JPS5916978A - 金属被膜の選択的エツチング方法 - Google Patents
金属被膜の選択的エツチング方法Info
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- JPS5916978A JPS5916978A JP57125078A JP12507882A JPS5916978A JP S5916978 A JPS5916978 A JP S5916978A JP 57125078 A JP57125078 A JP 57125078A JP 12507882 A JP12507882 A JP 12507882A JP S5916978 A JPS5916978 A JP S5916978A
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- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
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- H10P50/71—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for conductive or resistive materials
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体素子の超微細加工による製造方法に関し
、特に半導体素子の超微細加工において金属配線を形成
するために金属層を選択的にエツチングする方法に関す
る。
、特に半導体素子の超微細加工において金属配線を形成
するために金属層を選択的にエツチングする方法に関す
る。
半導体素子の配線、電極々どの材料として電導性のアル
ミニウムを主体とした金属が広く使用されている。そし
て従来この配線等のパターン形成方法は絶縁膜が形成さ
れた素子表面に真空蒸着法またはスパッター法によシ金
属層を形成し、その上に感光性レジストや電子線レジス
トなどの放射線感受性レジストによシバターンを形成し
、リン酸系またはアミン系食刻液によるいわゆる湿式法
でエツチングし、最後にレジスト膜を除去してアルミニ
ウム配線等のパターンと形成する方法である。しかし半
導体デバイスの高集積度化、高性能化がＬＳＩから超Ｌ
ＳＩ−＼と進むにつれ、微細加工の要求も益り高度化し
つつある。例えば約５ミクロンレベルの微細素子製造に
おけるアルミニウムのエツチング方法では従来の湿式法
でもかろうじて可能であったが、さらに細かいレベルの
２．５ないし２ミクロン、特に１ミクロン以下のいわゆ
るサブミクロンレベルに々ると、必然的にエツチングの
寸法精度、均一性、断面形状の制御性、歩留υ等の向上
が次第に要求されるようになり湿式法に代ってドライエ
ツチング法が導入されるようになってきた。
ミニウムを主体とした金属が広く使用されている。そし
て従来この配線等のパターン形成方法は絶縁膜が形成さ
れた素子表面に真空蒸着法またはスパッター法によシ金
属層を形成し、その上に感光性レジストや電子線レジス
トなどの放射線感受性レジストによシバターンを形成し
、リン酸系またはアミン系食刻液によるいわゆる湿式法
でエツチングし、最後にレジスト膜を除去してアルミニ
ウム配線等のパターンと形成する方法である。しかし半
導体デバイスの高集積度化、高性能化がＬＳＩから超Ｌ
ＳＩ−＼と進むにつれ、微細加工の要求も益り高度化し
つつある。例えば約５ミクロンレベルの微細素子製造に
おけるアルミニウムのエツチング方法では従来の湿式法
でもかろうじて可能であったが、さらに細かいレベルの
２．５ないし２ミクロン、特に１ミクロン以下のいわゆ
るサブミクロンレベルに々ると、必然的にエツチングの
寸法精度、均一性、断面形状の制御性、歩留υ等の向上
が次第に要求されるようになり湿式法に代ってドライエ
ツチング法が導入されるようになってきた。
一方アルミニウム被膜の１・゛ライエツチングは塩素系
ガスで行なうことができるが、アルミニウム被膜の表面
には酸化アルミニウム被膜が容易に形成され易いために
その酸化アルミニウム被膜のエツチングはドライエツチ
ング法の中でも物理的な力も加わる平行平板電極型のプ
ラズマエツチングやりアクティブイオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）でなければ実用性がない。そしてアルミニウム被
膜のエツチング条件が強力であるか、ないしは強く加速
されたイオ°ン衝撃のためエツチング時に高温と々る。
ガスで行なうことができるが、アルミニウム被膜の表面
には酸化アルミニウム被膜が容易に形成され易いために
その酸化アルミニウム被膜のエツチングはドライエツチ
ング法の中でも物理的な力も加わる平行平板電極型のプ
ラズマエツチングやりアクティブイオンエツチング（Ｒ
ＩＥ）でなければ実用性がない。そしてアルミニウム被
膜のエツチング条件が強力であるか、ないしは強く加速
されたイオ°ン衝撃のためエツチング時に高温と々る。
そのために紫外線、電子線丑たはＸ線等の放射線に感受
性を有する従来の肩機レジストマスクは熱変形を起し、
パターンの間隔が詰って解像力が低下したりあるいはレ
ジストマスクの膵臓りが激しくアルミニウム被膜のドラ
イエツチングに耐えうるマスクとしての有機レジスト材
料がないのが現状である。
性を有する従来の肩機レジストマスクは熱変形を起し、
パターンの間隔が詰って解像力が低下したりあるいはレ
ジストマスクの膵臓りが激しくアルミニウム被膜のドラ
イエツチングに耐えうるマスクとしての有機レジスト材
料がないのが現状である。
そのため膵臓りに対する一つの手段としてレジストマス
クの膜厚を厚くし７て膵臓シ分の厚さを予め補償してお
くことも考えられるが、そうすれは厚膜化のためにレジ
ストのパターン精度（解像力）が低下し、所期の目的を
達することは出来なぐなる。
クの膜厚を厚くし７て膵臓シ分の厚さを予め補償してお
くことも考えられるが、そうすれは厚膜化のためにレジ
ストのパターン精度（解像力）が低下し、所期の目的を
達することは出来なぐなる。
本発明者らは上記の事情に鑑み、鋭意研究を爪ねた結果
、超ＬＳＩレベルの素子製造における平行平板電極型プ
ラズマエツチング法、またはＩＩ（ＩＥ法によるアルミ
ニウム等の被膜の超微細パターンの形成方法において、
有機レジストマスクのみでは選択的エツチングが不可能
なため、ｊｈ素系カスに対し耐ドライエツチング性があ
り、かつフッ素系カスによシトライエツチング可能な無
機性物質すなわち酸化ケイ素の薄層をアルミニウド等被
膜上に形成し、有機レジストの補助マスクとして使用す
ることにより、アルミニウム等被膜の微細パターンの選
択的ドライエツチングが可能となることを見出し本発明
を完成した。
、超ＬＳＩレベルの素子製造における平行平板電極型プ
ラズマエツチング法、またはＩＩ（ＩＥ法によるアルミ
ニウム等の被膜の超微細パターンの形成方法において、
有機レジストマスクのみでは選択的エツチングが不可能
なため、ｊｈ素系カスに対し耐ドライエツチング性があ
り、かつフッ素系カスによシトライエツチング可能な無
機性物質すなわち酸化ケイ素の薄層をアルミニウド等被
膜上に形成し、有機レジストの補助マスクとして使用す
ることにより、アルミニウム等被膜の微細パターンの選
択的ドライエツチングが可能となることを見出し本発明
を完成した。
すなわち本発明の目的は超ＬＳＩレベルの半導体素子製
造においてアルミニウム等金属被膜の選択的ドライエツ
チング方法による超微細パターン形成方法を提供するに
ある。
造においてアルミニウム等金属被膜の選択的ドライエツ
チング方法による超微細パターン形成方法を提供するに
ある。
さらに本発明の他の目的は特別に煩雑な手段を講するこ
となくアルミニウム等被膜の超微細バター／を精度よく
形成する方法を提供するにある。
となくアルミニウム等被膜の超微細バター／を精度よく
形成する方法を提供するにある。
本発明は半導体基板上の金属被膜を選択的にエツチング
するに際して、（ａ）基板上に金属被膜を形成する工程
、（ｂ）該被膜上に酸化ケイ素を主成分とする補助マス
ク層を形成する工程、（Ｃ）前記補助マスク層上に設け
られた放射線感受性有機レジストをパターニングする工
程、（ｄ、）該パターニングされた有機レジスト層をマ
スクとして前記補助マスク層をエツチングする工程、（
ｅ）エツチングされた前記補助マスク層をマスクとして
該金属被膜を塩素系ガスでドライエツチングする工程、
および（ｆ）残存する前記補助マスク層を除去する工程
からなる金属被膜の選択的エツチング方法を提供するも
のである。
するに際して、（ａ）基板上に金属被膜を形成する工程
、（ｂ）該被膜上に酸化ケイ素を主成分とする補助マス
ク層を形成する工程、（Ｃ）前記補助マスク層上に設け
られた放射線感受性有機レジストをパターニングする工
程、（ｄ、）該パターニングされた有機レジスト層をマ
スクとして前記補助マスク層をエツチングする工程、（
ｅ）エツチングされた前記補助マスク層をマスクとして
該金属被膜を塩素系ガスでドライエツチングする工程、
および（ｆ）残存する前記補助マスク層を除去する工程
からなる金属被膜の選択的エツチング方法を提供するも
のである。
り下車発明の各工程を第１図（ａ）〜（ｇ）に示す断面
図で説明する。なお金属としてはアルミニウムを使用し
た。
図で説明する。なお金属としてはアルミニウムを使用し
た。
先ず第１段階は第１図（ａ）に示す如く基板１上に真空
蒸着法捷たはスパッツ−法によシアルミニウム被膜２を
形成し、第１図（ｂ）に示す如くアルミニウム被膜２０
表面に気相成長法（ｐｖｃ法やＣＶＩ）法）またはスピ
ンオン塗布焼成法によシ酸化ケイ素（Ｓｉ０２）被膜３
（ｉｌ−形成する。
蒸着法捷たはスパッツ−法によシアルミニウム被膜２を
形成し、第１図（ｂ）に示す如くアルミニウム被膜２０
表面に気相成長法（ｐｖｃ法やＣＶＩ）法）またはスピ
ンオン塗布焼成法によシ酸化ケイ素（Ｓｉ０２）被膜３
（ｉｌ−形成する。
このＳ〕０２被膜６は後述のアルミニウム被膜をエツチ
ングしてパターニングするための補助マスクの形成に使
用するもので、その厚さは５００〜５０００Ａが適尚で
ある。ただ基板１が５ｉ０２の場合、後述の最終工程に
おいて補助マスク層３ａを除去する際に基板１と補助マ
スク層６ａとが同時に除去されるため、基板１の損傷を
できるだけ少なくすることが望ましく、それには５ｉ０
２被膜６を可及的に薄くするかあるいは基板１よりもエ
ツチングレートの高い補助マスク利料を選択することが
有利であり、そのだめの補助マスクとしてはスピンオン
塗布法によるのが好１しく、特に五酸化リン（Ｐ２Ｏ３
）を含むスピンオン塗布液で形成したリンシリケートカ
ラス溶液（ＰＳＧ）が好適である。さらにそのときのに
−り処理は軽くすることが実用上有利である。
ングしてパターニングするための補助マスクの形成に使
用するもので、その厚さは５００〜５０００Ａが適尚で
ある。ただ基板１が５ｉ０２の場合、後述の最終工程に
おいて補助マスク層３ａを除去する際に基板１と補助マ
スク層６ａとが同時に除去されるため、基板１の損傷を
できるだけ少なくすることが望ましく、それには５ｉ０
２被膜６を可及的に薄くするかあるいは基板１よりもエ
ツチングレートの高い補助マスク利料を選択することが
有利であり、そのだめの補助マスクとしてはスピンオン
塗布法によるのが好１しく、特に五酸化リン（Ｐ２Ｏ３
）を含むスピンオン塗布液で形成したリンシリケートカ
ラス溶液（ＰＳＧ）が好適である。さらにそのときのに
−り処理は軽くすることが実用上有利である。
次に第２段階として第１図（Ｃ）に示す如く紫外線、遠
紫外線、電子ｍ寸たけＸ線等の放射線感受性有機レジス
トをＳ卸、被膜６上に適用し、紫外線、遠紫外線、電子
線寸たはＸ線によるマイクロホトリソグラフィによシ所
期の微細パターンをもつ有機レジストマスク４を形成す
る。有機レジストおよびその適用の工程は所望の性能を
有する材料および工程を選択、使用することが必要であ
る。
紫外線、電子ｍ寸たけＸ線等の放射線感受性有機レジス
トをＳ卸、被膜６上に適用し、紫外線、遠紫外線、電子
線寸たはＸ線によるマイクロホトリソグラフィによシ所
期の微細パターンをもつ有機レジストマスク４を形成す
る。有機レジストおよびその適用の工程は所望の性能を
有する材料および工程を選択、使用することが必要であ
る。
第６段階は第１図（ｄ）に示す如く、有機レジストマス
ク４に対しフッ素系ガスによるドライエツチングを適用
しＩＥｉ０２の補助マスクツξクーン３ａを形成する工
程である。この場合のフッ素系カスとしてはＣＦ４ 、
ＣＦ４＋０２＋ ”２”６ｒ ＣＨＦ３ ＋ Ｃ３Ｆ
Ｂ ’たＩ′ｉＣＦ ４ ＋Ｈ２が使用可能である。こ
こで有機レジストマスク４は４ａとなる。
ク４に対しフッ素系ガスによるドライエツチングを適用
しＩＥｉ０２の補助マスクツξクーン３ａを形成する工
程である。この場合のフッ素系カスとしてはＣＦ４ 、
ＣＦ４＋０２＋ ”２”６ｒ ＣＨＦ３ ＋ Ｃ３Ｆ
Ｂ ’たＩ′ｉＣＦ ４ ＋Ｈ２が使用可能である。こ
こで有機レジストマスク４は４ａとなる。
第４段階は平行平板電極型プラズマエツチング装置また
はＲＩＦＩ装置を使用し、塩素系ガスにより補助マスク
パターンを介してアルミニウム被膜をエツチングして第
１図（ｅ）の如くアルミニドマスク４ａを除去し、補助
マスク層６ａのみで塩素系ガスによりアルミニウム被膜
をエツチングしても何ら差支えない。
はＲＩＦＩ装置を使用し、塩素系ガスにより補助マスク
パターンを介してアルミニウム被膜をエツチングして第
１図（ｅ）の如くアルミニドマスク４ａを除去し、補助
マスク層６ａのみで塩素系ガスによりアルミニウム被膜
をエツチングしても何ら差支えない。
本発明において用いることのできる酸化ケイ素を主成分
とする補助マスク層には、塗布法によって基板上に塗布
した後に加熱焼成することによって酸化ケイ素質を形成
するものであればどのようなものでも使用することがで
きる。ここで塗布法によって被着させるといったのはそ
の作業性の点で優れているからである。他の方法、例え
ば蒸着法等によるものであれば装置そのものが大型とな
るばかりでなく、大量生産向きではない。その材料をい
くつか示せばノ・ロゲ゛ン化シランまたはアルコキシシ
ラン等を加水分解して得られるヒドロキシシランの有機
溶媒溶液あるいはリン化合物を含むリンシリケートカラ
ス溶液を塗布液として使用することができる。
とする補助マスク層には、塗布法によって基板上に塗布
した後に加熱焼成することによって酸化ケイ素質を形成
するものであればどのようなものでも使用することがで
きる。ここで塗布法によって被着させるといったのはそ
の作業性の点で優れているからである。他の方法、例え
ば蒸着法等によるものであれば装置そのものが大型とな
るばかりでなく、大量生産向きではない。その材料をい
くつか示せばノ・ロゲ゛ン化シランまたはアルコキシシ
ラン等を加水分解して得られるヒドロキシシランの有機
溶媒溶液あるいはリン化合物を含むリンシリケートカラ
ス溶液を塗布液として使用することができる。
また本発明に用いることのできる放射線感受性有機レジ
ストは市販されているレジストであれば、これらのもの
は本来耐エツチング性に優つド被膜パターン２ａを形成
する工程である。
ストは市販されているレジストであれば、これらのもの
は本来耐エツチング性に優つド被膜パターン２ａを形成
する工程である。
このときには一般に有機レジス）４ａは衝撃を受は膜減
り等を生起し４ａ′となる。使用可能な塩素系ガスはｃ
ｃｔ４． Ｂｃｔ３ｉたは５ｉＣｔ４である。
り等を生起し４ａ′となる。使用可能な塩素系ガスはｃ
ｃｔ４． Ｂｃｔ３ｉたは５ｉＣｔ４である。
第５段階は第１図（ｆ＞に示す如くマスクとして使用し
た有機レジスト４ａ′を除去する工程であり、これは酸
素ガスによるプラスマエノチング力法を採用するのが好
ましいが、剥離剤を使用して湿式法で除去することも勿
論ｎ」能である。
た有機レジスト４ａ′を除去する工程であり、これは酸
素ガスによるプラスマエノチング力法を採用するのが好
ましいが、剥離剤を使用して湿式法で除去することも勿
論ｎ」能である。
最後の第６段階は補助マスクとして使用した５１０２
ハターン層６ａを除去して第１図（ｇ）に示すθＵ （
所期のアルミニウム被膜の微細パターン２ａのみをイ（
Ｉる工程であり、第６段階と同様にフッ素ノノスによる
トライエツチング方法が好捷しい。
ハターン層６ａを除去して第１図（ｇ）に示すθＵ （
所期のアルミニウム被膜の微細パターン２ａのみをイ（
Ｉる工程であり、第６段階と同様にフッ素ノノスによる
トライエツチング方法が好捷しい。
勿論従来公知のフン化水素酸系溶液による湿式法で除去
することも可能である。
することも可能である。
υ土の説明のような順序で工程を経るのが本発明方法で
あるが、本発明の変形として一部工程順序を逆にする、
例えば第４段階と第５段階を逆にして第１図（ｅ′）に
示す如く、有機レジメれているのであるから、その種類
を問わず使用に供することができる。
あるが、本発明の変形として一部工程順序を逆にする、
例えば第４段階と第５段階を逆にして第１図（ｅ′）に
示す如く、有機レジメれているのであるから、その種類
を問わず使用に供することができる。
１だ既述の第６段階の例においてエツチングはドライエ
ツチングを示したが、特にドライ二体とする金属の配線
、電極などの超微細加工を精度よく可能としたものであ
る。すなわち（１）金属被膜は塩素系ガスによるエツチ
ングは容易であるが、フッ素系ガスによるエツチングは
困難であるのに対し、５１０２を主体とするガラス質、
またはＰＳＧの被膜は塩素系ガスによるエツチングは困
難であるがフッ素系カスによるエツチングは容易である
。
ツチングを示したが、特にドライ二体とする金属の配線
、電極などの超微細加工を精度よく可能としたものであ
る。すなわち（１）金属被膜は塩素系ガスによるエツチ
ングは容易であるが、フッ素系ガスによるエツチングは
困難であるのに対し、５１０２を主体とするガラス質、
またはＰＳＧの被膜は塩素系ガスによるエツチングは困
難であるがフッ素系カスによるエツチングは容易である
。
（２）金属被膜のドライエツチングが可能な平行平板電
極型プラズマエツチング法やＲＩＥ法においては方向性
のある、いわゆる異方性エツチングができ多層膜でもレ
ジストパターン通シの精度の良いエツチングができるた
め多少膜厚が増加しても影響が少ない。
極型プラズマエツチング法やＲＩＥ法においては方向性
のある、いわゆる異方性エツチングができ多層膜でもレ
ジストパターン通シの精度の良いエツチングができるた
め多少膜厚が増加しても影響が少ない。
（６）一般に金属表面へのレジストの密着性が悪いため
、シランカップリング剤で前処理することが必要である
が、金属表面に予め５ｉ０２を主体とするガラス質また
はＰＳＧの被膜を形成すると密着性が向上し、従ってシ
ランカップリング剤等による前処理が不要となる。
、シランカップリング剤で前処理することが必要である
が、金属表面に予め５ｉ０２を主体とするガラス質また
はＰＳＧの被膜を形成すると密着性が向上し、従ってシ
ランカップリング剤等による前処理が不要となる。
（４）塩素系ガスによ多金属被膜をドライエツチングす
ると、基板表面に塩素イオンが吸着残存し金属配線等や
シリコン素子に経時変化的に悪影響を与え寿命が短くな
る。しかし塩素系ガスエツチング後、フッ素系ガスによ
シトライエツチングを行なうと塩素系ガスとフッ素系ガ
スの吸着置換が起シ悪影響が改善される。
ると、基板表面に塩素イオンが吸着残存し金属配線等や
シリコン素子に経時変化的に悪影響を与え寿命が短くな
る。しかし塩素系ガスエツチング後、フッ素系ガスによ
シトライエツチングを行なうと塩素系ガスとフッ素系ガ
スの吸着置換が起シ悪影響が改善される。
（５）金属被膜上に形成する５１０２を主体とするガラ
ス質またはＰＳＧの被膜を必然的に低温（４５０℃以下
）で形成できる方法が要求され、ＣＶＤ法またはスピン
オン法で行なわれるが、この５１０２を主体とするガラ
ス質またはＰＳＧの被膜はフッ素系ガスによるドライエ
ツチングが容易である。＠に五酸化リン（Ｐ２Ｏ３）含
有の５ｉ０２（ｐｓａ）の被膜はベーキング性、ゲータ
リング性、エツチング除去性等において特に良好である
。
ス質またはＰＳＧの被膜を必然的に低温（４５０℃以下
）で形成できる方法が要求され、ＣＶＤ法またはスピン
オン法で行なわれるが、この５１０２を主体とするガラ
ス質またはＰＳＧの被膜はフッ素系ガスによるドライエ
ツチングが容易である。＠に五酸化リン（Ｐ２Ｏ３）含
有の５ｉ０２（ｐｓａ）の被膜はベーキング性、ゲータ
リング性、エツチング除去性等において特に良好である
。
以上本発明方法を５ｉ０２を主体とするガラス質または
ＰＳ［）の被膜を補助与スクとしてフッ素系ガスおよび
塩素系ガスを使用してアルミニウム被膜をドラ士エツチ
ングする方法について説明したが、これ以外にも本発明
は他種の補助マスク、ガス、タングステン、チタン、モ
リブデン、ニオブ、タンタルなどの金属被膜について利
用できることはいうまでもない。
ＰＳ［）の被膜を補助与スクとしてフッ素系ガスおよび
塩素系ガスを使用してアルミニウム被膜をドラ士エツチ
ングする方法について説明したが、これ以外にも本発明
は他種の補助マスク、ガス、タングステン、チタン、モ
リブデン、ニオブ、タンタルなどの金属被膜について利
用できることはいうまでもない。
次に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例 １
シリコン基板上に真空蒸着法でアルミニウム被膜（１μ
ｍ程度）を蒸着しその上に不純物を含まない５１０２系
被膜形成用塗布１０ｃＤ（商品名、東京応化社製）をス
ピンコード彼、４５０℃３０分間ベークして厚さ１００
０ＡのＯＣＤ膜を形成した。遠紫外線レジス１−ＯＤＵ
Ｒ−１０１０（商品名、東京応化社製）によυレジスト
パターンを形成した後、平行平板電極型プラズマエツチ
ング装置に入れ０２Ｆ、Ｓガス１００ｍ１を処理室に導
入し、圧力を（］、 ２ Ｔｏｒｒ 、出力２００Ｗの
高周波電圧を印加して１分間プラズマエツチングを行な
い補助マスク用のＯＣＤ膜パターンを形成した。次に同
じ装置の処理室にｃｃｔ４ガス１５−導入し圧力０、
Ｉ Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにてアルミニウム膜をエツ
チングした。同じ装置の処理室に０２ガス３００−を導
入し圧力１．５ Ｔｏｒｒ、出力６００Ｗにてレジスト
を除去した。さらに同じ装置の処理室に０２Ｆ６ガスを
導入して圧力０．３ Ｔｏｒｒ 、出力２００Ｗにて補
助マスク用のＯＣＤ膜を除去し、所期のアルミニウム配
線パターンを得た。
ｍ程度）を蒸着しその上に不純物を含まない５１０２系
被膜形成用塗布１０ｃＤ（商品名、東京応化社製）をス
ピンコード彼、４５０℃３０分間ベークして厚さ１００
０ＡのＯＣＤ膜を形成した。遠紫外線レジス１−ＯＤＵ
Ｒ−１０１０（商品名、東京応化社製）によυレジスト
パターンを形成した後、平行平板電極型プラズマエツチ
ング装置に入れ０２Ｆ、Ｓガス１００ｍ１を処理室に導
入し、圧力を（］、 ２ Ｔｏｒｒ 、出力２００Ｗの
高周波電圧を印加して１分間プラズマエツチングを行な
い補助マスク用のＯＣＤ膜パターンを形成した。次に同
じ装置の処理室にｃｃｔ４ガス１５−導入し圧力０、
Ｉ Ｔｏｒｒ、出力２００Ｗにてアルミニウム膜をエツ
チングした。同じ装置の処理室に０２ガス３００−を導
入し圧力１．５ Ｔｏｒｒ、出力６００Ｗにてレジスト
を除去した。さらに同じ装置の処理室に０２Ｆ６ガスを
導入して圧力０．３ Ｔｏｒｒ 、出力２００Ｗにて補
助マスク用のＯＣＤ膜を除去し、所期のアルミニウム配
線パターンを得た。
実施例 ２
不純物として五酸化リンを含む５１０２系被膜形成用塗
布液ＯＣＤ （商品名、東京応化社製）を使用した以外
は実施例１と同様にしてアルミニウム被膜、ＰＳＧ膜お
よびレジストパターンを形成し、平行平板電極型プラズ
マエツチング装置により、ＣＨＦ３ガス２０ｍ／、０．
Ｉ Ｔｏｒｒ、出力３００ＷにてＰＳＣ）膜をエツチ
ングして補助マスクを形成した。同様にｃｃｔ４ガス１
５ｒｎ１．、Ｈｅガス１００ｒｎｌ。
布液ＯＣＤ （商品名、東京応化社製）を使用した以外
は実施例１と同様にしてアルミニウム被膜、ＰＳＧ膜お
よびレジストパターンを形成し、平行平板電極型プラズ
マエツチング装置により、ＣＨＦ３ガス２０ｍ／、０．
Ｉ Ｔｏｒｒ、出力３００ＷにてＰＳＣ）膜をエツチ
ングして補助マスクを形成した。同様にｃｃｔ４ガス１
５ｒｎ１．、Ｈｅガス１００ｒｎｌ。
圧力０．５ Ｔｏ−丁、出力２５０Ｗにてアルミニウム
被膜をエツチングした後、０２カスプラズマによシ圧力
１．５ Ｔｏｒｒ、出力６００Ｗで処理してレジスト膜
を除去し、さらにフッ化水素酸（Ｉ−ＩＦ）およびフッ
化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）の水溶液によｐ ＰＳＧ膜
を除去してアルミニウム配線パターンを得た。
被膜をエツチングした後、０２カスプラズマによシ圧力
１．５ Ｔｏｒｒ、出力６００Ｗで処理してレジスト膜
を除去し、さらにフッ化水素酸（Ｉ−ＩＦ）およびフッ
化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）の水溶液によｐ ＰＳＧ膜
を除去してアルミニウム配線パターンを得た。
第１図（ａ）〜（ｇ） 、 （ｅ’） Ｉｄ本発明の各
工程段階を説明するための断面図である。 １・・基 板、 ２，２ａ・・アルミニウム被膜５．６
ａ・・・補助マスク層、４＋４ａ、４ａ／・・・有機レ
ジストマスク 特許出願人 東京電子化学株式会社 代理人弁理士伊東 彰 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第１図 （ｅ） （６’） （ｆ） （９） 手続補正書（方式） ％式％（１６ １事件の表示 昭和５７年特許願第１２５０７８号 発明の名称 金属被膜の選択的エツチング方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県用崎市中原区中丸子２５１番地名称
東京電子化学株式会社 代表者 伊 藤 毅 雄 ４°代理人〒１０１ 住 所 東京都千代田区神田神保町２丁目手２番地補
正命令の日付 ６ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
及び図面 ７ 補正の内容 （１）発明の詳細な説明 ■、明細書第９頁下から第１行目の［（ｅ′）］を［”
（ｈＬｊに訂正する。 （２）図面の簡単な説明 １５ 明細書第１５頁第１１行目の「（ｅ′月を「（
ｈ）ｊに訂正する。 （３） 図 面 別紙のとおり（第１図（ｅ′）を第１図（１１）に補正
する） 第１図 （ｈ）
工程段階を説明するための断面図である。 １・・基 板、 ２，２ａ・・アルミニウム被膜５．６
ａ・・・補助マスク層、４＋４ａ、４ａ／・・・有機レ
ジストマスク 特許出願人 東京電子化学株式会社 代理人弁理士伊東 彰 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） （ｄ） 第１図 （ｅ） （６’） （ｆ） （９） 手続補正書（方式） ％式％（１６ １事件の表示 昭和５７年特許願第１２５０７８号 発明の名称 金属被膜の選択的エツチング方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県用崎市中原区中丸子２５１番地名称
東京電子化学株式会社 代表者 伊 藤 毅 雄 ４°代理人〒１０１ 住 所 東京都千代田区神田神保町２丁目手２番地補
正命令の日付 ６ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、図面の簡単な説明の欄
及び図面 ７ 補正の内容 （１）発明の詳細な説明 ■、明細書第９頁下から第１行目の［（ｅ′）］を［”
（ｈＬｊに訂正する。 （２）図面の簡単な説明 １５ 明細書第１５頁第１１行目の「（ｅ′月を「（
ｈ）ｊに訂正する。 （３） 図 面 別紙のとおり（第１図（ｅ′）を第１図（１１）に補正
する） 第１図 （ｈ）
Claims (2)
- （１）半導体基板上の金属被膜を選択的にエツチングす
るに際して、 （ａ） 基板上に金属被膜を形成する工程、（ｂ）
該被膜上に酸化ケイ素を主成分とする補助マスク層を
形成する工程、 （Ｃ） 前記補助マスク層上に設けられた放射線感受
性有機レジストをパターニングする工程、 （ｄ） 該パターニングされた有機レジスト層をマス
クとして前記補助マスク層をエツチングする工程、 エツチングする工程 および （ｆ） 残存する前記補助マスク層を除去する工から
なる金属被膜の選択的エツチング方法。 - （２） （ｄＬ （ｆ）のエツチングはフッ素ガスに
よるドライエツチングである特許請求の範囲第（１）項
記載の選択的エツチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125078A JPS5916978A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 金属被膜の選択的エツチング方法 |
| US06/514,793 US4474642A (en) | 1982-07-20 | 1983-07-18 | Method for pattern-wise etching of a metallic coating film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125078A JPS5916978A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 金属被膜の選択的エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916978A true JPS5916978A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0255507B2 JPH0255507B2 (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14901281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125078A Granted JPS5916978A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 金属被膜の選択的エツチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4474642A (ja) |
| JP (1) | JPS5916978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009096218A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | 基板製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4634645A (en) * | 1984-04-13 | 1987-01-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method of forming resist micropattern |
| JPS61242024A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Matsushita Electronics Corp | エツチング終点検出方法 |
| US5024724A (en) * | 1987-03-27 | 1991-06-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dry-etching method |
| US4832787A (en) * | 1988-02-19 | 1989-05-23 | International Business Machines Corporation | Gas mixture and method for anisotropic selective etch of nitride |
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| KR940008323B1 (ko) * | 1991-10-16 | 1994-09-12 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치의 층간접속방법 |
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| TWI246633B (en) | 1997-12-12 | 2006-01-01 | Applied Materials Inc | Method of pattern etching a low k dielectric layen |
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| JP5290488B2 (ja) | 2000-09-28 | 2013-09-18 | プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 酸化物、ケイ酸塩及びリン酸塩の気相成長 |
| US6441838B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-08-27 | Hewlett-Packard Company | Method of treating a metal surface to increase polymer adhesion |
| KR100996816B1 (ko) | 2002-03-28 | 2010-11-25 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 이산화규소 나노라미네이트의 증기증착 |
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| CN103526266B (zh) * | 2013-10-22 | 2016-01-20 | 河南理工大学 | 一种在金属表面上加工微坑阵列的方法 |
| CN105039984B (zh) * | 2015-06-30 | 2018-01-26 | 电子科技大学 | 一种改进的NiCr合金湿法刻蚀工艺 |
| CN113296182A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-08-24 | 宁波市知行光学科技有限公司 | 生成补偿器的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4184909A (en) * | 1978-08-21 | 1980-01-22 | International Business Machines Corporation | Method of forming thin film interconnection systems |
| JPS5690525A (en) * | 1979-11-28 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57125078A patent/JPS5916978A/ja active Granted
-
1983
- 1983-07-18 US US06/514,793 patent/US4474642A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009096218A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | 基板製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4474642A (en) | 1984-10-02 |
| JPH0255507B2 (ja) | 1990-11-27 |
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