JPS59168681A - アモルフアス薄膜太陽電池 - Google Patents
アモルフアス薄膜太陽電池Info
- Publication number
- JPS59168681A JPS59168681A JP58044845A JP4484583A JPS59168681A JP S59168681 A JPS59168681 A JP S59168681A JP 58044845 A JP58044845 A JP 58044845A JP 4484583 A JP4484583 A JP 4484583A JP S59168681 A JPS59168681 A JP S59168681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solar cell
- solar cells
- pattern
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/215—Geometries of grid contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は大面積アモルファス薄膜太陽電池の改良に関
するものである。
するものである。
第１図は従来の太陽電池の構成を示す平面図で、その構
成は周知のように、金属（通常はステンレススチールが
用いられる）基板（１）の上にアモルファス半導体）Ｖ
ｉ （２）が形成され、皿にその表面に図示のような櫛
状のパターンの金属電極（３）が形成されて、アモルフ
ァス太陽電池（４）が形成されている。
成は周知のように、金属（通常はステンレススチールが
用いられる）基板（１）の上にアモルファス半導体）Ｖ
ｉ （２）が形成され、皿にその表面に図示のような櫛
状のパターンの金属電極（３）が形成されて、アモルフ
ァス太陽電池（４）が形成されている。
この太陽電池（４）では、表面の金属電極（３）から外
部へ電流を取シ出すためのリード線は図にＡで示すよう
に基板（１）の端部へ接続することになる。従って、基
板（１）の面積が大きくなるに伴って電極（３）の電気
抵抗による電力損失が無月できなくなる。
部へ電流を取シ出すためのリード線は図にＡで示すよう
に基板（１）の端部へ接続することになる。従って、基
板（１）の面積が大きくなるに伴って電極（３）の電気
抵抗による電力損失が無月できなくなる。
また、複数枚の太陽電池（４）を並べてモジュールを組
立てるときには、第２図に側面図を示すように、各太陽
電池（４）相互間にリード線（５）を通す間隔が必要と
なり、面積効率が低下する。更に、この太陽電池の製造
工程において、表面の金属電極（３）の形成方法にマス
ク蒸着法があるが、これは所望パターンを有する金属マ
スクで基板（１）をカバーし、蒸着とパタ一ニングとを
同時に行なう方法で、寸法精度は多少劣るが、低コスト
であるという利点があシ、太陽電池の製造にはよく用い
られている。
立てるときには、第２図に側面図を示すように、各太陽
電池（４）相互間にリード線（５）を通す間隔が必要と
なり、面積効率が低下する。更に、この太陽電池の製造
工程において、表面の金属電極（３）の形成方法にマス
ク蒸着法があるが、これは所望パターンを有する金属マ
スクで基板（１）をカバーし、蒸着とパタ一ニングとを
同時に行なう方法で、寸法精度は多少劣るが、低コスト
であるという利点があシ、太陽電池の製造にはよく用い
られている。
しかし、従来の太陽電池にこの方法を適用するときには
、第３図に示すように、メタルマスク（６）を重ね合わ
せた基板（１）を保持するには、その端面において、止
めビン（７）ではさみ止める方法以外の方法はなく、図
示のように基板（１）とメタルマスク（６）との密着性
が十分でなく、パターンのほけが発生し易く、しかも、
基板（１）の面積が大きい程この現象は発生し易いとい
う欠点があった。
、第３図に示すように、メタルマスク（６）を重ね合わ
せた基板（１）を保持するには、その端面において、止
めビン（７）ではさみ止める方法以外の方法はなく、図
示のように基板（１）とメタルマスク（６）との密着性
が十分でなく、パターンのほけが発生し易く、しかも、
基板（１）の面積が大きい程この現象は発生し易いとい
う欠点があった。
この発明は２以上のような点に鑑みてなされたもので、
金属電極のパターンを複数個に分割し、それら複数個の
パターンの端部が集合している部位において基板に貫通
孔を設けることによって、製造工程においてはこの貫通
孔を利用してメタルマスクと基板とを密着させ蒸着され
る金属電極のパターンを鮮鋭ならしめ、また、完成後は
複数個の太陽電池を並べてモジュール化するときにこの
貫通孔を用いて接続を行ない面積効率を良好に保持でき
る太陽電池の構成を提供するものである。
金属電極のパターンを複数個に分割し、それら複数個の
パターンの端部が集合している部位において基板に貫通
孔を設けることによって、製造工程においてはこの貫通
孔を利用してメタルマスクと基板とを密着させ蒸着され
る金属電極のパターンを鮮鋭ならしめ、また、完成後は
複数個の太陽電池を並べてモジュール化するときにこの
貫通孔を用いて接続を行ない面積効率を良好に保持でき
る太陽電池の構成を提供するものである。
第４図はこの発明の一実施例の構成を示す平面図で、第
１図の従来例と同等部分は同一符号で示す。この実施例
になる太陽電池（４ａ）では金属電極（３ａ）は４個の
櫛形パターンに形成され、基板（１）の中央部に貫通孔
（８）が設けられている。従って、この太陽電池（４ａ
）を複数枚並べてモジュールを組立てるときにはリード
線は貫通孔（８）を介して各櫛形パターンの端部（図示
Ｂ部）から引き出すことができ、この接続状況を第５図
の側面図に示す。リード線（５）の配置はこのようＫな
るので、各太陽電池（４ａ）相互間に実質的な間隔を設
ける必要がなく、面積効率を良好に保持できる。また、
製造工程における金属電極（３ａ）の蒸着バターニング
に際しては、第６図に側面図を示すように、基板（１）
の貫通孔（８）を利用して、ねじ（９９などで、メタル
マスク（６）を基板（１）に密着させることができ、パ
ターン精贋を良好に形成することができる。
１図の従来例と同等部分は同一符号で示す。この実施例
になる太陽電池（４ａ）では金属電極（３ａ）は４個の
櫛形パターンに形成され、基板（１）の中央部に貫通孔
（８）が設けられている。従って、この太陽電池（４ａ
）を複数枚並べてモジュールを組立てるときにはリード
線は貫通孔（８）を介して各櫛形パターンの端部（図示
Ｂ部）から引き出すことができ、この接続状況を第５図
の側面図に示す。リード線（５）の配置はこのようＫな
るので、各太陽電池（４ａ）相互間に実質的な間隔を設
ける必要がなく、面積効率を良好に保持できる。また、
製造工程における金属電極（３ａ）の蒸着バターニング
に際しては、第６図に側面図を示すように、基板（１）
の貫通孔（８）を利用して、ねじ（９９などで、メタル
マスク（６）を基板（１）に密着させることができ、パ
ターン精贋を良好に形成することができる。
上記実施例では貫通孔を基板の中央部に１個設けたが、
基板面積が大きい揚台には貫通孔の数を増加すればよい
。
基板面積が大きい揚台には貫通孔の数を増加すればよい
。
以上説明したように、この発明になるアモルファス薄膜
太陽電池では、基板に負通孔を設け、表面金属電極パタ
ーンの端部が」二記貫通孔の周囲部にあるようにしたの
で、モジュール化するだめの接続にこの貫通孔を利用で
き単位太陽電池相互間の間隔を狭くすることができ、面
積効率を良好に保持でき、寸だ、製造工程において、金
属電極の蒸着パターニングに際してメタルマスクをこの
貫通孔を利用して基板に密着させることができ、パター
ン精度を良好ならしめることができる。
太陽電池では、基板に負通孔を設け、表面金属電極パタ
ーンの端部が」二記貫通孔の周囲部にあるようにしたの
で、モジュール化するだめの接続にこの貫通孔を利用で
き単位太陽電池相互間の間隔を狭くすることができ、面
積効率を良好に保持でき、寸だ、製造工程において、金
属電極の蒸着パターニングに際してメタルマスクをこの
貫通孔を利用して基板に密着させることができ、パター
ン精度を良好ならしめることができる。
第１図は従来の太陽電池の構成を示す平面図、第２図は
従来のモジュール化の際の接続形式を示す側面図、第３
図は従来の太陽電池における電極パターンの蒸着形成状
況を示す側面図、第４図はこの発明の一実施例の構成を
示す平面１図、第５図はこの実施例によるモジュール化
の際の接続形式を示す側面図、第６図はこの実施例にお
りる電極パターンの７Ａ７ｉ１形成状況を示す側面図で
ある。 図において、（１）は金属基板、（２）はアモルファス
半導体ノ曽、（３ａ）は金属電極、（４ａ）はアモルフ
ァス肋膜太陽電池、（８）は貫通孔である。 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 ハ 第２図 第３図 第４図 第６図 第６図
従来のモジュール化の際の接続形式を示す側面図、第３
図は従来の太陽電池における電極パターンの蒸着形成状
況を示す側面図、第４図はこの発明の一実施例の構成を
示す平面１図、第５図はこの実施例によるモジュール化
の際の接続形式を示す側面図、第６図はこの実施例にお
りる電極パターンの７Ａ７ｉ１形成状況を示す側面図で
ある。 図において、（１）は金属基板、（２）はアモルファス
半導体ノ曽、（３ａ）は金属電極、（４ａ）はアモルフ
ァス肋膜太陽電池、（８）は貫通孔である。 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 ハ 第２図 第３図 第４図 第６図 第６図
Claims (1)
- （１） 金属基板上にアモルファス半導体層を形成し
、更にその上に所要のパターンの金属電極を形成してな
るアモルファス薄膜太陽電池において、上記金属基板に
少なくとも１個の貫通孔を有し、上記金属電極のパター
ンの端部が上記貫通孔の周囲部にあるようにしたことを
特徴とするアモルファス薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044845A JPS59168681A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | アモルフアス薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044845A JPS59168681A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | アモルフアス薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168681A true JPS59168681A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12702808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044845A Pending JPS59168681A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | アモルフアス薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989005521A1 (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-15 | Spectrolab, Inc. | Solar cell panel |
| US6720576B1 (en) | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58044845A patent/JPS59168681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989005521A1 (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-15 | Spectrolab, Inc. | Solar cell panel |
| US6720576B1 (en) | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
| US7095090B2 (en) | 1992-09-11 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
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