JPS5917242A - 半導体製造用石英ガラス - Google Patents
半導体製造用石英ガラスInfo
- Publication number
- JPS5917242A JPS5917242A JP57126043A JP12604382A JPS5917242A JP S5917242 A JPS5917242 A JP S5917242A JP 57126043 A JP57126043 A JP 57126043A JP 12604382 A JP12604382 A JP 12604382A JP S5917242 A JPS5917242 A JP S5917242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- layer
- core pipe
- melting method
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体全製造する場合に使用される石英ガ
ラスの改良にかかるものである。石英ガラスは耐熱性、
低熱膨張、高純度、等々すぐれた特性を有し、特に半導
体分野には広く利用すれている。この石英ガラスも製法
によって特性上の差が生じ、それぞれの特性に応じて使
い分けられている。例えば、天然石英を火焔溶融したも
のは、気泡、ＯＨ基及び不純物が多く、特に高純度全要
求するＭＯ８用イシには使用できない。火焔溶融しπも
のはＯＨ基が多くなり易く、ＯＨ基は石英ガラスの粘性
に大きな影響ケ与えるため、高温、ろるいは大型等の荷
重のかかる用途には使用できない。珪素化合物を熱分解
したものは、高純度品が得られるがＯＨ基が多く、大型
の炉芯管には不向である。このように種々の原料及び製
法によって石英ガラスの特性に差が生じ、それぞれの特
性に応じて使い分けられているが、要求される条件をす
べて満足しているわけではない。
ラスの改良にかかるものである。石英ガラスは耐熱性、
低熱膨張、高純度、等々すぐれた特性を有し、特に半導
体分野には広く利用すれている。この石英ガラスも製法
によって特性上の差が生じ、それぞれの特性に応じて使
い分けられている。例えば、天然石英を火焔溶融したも
のは、気泡、ＯＨ基及び不純物が多く、特に高純度全要
求するＭＯ８用イシには使用できない。火焔溶融しπも
のはＯＨ基が多くなり易く、ＯＨ基は石英ガラスの粘性
に大きな影響ケ与えるため、高温、ろるいは大型等の荷
重のかかる用途には使用できない。珪素化合物を熱分解
したものは、高純度品が得られるがＯＨ基が多く、大型
の炉芯管には不向である。このように種々の原料及び製
法によって石英ガラスの特性に差が生じ、それぞれの特
性に応じて使い分けられているが、要求される条件をす
べて満足しているわけではない。
本願発明者らは、かかる状況全勘案し、それぞれの特性
を生かしつつその欠点が補えるような石英ガラスについ
て研究し、この発明を完成させたものでβる。
を生かしつつその欠点が補えるような石英ガラスについ
て研究し、この発明を完成させたものでβる。
すなわち、半導体製造用石英ガラスにおいて高純度を要
求される内面は、熱分解して生成した石英ガラスとし、
外面は多泡石英ガラスとしたものである。外面全多泡の
石英ガラスとしたものは、例えばシリコン引上用ルツボ
においても、あるいは拡散炉用炉芯管においても周囲か
ら加熱されるが、透明な石英ガラスでは熱源の温度ムシ
がそのまま加熱ムシとなシ易いので、気泡全台む石英ガ
ラス全使用することによって、熱エネルギーを分散させ
、熱源に多少の温度ムラがろっても均熱加熱が可能とな
るようにしたものである。この場合、中間層に真空溶融
した石英ガラス全使用すれば粘、性が高いため高温で使
用しても変形することが少なくｚｂ好ましい。
求される内面は、熱分解して生成した石英ガラスとし、
外面は多泡石英ガラスとしたものである。外面全多泡の
石英ガラスとしたものは、例えばシリコン引上用ルツボ
においても、あるいは拡散炉用炉芯管においても周囲か
ら加熱されるが、透明な石英ガラスでは熱源の温度ムシ
がそのまま加熱ムシとなシ易いので、気泡全台む石英ガ
ラス全使用することによって、熱エネルギーを分散させ
、熱源に多少の温度ムラがろっても均熱加熱が可能とな
るようにしたものである。この場合、中間層に真空溶融
した石英ガラス全使用すれば粘、性が高いため高温で使
用しても変形することが少なくｚｂ好ましい。
このような石英ガラス金製造するには、必要な肉厚全盲
する石英ガラス素体全積層し、その一端を封じておいて
他端から減圧し、外面から加熱することによって外層一
体のものとすることられる。
する石英ガラス素体全積層し、その一端を封じておいて
他端から減圧し、外面から加熱することによって外層一
体のものとすることられる。
実施例
内層を四塩化珪素を熱分解して生成した石英ガラスとし
、中間層全真空電気溶融した石英ガラス、外層を原料粉
全回転溶融法で生成した多泡石英ガラスとし、これら三
層の管状積層体の一端を封看し、他端から真空ポンプで
吸引しつつ酸水素バーナーで周囲から加熱し、三者ｋ
一体のものとした。これを更に加熱しつつ引き伸して拡
散炉用炉芯管を得た。
、中間層全真空電気溶融した石英ガラス、外層を原料粉
全回転溶融法で生成した多泡石英ガラスとし、これら三
層の管状積層体の一端を封看し、他端から真空ポンプで
吸引しつつ酸水素バーナーで周囲から加熱し、三者ｋ
一体のものとした。これを更に加熱しつつ引き伸して拡
散炉用炉芯管を得た。
このものの寸法は内径１３０ｕ、外径１４６１１、長さ
２．Ｏｕｔ）ｍｓで、各層は内層が２Ｉｌｓ、中間層が
４８、外層が２訃でめった。このもの會同−寸法の真空
電気溶融法で得た炉芯管と比較してＭＯ８用シリコンウ
ェーハの拡散処理に使用し友ところ、本願発明のものは
何ら欠陥のないものでめったのに対し、真空電気溶融法
のものは半導体特性に極端なバラツキが見られ、使用不
能であることが証明された。
２．Ｏｕｔ）ｍｓで、各層は内層が２Ｉｌｓ、中間層が
４８、外層が２訃でめった。このもの會同−寸法の真空
電気溶融法で得た炉芯管と比較してＭＯ８用シリコンウ
ェーハの拡散処理に使用し友ところ、本願発明のものは
何ら欠陥のないものでめったのに対し、真空電気溶融法
のものは半導体特性に極端なバラツキが見られ、使用不
能であることが証明された。
なお、この発明の実施例においては三層のもので比較し
たが、シリコン単結晶引上用には必ずしも三層を必要と
せず、それぞれ要求される特性に応じて適応させてもよ
い。
たが、シリコン単結晶引上用には必ずしも三層を必要と
せず、それぞれ要求される特性に応じて適応させてもよ
い。
あるいは多泡石英ガラス管内面に、また、この発明の石
英ガラスを発光管に使用しても単一構造のものには見ら
ｎない特性全発揮することが明らかとなった。
英ガラスを発光管に使用しても単一構造のものには見ら
ｎない特性全発揮することが明らかとなった。
Claims (1)
- １、少なくとも内面が熱分解して生成した石英ガラス層
からなシ、かつ外面が多泡石英ガラス層から成ること全
特徴とする半導体製造用石英ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126043A JPS5917242A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体製造用石英ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126043A JPS5917242A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体製造用石英ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917242A true JPS5917242A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14925239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126043A Pending JPS5917242A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 半導体製造用石英ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917242A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214722U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-29 | ||
| JPS62268129A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Shinetsu Sekiei Kk | 石英ガラス製治具 |
| JPH0384922A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Shinetsu Sekiei Kk | 半導体熱処理用石英ガラス管 |
| US6841210B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-01-11 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co., Kg | Multilayer structured quartz glass crucible and method for producing the same |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126043A patent/JPS5917242A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214722U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-29 | ||
| JPS62268129A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Shinetsu Sekiei Kk | 石英ガラス製治具 |
| JPH0384922A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Shinetsu Sekiei Kk | 半導体熱処理用石英ガラス管 |
| US6841210B2 (en) * | 2000-05-31 | 2005-01-11 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co., Kg | Multilayer structured quartz glass crucible and method for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100261872B1 (ko) | 합성 유리질 실리카바디용 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
| JP5143520B2 (ja) | シリカガラスルツボとその製造方法および引き上げ方法 | |
| TW200836578A (en) | Quartz encapsulated heater and heater assembly thereof | |
| TW200635014A (en) | Composite structure with high heat dissipation | |
| CN104326646A (zh) | 掺杂钛的石英玻璃及其制备方法、制备装置 | |
| JP2676405B2 (ja) | 半導体製造装置若しくは治具用石英ガラス及びその製造方法 | |
| Liang et al. | Phosphor-in-glass (PIG) converter sintered by a fast Joule heating process for high-power laser-driven white lighting | |
| CN106630585A (zh) | 一种低氧含量半导体芯复合材料光纤预制棒的制备方法 | |
| JP2533679B2 (ja) | 盤状セラミックスヒ―タ―及びその製造方法 | |
| CN207600174U (zh) | 一种微波煅烧高纯金属的回转炉 | |
| CN106430913A (zh) | 低膨胀系数的石英玻璃的制备方法及石英玻璃 | |
| CN104946918A (zh) | 一种快速制备AgInSe2基热电材料的新方法 | |
| US3876408A (en) | Connections between glass and silicon or silicon carbide | |
| CN103924109A (zh) | 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的新方法 | |
| JPS62437B2 (ja) | ||
| JPS5968163A (ja) | 発光管用石英ガラス | |
| JP2002003229A (ja) | 半導体製造装置に用いられる石英ガラス製品 | |
| CN105845740A (zh) | 一种冶金键合玻封二极管结构及生产方法 | |
| JP3827828B2 (ja) | 半導体ウエハ熱処理治具用の多孔質石英ガラス | |
| JP2006156584A5 (ja) | ||
| JPS62153130A (ja) | 光フアイバ−用ガラス母材の製造方法 | |
| CN107555765A (zh) | 一种低羟基石英玻璃熔炉 | |
| CN103311425A (zh) | 生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法 | |
| CN106365418A (zh) | 轻量化石英玻璃及其制备方法 | |
| JPH0729798B2 (ja) | 半導体熱処理用複合石英ガラス管の製造方法 |