JPS59159574A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
- Publication number
- JPS59159574A JPS59159574A JP58032901A JP3290183A JPS59159574A JP S59159574 A JPS59159574 A JP S59159574A JP 58032901 A JP58032901 A JP 58032901A JP 3290183 A JP3290183 A JP 3290183A JP S59159574 A JPS59159574 A JP S59159574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transparent conductive
- amorphous
- solar cell
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は透明導電膜の表面を粗粒面にして光の吸収効
率を増加させたアモルファス太陽電池に関する。
率を増加させたアモルファス太陽電池に関する。
従来アモルファス太陽電池の透明電極には導電性が優れ
ていることから、イソジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が使
用されてきた。しかしアモルファス太陽電池の積層は低
真空中のプラズマＣＶＤ法によってモノシラン（ｓｉｈ
）などのガスを分解させて実施するため、ＩＴＯがプ
ラズマによシ劣化する。このため現在ではＩＴＯより導
電性は低いが、プラズマに対して安定なＳルＯ８をＩＴ
Ｏの表面にコーティングして特性を改善したものを使用
している。また上記８ｎ０２をコーティングした透明電
極については電気伝導度、プラズマに対する安定性及び
透明度が良否判定の基準となっていることから、従来で
は透明電極の表面を平滑にする程良いと考えられていた
。しかし透明導電膜の表面形状を変えて実験したところ
、平滑面にするよシ粗粒面にする方が光の吸収効率が増
加することが解った。
ていることから、イソジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が使
用されてきた。しかしアモルファス太陽電池の積層は低
真空中のプラズマＣＶＤ法によってモノシラン（ｓｉｈ
）などのガスを分解させて実施するため、ＩＴＯがプ
ラズマによシ劣化する。このため現在ではＩＴＯより導
電性は低いが、プラズマに対して安定なＳルＯ８をＩＴ
Ｏの表面にコーティングして特性を改善したものを使用
している。また上記８ｎ０２をコーティングした透明電
極については電気伝導度、プラズマに対する安定性及び
透明度が良否判定の基準となっていることから、従来で
は透明電極の表面を平滑にする程良いと考えられていた
。しかし透明導電膜の表面形状を変えて実験したところ
、平滑面にするよシ粗粒面にする方が光の吸収効率が増
加することが解った。
この発明はかかる点に着目してなされたもので、透明電
極に形成する透明導電膜を粗粒面として光の吸収効率を
増大させることにより特性を向ｌ二させたアモルファス
太Ｉ匂′ＩＴ氾ノ、全拵供しようとするものである。
極に形成する透明導電膜を粗粒面として光の吸収効率を
増大させることにより特性を向ｌ二させたアモルファス
太Ｉ匂′ＩＴ氾ノ、全拵供しようとするものである。
以下この発明の一実施例金図面を参照して詳述する。
第１図は、ＳｉＣを使用Ｌ７たＰｒｎ型のアモルファス
太陽妊？ｔｉｙを示ずもので、ガラス−［−に透明導電
膜５を蒸着１〜、その−にに１゛−アモルファスＳｉ４
、ｔ−アモルファスＳ’ ３ ｐ ｎ−アモルファスＳ
’２ を順次積層し、更にその土に金属電極１を付け
たものである。光（４ガラス狽（ｊより入光するように
なつ゛〔いる。
太陽妊？ｔｉｙを示ずもので、ガラス−［−に透明導電
膜５を蒸着１〜、その−にに１゛−アモルファスＳｉ４
、ｔ−アモルファスＳ’ ３ ｐ ｎ−アモルファスＳ
’２ を順次積層し、更にその土に金属電極１を付け
たものである。光（４ガラス狽（ｊより入光するように
なつ゛〔いる。
上記構成されたアモルファス太１％篭准の透明電極５の
透明導電膜は１、ガラス６０表＋＋ＵにＩ ＴＯやＩＴ
Ｏ” ＳｎＯ２を電子ビーム蒸着法により蒸着すること
によって形成されているが、従来では透明導電膜の表面
は平ＰＲな程良いと考えられていたこと本あって、その
表面同第６Ｍ（イ）に示すような平滑面に仕上げられて
おり、そのＩｉカフ侍性は第２図ｄに示すものであった
。なお特性値については後述する。
透明導電膜は１、ガラス６０表＋＋ＵにＩ ＴＯやＩＴ
Ｏ” ＳｎＯ２を電子ビーム蒸着法により蒸着すること
によって形成されているが、従来では透明導電膜の表面
は平ＰＲな程良いと考えられていたこと本あって、その
表面同第６Ｍ（イ）に示すような平滑面に仕上げられて
おり、そのＩｉカフ侍性は第２図ｄに示すものであった
。なお特性値については後述する。
次に透明導電膜の表面粗さを第３図から第５夕１に示す
ように変えて、−１−記従来のものと同様な方法で出力
特性を＜ｉｌｌ定しまたところ、第２図σないしＣに示
す結果が得られた。
ように変えて、−１−記従来のものと同様な方法で出力
特性を＜ｉｌｌ定しまたところ、第２図σないしＣに示
す結果が得られた。
第３図（イ）Ｋおける透明導ｒ程膜は電子ビーム蒸ン湾
法により形成したもので、その表面をさらに拡大すると
第３図（１′−リに示すように立方体状の結晶が成長し
て粗粒面を形成しでおり、出力特性′６１１１定伯果て
は、この構造の粗粒面がもつとも効率がよいことが確認
できた。
法により形成したもので、その表面をさらに拡大すると
第３図（１′−リに示すように立方体状の結晶が成長し
て粗粒面を形成しでおり、出力特性′６１１１定伯果て
は、この構造の粗粒面がもつとも効率がよいことが確認
できた。
捷だ第４図（イ）に示す透明感′習１模も上記第３図に
示すものと同様な方法で製造されており、その表面をさ
らに４ノへ大すると第４図（ロ）に示すように立方体状
ではないが、凹凸の激し７いものであり、出力特性は第
２を閾ｔ７１１に示す通りである。
示すものと同様な方法で製造されており、その表面をさ
らに４ノへ大すると第４図（ロ）に示すように立方体状
ではないが、凹凸の激し７いものであり、出力特性は第
２を閾ｔ７１１に示す通りである。
さらに第５図（イフに示′１−透明導電膜も上記第３図
及び第４図に示すものと同様な方法で製造され、その表
面をさらに拡大すると、第４図（ロ）に示すものほどで
ｌ−１ないがかなり凹凸の激しいものとなっており、そ
の出力特性は第２図Ｃと、（ＩＩｉ＋ ′１１の場合で
も、従来の表１ｈｊ台・千沖ンとしたものに比・べて出
力！特性が優れ一τいることが苛Ｃ認できた。
及び第４図に示すものと同様な方法で製造され、その表
面をさらに拡大すると、第４図（ロ）に示すものほどで
ｌ−１ないがかなり凹凸の激しいものとなっており、そ
の出力特性は第２図Ｃと、（ＩＩｉ＋ ′１１の場合で
も、従来の表１ｈｊ台・千沖ンとしたものに比・べて出
力！特性が優れ一τいることが苛Ｃ認できた。
なお第３図（イ）（ロ）ないし第６図（イ）（口ｊは何
第１も電子顕微縫写へてあって、図下のなり字Ｕ倍率を
示す。すなわち５０．４ＫＸ ｋｆ ５０．４ｘｔＯ倍
を示すものである。
第１も電子顕微縫写へてあって、図下のなり字Ｕ倍率を
示す。すなわち５０．４ＫＸ ｋｆ ５０．４ｘｔＯ倍
を示すものである。
丑た各図にふ・ける（・四に“透明溝眼力１１の膜厚を
示す（単位Ｎ）１、 さらにヒ記各太陽電北の的↑り： ＋−，ｊ：開放市！
］−ｆＯｃ、短絡電流ｉ３ｃ、曲・線囚了−ＦＦ、効率
η とＬ７た欠ｉ合次の通りである。
示す（単位Ｎ）１、 さらにヒ記各太陽電北の的↑り： ＋−，ｊ：開放市！
］−ｆＯｃ、短絡電流ｉ３ｃ、曲・線囚了−ＦＦ、効率
η とＬ７た欠ｉ合次の通りである。
この発明は以ヒ詳述し／ζように透明１に極に形成する
透明導電膜の表面を粗粒面と１〜たことにより、従来の
平滑面のものに比べて反射損失が清く少し光吸収効率が
増大することから、太陽電４１ＬとＬ７での特性も従来
のものに比べて一段と向上させることができる。
透明導電膜の表面を粗粒面と１〜たことにより、従来の
平滑面のものに比べて反射損失が清く少し光吸収効率が
増大することから、太陽電４１ＬとＬ７での特性も従来
のものに比べて一段と向上させることができる。
この粗粒面を持つブこ透明導電膜は、ＳＵＳ等の金に基
４反を用い、この上に順次複数のアモルファスＳｉ層を
積層し、この後透明導也ｉ１Ｍを着け、さらに◇端電極
を着けた、いわゆる◇鴫基板を用いたアモルファス太陽
′屯油、にも同様に応用することができ、その場合の効
果も同様であつ、た。
４反を用い、この上に順次複数のアモルファスＳｉ層を
積層し、この後透明導也ｉ１Ｍを着け、さらに◇端電極
を着けた、いわゆる◇鴫基板を用いたアモルファス太陽
′屯油、にも同様に応用することができ、その場合の効
果も同様であつ、た。
図面はこの発明の一＝一実施例を示し、第１図はアモル
ファス太陽電池の構造を示す＋＋！を略図、第２図は出
力特性を示す線図、第３ｙ１（イ）、（ロ）、第４図（
イ）、（ロ）、第５図（イ）、第６図（イ）、（ロ）は
夫々透明導電膜の表面粗ｉｌ＆を示す顕微鏡写真、第３
図（ハ）、第４図（ハ）、第６図（ハ）１づこ回膜ｊ卓
を示す断面図である。 １は金属電極、５け透明電極、６けガラス層。 第 ５ 図 （イ） ３３６−− 第６図 くイ） 手続補正術（方式） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １事件の表示 特願昭５８−０３２９０１ 号２、
発明の名称 アモルファス太１＠電池３、補正をする
者 氏 名 小松電子金属株式会社（ほか１名代表者
油 井 − ５、補正命令の日イづ 昭和５８年５月１１日（発送日 昭和５８年５月３１日
）６補正の対象 ｌ補正の内容 （１） 明細摺、第６百１７行目〜１８行目を次のよ
うに訂正する。 「 （ハ）、第Ａ因（ハ）、第５図（−１、第６図（ハ
）は同膜厚を示す断面図である。Ｊ ３３７−
ファス太陽電池の構造を示す＋＋！を略図、第２図は出
力特性を示す線図、第３ｙ１（イ）、（ロ）、第４図（
イ）、（ロ）、第５図（イ）、第６図（イ）、（ロ）は
夫々透明導電膜の表面粗ｉｌ＆を示す顕微鏡写真、第３
図（ハ）、第４図（ハ）、第６図（ハ）１づこ回膜ｊ卓
を示す断面図である。 １は金属電極、５け透明電極、６けガラス層。 第 ５ 図 （イ） ３３６−− 第６図 くイ） 手続補正術（方式） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １事件の表示 特願昭５８−０３２９０１ 号２、
発明の名称 アモルファス太１＠電池３、補正をする
者 氏 名 小松電子金属株式会社（ほか１名代表者
油 井 − ５、補正命令の日イづ 昭和５８年５月１１日（発送日 昭和５８年５月３１日
）６補正の対象 ｌ補正の内容 （１） 明細摺、第６百１７行目〜１８行目を次のよ
うに訂正する。 「 （ハ）、第Ａ因（ハ）、第５図（−１、第６図（ハ
）は同膜厚を示す断面図である。Ｊ ３３７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 透明導電膜の表面を粗粒面としたことを特徴とす
るアモルファス太陽電池。 ２、基板にガラスを用い、ガラス面上に表面を粗粒面と
した透明導電膜を着け、順次複数のアモルファス５Ｌ）
−を積層し、最後に金属電極を着けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項のアモルファス太陽電池。 １ 基板に金属を用い、その上に順次複数のアモルファ
スＳＬ層１＝積層し、その後表面を粗粒面とした透明導
電膜を着け、更にそり上に金属電極を着けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項のアモルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032901A JPS59159574A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032901A JPS59159574A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159574A true JPS59159574A (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0470788B2 JPH0470788B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=12371794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032901A Granted JPS59159574A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159574A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63456A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Tdk Corp | 太陽電池用透明導岩膜の製造方法 |
| US5964962A (en) * | 1995-11-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for solar cell and method for producing the same; substrate treatment apparatus; and thin film solar cell and method for producing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP58032901A patent/JPS59159574A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63456A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-05 | Tdk Corp | 太陽電池用透明導岩膜の製造方法 |
| US5964962A (en) * | 1995-11-13 | 1999-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for solar cell and method for producing the same; substrate treatment apparatus; and thin film solar cell and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470788B2 (ja) | 1992-11-11 |
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