発明者は上記のマスクＨ科の欠点を解消して、上に人
血４１〜一括露光方式もしくは放射光利用の大面積一括
露光方式に適用し得る熱的安定１’ｌの高い人１」イ↑
の軟Ｘ　２Ｈ転写用マスクを開発すべく研究の結果、二
酸化珪累膜の成膜法とじてイＪ′する二１ば化珪素膜を
組合わ＋トで応力バランスを取りＩ全体で弱い引張り応
力を自する二酸化珪素複合膜を窒化珪素系膜に枯！ヴ１
１シて形成ｌ〜５この二酸化珪素複合膜上に軟Ｘ線吸収
性パターンを形成し、更にその−１−にポリイミド、ポ
リパラキシリレン等の軟Ｘ線及び可視光に対して透過率
の高い透明高分子膜を被覆することにより、大口径化可
能な適度の緊張力と低熱膨張率をイ」し、しかも無機膜
の欠点である匹械的強度の弱さが解消された支持体を形
成する、二とができ、）ｊｊに支持体を低熱膨張率を有
する石英ガラス製支持枠で支持さぜることによりマスク
全体の熱変形、及びピッチずれを少なくすることができ
ることを見出たし、かかる知見にもとづいて１すζＸ線
転写用マスクに係る発ψ」を完成したものである。

次に本発町者は上記の軟Ｘ５詠Ｉｐ、−１′Ｌｉ用マス
クの製造法につき研究の結果、石英ガラス基板−Ｌに窒
化珪素糸膜、曲記二酸化珪素メ複合膜、軟Ｘ線（ｌψ収
性パ名−ン、及び透明層分子膜をＪＩＫｘ　’６（設け
、次に石英ガラス基板の裏面側に石英ガラス製・シー持
枠を接〕＾−し、（７，かる後に石英ガラス基板の［）
１］記支持枠内の空間部に相対する領域を食刻除去する
方〃、によれは支ト！ｉ体をたるみなく繋張させ゛−Ｃ
支持忰にとりっ３ノることができることをμ出だし、か
かる知見にもとづいて軟Ｘ線転写用マスクの製造法に係
る発明を冗成したものである。

即ち、第１の発明の要旨は酸化窒化珪素及び窒化珪素か
らなる！！１．がら選択される窒化珪素系膜と、その上
に積層された高周波スパッタリング法により生成される
二酸化珪素膜の一層もしくは複数層とＣＶＤ法により生
成される二ｇｌｆ２化珪素脱の一層もしくは複数層とを
１１１１者と後者が交互に位置するように積層複合させ
゛た二酸化珪素複合膜と、その上に設けられた軟Ｘ線及
び石」視光に対して透過率の高い透明高分子膜とからな
る支持体と、前記二酸化珪素複合膜と透明高分子１１り
の間に設けられた軟Ｘ線吸収性パターンど前記支持体の
窒化珪素系膜ｍ１側に設けられた石英ガラス製支持伜と
か・らなることを特徴とする軟Ｘ線転写用マスクである
。

次に第２の発明の要旨は石英ガラス基板寸−に「後化窒
化坪系及び窒化珪素からなζ）　ｔｐ＋から選択される
窒化珪素糸膜を形成し、次にその一ト一に１イｌパ」波
スパッタリング仏により生成される圧縮応力を冶する二
酸化珪５に股とＣＶ　Ｉ）法により生成されイ）引張り
応力をイ」ずろ二１・［夕化吐素１１Ｚとを各々一層も
し７くは也数層交り一に＋！！ｊ層して二酸化珪素複合
膜を形成し、そのニーｊρ化珪素複合膜の一層に軟Ｘ線
吸収物Ｖ（からなる軟Ｘ線吸収（ｌ！ｔｈパターンを形
成し、次に該軟Ｘ線吸収性パターンを設けた二重化Ｌ１
素複合！模面上に軟Ｘ線及び可視光に対して透過率のｉ
Ｕ＋い遮・明；：に＋分子ｊ１４’；ｉを形成し、次い
で前記石英ガラス基板に石英ガラス製支持伜を接着し、
しかる後に前記石英ガラ”ス基板のＡｉＪ記支持枠内の
空間部に相対する領域を食刻除去することを特イ六とす
る転Ｘ線中−ム写用マスクの製造法である。

以上、本発明（でつき区間を参ｉ！＜（しながら訂、２
畑に１悦明う゛る。

第１図（ａ）ないしくｆ＋は本発明の製造法による軟Ｘ
線転写用マスクの製造過程を示し、第１図（旬（４′完
成した軟Ｘ線転写用マスクを示す。本発明の軟Ｘ線転ち
用マスクは酸化窒化珪素及び窒化丹素からなる群から選
択される材木−１を用いて、弱い引張り応力を有するよ
う女生成条件で生成Ｉ〜だ窒化珪素系膜（２）と、その
−」二に積層された高周波スパッタリングにより生成さ
れ〜る圧縮ｉｊ’、ｓ力を有すイ）二酸化珪素膜の一層
もしくは塗り数層とＣＶＤ法により生成される引張り応
力を有する二酸化珪素膜の一層もしくは複数層とを前者
と後者が交互に位置するように積層複合させた全体とし
て弱い引張り応力を示す二酸化珪素複合膜（３）と、そ
の上に設けられたゼζＸ線及び１１Ｊ視光に対して透過
率の晶いポリイミド、ポリパラギシリレン等の透＋９Ｊ
高分子膜（５）とがらなイ）支持体（６）と、二酸化Ｊ
−Ｌ素複合膜（３）と透明高分子膜（５）の間に設けら
れた軟Ｘ線吸収性パターン（４）と支持体（６）の窒化
珪素系膜（２）面側に設けられた石英ガラス製支持枠（
７）とからなる。尚、図において（１）ば石英ガラス製
支持枠（７）と窒化珪素系膜（２）間に介在する石英ガ
ラス片（これは複連する方法で所要部分を食刻除去した
石英ガラス草根の残部である）、（８）は接着層である
。

以上のように本発明の軟Ｘ線転写用マスクは、支持体が
窒化珪素系膜と二酸化、１′−１−シモ複合膜とろり］
高分子ｌｉｄとがらなり、人「」径Ｉ軟Ｘ線転写用マス
クを形成するのに適度の緊張力を有するのみならず無機
膜の欠点である機械的１１１・Ｓ撃に弱い点が透明高分
子１漢によって袖なゎれており、又、支持体に支持枠が
設けられているので、熱的に寸法変化が少なく、目っ機
械的衝撃に強い利点を４するものである。

次に本発明の軟Ｘ線転写用マスクは軟Ｘ線吸ｆｉＶ性パ
ターンが透明高分子膜にょシ保護されているので、透明
高分子膜により軟Ｘ線露光時に発生する光電子やオージ
ェ電子が吸収され、Ｘ線レジストのカブリが減少せしめ
られる利点を子」する。

次に上記の本発明の秋Ｘ線転写用マスクの製造法につい
て説明する。

第１図（３１の如き表面が平、骨で、熱１１が張メキ＜
の小さい、厚さ０．２〜１．２ｍの石英ガラス基板（１
）の上にＩＩＡ厚０．０５〜０．１μｍの酸化窒化工↑
素膜もしくは窒化珪素からなるｉ１イから選択される窒
化珪素糸膜（２）を形成する。これらの膜は緩衝旧“液
のエツチングレートが、いずれも小さいものである。こ
の窒化珪素糸膜は２（長路工程で石英゛がラス基板（］
）を緩飼■■Ｆ液で裏面上ッチングを４１なう際の１−
／チング停止膜と・しての機能を一；↓ずものである。

この窒化珪素系ｉｌＩ＆　ｆ２＋としては必−′パ■”
ＩＳ−半眼の膜厚でよい。いずれもＣＶ　Ｊ）法に内部
Ｌ１−１力が０．５　Ｘ　１０９〜１．５　Ｘ　１．　
Ｏ’　ｄｙｎ　／６Ｊの弱い引へり応力をｆ＋’するよ
うな生成条１４で成１１をし、たもの４−用いる。酸化
望化珪素膜については、例えばＳｉ　Ｈ４−ＣＯ２−Ｎ
１−１５　　系ノカスを用い、温度を９００〜Ｊ０００
”ｃとし”’ＣＳｉ、Ｎ４モル比カ０．０７〜０．２に
〃るように　成膜することで所定の引弘り応力台二自す
るがＧ　、９３　、税が得られる。一方窒化１投につい
ては、例えば５ｉＨ４−Ｎｉｌ、系のガスを用い、温度
が７００〜８００℃としてｓ　ｒ　ｔｙ）　Ｍｔｌ　、
６比を０．５〜０．７になるようにすることで所定の引
張り応力を自する透明睦が得られる。

次に、窒化珪素糸膜（２）上に高周波スパッタリング法
により生成される二酸化珪素膜の一層もしくは複数層と
ＣＶ　ｌ）法により生成さＩＬる一酸ｆヒ珪素１１ぐの
一５層もｔ、　＜　＆ｉ裡数層とる：　１Ｕｉｉ−Ｊ＜
ど後ｔ１が交−４１に位置するように積層復・１″￥さ
せた丁、酸化珪素複合膜（３）を形成する。この複合１
漢を構成する高周波スパッタリング法による二酸化珪素
１１ζ（ばｌＸｌ０９−２Ｘ１０９ｄｙｎ／ｃＪ　　の
）下槽応力を合し、生成条件は使用支間により異なるが
１例えば石英をターゲット試料とし、ｋｒガス圧Ｉ　Ｘ
　］Ｏ−”〜５　Ｘ　１０−”］、”ｏｏｒ、　高周波
パワー５００〜１０００Ｗ。

’ｉａ　極間ＪｊＤ　”４１３〜１０　（’ｍを１６ｊ
用できる。−力’　ＣＶ　Ｉ）法による酸化珪素膜は２
Ｘ１０９〜３　Ｘ　Ｈ１’　ｄｙｎ　／湖の引張り応力
を４１し、形成条件は、例えば５ｉ０２−Ｏ系のガスを
用い、温度４０”０〜６００°Ｃを適用できる。この際
、フ刈スフィン（円（５）　モしくはシボラン（Ｂ２　
Ｈ６）　　を少′Ｊ−１混合し７、Ｐ　Ｓ　Ｇ膜（Ｐｈ
ｏｓｐｈｏ　−Ｓｉ　ｌ　１ｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ膜、
リンガラス膜）もしくはＢ　Ｓ　Ｇ　ＩＪ　（Ｂｏｒｏ
ｎ−８ｉｌｉｃａｔｅ　ＣＨａｓｓ　ｊ％、　　ボロン
ガラス膜）とＩ７て内部応カタ調節してもＪ：い。

上記のようにし２て圧縮応力を有する高周波スパッタリ
ング５ｉＯｚｌｉψとＣＶＤ−８ＩＣ％ｐ、♂−゛１と
のＨ）・Δ厚比を６１、’、ｌ　ｉ’ｉｉ’ｉずイ）こ
とにより全体とし２て弱い引張り応力を１１するような
二酸化珪素複合綬にする。

上記の二酸化ｆ」４、複合膜は文持体の主要部を）ｊ＋
′＋成し、支持体全体に適度の緊張力を付ｌっすると」
ｌ、に、後記するように軟ＸＭｙｉ！％に数件パターン
を的接に支持する機能を果すものである。

次に第１図（（コ）に示すが如く、二酸化珪素膜合＋ｖ
；：　（３＋の十に、Ａｔ＋、　Ｐｉ等から々イ）軟Ｘ
線吸収性パターン（４）を形成する。軟Ｘ線吸収性パタ
ーン（・１）の形成法としては、軟Ｘ線マスクの泄直法
で一般的に用いられている方法、例えば左１等合−蒸が
し次いでドライエツチングにより不要部をｊ−ッーノン
グ除去してパターンを形成する方法、リフトオフ性によ
りＡｕ等のｇ着層をパターン状に設ける力η３、し、ゾ
・スト等の中間層パターンを形成し。

だ代Ａｕ等を宙、気メッギするＪｊ法などを採用し得る
。

この段階で軟Ｘ線吸収性パターンが１μｍ（（（“度以
上のものは従来のフォトマスクと同（カ・の方法で可視
光り今週型の欠陥検配、」・夕よびレーザーを利用した
パターン欠陥のイｌ−＼Ｗ−が国都である。

次に第１図（ｄｉの如く、１ト、Ｘ線吸収性バク−ン（
４）を設けた酸化珪素複合膜（３）の上に、ポリイミド
、ポリパラキシリレン着の軟Ｘ線及び可視光に対して透
過率の、ｉｔ７ｍ　＜、−Ｈ一つｉｎｌ熱性の、７らい
６明１６分子ｉ＋９（５）を形成することによりｕｎ機
利と有機イ」の間に吸収パターン−にもった腹合材料の
支楯体（６）を貧する。

上記においてポリイミド樹脂はイミド結合７有し、−５
，良に溶剤に不治であるノこめ、二酸化珪ヌさ複合＋１
１；、ｌ上にポリイミド１１１ンを設けるためには、本
リアミック酸を後述する活剤に溶解し二酸化珪素複合１
１１と上にの布し／こ後、加７隼処理により脱水閉璋し
７てイミド結合を１セ］たぜる方法が好ましい。

ポリアミノ多酸を二酸化珪・に複合膜上に塗布するには
、ポリアミノ多酸をジメヂルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン″・などの溶剤で希釈して適Ｊ１−な
粘度にし、スピンナー、浸消、スプレー等で塗布を行な
う。硬化条件は必要に１、こ、し’（１（１〜ｌ　Ｏｆ
）　’Ｃ３０分間の予イｊｊＮ　ｊ、’１２　□Ｅ、ガ
し゛（ｆ８剤を除去後、２００〜３００’Ｃ，３０〜６
０分間Ｑ）鵠処理をイーＪない硬化さ２せる。−７ｊ、
ポリバラキヅリレン１１つの形成法は、　ｇ的な方ｌん
としてｊ５°、Ｉ、″νｂ匁ｆｉ”／Ｊ’：を用い、ジ
バラギシリレンをＪ１１１熱蒸′ｉ１′、さく、ｓ、熱
分解後室温でニー酸化耗素複合膜に付ン？′１−させる
ものである。

ｌ記の晴ψｌ　ｉ９ｉ」分子１１つ１は軟Ｘ；ヌ５〈吸
収性パターンを１゛４゛護するどどもにＸ線露光中に発
化ずンｂ元霜４子伎びオーク、電子を吸収し、Ｘ線によ
るし７〉ストのカブリを少なくし、高解１ココのレジン
ｌ−１すｊｊ像をノヒ成する作用をするものである。

史に透明に；ｊ分子Ｊｊζ１ばｉｉ（哉股の欠（−１、
である様相に的ｊｔＪ撃に弱い点を袖なうものである。

次に第１図（ｅｌの如く５石英ガラス括イ、１ｙ（１）
１７．）−１−の軟Ｘ線吸収４１Ｆパターン（４）を含
む文持体（６）と反ｉｔの面（？１面）にあらかじめ所
定の窓開けがなさＩ）だ７１英力′ノス製支持枠（７）
を接着層（８）を介しで強固に］ビ着する。このｌＩＲ
の石英ガラス製支Ｐ１千ＰＭ７１け厚さｌ　〜５＋ａ、
大きさ４〜６インチの力。

型もし、くは１１・、方形で、必要に応じて吸収パター
ンに影響しない範囲で補強用リブを窓内に設（Ｊること
も可能である。接着層（８）はカラスの接舊に一般に用
いられる接着剤４例えばアクリルイ０１脂糸光硬化型接
着剤、またはｘ−：ｌ？キノン脂糸４？ｊ（硬化型接着
剤、ま、そＤ！　４．　ＯＯ℃ν）、ドの低１．う：１
（点ガラスフリット等を接着ずべ＠　［ｌ′ｆｌのＩ−
１側もＬ　＜は両面に薄く均一に一へ４」シ、それぞれ
所定の硬化条件上たは熱融着条件で処ｕｌｉ　Ｌ、形成
する３、次に石英力゛ラス基板（１）の受持枠内のｒｊ
ｑ　１ｊｆｆｉ部に相対する領域栄石英ガラス基板（１
）の裏−１１１１側よりエツチング法により収り去る。

エッチ〉・ダ液としては１崗１■Ｉ”糸エツチング沼・
（例えば　Ｎｉ１ＡＦ：０１’＝１０：１）を用いるこ
とができ、また必要に応じてテフ［Ｊン冶具等により−
１−ツチングする必要のない部分を作置する。以−にの
如く石英ガラス基板（］、）に窓開けすることにより最
終的に第１図（月に示すよう女１本発明に係る熱的安定
性（・（製−れ、か一つ（友株的強度の強い尺（−１径
の軟Ｘ線転与用マスクが得ら、？］７る。

以下に実施例に、）：り本発ｊ力を説明する。

実施例１ 第２図（３１）に：、Ｊ＜ず如く光学研肥・さｔ］だ大
きさ６゛＼６　インチＩＭ、ｔさ０．５躍の石英ガラス
Ｘ板（１）の−１−に酸化２．ν化珪累膜（２）をＳｉ
　ｌ＋４７　ＣＯｌ　−Ｎ、Ｌ−（３糸の）ｊスを用い
た（〜ｌｌ）法に上り厚さｏ、ｔｕｍ形成しに−ｏ　コ
ツト＠　ノ形、５！ｉｓ　−、□　４４ハ、？晶Ａ　度
＝　９００　”Ｃ。

２％Ｓｉ　Ｉ：（４７Ｈ２，＝＝　１．　ｅ　／ｌ１１
ｉｎ　、　Ｃ０ｚ−Ｌ５　ｅ　／ｍｉｒ＋。

ＮＨ，、二　〇。３　〜０．６　　（：／ｍｉｎ　　　
　で　あ　−ツフコ　　。

次に第２図（０）図示の如くそのＪ−に、石矢ターリ′
７トを用いた高周波スバ、タリングにより圧縮１，１＼
、力］、、、　５　Ｘ　Ｉ　Ｑ　９ｄｙｎ　／（ｑｉを
打する厚さ０．４１１ｍ、　Ｃ７Ｘ）７槽ｌｌ各化珪素
膜（９）を形成した。次にその上に、ＣＶ　Ｄ　ｉＪ、
により引＋１長り応力３　Ｘ　１０９ｄ　ｙ　＋＋　／
ｃｙｉｌを自する二酸化珪素膜（１０）を厚さ１μｍ形
成し／コ、。ここにおいて形成条件は、温度＝　４５０
’Ｃ，２条８ｉ１１．ｉ／Ｎｚ　−：　５００　ＣＣ／
ｍｉｎ　、　Ｏｚ　＝　２００　（ＪＺ／ｍｉｎであっ
た。

さらにその−１−に、前記と同条件のｆ２８周波スノζ
）々リングにより圧縮応力１．５　Ｘ　１０９（ｌｙｎ
／Ｃ滋を有する二酸化珪素ｒ）ｒ；ｐ　（１１）を形成
することにより、弱い引張り応力を自する二酸化珪素複
合膜（３）をｊｌ）だ。

次に第２図（ｃ）に不す如くニー酸化珪木複＠　ｌＩｔ
；４　（：ｘ）上ニ、密着性向上のだめのＣ，ｒ層（０
，０２／ｒｍ　１．ｉ、Ａ　）ト睨電性付！’４．　（
２）だめのＡｕ　Ｅａ　（０，０５、ａｍ　！？’、　
）　！ｒ　ＩＩＩＱ次スバ’／　夕ＩＪ　：／　りによ
り井’ｇ：、　ｆ７！　Ｌ−（（’：ｒ　、ｌ（”ｉと
へ１１１＄’ｉよりなる下弛層（１２）を設けた。さら
Ｇ′ｒＣそσ）−［二憾）−→トレジストＡｚ−ｉ３５
ｏＪ（ンソプレー札、（ｎソ、石炭酸ホルマリン横町に
キノン・ジアザイド類の分子をスルホン基を介して結合
したＡＺ糸り）フォトンじ・スト）を回転塗布し゛て）
′層さ１゜２１ｔｍのＬｉ＋間層（１３）を設けた。

次に電子線ポジレジストＰへｉ５〜ＩＡを０．１１ｍ厚
（′こ・留ｎル（−１・燥後、電子線露光、及び」↓現
像（て、Ｌり第２図（ｄ）図示のようが〒ｂ：子線子線
レジントノーン（１４，）を形成した。次いでその−に
からスノく、クリング法によりＣｒ　１１１’ｊをＱ、
１５ｕｍｌｌ形成後、電子２♀１／ジストパダーン（１
４）を除去する、二とｌ／こより第２図（ｅ）図示のよ
うに（づｒパターン（１５）を形成ｌ、た。

次いでコノＣｒ　Ａターン（１５）’＆−Ｊスッとして
ｔ−１１間層（１３）を０２ガス圧２Ｘ　１０　　Ｔｏ
ｒｒ　、　＋％周波（Ｊ３）ＪｌｏｏＷの条イ・′１下
で反応性スノくツタエ、ブーングを行なった後、Ｃ＋パ
ターン（１５）を−エツチング７夜（例オ、ば（へｌ−
１４）２　Ｃｃ（ｉＮＯｄ６　ニア　０　？る１１Ｃ７
了Ｏル：　１１２０−１６５ｐ　：　４３ｍ１！　：　
１０１００Ｏの配合比の−ｃ　、チングｉ（１）で王、
ｆ”ング除去することによ：つ第２図（Ｔｉ図、■＜）
如＜ニーＡＺＬ／、、ｚスｂに」：るＡｕ　）　、、〜
用レプリカパターン（１６）を形成した。

次に電気メツキ法によりレプリカパターン（１６）の部
分に八〇を厚さ０．８　／１１ｎにメ、ギし、しかる後
中間層（１３）を５φＫ（用水溶液で除去し、さらにそ
の下の１・′地層（１２）のＡｕ゛層、およびＣｒ　ｉ
ｄ、をスパッタエツチングすることにより、下地層（１
２）とへ１１メッキ層（１７）からなる１１仄Ｘ線口及
収・１１．パターン（４）を形成した。

次に透明分子；１１）としてポリアミック該全ジメｆ　
／レア」りドアミドに溶角乍したものを回’ｉｉ　’あ
！１ｊシ、９　（＋”ｃ、　２００″゛Ｃで各３０分ず
つのベーキングにより第２図（１１）のように厚さ４７
ｉｍのボ゛す・ｆミド：Ｉｙｌ（５）を形成し、１１広
Ｘ線吸収性パターン（４）を・酸化窒化珪素膜（２）と
二１獲化珪素ネ（１合膜（３）の無］表ＩＩＱとポリイ
ミド嘆（５）の自機膜ではさんだ支持体（６）を形成し
た。

次に第２図（ｉ）に示すｉｔ＋：：＋　＜、あらかじめ
所定の窓開けを何なっだ大きさ６　Ｘ　６　Ｗンチ、ｊ
！♂さ０．０９・ｆンチの石英ガラス製支持枠（７）を
エポキシ樹脂系接着剤（硬化条件二６０°Ｃ，１時間）
を用いた接着層（８）を介してｂ英ガラス卑仮（１）の
裏面と接着させた。

最後に。矢面から石英カラス基板（１）の前記支持枠内
の空間部に相対する領域をエツチング液（４０係ＮＩＬ
４１ｉ’　：　４９係ｕｐ　−＝　１．　Ｏ：　］　）
によりエツチング除去することにより第２図０）に示す
如く。

本発明の軟Ｘ線転写用マスクを什また。

災施例２ 第３図（ａ）に示す如く光学Ｑ［磨された大きさ５×５
インチ厚Ｊ０．８ｙａの石英カラス基板（１）に、ＣＶ
　Ｄ法によりＪ”ｆ−さ００５μｍの窒化珪素１（に（
２）を形成した。ここにおいて形成条件は、温度−８０
０°゛Ｃ２ヂＳ目１４／Ｎ２　＝　２　ｌ　／ｍｉｎ　
、　　ＮＨ５：１０〜１２　（ｎ／ｎ−印であった。

次にその一トに、第３図（１））図示の如＜、ｃｖｌ）
法により引張り応力２　Ｘ　１０９ｄｙｎ／ｃＪをイｊ
する厚さ１μｍのＩ）　Ｓ　Ｇ膜（］９）を形成した。

ここにおいて形成条件は、温度−＝４５０℃、２妬Ｓ＋
Ｈ４／Ｎ２二４５０’Ｌ／ｆＴｌ”　＋　Ｏ２二２００
　αユ／ｍ１ｎ、０２％　Ｐ］Ｉｓ　／””２二１８０
（ｚ／ｍｉｎであった。さらにその−１−に、高周波ス
パッタリング法により圧縮１，７５．、力１−．５　Ｘ
　１０９ｄｙｎ／ｃ４を有する厚さ０．５　ｉｔｍの二
酸化珪素膜（９）を形成しトロｆｊ　（１，９）　＋Ｉ
Ｑと合せ、全体として弱い引張り応力を自ずく）ニー酸
化１素複合膜（３）とした。

次いで第３図（Ｃ）図示の如（、Ａ、ｕパターンの密着
性を［込＜するだめに厚さ０．０２μｍの′Ｉ″ｉの下
Ｊ＋ｉ２層（１２）を蒸着法により形成し、さらに厚さ
０．５ＢＩｎのＡｌ１　蒸着膜（２０）全形成した。

次に′電子線ネガレジストＣ０Ｐ（ミードケミカル社製
）０．４μｍに塗布後、電子線露）しすることにより第
３図（ｄｌに示す如く、般小線幅１μｍｎの電子線レジ
ストパターン（１４）を形成した。さらにそ−のトから
′ｌ゛１を厚さ０．２１ｔｍに蒸着後５電子線レジスト
パターン（１４）を除去することによって第：３図（ｃ
ｌに示すｂ（（＜　、Ｔｉリフトオソパターン（１５）
ｒ、、　ｊヒ成した。

次に、Ｔ１　リフトオフパターン（１５）　ｋドライエ
ツチングのマスクとしてＡｕ蒸着膜（２０）を＾ｒガス
ＩＡ：　２　Ｘ　］　（−１−”　Ｔａｒｒ−、高１；
Ｊ　ｉ支出カフｏＷの条（生でスパッタエツチングした
後、ｉ’：　）地層（１２）と′１゛重リフトオフパタ
ーン（１５）をＣＪパ４ガスノ上２Ｔｏｒｒ高周波出力
２５０Ｗの条件でブラスマエッチングすることにより第
、３図（ｆｌの如（、Ｔｉ−ド地層（１２）とＡ−ｕ蒸
着層（２０）からなろ軟Ｘ線吸収性パターン（４）を形
成した。

次に第３図（ｇ１図示の如く、その＋、に′）も明高分
子１１１）’ｉとしてパリレンＮ（−コーニオン・カー
バイド社製、ポリパラギシリレン樹脂）ケ２　）ｔｍ厚
に蒸着し、その後所定の窓開Ｈを′４Ｊ々った大きさ５
×５インチ、厚さ０．０９インＰの石英ガラス製支持枠
（７）と、石英ガラス基板（１）の裏面を低融点ガラス
フリットを用いて、３５０”ｃ　３ｏ分熱処理すること
により接着層（８）を介して接着し、次いで石英カラス
）ＡＯ，仮（１）の１）ＩＪ記支持枠内の空間部に相対
する領域を４０φＮＨ４Ｆ　：　４９循ＩＬＦ二１０：
１のエツチング液で工、チング除去することにより本発
明による軟Ｘ線転写用マスクを胃だ。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆｌば、本発明の軟Ｘ線転写用マスク
の製造法の過程を示す！石１面図、第２区］（ａ）〜（
ｊ）は本発明の実施←１１１の製造法の過程を示ずｔｆ
ｉｉｉｔｕ［シ］、第３図（ａ）〜（ｇ）は本発明の実
施例２の製造法（”））ハｔ”＋“を２１＜１断Ｉｊｉ
図である。 け）・・・・・・・・石・庭ガラスジと４１又（２）・
・・・・窒化ｆ−４素糸１．・ぷ（３）・・・・・・・
・・−酢化ｔ＋、＋；掬合１］費（４）・・・・・・・
　すｙ（Ｘ＼泉１文収を生パターン（５）・・・・・・
・・透明１’％分１７膜（６）・・・・・・・・々：柿
体 （７）・・・・・・・・石乾力゛シス製支持＋１シ（８
）・・・・・・・・・１８　ｙｉｆ層粕許出１軸人　大
目木印Ａｆ＋ｌＪ株式会社代　理　人　弁理士小　西　
埠　芙 第３図 （０）　　団＝＝〒ゴｒ１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸化゛）′、“化珪累及び窒化珪素からなろＩ（
   １から選択される窒化佳素膜と、その上に積層された品
   固波スバッタリソグ法によシ生成される二酸化珪素膜の
   一層もしくは複数層とＣＶ　Ｄ法により生成される二酸
   化珪素膜の一層もしくは複数層とを、前育と後者が交、
   互に位置するように積層複合させた二酸化珪素複合膜と
   、その−トに設けられた軟Ｘ保及び可視光に対して透過
   率の高い１！＼明高分子ＩＩＱとからなる支持体と、Ｉ
   ）″ｌＩ記二酸ｆ）Ｉ　Ｆｉｉｊ素複合膜と透明高分子
   膜の間に設けられた軟Ｘ線吸収性パターンと前記支持体
   の窒化珪素糸膜［ｎ１側に設けられた石英ガラス製支持
   枠とからなることを特徴とする軟Ｘ線転写用マスク。
2. （２）石英ガラス基板上に酸化窒化珪素及び窒化珪素か
   らなる群から選択される窒化珪素系膜を形成し、次にそ
   のＨに高周波スパッタリング法により生成され２る圧縮
   応力を有する二酸化珪素膜とＣＶ　Ｌ）法により生成さ
   れる引張り；心力をｆ］する二１俊化珪素膜とを各々一
   層も（〜くは複数層交互に積層してニー酸化珪素複合ｉ
   艮を形成し、；Ｃの二酸化珪素複合膜の上に軟Ｘ線吸収
   物質からなる軟Ｘ線吸収性パターンを形成し、次に該軟
   Ｘ線吸収性パターンを設けた二酸化珪素複合膜面上に軟
   Ｘ　Ｘａ及び可視光に対し”（透過率の旨い透間高分子
   ｉｊ９を形成し、次いで＋ｉｉＪ　占己石英カラス基板
   に石英ガラス製支持枠を接着し、しかる１χミに前記石
   英ガラス基板の［）ＩＪ記支持’ｔ’（Ｉ４内の空間部
   に相対する領域を食刻除去することを′４４徴とする軟
   Ｘ線転写用マスクの製造法。