JPS5917270A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5917270A JPS5917270A JP57125706A JP12570682A JPS5917270A JP S5917270 A JPS5917270 A JP S5917270A JP 57125706 A JP57125706 A JP 57125706A JP 12570682 A JP12570682 A JP 12570682A JP S5917270 A JPS5917270 A JP S5917270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- cap
- ring
- semiconductor device
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラスシールタイプのパッケージ金儲えた半
導体装置に係り、特に、内部にα１１１ｉ！保穫膜全形
成さ７またパッケージの改良に関する。
導体装置に係り、特に、内部にα１１１ｉ！保穫膜全形
成さ７またパッケージの改良に関する。
従来のこの種の半導体装置として、例えば、第１図に示
す工うなものが提案されている。この半導体装置はガラ
スシールタイプのパンケージ１を備えており、このパッ
ケージ１は、共にセラミックから成形されたベース２と
キャップ３と奮最申合せに接合されるとともに、両者の
接合面４．５間をガラス６で溶着シール芒れることによ
り構成されている。このパッケージ１の内部にはベレッ
ト７がベース２′−）：にボンディングされて収容され
ており、ベース２にはリードフレームに相当する電極バ
ンド８が内外に渡って形成されている。ベレット７は電
極パッド８にワイヤ９七弁して適宜電気的に接続されて
いる。
す工うなものが提案されている。この半導体装置はガラ
スシールタイプのパンケージ１を備えており、このパッ
ケージ１は、共にセラミックから成形されたベース２と
キャップ３と奮最申合せに接合されるとともに、両者の
接合面４．５間をガラス６で溶着シール芒れることによ
り構成されている。このパッケージ１の内部にはベレッ
ト７がベース２′−）：にボンディングされて収容され
ており、ベース２にはリードフレームに相当する電極バ
ンド８が内外に渡って形成されている。ベレット７は電
極パッド８にワイヤ９七弁して適宜電気的に接続されて
いる。
また、ベレット７上にはα線から回路？保護するための
膜１０が形成場ｎており、この床膿膜１０は通常ボＩＪ
ミド樹脂等の合成樹脂金用いて形成場ｎる。
膜１０が形成場ｎており、この床膿膜１０は通常ボＩＪ
ミド樹脂等の合成樹脂金用いて形成場ｎる。
しかしながら、このような半導体装置におけるパッケー
ジにあっては、加熱炉内においてガラス金加熱溶融させ
ることによりベースとキャップとの接合面間のガラスシ
ールを形成するようになっているため、加熱に工ってパ
ッケージ内のα線保護膜からガスが発生し、このガスが
溶融したガラス全外方向に押し出し、ブローホールケ形
成する等してガラスシールの気密性を悪化させるという
欠点がある。
ジにあっては、加熱炉内においてガラス金加熱溶融させ
ることによりベースとキャップとの接合面間のガラスシ
ールを形成するようになっているため、加熱に工ってパ
ッケージ内のα線保護膜からガスが発生し、このガスが
溶融したガラス全外方向に押し出し、ブローホールケ形
成する等してガラスシールの気密性を悪化させるという
欠点がある。
特に、第１図に示すようなリードレスチップキャリアタ
イプ（以下、ＬＣＣという。）のパッケージにあっては
、外形等との関係から接合面幅、丁なわち刺止式が狭く
なってしまうため、気密性の悪化は一層顕著になる。
イプ（以下、ＬＣＣという。）のパッケージにあっては
、外形等との関係から接合面幅、丁なわち刺止式が狭く
なってしまうため、気密性の悪化は一層顕著になる。
本発明の目的は、このような欠点全解消し、気密性の良
好なパッケージを備えた半導体装ｆｔ提供するにある。
好なパッケージを備えた半導体装ｆｔ提供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第２図、第３図は本発明の一実施例全示すガラスシール
前後の各縦断面図であり、第１図に示す構成要素と同一
のものには同一の符号が付しである。
前後の各縦断面図であり、第１図に示す構成要素と同一
のものには同一の符号が付しである。
第２図において、はぼ皿状のベース２における環状の接
合面４には環状＃１１が適当な深さに形成されており、
この溝１１内には、４００〜５００℃の湯度に耐熱性全
方する金属等からなるリング１２が載置さｎている。ま
た、はぼ皿状のキャップ３における環状の接合面５には
低融点（通常４００〜５００℃程度）のガラス６が適当
な埋膜形成技術にエリ付着されている。
合面４には環状＃１１が適当な深さに形成されており、
この溝１１内には、４００〜５００℃の湯度に耐熱性全
方する金属等からなるリング１２が載置さｎている。ま
た、はぼ皿状のキャップ３における環状の接合面５には
低融点（通常４００〜５００℃程度）のガラス６が適当
な埋膜形成技術にエリ付着されている。
ベース２とキャップ３とは第２図に示す工な接合状態で
、図示しないクリップにより上下面全快まれて互に押し
合わされ、この押合状態で、図示し″ない加熱炉内に送
り込’ｌｎる。炉内の加熱にエリガラス６は溶融し、リ
ング１２はその上面金第３図に示す工うにキャップ３の
接合面５に当接する。溶融ガラス６は環状溝１１内に充
填するとともに、リングｉｔの周囲に接着する。
、図示しないクリップにより上下面全快まれて互に押し
合わされ、この押合状態で、図示し″ない加熱炉内に送
り込’ｌｎる。炉内の加熱にエリガラス６は溶融し、リ
ング１２はその上面金第３図に示す工うにキャップ３の
接合面５に当接する。溶融ガラス６は環状溝１１内に充
填するとともに、リングｉｔの周囲に接着する。
この加熱時、保―膜ＩＯから発生するガスにエリパッケ
ージ１の内圧が上昇し、溶融ガラス全外方向へ押し出そ
うとする。しかし、本実施例においては、接合面４．５
間にリング１２が介挿されて内外全完全に遮断している
ため、リング１２の内側にあるガラスは内圧の影響を受
けるが、外側にあるガラスは内圧の影響を全く受けるこ
とがなく、したがって、第３図に示すように外側のガラ
スは全く変形することなく、接合面４．５間の空隙ケき
れいに埋め、確実なシール層を形成する。
ージ１の内圧が上昇し、溶融ガラス全外方向へ押し出そ
うとする。しかし、本実施例においては、接合面４．５
間にリング１２が介挿されて内外全完全に遮断している
ため、リング１２の内側にあるガラスは内圧の影響を受
けるが、外側にあるガラスは内圧の影響を全く受けるこ
とがなく、したがって、第３図に示すように外側のガラ
スは全く変形することなく、接合面４．５間の空隙ケき
れいに埋め、確実なシール層を形成する。
本実施例に工ｎば、リング１２によって形成σｎる！！
＃壁がパッケージの内外全完全に＃！断して溶融ガラス
が内圧にエリ外方向へ押し出されることを阻止するため
、所期のシール状態紮創出することができ、ＬＯＯタイ
プのパッケージの工うな封止代が狭い場合であっても、
完全なシール状態？得ることができる。パッケージの気
密性が良好となるため、半導体装置の信頼性が向上する
。
＃壁がパッケージの内外全完全に＃！断して溶融ガラス
が内圧にエリ外方向へ押し出されることを阻止するため
、所期のシール状態紮創出することができ、ＬＯＯタイ
プのパッケージの工うな封止代が狭い場合であっても、
完全なシール状態？得ることができる。パッケージの気
密性が良好となるため、半導体装置の信頼性が向上する
。
第４図、第５図は本発明の第２実施例？示すガラスシー
ル前後の部分縦断面図であり、前記第１実施例と異なる
点は、溶融ガラスの押し出しを阻止するＳ断壁が、互に
嵌合する凹部１３と凸部１４とから構成された点にある
。
ル前後の部分縦断面図であり、前記第１実施例と異なる
点は、溶融ガラスの押し出しを阻止するＳ断壁が、互に
嵌合する凹部１３と凸部１４とから構成された点にある
。
第４図において、キャップ３の接合面５には凹部１３が
環状に、ベース２の接合面４には凸部１４が環状にそれ
ぞれ一体形成されている。
環状に、ベース２の接合面４には凸部１４が環状にそれ
ぞれ一体形成されている。
ガラス６が加熱溶融すると、第５図に示す工うに、凸部
１４は凹部１３に嵌入し、その上面全凹部の底面に当接
してその内絡と外路とに３Ｍ断じ、内絡の溶融ガラスの
外方向への移動？阻止するとともに、外路の溶融ガラス
金ガス発生による内圧上昇から隔絶する。したがって、
四部１３内に充填し、凸部１４の周囲に溶融接着固化し
たガラス６により完全なシール状態が形成きれる。
１４は凹部１３に嵌入し、その上面全凹部の底面に当接
してその内絡と外路とに３Ｍ断じ、内絡の溶融ガラスの
外方向への移動？阻止するとともに、外路の溶融ガラス
金ガス発生による内圧上昇から隔絶する。したがって、
四部１３内に充填し、凸部１４の周囲に溶融接着固化し
たガラス６により完全なシール状態が形成きれる。
第６図、第７図は本発明の第３実施例？示すガラスシー
ル前後の部分縦断面図であり、前記第１実施例と異なる
点は、遮断壁が互に噛合する一対の階段形状部１５．１
６とから構成きれた点にある。
ル前後の部分縦断面図であり、前記第１実施例と異なる
点は、遮断壁が互に噛合する一対の階段形状部１５．１
６とから構成きれた点にある。
第６藺において、ベース２とキャップ３との接合面４，
５には一対の階段形状部１５．１６が内側と外側とにお
いて対称形の段差全なして互に噛合する工うに環状にそ
ｎぞれ形成はれており、一方の階段形状部１５の下面に
はガラス６が付着ばれている。
５には一対の階段形状部１５．１６が内側と外側とにお
いて対称形の段差全なして互に噛合する工うに環状にそ
ｎぞれ形成はれており、一方の階段形状部１５の下面に
はガラス６が付着ばれている。
ガラス６が加熱溶融すると、第７図に示すように、両方
の階段形状部１５．１６が噛合して七の立土壁相互が密
接する。この立土壁の密接状態により内側と外側とは連
断され・、溶融ガラスの外方向への自由移動は阻止され
る。したがって、ベースとキャップとは溶融接着したガ
ラスが凝固した時に完全なシール状態で一体化さｎる。
の階段形状部１５．１６が噛合して七の立土壁相互が密
接する。この立土壁の密接状態により内側と外側とは連
断され・、溶融ガラスの外方向への自由移動は阻止され
る。したがって、ベースとキャップとは溶融接着したガ
ラスが凝固した時に完全なシール状態で一体化さｎる。
なお、前記実施例において、ベースとキャップとに対す
るリング、凹凸部、階段形状部およびガラスの配置関係
は互に置換することができる。また、溶融ガラスの外方
向への押し出し移動を阻止する遮断壁の構成は前記実施
例に限定されるものではない。
るリング、凹凸部、階段形状部およびガラスの配置関係
は互に置換することができる。また、溶融ガラスの外方
向への押し出し移動を阻止する遮断壁の構成は前記実施
例に限定されるものではない。
前記実施例では、ＬＯＯタイプのパンケージ、および、
α緋保瑣膜から発生するガスにエリ内圧が上昇する場合
につき説明したが、本発明はこれらの条件等に限定され
るものではなく、この種のガラスシールタイプのパンケ
ージ金偏えた半導体装置全般に適用することができる。
α緋保瑣膜から発生するガスにエリ内圧が上昇する場合
につき説明したが、本発明はこれらの条件等に限定され
るものではなく、この種のガラスシールタイプのパンケ
ージ金偏えた半導体装置全般に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、パンケージの気
密性を向上することができる。
密性を向上することができる。
第１図は従来例を示す縦断面図、
第２図および＠３図は本発明の第１実施例におけるガラ
スシールの前後をそれぞれ示す各縦断面図、 第４図および第５図は本発明の第２実施例におけるガラ
スシールの前後をそれぞれ示す各部分縦断面図、 第６図および第７図は本発明の第３実施例におけるガラ
スシールの前後全それぞれ示す各部分縦断面図である。 １・・・パッケージ、２・・・ベース、３・・・キャッ
プ、４．５・・・接合部、６・・・ガラス、１１・・・
環状溝、１２・・・リング、１３・・・凹部、１４・・
・凸部、１５．１６・・・階段形状部。 代理人 弁理士 薄 １）利 室 第 第 （ ／Ｚ 第 ３ 図 ／′・ ・） 甲７でア芳自づ５４ ４ 図 第 ５ 図
スシールの前後をそれぞれ示す各縦断面図、 第４図および第５図は本発明の第２実施例におけるガラ
スシールの前後をそれぞれ示す各部分縦断面図、 第６図および第７図は本発明の第３実施例におけるガラ
スシールの前後全それぞれ示す各部分縦断面図である。 １・・・パッケージ、２・・・ベース、３・・・キャッ
プ、４．５・・・接合部、６・・・ガラス、１１・・・
環状溝、１２・・・リング、１３・・・凹部、１４・・
・凸部、１５．１６・・・階段形状部。 代理人 弁理士 薄 １）利 室 第 第 （ ／Ｚ 第 ３ 図 ／′・ ・） 甲７でア芳自づ５４ ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ベースとキャップと全接合するとともに、両者の接
合面間全ガラスシールしてなるパッケージを備えた半導
体装置において、前記ベースとキャップとの接合面に溶
融ガラスの外方向への移動全阻止する遮断壁を設けたこ
と全特徴とデる半導体装置。 ２、遮断壁が、接合面間に挟み込まれるリングからなる
こと全特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 ３、 ｆｉ断壁が、両接合面に−ｆ：れぞれ形成きれ
た互に嵌合する凹部と凸部とからなること全特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４、遮断壁が、両接合′面に七れぞれ形成場れた互に噛
合する階段形状部からなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125706A JPS5917270A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125706A JPS5917270A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917270A true JPS5917270A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14916708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125706A Pending JPS5917270A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917270A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157528U (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-17 | ||
| US5889323A (en) * | 1996-08-19 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
| KR100396551B1 (ko) * | 2001-02-03 | 2003-09-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법 |
| JP2014165305A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kyocera Crystal Device Corp | 電子デバイス及びそのガラス封止方法並びに電子デバイス用蓋部材 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125706A patent/JPS5917270A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157528U (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-17 | ||
| US5889323A (en) * | 1996-08-19 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
| KR100396551B1 (ko) * | 2001-02-03 | 2003-09-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 허메틱 실링 방법 |
| JP2014165305A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kyocera Crystal Device Corp | 電子デバイス及びそのガラス封止方法並びに電子デバイス用蓋部材 |
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