JPS5916352A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5916352A
JPS5916352A JP57125001A JP12500182A JPS5916352A JP S5916352 A JPS5916352 A JP S5916352A JP 57125001 A JP57125001 A JP 57125001A JP 12500182 A JP12500182 A JP 12500182A JP S5916352 A JPS5916352 A JP S5916352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
alloy
lead part
thermal expansion
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57125001A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichiro Momose
百瀬　建一郎
Hirozo Sugai
菅井　普三
Shigemi Yamane
山根　茂美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57125001A priority Critical patent/JPS5916352A/ja
Publication of JPS5916352A publication Critical patent/JPS5916352A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はリード部に低Ｎ５−ｐｇ金合金使用した半導体
装置に関する。
特に各種Ｉ　Ｏ、Ｌ　Ｓ　Ｉなどのリードフレーム材に
考察を加え、これらに新規な材料を使用した半導体装置
に関する。
（発明の技術的背景とその問題点） 各種の半導体装置の発展はおどろくべき進歩ですすんで
いる。
その中核となるＩＣ，ＬＳＩなとのリードフレーム材と
しては従来４２アロイと呼ばれるニッケル４２％−Ｆ　
、合金がその主流であった。これは４２アロイは熱膨張
係数が小さくシリコンあるいは封止部にカラスを使う場
合のガラスと、熱膨張係数が近似していることが最大の
理由であるが、このことに加えて機械的強度、メッキ性
、ハンダ性も優れているからである。しかし、現在にお
いてはシリコンとの熱膨張係数の相違による障害は接合
技術の進歩により解消されつつあり、また封止も大量が
プラスチックモールドに変っていることから熱膨張係数
が小さいことはそれほど大きな要因ではなくなっている
。
しかし、それでもなお高価な４２アロイがかなりの需要
を有している理由は、機械的強度メッキ性、ハンダ性な
どで総合的に優れていると考えられているからである。
例えば銅はハンダ性はよいが機械的強度が弱く、ステン
レスは機械的強度は大きいがメッキ性が悪いからである
。しかし、なから、４２アロイの場合、モールドしたプ
ラスチック部分に微少なりラックが生ずることもある。
肴排す千古る。
したがって、機械的強度等を損ねないでモールド部のク
ラックを有しない半導体装置が要望されている。
（発明の目的） 本発明はこうした状況をあらためて見直して、従来の難
点を解消するために低ＮＬ−Ｆ、合金をリード部に用い
ること番こより安価で信頼性の高い半導体装置を供給す
ることを目的とする。
（発明の概要） 本発明リード部に従来使用されていなかつたＮＬ５％〜
４０％、好ましくは２０〜３６％、さらに好ましくはＮ
ｉ　２８％〜３４％、残部ｐｅより実質的になる合金を
適用した半導体装置である。この半導体装置は、リード
部の機械的強度等の特性を損ねないで、ＩＪ−ド部の熱
膨張係数を大きくしモールド部でのクラックの発生を防
止するものである。
リード部合金のＮＬが５％未満では耐食性が悪く４０％
以上では本発明のもう一つの主旨であるＮｉ低減の目的
に合致しない。Ｎｉの好ましい範囲はＮｉ　２０〜３６
％、特に好ましくはＮ９２８％〜３４％である。
熱膨張係数は金属に比べはるかに高いプラスチックに無
理がかからないように８Ｘ１０　　’／℃以上がよい。
またこのリード部合金の耐食性と強度を増すために上記
条件をはずれない範囲でＣａ　＋Ｍ　ｏ　、　Ｗ　、　
Ｎ　ｂ　、　Ａ　１．　Ｔ　ｉ　、　Ｓ　ｉを５％以下
添加することは有効である。
（発明の実施例） 代表的組成である３１％Ｎ　ｉ　−Ｆ　を合金ｌこつい
て比較材と同様に１６ピンのリードフレームに加工し、
ＩＣを組立てた後各種特性を比較した。その結果を表１
に示す。
表１ このように本発明のものは熱膨張係数が大きくプラスチ
ックモールド時の障害はなかった。
又、熱膨張係数を除いては３１％Ｎｉ　−ｐ　ｅは４２
アロイにほぼ同等の性質を有する。
（発明の効果） 本発明半導体装置は従来の考え方にとられれず、実使用
特性に注目して低Ｎ　Ｌ　−Ｆ　ｅ合金でリード部を構
成することにより、従来の難点を解消するとともに貴重
な資源であるＮｔを相当量低減できる点でも工業的価値
は高い。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　実質的にニッケル５〜４０重量％、残部鉄から
    なる合金でリード部を構成してなる半導体装置。
  2. （２）　　ニッケルが２０〜３６０〜３６重量特許請求
    の範囲第１項に記載の半導体装置。
  3. （３）ニッケルが２８％〜３４重量％である特許請求の
    範囲第２項に記載の半導体装置。 ！４１３０℃から３００℃までの熱膨張係数が、８Ｘ１
    ０　　’／’Ｃ以上である特許請求の範囲第１項から第
    ３項のいすＲ２記載の半導体装置。
JP57125001A 1982-07-20 1982-07-20 半導体装置 Pending JPS5916352A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235548A (ja) * 1985-08-08 1987-02-16 Sumitomo Electric Ind Ltd リ−ドフレ−ム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210818A (en) * 1976-07-16 1977-01-27 Nisshin Steel Co Ltd High ni-fe alloy of good productivity
JPS565948A (en) * 1979-06-27 1981-01-22 Sumitomo Special Metals Co Ltd Fe-ni alloy with superior stress corrosion crack resistance
JPS5644749A (en) * 1979-09-21 1981-04-24 Kawasaki Steel Corp Fe-ni invar alloy of low thermal expansion having excellent resistance to weld high temperature crack

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