JPS59167900A - 高電圧状態を生ずる方法及び動的ロ−ド回路 - Google Patents
高電圧状態を生ずる方法及び動的ロ−ド回路Info
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- JPS59167900A JPS59167900A JP58245614A JP24561483A JPS59167900A JP S59167900 A JPS59167900 A JP S59167900A JP 58245614 A JP58245614 A JP 58245614A JP 24561483 A JP24561483 A JP 24561483A JP S59167900 A JPS59167900 A JP S59167900A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01728—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
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- H03K19/01728—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
- H03K19/01742—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals by means of a pull-up or down element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積電子回路、ことに回路接続点を選定した
ときには高電圧給電源から誘導される高′電圧状態如駆
動するがこの回路接続点を選定しないときは高電圧給電
源から実質的に電流を引かないロード回路に関する。
ときには高電圧給電源から誘導される高′電圧状態如駆
動するがこの回路接続点を選定しないときは高電圧給電
源から実質的に電流を引かないロード回路に関する。
ホウラー・ノルドハイム(Fowler−Nordhe
im )電子トンネル機構の工業的利用のできる高品質
の薄い誘電体を生産する技術が最近開発されている。
im )電子トンネル機構の工業的利用のできる高品質
の薄い誘電体を生産する技術が最近開発されている。
この方法は電気的消去可能プログラマゾルROM(xE
pRoM)デバイスの操作に使うことができる。
pRoM)デバイスの操作に使うことができる。
電子トンネル作用により、メモリデバイスから操作電力
を除いても長い時限眞わたりフローティングケ゛−トr
電荷を蓄積することができる。
を除いても長い時限眞わたりフローティングケ゛−トr
電荷を蓄積することができる。
この薄い誘′市体に対するホウラー・ノルトノスイム機
構を使うメモリセルのプログラミングには約20Vを必
要とする。しかしマイクロプロセッサ及びメモリ回路に
対する標準の給電電力Gt 5 Vである。所要の高f
lj r:I:、は、メモリデバイスに一体に作られる
給電ポンプ回路により作ることができる。
構を使うメモリセルのプログラミングには約20Vを必
要とする。しかしマイクロプロセッサ及びメモリ回路に
対する標準の給電電力Gt 5 Vである。所要の高f
lj r:I:、は、メモリデバイスに一体に作られる
給電ポンプ回路により作ることができる。
給電ポンプ回路はこの所要の高電圧を生ずることができ
るが、これ等の回路は適当な寸法のデバイスでは極めて
限定された電流しか生ずることができない。すなわち選
定したロード素子は給電ボンデかられずかな電流しか引
かないが、選定してなイロード素子は高いインピーダン
スを示し給電ポンプのローディングを妨げる。
るが、これ等の回路は適当な寸法のデバイスでは極めて
限定された電流しか生ずることができない。すなわち選
定したロード素子は給電ボンデかられずかな電流しか引
かないが、選定してなイロード素子は高いインピーダン
スを示し給電ポンプのローディングを妨げる。
前記した要求を実施する動的ロード回路の特定の障害は
、MOSトランジスタのソース端子への高′電圧の印加
がトランジスタのスレショールド電圧を実質的圧高める
ことである。これは「ボディ効果」と呼ばれろ。スレシ
ョールド電圧のこの上昇は所要の高電圧はポウーラー・
ノルドハイム回路素子への印加のために生ずることがで
きるように考慮しなければならない。動的ロード回路の
トランジスタのスレショールド電圧を制御する方法は、
メモリデバイスの製造の際の処理工程を注意深く調整す
ることである。処理工程のこの注意深い調整は、メモリ
デバイスの1位当り費用をかなり高めることになる。
、MOSトランジスタのソース端子への高′電圧の印加
がトランジスタのスレショールド電圧を実質的圧高める
ことである。これは「ボディ効果」と呼ばれろ。スレシ
ョールド電圧のこの上昇は所要の高電圧はポウーラー・
ノルドハイム回路素子への印加のために生ずることがで
きるように考慮しなければならない。動的ロード回路の
トランジスタのスレショールド電圧を制御する方法は、
メモリデバイスの製造の際の処理工程を注意深く調整す
ることである。処理工程のこの注意深い調整は、メモリ
デバイスの1位当り費用をかなり高めることになる。
従ってlPROM回路のプログラミングのためにロード
制御回路を設ける要求を考慮して、回路接続点を選定し
たときにはほぼ給電ポンプ電圧に駆動するが回路接続点
を選定しないときは給電ポンプから電流を実質的に引か
ないで、これと同時に動的ロード回路トランジスタに対
し比較的広い範囲のスレショールド′電圧を持つことに
より厳密な処理制御を加えないようにする機能を実施す
ることのできる回路が必要になる。
制御回路を設ける要求を考慮して、回路接続点を選定し
たときにはほぼ給電ポンプ電圧に駆動するが回路接続点
を選定しないときは給電ポンプから電流を実質的に引か
ないで、これと同時に動的ロード回路トランジスタに対
し比較的広い範囲のスレショールド′電圧を持つことに
より厳密な処理制御を加えないようにする機能を実施す
ることのできる回路が必要になる。
本発明の選定した実施例は、回路接読点に高い電圧状態
を生ずる動的ロード回路にある。本発明動的ロード回路
は、第1の接続点で電圧を増圧する第1のクロック信号
に応答する回路と、第1のN接続点を回路接続点に結合
する回路とを備えている。さらに回路接続点を第2の接
続点に結合する回路を設けである。伺加的な回路は第2
接続点で電圧を増圧する第2のクロック信号に応答する
動的ロード回路は、第2接続点の電圧状態に応答し高′
亀圧入力信号を第1接続点に結合する回路を備えている
。クロック信号は第1及び第2の接続点で電圧を進行的
に増圧し回路接続点で高電圧状態を生ずる。
を生ずる動的ロード回路にある。本発明動的ロード回路
は、第1の接続点で電圧を増圧する第1のクロック信号
に応答する回路と、第1のN接続点を回路接続点に結合
する回路とを備えている。さらに回路接続点を第2の接
続点に結合する回路を設けである。伺加的な回路は第2
接続点で電圧を増圧する第2のクロック信号に応答する
動的ロード回路は、第2接続点の電圧状態に応答し高′
亀圧入力信号を第1接続点に結合する回路を備えている
。クロック信号は第1及び第2の接続点で電圧を進行的
に増圧し回路接続点で高電圧状態を生ずる。
以下本発明による方法及び動的ロード回路の実施例を添
刊図面について詳細に説明する。
刊図面について詳細に説明する。
従来の動的ロード回路10は第1図に電気配線図で示し
である。回路10は導線12をとてクロック信号を受は
又導m14を経て高電圧給電ポンプ信号vppを受ける
。クロック信号は、接続点18vCケゞ−ト端子を接続
したトランジスタ16のソース端子及びドレイン端子に
入力する。
である。回路10は導線12をとてクロック信号を受は
又導m14を経て高電圧給電ポンプ信号vppを受ける
。クロック信号は、接続点18vCケゞ−ト端子を接続
したトランジスタ16のソース端子及びドレイン端子に
入力する。
トランジスタ20は、そのドレイン端子を接続点18に
接続し、ソース端子を回路接続点22に接続しである。
接続し、ソース端子を回路接続点22に接続しである。
トランジスタ20のケ”−ト端子ハ接続点18に接続し
である。
である。
テコーダ24はアドレス信号に応答して接続点22を少
くともV。c ”’ ”Tの高い状態て又は地電位に選
択的に駆動する。接続点22は図示してない回路を経て
電荷蓄積素子に結合しである。この素子は、薄い酸化物
層を0((fえホウラー・ノルドハイムトンネル機構に
より動作する。
くともV。c ”’ ”Tの高い状態て又は地電位に選
択的に駆動する。接続点22は図示してない回路を経て
電荷蓄積素子に結合しである。この素子は、薄い酸化物
層を0((fえホウラー・ノルドハイムトンネル機構に
より動作する。
トランジスタ28はそのドレイン端子及びソース端子を
両接読点18.20の間に接続しである。
両接読点18.20の間に接続しである。
トランジスタ28のゲート端子は回路接続点22に接続
しである。
しである。
導at 4における高電圧信号は、接続点3oにソース
端子を接続したトランジスタ32のドレイン端子及びケ
8−ト端子に送る。
端子を接続したトランジスタ32のドレイン端子及びケ
8−ト端子に送る。
従来のロード制御回路の動作を第1図について述べる。
回路10に対する給電電圧v0゜は5■でクロック信号
は0及び5■の間で振動する。ポンプ電圧■ppはたと
えば20Vである。
は0及び5■の間で振動する。ポンプ電圧■ppはたと
えば20Vである。
トランジスタ16はスイッチコンデンサとして機能する
。ケ8−ト端子の′電圧がソース端子及びドレイン端子
の′市川以上1ショールド以下であるときは、チャネル
が形成されなくて、導線12及び接続点18間のキャパ
シタンスは極めて低い。しかしトランジスタ16のデー
ト端子の電圧がトランジスタ16のソース端子及びドレ
イン端子の電圧より少くともトランジスタ16のスレシ
ョールド′覗圧たけ高いときは、チャネルが形成され、
導線12及び接続点18間のキャパシタンスが比較的高
くなる。
。ケ8−ト端子の′電圧がソース端子及びドレイン端子
の′市川以上1ショールド以下であるときは、チャネル
が形成されなくて、導線12及び接続点18間のキャパ
シタンスは極めて低い。しかしトランジスタ16のデー
ト端子の電圧がトランジスタ16のソース端子及びドレ
イン端子の電圧より少くともトランジスタ16のスレシ
ョールド′覗圧たけ高いときは、チャネルが形成され、
導線12及び接続点18間のキャパシタンスが比較的高
くなる。
第1の例では回路接続点22をデコーダ回路24により
回路接地状態に保持するものとする。
回路接地状態に保持するものとする。
回路接続点22の低い電圧状態によりトランジスタ28
を非導通てすることてよって高電圧信号vppから導通
しないようKする。トランジスタ20はダイオード式に
接続され、接続点18の電圧が回路接続点22の電圧以
上1スレシヨールド覗圧(vT)よりは高くならないよ
ってする。トランジスタ20はトランジスタ16より低
いスレショールド電圧を持つことfよりトランジスタ1
6を横切るチャネルの形式と高いキャパシタンスの生成
とを防ぐのがよい。このようにしてクロック信号は接続
点18から有効て阻止される。接続点18は低い電圧状
態に留まり、トランジスタ20を経て電流が引かれない
。従って■pp給電源から電流が実質的に引かれない。
を非導通てすることてよって高電圧信号vppから導通
しないようKする。トランジスタ20はダイオード式に
接続され、接続点18の電圧が回路接続点22の電圧以
上1スレシヨールド覗圧(vT)よりは高くならないよ
ってする。トランジスタ20はトランジスタ16より低
いスレショールド電圧を持つことfよりトランジスタ1
6を横切るチャネルの形式と高いキャパシタンスの生成
とを防ぐのがよい。このようにしてクロック信号は接続
点18から有効て阻止される。接続点18は低い電圧状
態に留まり、トランジスタ20を経て電流が引かれない
。従って■pp給電源から電流が実質的に引かれない。
回路接続点22を低い′電圧状態にセットするときは、
回路10は回路接続点22を一層高い電圧状態には駆動
しない。
回路10は回路接続点22を一層高い電圧状態には駆動
しない。
第2の例では回路接続点22をデコーダ24により少く
ともV −V の高い論理準位状態に駆cc
T 動するものとする。接続点22に接続した回路により、
接続点22はこの点から電流を引かないで一層高い電圧
準位に駆動することができる。第1図の各トランジスタ
に対するvTが10■であり、2’ OVのV を持つ
5,0■給電源を設けるものとp すれば、トランジスタ2Bのドレイン端子は19Vであ
るがゲート端子はわずか[5vである。従ってトランジ
スタ28のソース端子は、そのゲート端子の電圧の1■
1以内までにしかならない。
ともV −V の高い論理準位状態に駆cc
T 動するものとする。接続点22に接続した回路により、
接続点22はこの点から電流を引かないで一層高い電圧
準位に駆動することができる。第1図の各トランジスタ
に対するvTが10■であり、2’ OVのV を持つ
5,0■給電源を設けるものとp すれば、トランジスタ2Bのドレイン端子は19Vであ
るがゲート端子はわずか[5vである。従ってトランジ
スタ28のソース端子は、そのゲート端子の電圧の1■
1以内までにしかならない。
すなわら接続点18は1.0■のvTに対し4■に駆動
される。
される。
導線12のクロック信号が0■であり接続点18が4■
であるときはトランジスタ16にチャネルが形成されク
ロック信号及び接続点18の間に高い容量性結合を生ず
る。正になるクロックパルスが到達すると、接続点18
の電圧はトランジスタ16の容量性結合てより増圧され
る。この場合接続点18の電圧を約4vから約8VI7
C増圧する。この場合回路接続点22の電圧を約7vに
高める。導線12のクロック信号が地電位にもどるとき
は、トランジスタ16のチャネルのキャパシタンスによ
り接続点18を4■にもどすようにする。しかしトラン
ジスタ28のゲート電圧が7vK増すと、接続点18の
電圧は、接続点30になお19Vの電圧があるので約6
■に保たれトランジスタ16を横切って6■の電防が生
ずる。導線12のクロック信号が5VKもどろと、接続
点18は容量的に約10’Vに駆動され、回路接続点2
2を9Vにする。伺加的なりロックパルスを受けると、
接続点18の電圧と回路接続点22に生ずる電圧とは段
階的に上昇する。この動作により回路接続点22に高堀
圧駆動信号を生ずる。
であるときはトランジスタ16にチャネルが形成されク
ロック信号及び接続点18の間に高い容量性結合を生ず
る。正になるクロックパルスが到達すると、接続点18
の電圧はトランジスタ16の容量性結合てより増圧され
る。この場合接続点18の電圧を約4vから約8VI7
C増圧する。この場合回路接続点22の電圧を約7vに
高める。導線12のクロック信号が地電位にもどるとき
は、トランジスタ16のチャネルのキャパシタンスによ
り接続点18を4■にもどすようにする。しかしトラン
ジスタ28のゲート電圧が7vK増すと、接続点18の
電圧は、接続点30になお19Vの電圧があるので約6
■に保たれトランジスタ16を横切って6■の電防が生
ずる。導線12のクロック信号が5VKもどろと、接続
点18は容量的に約10’Vに駆動され、回路接続点2
2を9Vにする。伺加的なりロックパルスを受けると、
接続点18の電圧と回路接続点22に生ずる電圧とは段
階的に上昇する。この動作により回路接続点22に高堀
圧駆動信号を生ずる。
5■の正規動作用に作るMO3回路は4■程度に低い供
給電圧で動作する必要がある。さらに5vより実質的に
高いソース端子を持つMOS )ランジスタのvT は
少くとも2Vの程度である。しかし回路10の各トラン
ジスタのスレショールド電圧が供給電圧の1//2を越
えるときは、回路10は回路接続点22の電圧の増圧を
止める。たとえば回路接続点22が10Vであるとする
。この値ではボディ効果てよりトランジスタスレショー
ルド′電圧が2.0VKなる。さらに回路10の給電源
が4・OVで導線12のクロック信号が0及び4,07
0間で遷移するものとする。回路接続点22が10、O
Vのときは、トランジスタ28により接続点18を8.
0■までにする〔この場合導線12のクロック信号は初
めにOvである〕。このクロック信号がOから4.OV
になっても、接続点18は12Vから容量性分割値を差
引いた値にしか駆動されないヵしかしトランジスタ20
は2.OVのスレショールドを持つから回路接続点22
に伺加的な電荷は送られない。
給電圧で動作する必要がある。さらに5vより実質的に
高いソース端子を持つMOS )ランジスタのvT は
少くとも2Vの程度である。しかし回路10の各トラン
ジスタのスレショールド電圧が供給電圧の1//2を越
えるときは、回路10は回路接続点22の電圧の増圧を
止める。たとえば回路接続点22が10Vであるとする
。この値ではボディ効果てよりトランジスタスレショー
ルド′電圧が2.0VKなる。さらに回路10の給電源
が4・OVで導線12のクロック信号が0及び4,07
0間で遷移するものとする。回路接続点22が10、O
Vのときは、トランジスタ28により接続点18を8.
0■までにする〔この場合導線12のクロック信号は初
めにOvである〕。このクロック信号がOから4.OV
になっても、接続点18は12Vから容量性分割値を差
引いた値にしか駆動されないヵしかしトランジスタ20
は2.OVのスレショールドを持つから回路接続点22
に伺加的な電荷は送られない。
すなわち回路10には、各トランジスタの■7が供給電
圧の各を越えると機t7j4を1J二めるという制限が
ある。従ってこの回路は、各トランジスタの最高vT′
?i:最低供給電圧の]A以下に保つように作らなけれ
ばならない。前記の例では最低供給電圧は4■であり、
従って最高スレショールド電圧は2vである。高いソー
ス端子電圧におけるボディ効果を含めてスレショールド
電圧をこのような限定した準位に保持しなからMOSデ
バイスを多・量に作ることはむずかしい。
圧の各を越えると機t7j4を1J二めるという制限が
ある。従ってこの回路は、各トランジスタの最高vT′
?i:最低供給電圧の]A以下に保つように作らなけれ
ばならない。前記の例では最低供給電圧は4■であり、
従って最高スレショールド電圧は2vである。高いソー
ス端子電圧におけるボディ効果を含めてスレショールド
電圧をこのような限定した準位に保持しなからMOSデ
バイスを多・量に作ることはむずかしい。
本発明は、動的ロード回路に使うトランジスタの許容ス
レショールド準位の制限の間顧を低減する。
レショールド準位の制限の間顧を低減する。
本発明による動的ロード回路34は第2図に例示しであ
る。クロック信号は導線36を経て入力し、クロック信
号の逆信号0LOCKは導線38を経て入力する。給電
ポンプにより生ずる高電圧信号vppは導線40を経て
入力する。回路34は、回路接続点42を態動するよう
に比較的高い電圧信号を生ずる作用をする。
る。クロック信号は導線36を経て入力し、クロック信
号の逆信号0LOCKは導線38を経て入力する。給電
ポンプにより生ずる高電圧信号vppは導線40を経て
入力する。回路34は、回路接続点42を態動するよう
に比較的高い電圧信号を生ずる作用をする。
デコーダ44はアドレス信号に応答して回路接続点42
を高い状j庫たとえば■。c ””T又は\池′市位に
選択的に駆動する。接続点42はデコーダ44により接
続点42から電流を引かないで■−■ア以上の電圧状態
に駆動することができる。
を高い状j庫たとえば■。c ””T又は\池′市位に
選択的に駆動する。接続点42はデコーダ44により接
続点42から電流を引かないで■−■ア以上の電圧状態
に駆動することができる。
接続点42は図示してない回路を経て蓄積素子に結合し
である。この蓄積素子はホウラー・ノルドハイムトンネ
ル機構を使うのが好適である。デコーダ44は、たとえ
ばアドレスバッファ又はビットラインでもある汎用ドラ
イバ素子でよい。
である。この蓄積素子はホウラー・ノルドハイムトンネ
ル機構を使うのが好適である。デコーダ44は、たとえ
ばアドレスバッファ又はビットラインでもある汎用ドラ
イバ素子でよい。
導線36のクロック信号はトランジスタ48のドレイン
端子に送る。トランジスタ50はそのソース端子及びド
レイン端子を回路接続点42とトランジスタ48のケゞ
−ト端子との間に接続しである。トランジスタ50のゲ
ート端子は電力端子・■ に接続しである。
端子に送る。トランジスタ50はそのソース端子及びド
レイン端子を回路接続点42とトランジスタ48のケゞ
−ト端子との間に接続しである。トランジスタ50のゲ
ート端子は電力端子・■ に接続しである。
C
コンデンサ52は、ドレイン端子及びソース端子をトラ
ンジスタ48のソース端子に接続したトランジスタから
成っている。コンデンサ52を構成するこのトランジス
タのゲート端子は接続点54に接続しである。トランジ
スタ56はそのドレイン端子及びケゝ−ト端子を接続点
54fC接続しソース端子を回路接続点42に接続しで
ある。
ンジスタ48のソース端子に接続したトランジスタから
成っている。コンデンサ52を構成するこのトランジス
タのゲート端子は接続点54に接続しである。トランジ
スタ56はそのドレイン端子及びケゝ−ト端子を接続点
54fC接続しソース端子を回路接続点42に接続しで
ある。
トランジスタ58はそのドレイン端子及びソース端子を
接続点54及び導線40の高電圧入力の間に接続しであ
る。トランジスタ58のゲート端子は接続点60に接続
しである。
接続点54及び導線40の高電圧入力の間に接続しであ
る。トランジスタ58のゲート端子は接続点60に接続
しである。
トランジスタ62は、そのドレイン端子及びソース端子
を回路接続点42及び接続点60の間に接続しゲート端
子を接続点54に接続しである。
を回路接続点42及び接続点60の間に接続しゲート端
子を接続点54に接続しである。
トランジスタ64は、そのドレイン端子及びソース端子
を回路接続点42及び接続点600間に接続しゲート端
子を電力端子V。0に接続しである。
を回路接続点42及び接続点600間に接続しゲート端
子を電力端子V。0に接続しである。
クロック信号の逆信号は、接続点60にデート端子を接
続したトランジスタ70のドレイン端子に導線38を経
て伝送する。コンデンサ72を構成スるトランジスタは
、そのドレイン端子及びソース端子を相互にそしてトラ
ンジスタ70のソース端子に接続しである。各コンデン
サ52 、72を構成するトランジスタはエン/\ンス
メント型又はデイゾレツション型のどちらでもよい。コ
ンデンサ72を構成するトランジスタのケゝ−ト端子は
接続点60に接続しである。
続したトランジスタ70のドレイン端子に導線38を経
て伝送する。コンデンサ72を構成スるトランジスタは
、そのドレイン端子及びソース端子を相互にそしてトラ
ンジスタ70のソース端子に接続しである。各コンデン
サ52 、72を構成するトランジスタはエン/\ンス
メント型又はデイゾレツション型のどちらでもよい。コ
ンデンサ72を構成するトランジスタのケゝ−ト端子は
接続点60に接続しである。
次に動的ロード回路34の動作を第2図について述べる
。各コンデンサ52.72は回路コンデンサとして機能
する。各接続点54.60における浮遊キャパシタンス
は各コンデンサ52.72のキャパシタンスより実質的
に小さい。
。各コンデンサ52.72は回路コンデンサとして機能
する。各接続点54.60における浮遊キャパシタンス
は各コンデンサ52.72のキャパシタンスより実質的
に小さい。
回路接続点42をデコーダ44により論理的に低い電圧
状態に駆動するときは、各トランジスタ50.64を経
て各トランジスタ48.70のデート端子に約QVが加
わる。この低い電圧状態は各トランジスタ48.70を
非導通にする作用をする。この条件ではクロック信号及
び逆クロック信号は、各コンデンサ52.72を構成す
るトランジスタのソース・ドレイン接続の高いキャパシ
タンスから隔離されることにより、各導線36゜38で
クロック駆動回路に高いインピーダンスを与える。接続
点60の低い電圧状態てよりトランジスタ58を非導通
にすることrよって高電圧信壮■ 及び接続点54の間
如高いインピーダンスp を生ずる。従って接続点54は低い電圧状態のままにな
り、回路接続点42で電圧を引上げる傾向がなくなる。
状態に駆動するときは、各トランジスタ50.64を経
て各トランジスタ48.70のデート端子に約QVが加
わる。この低い電圧状態は各トランジスタ48.70を
非導通にする作用をする。この条件ではクロック信号及
び逆クロック信号は、各コンデンサ52.72を構成す
るトランジスタのソース・ドレイン接続の高いキャパシ
タンスから隔離されることにより、各導線36゜38で
クロック駆動回路に高いインピーダンスを与える。接続
点60の低い電圧状態てよりトランジスタ58を非導通
にすることrよって高電圧信壮■ 及び接続点54の間
如高いインピーダンスp を生ずる。従って接続点54は低い電圧状態のままにな
り、回路接続点42で電圧を引上げる傾向がなくなる。
従って接続点42のようにすなわち選択してない各回路
接続点に対し、高電圧信号V を生ずる給電ポンプ回路
にローディングが行p われない。
接続点に対し、高電圧信号V を生ずる給電ポンプ回路
にローディングが行p われない。
回路接続点42をデコーダ44により約5vの論理的に
高い電圧状態に駆動するときの条件て対する動作を次に
述べる。回路接続点42における高電圧状態はトランジ
スタ48.70を導通させる作用をしてクロック信号を
コンデンサ52に結合し又クロック信号の逆信号をコン
デンサ72に結合する。接続点60をトランジスタ64
により1トランジスタスレシヨールド電圧以下の供給電
圧如持来するから、トランジスタ58も又導通しポンプ
信号V から接続点54に電荷を送る。トp ランジスタ58のケ8−ト電圧は電圧V より実質p 的に低いから、接続点54の電圧は、トランジスタ38
のケゞ−ト電圧から1トランジスタスレシヨールド′覗
圧を差引いた値になる。
高い電圧状態に駆動するときの条件て対する動作を次に
述べる。回路接続点42における高電圧状態はトランジ
スタ48.70を導通させる作用をしてクロック信号を
コンデンサ52に結合し又クロック信号の逆信号をコン
デンサ72に結合する。接続点60をトランジスタ64
により1トランジスタスレシヨールド電圧以下の供給電
圧如持来するから、トランジスタ58も又導通しポンプ
信号V から接続点54に電荷を送る。トp ランジスタ58のケ8−ト電圧は電圧V より実質p 的に低いから、接続点54の電圧は、トランジスタ38
のケゞ−ト電圧から1トランジスタスレシヨールド′覗
圧を差引いた値になる。
各トランジスタ50.64は各トランジスタ48.70
のケゞ−トキャパシタンスを隔離してクロック信号によ
り各トランジスタ48.70のデート端子のシートスト
ラップを行うことができる。
のケゞ−トキャパシタンスを隔離してクロック信号によ
り各トランジスタ48.70のデート端子のシートスト
ラップを行うことができる。
このようにしてクロック信号の全振幅が各トランジスタ
48.70を通過することができる。
48.70を通過することができる。
導線38の茄瓦信号が地電位にあるときは、トランジス
タ64は、そのケゝ−ト電圧が■。。であるから接続点
60をv −1スレシヨールド′亀圧vTvcする。
タ64は、そのケゝ−ト電圧が■。。であるから接続点
60をv −1スレシヨールド′亀圧vTvcする。
導線38の(!LOOK信号の正になる転移を受けると
きは、接続点60はコンデンサ72により容量的に約5
VK昇圧する。
きは、接続点60はコンデンサ72により容量的に約5
VK昇圧する。
接続点60の増加した電圧眞より、導!36におけるク
ロック信号が地電位にある間に接続点54の電圧を高め
る。次でクロック信号が5■になると、コンデンサ52
は接続点54の電圧をさらに高め、トランジスタ56を
経て回路接続点42の電圧を高める。この場合トランジ
スタ62め導通により接続点6oの電圧が増す。この動
作サイクルが反復してクロック信号圧より各接続点60
.54.42の電圧が増し続ける。この過程は、回路接
続点42が所望の電圧に達したときに、又はVpp+〔
”Cc−■T〕の最高′電圧に達したときに終る。
ロック信号が地電位にある間に接続点54の電圧を高め
る。次でクロック信号が5■になると、コンデンサ52
は接続点54の電圧をさらに高め、トランジスタ56を
経て回路接続点42の電圧を高める。この場合トランジ
スタ62め導通により接続点6oの電圧が増す。この動
作サイクルが反復してクロック信号圧より各接続点60
.54.42の電圧が増し続ける。この過程は、回路接
続点42が所望の電圧に達したときに、又はVpp+〔
”Cc−■T〕の最高′電圧に達したときに終る。
回路34内の若干のトランジスタは正規の5Vの動作供
給電圧以上の電圧状態を受ける。各トランジスタのソー
ス端子の電圧が上昇するに伴い、前記したボディ効果に
より各トランジスタのvTが増す。しかし回路34は、
各トランジスタのvT が供給電圧より低い間は、回路
接続点42の電圧を限度に向い高める。第1図に示した
従来の回路10では各トランジスタの■1は、前記した
ように回路接続点42の電圧を高めるのに供給電圧の%
を越えることはできない。すなわち回路34はボディ効
果に基づくvTの増加に対しはるかに大きい公差を持つ
。この場合回路34の製造には処理上の要求が第1図に
示した回路10に対するよりもはるかに厳密でなくなる
。
給電圧以上の電圧状態を受ける。各トランジスタのソー
ス端子の電圧が上昇するに伴い、前記したボディ効果に
より各トランジスタのvTが増す。しかし回路34は、
各トランジスタのvT が供給電圧より低い間は、回路
接続点42の電圧を限度に向い高める。第1図に示した
従来の回路10では各トランジスタの■1は、前記した
ように回路接続点42の電圧を高めるのに供給電圧の%
を越えることはできない。すなわち回路34はボディ効
果に基づくvTの増加に対しはるかに大きい公差を持つ
。この場合回路34の製造には処理上の要求が第1図に
示した回路10に対するよりもはるかに厳密でなくなる
。
次に第2図に示した回路34の操作例を述べる。
1例では供給電圧■ は5.OVであり、高電圧ボンフ
0信号V は20Vである。各トランジスタのp ■工は、これ等のトランジスタの各端子が5vより低い
ときは2■になり、又端子の2つが5vより高い電圧で
あるときは4■になるものとする。
0信号V は20Vである。各トランジスタのp ■工は、これ等のトランジスタの各端子が5vより低い
ときは2■になり、又端子の2つが5vより高い電圧で
あるときは4■になるものとする。
この近似は本回路の動作を理解するのに有用である。実
際の結合は幾分低いが、完全な容量性結合を仮定する。
際の結合は幾分低いが、完全な容量性結合を仮定する。
回路接続点42を選定するときは、接続点42はデコー
ダ44により少くとも供給電圧から本回路のスレショー
ルド電圧を差引いた電圧眞給電する。この例では初めに
6■に給電する。3■の準位はトランジスタ64により
接続点6oに伝わる。
ダ44により少くとも供給電圧から本回路のスレショー
ルド電圧を差引いた電圧眞給電する。この例では初めに
6■に給電する。3■の準位はトランジスタ64により
接続点6oに伝わる。
逆クロック信号が0から5■の状態に転移すると、コン
デンサ72を構成するトランジスタのソース端子及びド
レイン端子は5■に増圧され接続点60の電圧をろVか
ら8Vに容量的眞結合し、コンデンサ72を構成するト
ランジスタのソース端子及びドレイン端子を全5.OV
準位に駆動する。
デンサ72を構成するトランジスタのソース端子及びド
レイン端子は5■に増圧され接続点60の電圧をろVか
ら8Vに容量的眞結合し、コンデンサ72を構成するト
ランジスタのソース端子及びドレイン端子を全5.OV
準位に駆動する。
接続点6008■の準位によりトランジスタ70は、接
続点60がトランジスタ70のソース端子より正の2■
以上に留まるので切替過渡状態を通じて導通状態のまま
になる。接続点60の8■の準位により、トランジスタ
58の仮定した4、0■の■ア によって接続点54の
゛電圧を4Vに駆動する。トランジスタ58に対する4
、0■の■1 の選択は前記の仮定した■1 の準位眞
は無関係である。
続点60がトランジスタ70のソース端子より正の2■
以上に留まるので切替過渡状態を通じて導通状態のまま
になる。接続点60の8■の準位により、トランジスタ
58の仮定した4、0■の■ア によって接続点54の
゛電圧を4Vに駆動する。トランジスタ58に対する4
、0■の■1 の選択は前記の仮定した■1 の準位眞
は無関係である。
この1145中rクロック信号はOVでありコンデンサ
52に4vまで給電する。
52に4vまで給電する。
クロック信号が0から5■に転移すると、トランジスタ
48のゲート端子は8■て増圧され、コンデンサ52の
ソース端子及びドレイン端Pを5Vに駆動し接続点54
を9■に駆動する。この9■により、トランジスタ56
の導通によって回路接続点、42VC5vの準位を生じ
又トランジスタ62の導通如よって接続点6QVc5V
の準位を生ずる。
48のゲート端子は8■て増圧され、コンデンサ52の
ソース端子及びドレイン端Pを5Vに駆動し接続点54
を9■に駆動する。この9■により、トランジスタ56
の導通によって回路接続点、42VC5vの準位を生じ
又トランジスタ62の導通如よって接続点6QVc5V
の準位を生ずる。
次で逆クロック信号が0から5vに転移するときは、接
続点6oは5がら10Vに駆動される。
続点6oは5がら10Vに駆動される。
接続点60のIDVの準位により、導線36のクロック
信号がQVにある間に接続点54ン6■の準位を生じコ
ンデンサ52に6■まで給電する。
信号がQVにある間に接続点54ン6■の準位を生じコ
ンデンサ52に6■まで給電する。
クロック信号がふたたびDから5VK転移するときは、
接続点54の電圧が6から11Vに駆動され、回路接続
点42の電圧を7VK高めろ。この場合又接続点60に
7vの準位を生じ、この間に逆クロック信号は地電位て
ある。
接続点54の電圧が6から11Vに駆動され、回路接続
点42の電圧を7VK高めろ。この場合又接続点60に
7vの準位を生じ、この間に逆クロック信号は地電位て
ある。
逆りロック侶号がDから5VK転移するときは、接続点
60は7から12ViC駆魁され、これによりクロック
信号がQVにある間に接続点54に8Vが生ずるように
なる。
60は7から12ViC駆魁され、これによりクロック
信号がQVにある間に接続点54に8Vが生ずるように
なる。
クロック信号がふたたび0から5■に転位するときは、
接続点54は8から13Vに駆動され回路接続点42の
電圧が9VK増すようになる。接続点60は又9vに駆
動される。
接続点54は8から13Vに駆動され回路接続点42の
電圧が9VK増すようになる。接続点60は又9vに駆
動される。
口から5vへの逆クロック信号の転移後に接続点60は
14Vに給′電され接続点60に14VK給電して接続
点54を10Vに駆動する。
14Vに給′電され接続点60に14VK給電して接続
点54を10Vに駆動する。
以上述べた所から明らかなよう眞回路接続点42の電圧
は、付加的クロックパルス及び逆クロックパルスを受け
るに伴い除徐に増す。又第2図の回路34は各高電圧ト
ランジスタのスレショールド電圧が供給電圧のン2を越
えても動作を止めないのは明らかである。回路34は実
際上、回路34の各トランジスタの■1が供給電圧を越
えない間は回路接続点42に最高電圧まで給電する。
は、付加的クロックパルス及び逆クロックパルスを受け
るに伴い除徐に増す。又第2図の回路34は各高電圧ト
ランジスタのスレショールド電圧が供給電圧のン2を越
えても動作を止めないのは明らかである。回路34は実
際上、回路34の各トランジスタの■1が供給電圧を越
えない間は回路接続点42に最高電圧まで給電する。
前記した各トランジスタは断らない限りはNチャネルエ
ンハンスメント型MO3)ランジスタである。しかしP
チャネルトランジスタでも同等の回路を作ることができ
る。
ンハンスメント型MO3)ランジスタである。しかしP
チャネルトランジスタでも同等の回路を作ることができ
る。
回路34の1変型では各コンデンサ52.72はトラン
ジスタの代りに実際のコンデンサでもよい。別の変型で
はコンデンサ52.72を構成するトランジスタのどち
らが一方又は両方はそのソース端子又はドレイン端子の
一方が開いていてもよい。
ジスタの代りに実際のコンデンサでもよい。別の変型で
はコンデンサ52.72を構成するトランジスタのどち
らが一方又は両方はそのソース端子又はドレイン端子の
一方が開いていてもよい。
本発明のなお別の変型では各トランジスタ48゜50を
省いて導線36をこの場合スイッチコンデンサでなけれ
ばならないコンデンサ52’に直接続してもよい。トラ
ンジスタ70も又省いて導線3Bを同様にスイッチコン
デンサでなければならないコンデンサ72に直接接続し
てもよい。
省いて導線36をこの場合スイッチコンデンサでなけれ
ばならないコンデンサ52’に直接続してもよい。トラ
ンジスタ70も又省いて導線3Bを同様にスイッチコン
デンサでなければならないコンデンサ72に直接接続し
てもよい。
本発明の好適とする実施例ではCLOOK信号及び五扉
1信号は互に逆である。しかし回路34の適正な動作の
ためてはCLOCK信号及びOL OOK信号は、全サ
イクルの一部分中に0LOG!に信号が高い電圧状態に
あり又0LOOK信号が低いN圧状態如あり、そして反
復サイクルの第2の部分中に0LOOK信号が低い電圧
状態にあり又0LOOK信号が高い電圧状態であるとい
う要求に適合さえすればよい。両信号が同時に低い電圧
状態又は高い電圧状態にあってもt1容できる。
1信号は互に逆である。しかし回路34の適正な動作の
ためてはCLOCK信号及びOL OOK信号は、全サ
イクルの一部分中に0LOG!に信号が高い電圧状態に
あり又0LOOK信号が低いN圧状態如あり、そして反
復サイクルの第2の部分中に0LOOK信号が低い電圧
状態にあり又0LOOK信号が高い電圧状態であるとい
う要求に適合さえすればよい。両信号が同時に低い電圧
状態又は高い電圧状態にあってもt1容できる。
以上本発明をその実施例について詳細に説明したが本発
明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行う
ことができるのはもちろんである。
明はなおその精神を逸脱しないで種種の変化変型を行う
ことができるのはもちろんである。
第1図は高電圧信号を回路接続点に送る作用をする従来
の回路の電気配線図、第2図は、高電圧信号を選定した
回路接続点に送り、選定してない回路接続点に対し給電
ポンプ回路て高いインピーダンスを与え、選定してない
動的ロード回路から各クロック信号を隔離し、比較的広
い範囲の動作できるMOS)ランジスタスレショールド
’を況Eを生じ処理上の制限を減らす作用をする本発明
動的ロード回路の1実施例の電気配線図である。 34・・・動的ロード回路、42・・・回路接続点、−
50・・・隔離トランジスタ、52・・・弓ンデンサ、
54・・・第、1接続点、56.58・・・トランジス
タ、60・・・第2接続点、62.64・・トランジス
タ、70・・・隔離トランジスタ、72・・・コンデン
サ。 手 続 補 正 書(方式) 昭和59年3月9日 特許庁 長 官 殿 1事件の表示 昭和58年特許願第245614
号3 補正をする者 事件との関係 特許出願人マ
スチク、コーパレイシャン 4 代 理 人 東京都港区赤坂1丁目1番14号・
溜池東急ビル8・撃窪内5へ 別紙0と3す
の回路の電気配線図、第2図は、高電圧信号を選定した
回路接続点に送り、選定してない回路接続点に対し給電
ポンプ回路て高いインピーダンスを与え、選定してない
動的ロード回路から各クロック信号を隔離し、比較的広
い範囲の動作できるMOS)ランジスタスレショールド
’を況Eを生じ処理上の制限を減らす作用をする本発明
動的ロード回路の1実施例の電気配線図である。 34・・・動的ロード回路、42・・・回路接続点、−
50・・・隔離トランジスタ、52・・・弓ンデンサ、
54・・・第、1接続点、56.58・・・トランジス
タ、60・・・第2接続点、62.64・・トランジス
タ、70・・・隔離トランジスタ、72・・・コンデン
サ。 手 続 補 正 書(方式) 昭和59年3月9日 特許庁 長 官 殿 1事件の表示 昭和58年特許願第245614
号3 補正をする者 事件との関係 特許出願人マ
スチク、コーパレイシャン 4 代 理 人 東京都港区赤坂1丁目1番14号・
溜池東急ビル8・撃窪内5へ 別紙0と3す
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)第1のクロック信号を容量性結合を経て選択的て
加え、第1の接続点の電圧を増圧し、第2のクロック信
号を容量性結合を経て選択的に加え第2の接続点の電圧
を増圧し、この第2接続点の電圧に応答して高電圧入力
は号を前記第1接続点圧送り、この第1接続点を回路接
続点に結合しこの回路接続点に前記の高電圧信号を生じ
、前記第1接続点の電圧状態に応答して前記回路接続点
の高′亀圧信号を前記第2接続点に結合することから成
る、回路接続点に高電圧状態を生ずる方法。 (2) クロック信号を選択的に印加するに当たり、
両クロック信号の一方をその他方のクロック信号が高電
圧状態にあるときに低電圧状態に駆動する特許請求の範
囲第(1)項記載の方法。 (3) 回路接続点が所定の′電圧以下の状態にある
ときに、第1のクロック信号を第1の接続点から隔離し
そして第2のクロック信号を第2の接続点から隔離する
特許請求の範囲第(1)項記載の方法。 (4)第1のクロック信号を選択的如印加して第1の接
続点の電圧を増圧する工程と、第2のクロック信号を選
択的に印加して第2の接続点の電圧を増圧する工程とが
交互に生ずるようにする特許請求の範囲第(1)項記載
の方法。 (5)回路接続点に高電圧状態を生ずる動的ロード\ 回路において、第1のクロック信号に応答して第1の接
続点の電圧を増圧する装置と、前記第1接続点を回路接
続点に結合する装置と、前記回路接続点を第2の磨続点
に結合する装置と、第2のクロック信号に応答して前記
第2接続点の電圧を増圧する装置と、前記第2接、読点
の電圧状態に応答して前記第1接紗点に高電圧入力信号
を結合する装置とを包含する動的ロード回路。 (6181のクロック信号として第2のクロック信号の
逆信号を使う特許請求の範囲第(5)項記載の動的ロー
ド回路。 (7)第1のり、ロック信号にJ応答する装置を、前記
第1クロツク信号を第1の接続意匠結合するように接続
したコンデンサにより構成した特Fl”M4求の範囲第
(5)項記載の動的ロード回路。 (8)第1のクロック信号に応答する装置に、第1クロ
ツク信号を受けるようにソース端子及びドレイン端子の
少くとも一方を結合しケゝ−ト端子(′i第1の接続点
に接続した第1のトランジスタを設け、この第1トラン
ジスタを容量性素子として機能するように1M成した特
許請求の範囲第(5)項記載の動的ロード回路。 (9) 第1のトランジスタのソース端子及びドレイ
ン端子に接続したソース端子と第1のクロック信号を受
けるように接続したドレイン端子とを持つ第2のトラン
ジスタと、回路接続点に接続したソース端子と前記第2
トランジスタのケゝ−ト端子に接続したドレイン端子と
電力端子に接続したデート端子とを持つ第6のトランジ
スタとを備えた特許請求の範囲第(8)項記載の動的ロ
ード回路。 (10)第1のクロック信号を第1の接続点に選択的に
結合する装置を備えた特許請求の範囲第(5)項記載の
動的ロード回路。 01)第2のクロック信号に応答する装置を、第2の接
続点に第2クロツク信号を結合するように接続したコン
デン”J−Kより構成した特許請求の範囲第(5)項記
載の動的ロード回路。 (12)第2のクロック信号に応答する装置に、ソース
端子及びドレイン端子の少くとも一方を第2クロツク信
号を受けるように結合しケゝ−ト端子を第2の接続点に
接続した第1のトランジスタを設け、この第1のトラン
ジスタを容量性素子として作用するよって構成した特許
請求の範囲第(5)項記載の動的ロード回路。 (13) 第1のトランジスタのソース端子及びドレ
イン端子に接続したソース端子と、第2のクロック信号
を受けるように接続したドレイン端子と、第2の接続点
に接続したゲート端子とを持つ第2のトランジスタを備
えた特d1:請求の範囲第(1渇項記載の動的ロード回
路。 (+、=11 逆クロック信号を第2の接続点に選択
的に結合する装置を備えた特許請求の範囲第(5)項記
載の動的ロード回路。 (15)第1の接続点を回路接続点に結合する装置を、
第1の接続点て接続したドレイン端子及びケゝ−ト端子
と前記回路接続点に接続したソース端子とを持つトラン
ジスタにより構成した特許請求の範囲第(5)項記載の
動的ロード回路。 (161回路接続点を第2の接続点に結合する装置を、
第1の接続点に接続したケゝ−ト端子と、前記の回路接
続点及び第2接続点の間に接続したドレイン端子及びソ
ース端子とを持つトランジスタにより構成した特許請求
の範囲第(5)項記載の動的ロード回路。 (+7) 一定電圧の接続点に接続したゲート端子と
、回路接続点及び第2接続点の間に接続したソース端子
及びドレイン端子とを持つトランジスタを備えたr#δ
1;請求の範囲第(1−11項記載の動的ロード回路。 (18) 高電圧入力信号を第1の接続点に送る装置
を、高電圧入力信号を受けるよう眞接続したドレイン端
子と、第2の接続点に接続したr”−)端子と、第1の
接続点に接続したソース端子とを持つトランジスタによ
り構成した特許請求の範囲第(5)項記載の動的ロード
回路。 (1!n 選定した接続したケ8−ト端子と、回路接
続点及び第2接続点の間に接続したソース端子及びドレ
イン端子とを持つトランジスタを備えた特許請求の範囲
第(5)項記載の動的ロード回路。 (20)回路接続点て高電圧信号を生ずる動的ロード回
路において、クロック信号を第1の接続点に結合する笥
1の容量性装置と、前記クロック信号の逆信号を第2の
接続点に結合する第2の容量性装置と、前記第1接続点
に接続したケゝ−ト端子及びドレイン端子と前記回路接
続点に接続したソース端子とを持つ第1のトランジスタ
と、前記第2接続点に接続したケゞ−ト端子と前記の第
1接続点及び高電圧入力信号接続点の間K[続したソー
ス端子及びドレイン端子とを持つ第2のトランジスタと
、前記回路接続点の電圧状態を前記第2接続点に結合す
る装置とを包含する動的ロード回路。 (21) 第1の容量性装置を、クロック信号を受け
るように接続したドレイン端子を持つ第3のトランジス
タと、この第6トランジスタのソース端子に接続したソ
ース端子及びドレイン端子と第1の接続点に接続したケ
8−ト端子とを持つ第4のトランジスタと、電力端子に
接続したケゞ−ト端子と前記第6トランジスタケ8−ト
端子及び回路接続点の間に接続したソース端子及びドレ
イン端子とを持つ第5のトランジスタとにより構成した
特許請求の範囲第(20)項記載の動的ロード回路。 (イ)第2の容量性装置を、逆クロック信号を受けるよ
うに接続したドレイン端子と第2の接続点に接続したケ
ゞ−ト端子とを持つ第6のトランジスタと、この第6ト
ランジスタのソース端子に接続したソース端子及びドレ
イン端子と前記第2接続点に接続したケゞ−ト端子とを
持つ第7のトランジスタとにより構成した特許請求の範
囲第(20)項記載の動的ロード回路。 @ 回路接続点の′電圧状態を第2の接続点に結合する
装置に、第1の接続点に接続したケ8−ト端子と前記の
回路接続点及び第2接続点の間に接続したソース端子及
びドレイン端子とを持つ第8のトランジスタを設けた特
許請求の範囲第(20)項記載の動的ロード回路。 (至) 回路接続点の′電圧状態を第2の接続点に結合
する装置に、電力端子に接続したデート端子と前記の回
路接、読点及び第2接続点の間に接続したソース端子及
びドレイン端子とを持つ第9のトランジスタを設けた特
許請求の範囲第(20)項記載の動的ロード回路。 (ハ) 回路接続点の電圧状態を第2の(※読点に結合
する装置に、第1の接続点に接続したゲート端子と前記
の回路接続点及び第2接続・点の間に接続したソース端
子及びドレイン端子とを持つ第8のトランジスタと、電
力端子に接続したケ8−ト端子と前記の回路接読点及び
第2接続点の間に接続したソース端子及びドレイン端子
とを持つ第9のトランジスタとを設けた特許請求の範囲
第(20)項記載の動的ロード回路。 (ホ) 回路接続点に高電圧信号を生ずる動的ロード回
路ておいて、クロック信号を受けるように接続したドレ
イン端子を持つ第1のトランジスタと、この第1トラン
ジスタのソース端子如接続したドレイン端子及びソース
端子と第1の接続点に接続したケ8−ト端子とを持つ第
2のトランジスタと、前記の回路接続点及び第1トラン
ジスタデート端子の間眞接続したドレイン端子及びソー
ス端子と電力端子に接続したデート端子とを持つ第6の
トランジスタと、前記第1接続点に接続したドレイン端
子及びケゝ−ト端子と前記回路接続点に接続したソース
端子とを持つ第4のトランジスタと、前記回路接続点及
び第2接続点の間に接続したドレイン端子及びソース端
子と前記電力端子にj多読したケゞ−ト端子とを持つ第
5のトランジスタと、前記の回路接続点及び第2接続点
の間に接続したドレイン端子及びソース端子と前記第1
接読点に接続したデート端子とを持つ第6のトランジス
タと、前記クロック信号の逆信号を受けるように接続し
たドレイン端子と前記第2接続点に接続したゲート端子
とを持つ第7のトランジスタと、この第7トランジスタ
のソース端子に接続したドレイン端子及びソース端子と
前記第2接続点に接続したゲート端子とを持つ第8のト
ランジスタと、前記第1接続点及び高′覗圧入力信号接
続点の間に接続したソース端子及びドレイン端子と前記
第2接続点て接続したケ9−ト端子とを持つ第9のトラ
ンジスタとを包含する動的ロード回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/454,055 US4580067A (en) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | MOS dynamic load circuit for switching high voltages and adapted for use with high threshold transistors |
| US454055 | 1989-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167900A true JPS59167900A (ja) | 1984-09-21 |
| JPS6237472B2 JPS6237472B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=23803108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245614A Granted JPS59167900A (ja) | 1982-12-28 | 1983-12-28 | 高電圧状態を生ずる方法及び動的ロ−ド回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4580067A (ja) |
| JP (1) | JPS59167900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124095A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPH0668690A (ja) * | 1992-05-25 | 1994-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置における内部電圧発生回路および不揮発性半導体記憶装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448958U (ja) * | 1987-09-18 | 1989-03-27 | ||
| US5042009A (en) * | 1988-12-09 | 1991-08-20 | Waferscale Integration, Inc. | Method for programming a floating gate memory device |
| EP0376627B1 (en) * | 1988-12-26 | 1995-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated high voltage generating system |
| US5708387A (en) * | 1995-11-17 | 1998-01-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fast 3-state booster-circuit |
| KR0176115B1 (ko) * | 1996-05-15 | 1999-04-15 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 |
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| ITMI20022268A1 (it) | 2002-10-25 | 2004-04-26 | Atmel Corp | Circuito pompa di cariche variabile con carico dinamico |
| US8106701B1 (en) | 2010-09-30 | 2012-01-31 | Sandisk Technologies Inc. | Level shifter with shoot-through current isolation |
| US8537593B2 (en) | 2011-04-28 | 2013-09-17 | Sandisk Technologies Inc. | Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load |
| US8395434B1 (en) | 2011-10-05 | 2013-03-12 | Sandisk Technologies Inc. | Level shifter with negative voltage capability |
| US9330776B2 (en) | 2014-08-14 | 2016-05-03 | Sandisk Technologies Inc. | High voltage step down regulator with breakdown protection |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4971860A (ja) * | 1972-11-10 | 1974-07-11 | ||
| US3938108A (en) * | 1975-02-03 | 1976-02-10 | Intel Corporation | Erasable programmable read-only memory |
| US4354123A (en) * | 1979-08-13 | 1982-10-12 | Mostek Corporation | High voltage clock generator |
| US4352996A (en) * | 1980-03-21 | 1982-10-05 | Texas Instruments Incorporated | IGFET Clock generator circuit employing MOS boatstrap capacitive drive |
| US4322675A (en) * | 1980-11-03 | 1982-03-30 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Regulated MOS substrate bias voltage generator for a static random access memory |
| US4451748A (en) * | 1982-01-15 | 1984-05-29 | Intel Corporation | MOS High voltage switching circuit |
-
1982
- 1982-12-28 US US06/454,055 patent/US4580067A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58245614A patent/JPS59167900A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59124095A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPH0668690A (ja) * | 1992-05-25 | 1994-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置における内部電圧発生回路および不揮発性半導体記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4580067A (en) | 1986-04-01 |
| JPS6237472B2 (ja) | 1987-08-12 |
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