JPH01227304A - マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 - Google Patents
マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法Info
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- JPH01227304A JPH01227304A JP63054470A JP5447088A JPH01227304A JP H01227304 A JPH01227304 A JP H01227304A JP 63054470 A JP63054470 A JP 63054470A JP 5447088 A JP5447088 A JP 5447088A JP H01227304 A JPH01227304 A JP H01227304A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、誘電体共振器、フィルタなどに用いられるマ
イクロ波誘電体磁器組成物およびその製造方法に係るも
ので、特に添加物により各種の特性を改善するとともに
、仮焼方法を変えることによっても特性を改善するもの
である。
イクロ波誘電体磁器組成物およびその製造方法に係るも
ので、特に添加物により各種の特性を改善するとともに
、仮焼方法を変えることによっても特性を改善するもの
である。
数百ＭＨｚからＧＨｚ帯が利用される移動通信用等のフ
ィルタとして誘電体フィルタが用いられる。
ィルタとして誘電体フィルタが用いられる。
この誘電体フィルタの材料として、ＭｇＯ−Ｃａ０−Ｔ
ｉＯ□系やＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２。系など、種々の磁器組
成物が用いられているが、一般に誘電率、Ｑ１温度特性
の優れたものが要求されている。
ｉＯ□系やＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２。系など、種々の磁器組
成物が用いられているが、一般に誘電率、Ｑ１温度特性
の優れたものが要求されている。
そのような組成物の一つとしてＢａＯ−ＴｉＯ□−Ｎｄ
２０３から成るものがある。この系は、前記の系に比較
して誘電率が高く、共振器、フィルタを小型化すること
ができる。この成分系で幾つかのサンプルを作成し、そ
の特性を測定すると次の表の通りであった。
２０３から成るものがある。この系は、前記の系に比較
して誘電率が高く、共振器、フィルタを小型化すること
ができる。この成分系で幾つかのサンプルを作成し、そ
の特性を測定すると次の表の通りであった。
また、第１図に示すような三元図の斜線の部分すなわち
、ＸＢａＯ＋ ＹＴｉ０２ ＋ ＺＮｄｚ０３と表した
とき、Ｘ、Ｙ、Ｚがそれぞれ、８．５ ≦Ｘ ≦１９．
０．６７．０≦Ｙ≦７１．０．１４．０≦Ｚ≦２４．５
（モル％） （ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）の範囲で、誘
電率が６０以上、Ｑが３８００以上、温度係数が７０以
下となり、利用可能な範囲であることが分かった。
、ＸＢａＯ＋ ＹＴｉ０２ ＋ ＺＮｄｚ０３と表した
とき、Ｘ、Ｙ、Ｚがそれぞれ、８．５ ≦Ｘ ≦１９．
０．６７．０≦Ｙ≦７１．０．１４．０≦Ｚ≦２４．５
（モル％） （ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）の範囲で、誘
電率が６０以上、Ｑが３８００以上、温度係数が７０以
下となり、利用可能な範囲であることが分かった。
上記の表に示したように、三元系でも温度係数がＯとな
るポイントもあるが、この点においてはＱが小さくなり
、Ｑが高い領域で温度特性の良好なものが望ましい。も
ちろん誘電率も共振器、フィルタを小型化するために高
い方が望ましい。
るポイントもあるが、この点においてはＱが小さくなり
、Ｑが高い領域で温度特性の良好なものが望ましい。も
ちろん誘電率も共振器、フィルタを小型化するために高
い方が望ましい。
本発明は、誘電率、Ｑ、温度特性の面で優れた特性を有
するマイクロ波用誘電体磁器組成物を得ようとするもの
である。
するマイクロ波用誘電体磁器組成物を得ようとするもの
である。
特に、高いＱを維持したまま温度特性を改善したマイク
ロ波用誘電体磁器組成物を得ようとするものである。
ロ波用誘電体磁器組成物を得ようとするものである。
また、仮焼、添加等の方法を改善することによって、特
にＱの特性を大幅に向上させようとするものである。
にＱの特性を大幅に向上させようとするものである。
本発明は、ＢａＯ−Ｔｉ０２−ＮｄｚＯｓの基本組成に
Ｂｉ４Ｔｉａ０１２とＡｌｔＯ，を添加することによっ
て上記の課題を解決するものである。
Ｂｉ４Ｔｉａ０１２とＡｌｔＯ，を添加することによっ
て上記の課題を解決するものである。
また、比較高温で仮焼した後にＢｉ、Ｔｉ、０゜とＡｈ
Ｏｓを添加することによって、更に特性を改善するもの
である。
Ｏｓを添加することによって、更に特性を改善するもの
である。
すなわち、ＢａＯ、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３から成り、こ
れを一般式 ％式％ （ただし、Ｘ ＋Ｙ ＋Ｚ ＝１） （７）範囲の組成
物１００重量部に対し、旧、Ｔｉ、０゜が５〜１２重量
部添加され、Ａｌｔｏｓが２重量部添加したことに特徴
を有するマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
れを一般式 ％式％ （ただし、Ｘ ＋Ｙ ＋Ｚ ＝１） （７）範囲の組成
物１００重量部に対し、旧、Ｔｉ、０゜が５〜１２重量
部添加され、Ａｌｔｏｓが２重量部添加したことに特徴
を有するマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
また、この組成物を製造するために、 ＢａＯ１ＴｉＯ
２，Ｎｄ２Ｏ２から成る仮焼物を製造し、これにＢｉ４
ＴｉｚＯ＋ｔとＡｌｔＯ，を添加して焼成することに特
徴を有するマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法で
ある。
２，Ｎｄ２Ｏ２から成る仮焼物を製造し、これにＢｉ４
ＴｉｚＯ＋ｔとＡｌｔＯ，を添加して焼成することに特
徴を有するマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方法で
ある。
ＢａＯ、ＴｉＯ２，Ｎｄ、０３は焼成温度の８５〜９６
％の温度、すなわち１１２０〜１２５０ ＠Ｃで仮焼し
、これにＢｉｎＴｉ５Ｏ＋□とＡｌｚ（ｈを添加して所
定の温度で焼成することに特徴を有するものである。
％の温度、すなわち１１２０〜１２５０ ＠Ｃで仮焼し
、これにＢｉｎＴｉ５Ｏ＋□とＡｌｚ（ｈを添加して所
定の温度で焼成することに特徴を有するものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
前記の三成分にＢｉ４ＴｉｚＯ＋ｔのみを加えた誘電体
磁器組成物のサンプルの特性は次の表の通りになってい
た。
磁器組成物のサンプルの特性は次の表の通りになってい
た。
（ＢｉｄｉｚＯ□は重量％、その他はモル％）また、試
料２の基本組成にＢｔｄｉ３０＋□を１２−ｔ％添加し
たときの、それらの仮焼温度による特性の変化を示した
のが第２図である。
料２の基本組成にＢｔｄｉ３０＋□を１２−ｔ％添加し
たときの、それらの仮焼温度による特性の変化を示した
のが第２図である。
このようにＢｉミオＴｉ３．ｚのみの添加で温度特性の
良好な組成を得ようとすると、Ｑが低下してしまう問題
があった。
良好な組成を得ようとすると、Ｑが低下してしまう問題
があった。
そこで、特性の改善を検討した結果、この組成にＡ１１
（ｈを少量添加すると温度特性が大幅に改善されること
が分かった。
（ｈを少量添加すると温度特性が大幅に改善されること
が分かった。
この磁器組成物を製造する際には、ＢａＣ０，、ＴｉＯ
いＮｄｚＯ＊を所定量秤量し、ボールミルにて２４時間
混合し、乾燥後、１０００〜１１００ ” Ｃで仮焼す
る方法を採った。仮焼物を再びボールミルで所定の重量
％のＢｉ４ＴｉｉＯ＋ｚとＡＩ！０３とともに粉砕湿式
混合後、バインダーを添加し、スプレードライヤで造粒
した。この造粒物を１２Φ×１抛蒙になるように３００
０Ｋｇ／ｃａａ”の圧力で成型し、１３００〜１３５０
°Ｃで焼成してサンプルを作成した。
いＮｄｚＯ＊を所定量秤量し、ボールミルにて２４時間
混合し、乾燥後、１０００〜１１００ ” Ｃで仮焼す
る方法を採った。仮焼物を再びボールミルで所定の重量
％のＢｉ４ＴｉｉＯ＋ｚとＡＩ！０３とともに粉砕湿式
混合後、バインダーを添加し、スプレードライヤで造粒
した。この造粒物を１２Φ×１抛蒙になるように３００
０Ｋｇ／ｃａａ”の圧力で成型し、１３００〜１３５０
°Ｃで焼成してサンプルを作成した。
このサンプルをＨＡＫＫＩ ＆ ＣＯＬＥＭＡＮ法によ
り３〜４ ＧＨ２で測定し、誘電率εｒ、Ｑ、温度係数
τｆをそれぞれ求めた。その結果は次の表のようになっ
ていた。
り３〜４ ＧＨ２で測定し、誘電率εｒ、Ｑ、温度係数
τｆをそれぞれ求めた。その結果は次の表のようになっ
ていた。
このように、誘電率とＱは僅かに低下するが、少量の添
加で温度特性を改善することができた。
加で温度特性を改善することができた。
また、前記基本成分の仮焼の方法を変えることによって
Ｑが大幅に向上することが確認された。
Ｑが大幅に向上することが確認された。
以下、その方法について説明する。
前記の通り、従来のセラミックの製造方法においては、
必要な原料粉末を秤量、混合し、それを粒成長の起こら
ない程度の低い温度で仮焼し、その後に粉砕、成形、焼
成している。すなわち、焼成の緻密化が気体できる低い
温度、通常焼成温度の７０〜８０％以下の温度で仮焼し
ている。あまり高い温度では焼成したとき緻密化できな
いし、またそのような高い温度で仮焼する必要もなかっ
た。
必要な原料粉末を秤量、混合し、それを粒成長の起こら
ない程度の低い温度で仮焼し、その後に粉砕、成形、焼
成している。すなわち、焼成の緻密化が気体できる低い
温度、通常焼成温度の７０〜８０％以下の温度で仮焼し
ている。あまり高い温度では焼成したとき緻密化できな
いし、またそのような高い温度で仮焼する必要もなかっ
た。
本発明は、ＢａＯＴｉ１ｔ ＮｄｚＯｓから成る組
成物を高温で仮焼し、その後にＢｉ、Ｔｉ、Ｏ□とＡｌ
２Ｏ３を添加して焼成すると、マイクロ波におけるＱ特
性が著しく改善される実験結果に基づいている。
成物を高温で仮焼し、その後にＢｉ、Ｔｉ、Ｏ□とＡｌ
２Ｏ３を添加して焼成すると、マイクロ波におけるＱ特
性が著しく改善される実験結果に基づいている。
本発明によるマイクロ波誘電体磁器組成物を製造するに
あたって、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３を所定量
秤量し、ボールミルにて２４時間混合し、乾燥後、１１
２０〜１２５０ ” Ｃで仮焼した。仮焼物を再びボー
ルミルで粉砕後、ＢｉｎＴｉ３０＋ｚとＡｌｚ０３を所
定量加え、バインダーを添加して２時間混合し、スプレ
ードライヤで造粒した。この造粒物を１２Φ×１０１１
Ｉ１１に成形し、１３００〜１３５０ ” Ｃで焼成し
てサンプルを作成した。
あたって、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３を所定量
秤量し、ボールミルにて２４時間混合し、乾燥後、１１
２０〜１２５０ ” Ｃで仮焼した。仮焼物を再びボー
ルミルで粉砕後、ＢｉｎＴｉ３０＋ｚとＡｌｚ０３を所
定量加え、バインダーを添加して２時間混合し、スプレ
ードライヤで造粒した。この造粒物を１２Φ×１０１１
Ｉ１１に成形し、１３００〜１３５０ ” Ｃで焼成し
てサンプルを作成した。
第２図に示した例と比較するために、Ｂｉ４ＴｉｉＯ＋
ｚのみを添加した場合の仮焼温度と特性の関係を示した
のが第３図である。仮焼温度が１１５０ ” Ｃ以上と
なると、焼成後のＱが大幅に向上していることがわかる
。
ｚのみを添加した場合の仮焼温度と特性の関係を示した
のが第３図である。仮焼温度が１１５０ ” Ｃ以上と
なると、焼成後のＱが大幅に向上していることがわかる
。
上記の結果から、ＢａＯ−Ｔｉｅ、−ＮｄｚＯ，の基本
材料を焼成温度（１３００〜１３５０’Ｃ）の８５〜９
６％の範囲で仮焼することによって、僅かに誘電率は下
がるが、Ｑは大幅に改善されることが分かった。
材料を焼成温度（１３００〜１３５０’Ｃ）の８５〜９
６％の範囲で仮焼することによって、僅かに誘電率は下
がるが、Ｑは大幅に改善されることが分かった。
上記のＱの改善の理由は十分解明されていないが、結晶
粒成長とＢｉの粒内拡散が関係していると考えられる。
粒成長とＢｉの粒内拡散が関係していると考えられる。
この組成では、ＢｉｎＴｉ３０＋ｚが８００ ”Ｃ以上
で液相となり、焼結性を促進してくれるため、大きな密
度低下もなく、良好な磁器が得られる。
で液相となり、焼結性を促進してくれるため、大きな密
度低下もなく、良好な磁器が得られる。
Ｂｉ４．ＴｉｚＯ＋ｚの添加量を変えて測定した結果を
第４図に示す。前記の式において、Ｘ＝１４（ル％、Ｙ
＝６９上６９モＸ＝１７モル％のとなるようにし、３ｉ
ｄｉ３０、□の添加量を変えてその結果を測定した。添
加量が増えるにしたがってＱは低下し、２０ｗｔ％を超
えるとＱが３０００以下となってしまい、実用に適さな
くなってしまう。
第４図に示す。前記の式において、Ｘ＝１４（ル％、Ｙ
＝６９上６９モＸ＝１７モル％のとなるようにし、３ｉ
ｄｉ３０、□の添加量を変えてその結果を測定した。添
加量が増えるにしたがってＱは低下し、２０ｗｔ％を超
えるとＱが３０００以下となってしまい、実用に適さな
くなってしまう。
また、Ａ１．０３の添加量を変えて測定した結果を第５
図に示す。前記の式において、Ｘ＝１０上１０モＹ＝６
９量ル％、Ｘ＝２１上２１モ基本組成にＡｈＯｓを添加
し、゛その添加量を変えた場合の温度特性τｆを示した
のが破線２２である。無添加のとき３０ｐｐｍであった
のが、１．０ｗｔ％でほぼＯとなった。またＸ＝１３ｕ
％、Ｙ ＝７０−ｔ８％、Ｘ ＝１７ｔ＄％の基本組成
の場合を示したのが実線２１である。添加量を増やすに
従って温度特性が改善され、２．０ｗｔ％で約５ｐｐｍ
まで下げることができた。これ以上添加しても効果はほ
とんどなく、他の特性の劣化をきたすので、添加量の上
限は２．０ｅｅｔ％とするのが望ましい。
図に示す。前記の式において、Ｘ＝１０上１０モＹ＝６
９量ル％、Ｘ＝２１上２１モ基本組成にＡｈＯｓを添加
し、゛その添加量を変えた場合の温度特性τｆを示した
のが破線２２である。無添加のとき３０ｐｐｍであった
のが、１．０ｗｔ％でほぼＯとなった。またＸ＝１３ｕ
％、Ｙ ＝７０−ｔ８％、Ｘ ＝１７ｔ＄％の基本組成
の場合を示したのが実線２１である。添加量を増やすに
従って温度特性が改善され、２．０ｗｔ％で約５ｐｐｍ
まで下げることができた。これ以上添加しても効果はほ
とんどなく、他の特性の劣化をきたすので、添加量の上
限は２．０ｅｅｔ％とするのが望ましい。
本発明によれば、誘電率、Ｑ、温度特性を総合的にみた
場合に、極めて特性の良好なマイクロ波用誘電体磁器組
成物が得られる。
場合に、極めて特性の良好なマイクロ波用誘電体磁器組
成物が得られる。
とくに、高い誘電率とＱを維持したまま温度特性のきわ
めて良好なマイクロ波用誘電体磁器組成物が得られる。
めて良好なマイクロ波用誘電体磁器組成物が得られる。
また、製造方法の改良により、Ｑの低下を最少限に抑え
ることが可能となる。
ることが可能となる。
第１図は本発明の誘電体磁器組成物の基本組成を示す三
元図、第２図、第３図は仮焼方法と温度による特性の変
化の説明図、第４図は添加量とＱの関係を示す説明図、
第５図は添加量と温度特性の関係を示す説明図である。
元図、第２図、第３図は仮焼方法と温度による特性の変
化の説明図、第４図は添加量とＱの関係を示す説明図、
第５図は添加量と温度特性の関係を示す説明図である。
Claims (4)
- （１）ＢａＯ、ＴｉＯ＿２、Ｎｄ＿２Ｏ＿３から成り、
これを一般式ＸＢａＯ＋ＹＴｉＯ＿２＋ＺＮｄ＿２Ｏ＿
３と表したとき、Ｘ、Ｙ、Ｚがそれぞれ、８．５≦Ｘ≦
１９．０、６７．０≦Ｙ≦７１．０、１４．０≦Ｚ≦２
４．５（モル％）（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）の範囲に
ある組成物１００重量部に対し、これにＢｉ＿４Ｔｉ＿
３Ｏ＿１＿２が５〜１２重量部添加され、Ａｌ＿２Ｏ＿
３が２重量部以下添加されたことを特徴とするマイクロ
波用誘電体磁器組成物。 - （２）ＢａＯ、ＴｉＯ＿２、Ｎｄ＿２Ｏ＿３から成る仮
焼物を製造し、これにＢｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿１＿２とＡ
ｌ＿２Ｏ＿３を添加して焼成することを特徴とする請求
項第１項記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方
法。 - （３）ＢａＯ、ＴｉＯ＿２、Ｎｄ＿２Ｏ＿３を焼成温度
の８５〜９６％の温度で仮焼し、これにＢｉ＿４Ｔｉ＿
３Ｏ＿１＿２とＡｌ＿２Ｏ＿３を添加して所定の温度で
焼成することを特徴とする請求項第２項記載のマイクロ
波用誘電体磁器組成物の製造方法。 - （４）ＢａＯ、ＴｉＯ＿２、Ｎｄ＿２Ｏ＿３の仮焼温度
が１１２０〜１２５０°Ｃであることを特徴とする請求
項第２項記載のマイクロ波用誘電体磁器組成物の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054470A JPH01227304A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054470A JPH01227304A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01227304A true JPH01227304A (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=12971560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054470A Pending JPH01227304A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01227304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185304A (en) * | 1990-08-20 | 1993-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162172A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | 富士通株式会社 | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPS62187163A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-15 | 富士電気化学株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS63117958A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-21 | 富士電気化学株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054470A patent/JPH01227304A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162172A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | 富士通株式会社 | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPS62187163A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-15 | 富士電気化学株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPS63117958A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-21 | 富士電気化学株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185304A (en) * | 1990-08-20 | 1993-02-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition of BaO, TiO2, Nd2 O3, Sm2 O3 and Bi2 O3 |
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