JPS59164242U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59164242U
JPS59164242U JP5845783U JP5845783U JPS59164242U JP S59164242 U JPS59164242 U JP S59164242U JP 5845783 U JP5845783 U JP 5845783U JP 5845783 U JP5845783 U JP 5845783U JP S59164242 U JPS59164242 U JP S59164242U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
transistors
resin
injected resin
frame
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JP5845783U
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English (en)
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哲夫 鬼鞍
有賀　秀和
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例を示す断面図である。 １・・・・・・放熱用銅フィン、２・・・・・・絶縁用
セラミクス、３・・・・・・端子引出し用コバー薄板、
４・・・・・・コレクタ外部端子、５・・・・・・ベー
スあるいはエミッタ外部端子、６・・・・・・トランジ
スタチップ、７・・曲ボンディング線、８・・・・・・
外枠、９・・・・・・内部ケース、１０、・・・・・・
接着材、１１・・・・・・注入樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 樹脂によるポツティング封止タイプのトランジ、　スタ
    において、注入樹脂の成形のための外枠の他にチップに
    近接して第２の枠を装着することにより、注入される樹
    脂が半導体チップ面を被覆しない構造をもつことを特徴
    とする半導体装置。
JP5845783U 1983-04-19 1983-04-19 半導体装置 Pending JPS59164242U (ja)

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JP5845783U JPS59164242U (ja) 1983-04-19 1983-04-19 半導体装置

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JP5845783U JPS59164242U (ja) 1983-04-19 1983-04-19 半導体装置

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JPS59164242U true JPS59164242U (ja) 1984-11-02

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JP5845783U Pending JPS59164242U (ja) 1983-04-19 1983-04-19 半導体装置

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