JPS5915510Y2 - 発光ダイオ−ド素子 - Google Patents
発光ダイオ−ド素子Info
- Publication number
- JPS5915510Y2 JPS5915510Y2 JP1978137511U JP13751178U JPS5915510Y2 JP S5915510 Y2 JPS5915510 Y2 JP S5915510Y2 JP 1978137511 U JP1978137511 U JP 1978137511U JP 13751178 U JP13751178 U JP 13751178U JP S5915510 Y2 JPS5915510 Y2 JP S5915510Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- diode element
- type region
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、例えば多数の発光ダイオード素子を組立基
板に配設してなる発光ダイオード表示装置を製造する際
、組立基板に容易にかつ短時間に設置できるような形状
にした発光ダイオード素子に関する。
板に配設してなる発光ダイオード表示装置を製造する際
、組立基板に容易にかつ短時間に設置できるような形状
にした発光ダイオード素子に関する。
従来の発光ダイオード素子は、第１図に示すように、ガ
リウムリン（ＧａＰ）等からなるＮ型基板１上に、Ｎ型
基板１の幅と同一幅のＰ型エピタキシャル層２を形成し
て矩形状に構成されている。
リウムリン（ＧａＰ）等からなるＮ型基板１上に、Ｎ型
基板１の幅と同一幅のＰ型エピタキシャル層２を形成し
て矩形状に構成されている。
そして、この発光ダイオード素子３を用いて発光ダイオ
ード表示装置を構成する場合、第２図に示すように、発
光ダイオード素子３を、組立基板４の所定位置に設けら
れた多数の取付用凹部５に、Ｐ型エピタキシャル層２を
上にして■個ずつ挿入したのち加熱し、発光ダイオード
素子３のＮ側の電極６を銀ペースト等の導電性接着剤７
により組立基板４に電気的に接続するとともに、発光ダ
イオード素子３のＰ側の電極８と組立基板４の電極９と
をリード線１０により接続する工程により行なわれる。
ード表示装置を構成する場合、第２図に示すように、発
光ダイオード素子３を、組立基板４の所定位置に設けら
れた多数の取付用凹部５に、Ｐ型エピタキシャル層２を
上にして■個ずつ挿入したのち加熱し、発光ダイオード
素子３のＮ側の電極６を銀ペースト等の導電性接着剤７
により組立基板４に電気的に接続するとともに、発光ダ
イオード素子３のＰ側の電極８と組立基板４の電極９と
をリード線１０により接続する工程により行なわれる。
ところで、前述の製造工程における各取付用凹部５に発
光ダイオード素子３を挿入する工程は、発光ダイオード
素子３のＮ型基板１とＰ型エピタキシャル層２のそれぞ
れの幅が同一であるため、発光ダイオード素子３の向き
を手作業により確認し、Ｐ型エピタキシャル層２を上方
に位置させて１個ずつ挿入すると云う極めて煩雑な作業
を要する。
光ダイオード素子３を挿入する工程は、発光ダイオード
素子３のＮ型基板１とＰ型エピタキシャル層２のそれぞ
れの幅が同一であるため、発光ダイオード素子３の向き
を手作業により確認し、Ｐ型エピタキシャル層２を上方
に位置させて１個ずつ挿入すると云う極めて煩雑な作業
を要する。
したがって、多数の発光ダイオード素子３を組立基板４
に配設する発光ダイオード表示装置の組立工程において
、かなりの長時間を要する。
に配設する発光ダイオード表示装置の組立工程において
、かなりの長時間を要する。
この考案は、前記従来の欠点に留意し、発光ダイオード
表示装置等を構成する場合に、容易な作業でかつ短時間
に組立基板に配設できる形状を有する発光ダイオード素
子を提供するものであり、つぎにこの考案を、その実施
例を示した第３図以下の図面とともに詳細に説明する。
表示装置等を構成する場合に、容易な作業でかつ短時間
に組立基板に配設できる形状を有する発光ダイオード素
子を提供するものであり、つぎにこの考案を、その実施
例を示した第３図以下の図面とともに詳細に説明する。
１実施例を示した第３図において、１１は発光ダイオー
ド素子、１２は発光ダイオード素子１１のガリウムリン
等からなるＮ型基板、１３．１３’はＮ型基板１２の上
面および下面の一部にそれぞれエピタキシャル成長また
は拡散法により形成されたＰ型領域、１４．１４’はＮ
型基板１２の両面のＮ型領域に真空蒸着によりそれぞれ
形成されたＮ側電極、１５゜１５′はＮ型基板１２の両
面のＰ型領域１３．１３’に真空蒸着によりそれぞれ形
成されたＰ側電極である。
ド素子、１２は発光ダイオード素子１１のガリウムリン
等からなるＮ型基板、１３．１３’はＮ型基板１２の上
面および下面の一部にそれぞれエピタキシャル成長また
は拡散法により形成されたＰ型領域、１４．１４’はＮ
型基板１２の両面のＮ型領域に真空蒸着によりそれぞれ
形成されたＮ側電極、１５゜１５′はＮ型基板１２の両
面のＰ型領域１３．１３’に真空蒸着によりそれぞれ形
成されたＰ側電極である。
つぎに、前記実施例の発光ダイオード素子１１を用いて
発光ダイオード表示装置を構成する場合について、第４
図ないし第６図とともに説明する。
発光ダイオード表示装置を構成する場合について、第４
図ないし第６図とともに説明する。
まず、第５図に示すように、あらかじめ組立基板４の上
面の複数個の各取付用凹部５の底面に、インジウムＩｎ
等の低融点金属１６を付着させて配線を施しておき、つ
ぎに、第４図に示すように、組立基板４上に前述の発光
ダイオード素子１１を多数個（簡略のため３個のみ図示
）載置し、先端面が平坦でかつ比較的柔いブラシ１７で
各発光ダイオード素子１１を移動させ、発光ダイオード
素子１１を取付用凹部５に挿入する。
面の複数個の各取付用凹部５の底面に、インジウムＩｎ
等の低融点金属１６を付着させて配線を施しておき、つ
ぎに、第４図に示すように、組立基板４上に前述の発光
ダイオード素子１１を多数個（簡略のため３個のみ図示
）載置し、先端面が平坦でかつ比較的柔いブラシ１７で
各発光ダイオード素子１１を移動させ、発光ダイオード
素子１１を取付用凹部５に挿入する。
この時、発光ダイオード素子１１は、Ｎ型領域とＰ型領
域１３とが形成された２つの面、すなわちＮ側電極１４
．１４’とＰ側電極１５．１５’が形成された２つの面
のいずれかが下方に位置した状態でのみ取付用凹部５に
適正な状態で挿入され、前述の２つの面のどちらが下方
に位置した状態で取付用凹部５に落込んでもよい。
域１３とが形成された２つの面、すなわちＮ側電極１４
．１４’とＰ側電極１５．１５’が形成された２つの面
のいずれかが下方に位置した状態でのみ取付用凹部５に
適正な状態で挿入され、前述の２つの面のどちらが下方
に位置した状態で取付用凹部５に落込んでもよい。
ここで、ブラシ１７による・１回の操作で全ての取付用
凹部５に発光ダイオード素子１１が挿入されない時は、
同様の操作を数回繰り返せばよい。
凹部５に発光ダイオード素子１１が挿入されない時は、
同様の操作を数回繰り返せばよい。
そして、組立基板４の各取付用凹部５にそれぞれ発光ダ
イオード素子１１が挿入されると、適当な温度で加熱し
て合金化処理を施すことにより、発光ダイオード素子１
１の下方のＮ側電極１４または１４′と低融点金属１６
とが融着して電気的に接続され、さらに、組立基板４の
電極９と各発光ダイオード素子１１の上方のＰ側電極１
５または１５′とを、リード線１０により接続し、発光
ダイオード表示装置の組立てが完了する。
イオード素子１１が挿入されると、適当な温度で加熱し
て合金化処理を施すことにより、発光ダイオード素子１
１の下方のＮ側電極１４または１４′と低融点金属１６
とが融着して電気的に接続され、さらに、組立基板４の
電極９と各発光ダイオード素子１１の上方のＰ側電極１
５または１５′とを、リード線１０により接続し、発光
ダイオード表示装置の組立てが完了する。
なお、合金化処理時に発光ダイオード素子１１の下方の
Ｐ側電極１５または１５も低融点金属１６を介して組立
基板４に電気的に接続されるが、上方のＰ側電極１５ま
たは１５′と組立基板４の電極９とをワイヤボンドする
ため、発光ダイオード素子１１の発光に対し支障がない
。
Ｐ側電極１５または１５も低融点金属１６を介して組立
基板４に電気的に接続されるが、上方のＰ側電極１５ま
たは１５′と組立基板４の電極９とをワイヤボンドする
ため、発光ダイオード素子１１の発光に対し支障がない
。
また、発光ダイオード素子１１の取付用凹部５への挿入
は、第６図に示すように、適当な数の発光ダイオード素
子１１を、組立基板４に分散させて載置し、組立基板４
を矢印で示すように往復運動させることにより、発光ダ
イオード素子１１を移動させて取付用凹部５に挿入する
ようにしてもよい。
は、第６図に示すように、適当な数の発光ダイオード素
子１１を、組立基板４に分散させて載置し、組立基板４
を矢印で示すように往復運動させることにより、発光ダ
イオード素子１１を移動させて取付用凹部５に挿入する
ようにしてもよい。
以上のように、この考案の発光ダイオード素子によると
、組立基板の上面に複数個形成されそれぞれの底面に低
融点金属が設けられた各取付用凹部にそれぞれが挿入さ
れる発光ダイオード素子において、Ｎ型基板の上面およ
び下面の一部にそれぞれＰ壁領域を形成し、前記上面の
Ｎ型領域およびＰ壁領域にそれぞれ電極を形成するとと
もに、前記下面のＮ型領域およびＰ壁領域にそれぞれ電
極を形成したことにより、発光ダイオード素子を発光ダ
イオード表示装置に使用する場合に、発光ダイオード素
子の向きを手動で確認して１個ずつ取付けていた従来の
煩雑な作業を解消することができ、多数の発光ダイオー
ド素子を装置の取付部に容易にかつ短時間に設置するこ
とができ、工数を大幅に削減することができる。
、組立基板の上面に複数個形成されそれぞれの底面に低
融点金属が設けられた各取付用凹部にそれぞれが挿入さ
れる発光ダイオード素子において、Ｎ型基板の上面およ
び下面の一部にそれぞれＰ壁領域を形成し、前記上面の
Ｎ型領域およびＰ壁領域にそれぞれ電極を形成するとと
もに、前記下面のＮ型領域およびＰ壁領域にそれぞれ電
極を形成したことにより、発光ダイオード素子を発光ダ
イオード表示装置に使用する場合に、発光ダイオード素
子の向きを手動で確認して１個ずつ取付けていた従来の
煩雑な作業を解消することができ、多数の発光ダイオー
ド素子を装置の取付部に容易にかつ短時間に設置するこ
とができ、工数を大幅に削減することができる。
第１図は従来の発光ダイオード素子の正面図、第２図は
第１図の発光ダイオード素子を用いた発光ダイオード表
示装置の一部断面図、第３図はこの考案の発光ダイオー
ド素子の１実施例の正面図、第４図は第３図の発光ダイ
オード素子を組立基板に設置する場合の１例を示す斜視
図、第５図は第３図の発光ダイオード素子を適用した発
光ダイオード表示装置の一部断面図、第６図は第３図の
発光ダイオード素子を組立基板に設置する場合の他の例
を示す斜視図である。 １２・・・・・・Ｎ型基板、１３．１３’・・・・・・
Ｐ壁領域、１４．１４’。 １５．１５′・・・・・・電極。
第１図の発光ダイオード素子を用いた発光ダイオード表
示装置の一部断面図、第３図はこの考案の発光ダイオー
ド素子の１実施例の正面図、第４図は第３図の発光ダイ
オード素子を組立基板に設置する場合の１例を示す斜視
図、第５図は第３図の発光ダイオード素子を適用した発
光ダイオード表示装置の一部断面図、第６図は第３図の
発光ダイオード素子を組立基板に設置する場合の他の例
を示す斜視図である。 １２・・・・・・Ｎ型基板、１３．１３’・・・・・・
Ｐ壁領域、１４．１４’。 １５．１５′・・・・・・電極。
Claims (1)
- 組立基板の上面に複数個形成されそれぞれの底面に低融
点金属が設けられた各取付用凹部にそれぞれ挿入される
発光ダイオード素子において、Ｎ型基板の上面および下
面の一部にそれぞれＰ型領域を形成し、前記上面のＮ型
領域およびＰ型領域にそれぞれ電極を形成するとともに
、前記下面のＮ型領域およびＰ型領域にそれぞれ電極を
形成した発光ダイオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978137511U JPS5915510Y2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 発光ダイオ−ド素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978137511U JPS5915510Y2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 発光ダイオ−ド素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5554965U JPS5554965U (ja) | 1980-04-14 |
| JPS5915510Y2 true JPS5915510Y2 (ja) | 1984-05-08 |
Family
ID=29109773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978137511U Expired JPS5915510Y2 (ja) | 1978-10-05 | 1978-10-05 | 発光ダイオ−ド素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915510Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3315785A1 (de) * | 1983-04-30 | 1984-11-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Kraftfahrzeugleuchte |
-
1978
- 1978-10-05 JP JP1978137511U patent/JPS5915510Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5554965U (ja) | 1980-04-14 |
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