JPS6370422A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6370422A JPS6370422A JP61215280A JP21528086A JPS6370422A JP S6370422 A JPS6370422 A JP S6370422A JP 61215280 A JP61215280 A JP 61215280A JP 21528086 A JP21528086 A JP 21528086A JP S6370422 A JPS6370422 A JP S6370422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray exposure
- exposure mask
- silicon substrate
- stencils
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
メンブラン上に透明電極としてのラングミュア・ブロジ
ェット膜を介在し、該ＬＢ腹膜上吸収体パターンを設け
たＸ線露光用マスクである。このようなＸ線露光用マス
クは、均一な膜厚の吸収体パターンを有するマスクにな
る。
ェット膜を介在し、該ＬＢ腹膜上吸収体パターンを設け
たＸ線露光用マスクである。このようなＸ線露光用マス
クは、均一な膜厚の吸収体パターンを有するマスクにな
る。
［産業上の利用分野コ
本発明はＸ線露光用マスクの改善に関する。
Ｘ線露光法は、紫外線露光法と同じく一括露光方式（ス
テップアンドレピート方式を含む）を採ることができ、
しかも、サブミクロン級の微細パターンを転写できるた
めに、今後のりソグラフィ技術として重要視されており
、その実用化のための開発努力がなされている。
テップアンドレピート方式を含む）を採ることができ、
しかも、サブミクロン級の微細パターンを転写できるた
めに、今後のりソグラフィ技術として重要視されており
、その実用化のための開発努力がなされている。
従って、このようなＸ線露光法ではマスクが必須の重要
なもので、その高品質化が望まれている。
なもので、その高品質化が望まれている。
［従来の技術〕
Ｘ線露光用マスクの材料と構成については多くの研究が
発表されているが、例えば、メンブラン（ｍｅｍｂｒａ
ｎｅ ；膜）として窒化硼素（Ｂ Ｎ）を用い、Ｘ線吸
収体パターンとして金（Ａｕ）を形成する方式が知られ
ており、第４図にそのマスクの一例の断面を示している
。図中の１はＢＮ（メンブレン）、２はＩＴＯ膜、３は
金（Ａｕ）パターン、４はシリコン支持枠、５はパイレ
ックスリングである。
発表されているが、例えば、メンブラン（ｍｅｍｂｒａ
ｎｅ ；膜）として窒化硼素（Ｂ Ｎ）を用い、Ｘ線吸
収体パターンとして金（Ａｕ）を形成する方式が知られ
ており、第４図にそのマスクの一例の断面を示している
。図中の１はＢＮ（メンブレン）、２はＩＴＯ膜、３は
金（Ａｕ）パターン、４はシリコン支持枠、５はパイレ
ックスリングである。
なお、ＩＴＯ膜２はメッキ法で被着する金パターンの電
極とするために設けたもので、従って、この膜には透光
性と導電性とが要求される。このＩＴＯＯ２０酸化イン
ジウム（Ｉｎ２０３ ） ９５％、酸化錫（ＳｎＯ２）
５％ のＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅのことで、
透明な導電体膜として公知のものである。
極とするために設けたもので、従って、この膜には透光
性と導電性とが要求される。このＩＴＯＯ２０酸化イン
ジウム（Ｉｎ２０３ ） ９５％、酸化錫（ＳｎＯ２）
５％ のＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅのことで、
透明な導電体膜として公知のものである。
第５図ｆａｌ〜（ｄ）は第４図に示したＸ線露光用マス
クの形成工程順断面図を示しており、同図（ａ）はシリ
コン支持枠４．パイレックスリング５にＢＮ（メンブレ
ン）を形成したマスク基板の断面図で、形成法はシリコ
ン基板に化学気相成長（ＣＶＤ）法でＢＮＩ （膜厚
５μｍ程度）を被着し、片面にのみＢＮを残存させた後
、シリコン基板の反対面にパイレックスリング５を貼り
付け、最後にシリコン基板をエツチング除去して枠状の
シリコン支持枠４のみ残存させる。
クの形成工程順断面図を示しており、同図（ａ）はシリ
コン支持枠４．パイレックスリング５にＢＮ（メンブレ
ン）を形成したマスク基板の断面図で、形成法はシリコ
ン基板に化学気相成長（ＣＶＤ）法でＢＮＩ （膜厚
５μｍ程度）を被着し、片面にのみＢＮを残存させた後
、シリコン基板の反対面にパイレックスリング５を貼り
付け、最後にシリコン基板をエツチング除去して枠状の
シリコン支持枠４のみ残存させる。
次いで、第５図（ｂｌに示すように、マスク基板全面に
ＩＴＯ膜２をスパッタ法で被着する。このＩＴｏ膜２は
Ｘ線および光線を透過する必要があり、光線の透過はア
ライメント（位置合わせ）に光線を利用するからである
。
ＩＴＯ膜２をスパッタ法で被着する。このＩＴｏ膜２は
Ｘ線および光線を透過する必要があり、光線の透過はア
ライメント（位置合わせ）に光線を利用するからである
。
次いで、第５図（Ｃ）に示すように、ポリイミド６を膜
厚０．５〜２μｍ程度に積層し、このポリイミドをパタ
ーンニングして、ポリイミドからなるステンシル６を形
成する。このステンシル（５ｔｅｎｃｉｌ：型紙）５の
パターンニングは、公知の３層レジスト（トリレベル）
技術を用いておこなわれる。
厚０．５〜２μｍ程度に積層し、このポリイミドをパタ
ーンニングして、ポリイミドからなるステンシル６を形
成する。このステンシル（５ｔｅｎｃｉｌ：型紙）５の
パターンニングは、公知の３層レジスト（トリレベル）
技術を用いておこなわれる。
次いで、第５図＜ｄ＋に示すように、ＩＴＯ膜２を電極
にして、ＩＴＯ膜２の上に金メッキする。そうすると、
ステンシル６の部分を除き、膜厚０．６〜１μｍの金パ
ターン２を被着することができる。
にして、ＩＴＯ膜２の上に金メッキする。そうすると、
ステンシル６の部分を除き、膜厚０．６〜１μｍの金パ
ターン２を被着することができる。
次いで、ステンシル６を溶解除去またはアッシング除去
して、第４図の断面図に示すような構造のＸ線露光用マ
スクが完成される。尚、最近、ステンシル６を残存させ
たままのマスクも利用されている。
して、第４図の断面図に示すような構造のＸ線露光用マ
スクが完成される。尚、最近、ステンシル６を残存させ
たままのマスクも利用されている。
［発明が解決しようとする問題点コ
ところで、上記の形成工程において、ＩＴＯ膜２を電極
にして金パターンをメッキ法で被着すると、ＩＴＯ膜の
電気伝導率が安定していないために、均一な膜厚に金パ
ターンが形成されないと云う欠点がある。また、その応
力も高い圧縮応力であり好ましくない。
にして金パターンをメッキ法で被着すると、ＩＴＯ膜の
電気伝導率が安定していないために、均一な膜厚に金パ
ターンが形成されないと云う欠点がある。また、その応
力も高い圧縮応力であり好ましくない。
また、他の方法として、ＩＴＯ膜２の代わりに膜厚数十
Å以下の金膜をスパッタ法で被着して、これをメッキ電
極とする方法も公知となっているが、薄い金膜を制御性
良（被着することが難しく、特に、光を利用するアライ
メントが困難になると云う問題がある。
Å以下の金膜をスパッタ法で被着して、これをメッキ電
極とする方法も公知となっているが、薄い金膜を制御性
良（被着することが難しく、特に、光を利用するアライ
メントが困難になると云う問題がある。
本発明は、これらの問題点を解消させるＸ線露光用マス
クを提案するものである。
クを提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その問題は、メンブラン上に透明な導電性のラングミュ
ア・ブロジェット膜（以下、ＬＢ膜と呼ぶ）を介して、
吸収体パターンを設けたＸ線露光用マスクによって解決
される。
ア・ブロジェット膜（以下、ＬＢ膜と呼ぶ）を介して、
吸収体パターンを設けたＸ線露光用マスクによって解決
される。
［作用］
即ち、本発明は、メンブラン上に透明電極膜としてＬＢ
膜を介在させる。そうすると、ＬＢ膜は均一な膜厚で、
導電性も一定しているから、均一な膜厚の吸収体パター
ン、例えば、金パターンが形成される。
膜を介在させる。そうすると、ＬＢ膜は均一な膜厚で、
導電性も一定しているから、均一な膜厚の吸収体パター
ン、例えば、金パターンが形成される。
Ｌ Ｂ （Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）膜は
有機薄膜で、疎水基の末端に親水基をもつ両親媒性分子
を気・水界面に展開して安定な単分子膜に形成されるた
め、この単分子膜を固体表面に移しとって所望の層厚だ
け累積するもので、このようなＬＢ膜の一種として透明
な導電性膜が知られており、これを数分子層の膜厚でＢ
Ｎ膜の上に形成して、電極膜とするものである。
有機薄膜で、疎水基の末端に親水基をもつ両親媒性分子
を気・水界面に展開して安定な単分子膜に形成されるた
め、この単分子膜を固体表面に移しとって所望の層厚だ
け累積するもので、このようなＬＢ膜の一種として透明
な導電性膜が知られており、これを数分子層の膜厚でＢ
Ｎ膜の上に形成して、電極膜とするものである。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるＸ線露光用マスクの断面を示し
ており、１は膜厚３〜５μｍのＢＮ膜。
ており、１は膜厚３〜５μｍのＢＮ膜。
１２は膜厚２００人の導電性ＬＢ膜、１３は膜厚０．６
〜１μｍの金パターン、４はシリコン支持枠、５はパイ
レックスリングである。
〜１μｍの金パターン、４はシリコン支持枠、５はパイ
レックスリングである。
第２図は導電性ＬＢ膜を説明するための図で、同図（８
）はＬＢ膜構造のＸ型膜５Ｙ型膜、Ｚ型膜の３種のうち
、Ｙ型膜を模型化した図である。即ち、Ｙ型膜は親木基
を固体板面に向けて被着し、次に、疎水基（０で示して
いる）同士が向き合い、次に、親水基同士が向き合って
、かくして積層した累積膜である。このＹ型膜のうち、
ドナーとしてＮ−トコシルピリジニウム（記号および模
型（右側）を第２図（′ｂ）に示している）、アクセプ
タとしてＴＣＮＱアニオン（記号および模型（右側）を
第２図（０）に示している）を用いて、第２図（ｄｌに
示すように、１対ｌ錯体の単分子複合層を累積する。し
かし、このままでは導電性は大きくないから、沃素■２
蒸気を吸わせて構造を大きく変化させ、第２図（ｅ）に
示すようにＴＣＮＱの分子面を９０度回転させると、膜
面内方向に金属導電性が現れ、このようにして作成した
導電性ＬＢ膜をＢＮ上に成長させる。
）はＬＢ膜構造のＸ型膜５Ｙ型膜、Ｚ型膜の３種のうち
、Ｙ型膜を模型化した図である。即ち、Ｙ型膜は親木基
を固体板面に向けて被着し、次に、疎水基（０で示して
いる）同士が向き合い、次に、親水基同士が向き合って
、かくして積層した累積膜である。このＹ型膜のうち、
ドナーとしてＮ−トコシルピリジニウム（記号および模
型（右側）を第２図（′ｂ）に示している）、アクセプ
タとしてＴＣＮＱアニオン（記号および模型（右側）を
第２図（０）に示している）を用いて、第２図（ｄｌに
示すように、１対ｌ錯体の単分子複合層を累積する。し
かし、このままでは導電性は大きくないから、沃素■２
蒸気を吸わせて構造を大きく変化させ、第２図（ｅ）に
示すようにＴＣＮＱの分子面を９０度回転させると、膜
面内方向に金属導電性が現れ、このようにして作成した
導電性ＬＢ膜をＢＮ上に成長させる。
次に、第３図（ａｌ〜（ｄｌは本発明にかかるマスクの
形成工程順断面図を示しており、同図ｆａｌは第５図（
ａｌと同様のマスク基板の断面図である。図中の記号ｌ
は膜厚３〜５μｍのＢＮ、４はシリコン支持枠、５はパ
イレックスリング、である。
形成工程順断面図を示しており、同図ｆａｌは第５図（
ａｌと同様のマスク基板の断面図である。図中の記号ｌ
は膜厚３〜５μｍのＢＮ、４はシリコン支持枠、５はパ
イレックスリング、である。
次いで、第３図（ｂｌに示すように、ＢＮＩの上に膜厚
３００人の導電性ＬＢ膜１２を、上記のようにして被着
する。この導電性ＬＢ膜は透明で導電性があり、Ｘ線は
勿論、光を十分に透過する。
３００人の導電性ＬＢ膜１２を、上記のようにして被着
する。この導電性ＬＢ膜は透明で導電性があり、Ｘ線は
勿論、光を十分に透過する。
次いで、第３図（Ｃ）に示すように、ポリイミドかラナ
ルステンシル６を形成する。このステンシル５は、第４
図（Ｃ）で説明した従来法と同様に、膜厚０．５〜２μ
ｍのポリイミドを塗布してキュアし、これをパターンニ
ングしたものである。
ルステンシル６を形成する。このステンシル５は、第４
図（Ｃ）で説明した従来法と同様に、膜厚０．５〜２μ
ｍのポリイミドを塗布してキュアし、これをパターンニ
ングしたものである。
次いで、第３図（ｄｌに示すように、そのステンシル５
を含む面上に導電性ＬＢ膜１２を電極にして、ステンシ
ル５の間に膜厚０．６〜１μｍの金パターン２を形成す
る。
を含む面上に導電性ＬＢ膜１２を電極にして、ステンシ
ル５の間に膜厚０．６〜１μｍの金パターン２を形成す
る。
次いで、ステンシル６を溶解除去またはアンシング除去
して、第１図の断面図に示すような本発明にかかるＸ線
露光用マスクを作成する。このＸ線露光用マスクは、均
一な金パターンが精度良く形成されており、非常に高品
質なマスクである。
して、第１図の断面図に示すような本発明にかかるＸ線
露光用マスクを作成する。このＸ線露光用マスクは、均
一な金パターンが精度良く形成されており、非常に高品
質なマスクである。
尚、上記例は吸収体パターンを金パターンとしたが、金
パターンに限るものではない。
パターンに限るものではない。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば高品質
なＸ線露光用マスクが得られて、Ｘ線露光法の汎用化に
顕著に貢献するものである。
なＸ線露光用マスクが得られて、Ｘ線露光法の汎用化に
顕著に貢献するものである。
第１図は本発明にかかるＸ線露光用マスクの断面図、
第２図は導電性ＬＢ膜を説明する図、
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかるマスクの形成工
程順断面図、 第４図は従来のＸ線露光用マスクの断面図、第５図（５
）〜（ｄｌは従来のマスクの形成工程順断面図である。 図において、 １はＢＮ（メンブレン）、 ２はＩＴＯ膜、 ３．１３は金パターン、 ４はシリコン支持枠、 ５はパイレックスリング、 ６はポリイミドからなるステンシル、 １２は導電性ＬＢ膜 序々Ｂ小二で１−３ 、Ｘ ！宇蕗支ｍ７スフＮ１１
図 第３図 Ｃ）エフ績 （ｄ’ ｌｈ Ｐ’−７’ｎ
＜ｅ） Ｔ２１−“−フ・を梨導を村ＬＢＩり
えｆ、説明ｊシコ 第２図
程順断面図、 第４図は従来のＸ線露光用マスクの断面図、第５図（５
）〜（ｄｌは従来のマスクの形成工程順断面図である。 図において、 １はＢＮ（メンブレン）、 ２はＩＴＯ膜、 ３．１３は金パターン、 ４はシリコン支持枠、 ５はパイレックスリング、 ６はポリイミドからなるステンシル、 １２は導電性ＬＢ膜 序々Ｂ小二で１−３ 、Ｘ ！宇蕗支ｍ７スフＮ１１
図 第３図 Ｃ）エフ績 （ｄ’ ｌｈ Ｐ’−７’ｎ
＜ｅ） Ｔ２１−“−フ・を梨導を村ＬＢＩり
えｆ、説明ｊシコ 第２図
Claims (1)
- メンブラン上に透明な導電性のラングミュア・ブロジ
ェット膜を介して、吸収体パターンを設けたことを特徴
とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215280A JPS6370422A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215280A JPS6370422A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370422A true JPS6370422A (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16669701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215280A Pending JPS6370422A (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370422A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949538A3 (en) * | 1998-04-08 | 2000-02-23 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61215280A patent/JPS6370422A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949538A3 (en) * | 1998-04-08 | 2000-02-23 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
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