JPS59175142A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents
マイクロ波半導体装置Info
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- JPS59175142A JPS59175142A JP58048269A JP4826983A JPS59175142A JP S59175142 A JPS59175142 A JP S59175142A JP 58048269 A JP58048269 A JP 58048269A JP 4826983 A JP4826983 A JP 4826983A JP S59175142 A JPS59175142 A JP S59175142A
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- Japan
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- strip conductor
- slits
- length
- microscopic
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、誘電体基板上に、マイクロ岐集積回路（以
下ＭＩＣと略す）化した平衝ミクサあるいは平衝変調器
等等の動作をするマイクロ波半導体装＃に関するもので
ある。
下ＭＩＣと略す）化した平衝ミクサあるいは平衝変調器
等等の動作をするマイクロ波半導体装＃に関するもので
ある。
（す
まず、第１図に示す従来のこの種のマイクロ岐牛導体装
置につｂて簡単に説明する。
置につｂて簡単に説明する。
第１図は、この種のマイクロ肢半導体装置の一例であり
、ここでは９ この装置が平衝ミクサとして、動作する
場合の説明を行なうものとする。第１図においてはＲ電
体基板の一方の面に設けた金属膜上に、エツチング等に
よ）加工されたスリットを実線で示し、金属膜を設けな
い面上に設けるストリップ導体を破線で示している。第
１図において９（１）は金Ｒ１１１ｉ、 （２）ｕス９
ｙト、 （３ａ）、 （３ｂ） Ｕ平行なスリット
、 （４−）（４ｂ）はミクサダイオード。
、ここでは９ この装置が平衝ミクサとして、動作する
場合の説明を行なうものとする。第１図においてはＲ電
体基板の一方の面に設けた金属膜上に、エツチング等に
よ）加工されたスリットを実線で示し、金属膜を設けな
い面上に設けるストリップ導体を破線で示している。第
１図において９（１）は金Ｒ１１１ｉ、 （２）ｕス９
ｙト、 （３ａ）、 （３ｂ） Ｕ平行なスリット
、 （４−）（４ｂ）はミクサダイオード。
（５）はマイクロストリップ線路である。
いま、スリット（２）に信号電力を入力し、マイクロス
トリップ線路（５）に局部発振電力を入力する場合を考
える。ミクサダイオードにより変換された中間周岐数電
力は、マイクロストリップ線路に庄じ、一般には、マイ
クロスト９ツグ線路上に設けた帯域通過ろ岐器および低
域通過ろ岐器によって局部発振電力と分離されるが、こ
こて鉱簡単のため省略し、信号電力と岡部発孫電力のダ
イオード（２） ヘの整合につ−て詳しく説明する。
トリップ線路（５）に局部発振電力を入力する場合を考
える。ミクサダイオードにより変換された中間周岐数電
力は、マイクロストリップ線路に庄じ、一般には、マイ
クロスト９ツグ線路上に設けた帯域通過ろ岐器および低
域通過ろ岐器によって局部発振電力と分離されるが、こ
こて鉱簡単のため省略し、信号電力と岡部発孫電力のダ
イオード（２） ヘの整合につ−て詳しく説明する。
まず、信号電力はスリット（２）よル入カし１分岐（６
）で平行な２本のスリブ） （３ａ）、 （３ｂ）に変
換され。
）で平行な２本のスリブ） （３ａ）、 （３ｂ）に変
換され。
平行な２本のスリット上を奇モードで伝搬する。
この時の電気力１１１！は第１図に実線で示すが、奇モ
ードの波はＴＥ枝であ先進行方向に磁界成分を侍ってい
る。変換部（７）は、平行な２本のスリット上の偶モー
ドの岐をマイクロストリップ線絡ｆ５Ｊに変換する構造
であ勺、奇モードの枝はマイクロストリップ線路（５）
に変換されず、変換部（７）にて反射する。
ードの波はＴＥ枝であ先進行方向に磁界成分を侍ってい
る。変換部（７）は、平行な２本のスリット上の偶モー
ドの岐をマイクロストリップ線絡ｆ５Ｊに変換する構造
であ勺、奇モードの枝はマイクロストリップ線路（５）
に変換されず、変換部（７）にて反射する。
従って、信号電力を整合良くミクサダイオード（４ａ）
（４ｂ）に加えるためには、変換部（７）とミクサダ
イオード（４ａ） （４ｂ）との間の距離ｔｉｌＱを所
定の値に設定する必要がある。
（４ｂ）に加えるためには、変換部（７）とミクサダ
イオード（４ａ） （４ｂ）との間の距離ｔｉｌＱを所
定の値に設定する必要がある。
次に、局部発揚電力は。マイクロストリップ線路（５）
よシ入力し、裏表の導体を導通させるための導通孔（８
）を持つ、変換部（７）によって、平行な２本のスリブ
） （３ａ） （３ｂ）上の偶モードの波に変換される
。この偶モードの肢の電気力線は第１図中破線（３） の矢印で示したが、この枝はＴＥＭ岐であり、進行方向
の磁界を持たない。また、このｊ＆！は、 ’ｌ’Ｅ
Ｍ技であるため、平行な２本のスリットにｆ′ｉ式まれ
る導体（９）が無すと９伝搬できないので１分岐（６）
にて反射する。
よシ入力し、裏表の導体を導通させるための導通孔（８
）を持つ、変換部（７）によって、平行な２本のスリブ
） （３ａ） （３ｂ）上の偶モードの波に変換される
。この偶モードの肢の電気力線は第１図中破線（３） の矢印で示したが、この枝はＴＥＭ岐であり、進行方向
の磁界を持たない。また、このｊ＆！は、 ’ｌ’Ｅ
Ｍ技であるため、平行な２本のスリットにｆ′ｉ式まれ
る導体（９）が無すと９伝搬できないので１分岐（６）
にて反射する。
従って９局部発揚電力を整合良くミクサダイオード（４
ａ） （４ｂ）に加えるためには１分岐（６）とミクサ
ダイオード（４ａ） （４ｂ）との間の距ＨｔＬｏをＰ
ＩｒＮの値に設定する必要がある。
ａ） （４ｂ）に加えるためには１分岐（６）とミクサ
ダイオード（４ａ） （４ｂ）との間の距ＨｔＬｏをＰ
ＩｒＮの値に設定する必要がある。
一方、マイクロ汲螢以上の高い周波数帯においては、ミ
キサダイオードの特性のばらつきは、大きくなるので、
良好な整合を得るためには、ムＩＧおよびｌＬｏは、使
用するダイオードに合わせて。
キサダイオードの特性のばらつきは、大きくなるので、
良好な整合を得るためには、ムＩＧおよびｌＬｏは、使
用するダイオードに合わせて。
調整する必要がある。
その方法の１つとして、 ｔｉｌＧとｌＬｏを微小変
化させた数種数のＭＩＣパターンを作成しておき、ミク
サダイオードの装着および取りはずしを〈シ返し調整を
行なう方法が考えられる。しかし、このような高い周波
数帯におけるＭＩＣ化回路に用いる半導体は、チップ状
あるいはビームリード状の形（４） 状をしており、 ＭＩＣ基板にボンディングにより装
着されるため、何度もつけかえて調整することは不可能
に近い。
化させた数種数のＭＩＣパターンを作成しておき、ミク
サダイオードの装着および取りはずしを〈シ返し調整を
行なう方法が考えられる。しかし、このような高い周波
数帯におけるＭＩＣ化回路に用いる半導体は、チップ状
あるいはビームリード状の形（４） 状をしており、 ＭＩＣ基板にボンディングにより装
着されるため、何度もつけかえて調整することは不可能
に近い。
また、別の方法として、信号周波数における整合は９局
部発揚電力が伝わらないスリット（２）に整合回路を設
け９局部発根周＃数における整合は。
部発揚電力が伝わらないスリット（２）に整合回路を設
け９局部発根周＃数における整合は。
信号電力が伝わらないマイクロストリップ線路（６）に
整合回路を設ける方法が考えられる。しかし。
整合回路を設ける方法が考えられる。しかし。
この方法でニ、ミクサダイオードから離れた位置で整合
を行なうとするため、整合がとれる周波数が狭帯域どな
る欠点がある。
を行なうとするため、整合がとれる周波数が狭帯域どな
る欠点がある。
この発明は９以上のような欠点を除去するために、平行
な２本のスリブ） （３ａ）（３ｂ）の所定の位置の基
板裏面に、スリブ）Ｋ直交し、長さの調整できるストリ
ップ導体を設け、かつミクサダイオード（４ａ） （４
ｂ）と分岐（６）との間の２本の平行なスリットにはさ
まれる導体（９）に微小スリットを数個設けたもので、
以下図面について詳細に説明する。
な２本のスリブ） （３ａ）（３ｂ）の所定の位置の基
板裏面に、スリブ）Ｋ直交し、長さの調整できるストリ
ップ導体を設け、かつミクサダイオード（４ａ） （４
ｂ）と分岐（６）との間の２本の平行なスリットにはさ
まれる導体（９）に微小スリットを数個設けたもので、
以下図面について詳細に説明する。
第２図は、この発明の一実施例を示す図である。
図において、（１ωけストリップ導体、 （ｌｌａ）
〜（Ｉｌｄ）（５） は微小導体、 （１２ａ） （１２ｃ）は微小スリッ
ト、 （１ａａ）〜（１３ｃ）は平行な２本のスリッ
トと微小スリット（１２ａ）〜（１２Ｃ）により囲まれ
る微小導体であシ、ストリップ導体００）は微小導体（
ｎ−）〜（ｌｌｄ）に金リボン等を接続することにより
、その長さを変化させることができるようになっている
。また、微小導体（１３ａ）〜（１３ｃ）を適宜金ジボ
ン等で接続することによル、微小スリッｈ （１２ａ）
〜（１２ｃ）を電気的に無くすことができるようになっ
ている。
〜（Ｉｌｄ）（５） は微小導体、 （１２ａ） （１２ｃ）は微小スリッ
ト、 （１ａａ）〜（１３ｃ）は平行な２本のスリッ
トと微小スリット（１２ａ）〜（１２Ｃ）により囲まれ
る微小導体であシ、ストリップ導体００）は微小導体（
ｎ−）〜（ｌｌｄ）に金リボン等を接続することにより
、その長さを変化させることができるようになっている
。また、微小導体（１３ａ）〜（１３ｃ）を適宜金ジボ
ン等で接続することによル、微小スリッｈ （１２ａ）
〜（１２ｃ）を電気的に無くすことができるようになっ
ている。
信号電力は１分岐（６）によシ平行な２本のスリット（
３ａ）（３ｂ）の奇モード例変換されるが、この時。
３ａ）（３ｂ）の奇モード例変換されるが、この時。
微小スリット（１２ａ） 〜（１２Ｃ）の長さくＬ）、
および幅面を波長に比べ十分小さくしておくことにょ多
信号電力は乱されることなく、２本の平行なスリットへ
と伝わる。また、この信号電力は、前に述べたようにＴ
Ｅ枝で伝わるので、２本の平行なスリットに直交するス
トリップ導体α０）に結合する。そして、ストリップ導
体の長さに対応するサセプタンスが、ミキサダイオード
（４−） （４ｂ）と変換部（７）との間の線路に加わ
るため、この発明では、ストリッ（す グ導体の長さを変えることＫよシｔ１１Ｇ を物理的
に変えることなく１ａｖａを変えたと同じ効果を得るこ
とができる。
および幅面を波長に比べ十分小さくしておくことにょ多
信号電力は乱されることなく、２本の平行なスリットへ
と伝わる。また、この信号電力は、前に述べたようにＴ
Ｅ枝で伝わるので、２本の平行なスリットに直交するス
トリップ導体α０）に結合する。そして、ストリップ導
体の長さに対応するサセプタンスが、ミキサダイオード
（４−） （４ｂ）と変換部（７）との間の線路に加わ
るため、この発明では、ストリッ（す グ導体の長さを変えることＫよシｔ１１Ｇ を物理的
に変えることなく１ａｖａを変えたと同じ効果を得るこ
とができる。
一方、ＴＥＭ岐で伝搬する局部発振電力は、進行方向の
磁界成分を持たないため、ストリップ導体（ＩＱ＋とは
結合しない。従って９局部発止電力は何の影響も受けず
、２本の平行なスリブ） （３ａ） （３ｂ）を伝わる
。また、前に述べたようにＴＥＭ汲は、２本の平行なス
リットにはさまれる導体（９）が無くなる位置で反射す
るので、この発明によればスリットに囲まれる微小導体
０３ａ）〜（１３Ｃ）の間を、金リボン等で接続するこ
とによシ、 ｔＬｏの調整が可能である。
磁界成分を持たないため、ストリップ導体（ＩＱ＋とは
結合しない。従って９局部発止電力は何の影響も受けず
、２本の平行なスリブ） （３ａ） （３ｂ）を伝わる
。また、前に述べたようにＴＥＭ汲は、２本の平行なス
リットにはさまれる導体（９）が無くなる位置で反射す
るので、この発明によればスリットに囲まれる微小導体
０３ａ）〜（１３Ｃ）の間を、金リボン等で接続するこ
とによシ、 ｔＬｏの調整が可能である。
なお９以上の説明では、スリット（２）から信号電力を
加え、マイクロストリップ線路（５）から局部発振電力
を加えるようにしているが、スリット（２）に局部発振
電力を、マイクロスト９ツグ線路（５）に信号電力を・
加えるようにしても良い。
加え、マイクロストリップ線路（５）から局部発振電力
を加えるようにしているが、スリット（２）に局部発振
電力を、マイクロスト９ツグ線路（５）に信号電力を・
加えるようにしても良い。
以上の説明においては、ストリップ導体ＱＯＩおよび微
小スリット（１２ａ）〜（１２Ｃ）を同時に設けている
（７） が、それぞれ単独に用いてもよいことは言うまでもない
。
小スリット（１２ａ）〜（１２Ｃ）を同時に設けている
（７） が、それぞれ単独に用いてもよいことは言うまでもない
。
また、スト９ッグ導体ｔｍＯ数は１本に限ることｉｌ：
なく、オ・３図に示すように複数個使用してもよく、ス
トリップ導体を設ける位置も第３図忙示すように、ミク
サダイオードの近傍ならば、どの位置に置いてもよい。
なく、オ・３図に示すように複数個使用してもよく、ス
トリップ導体を設ける位置も第３図忙示すように、ミク
サダイオードの近傍ならば、どの位置に置いてもよい。
また１以上の説明では、牛導体累子として、ミクサダイ
オードを用い、平衡ミクサとして動作させているが、こ
の発明は、これに限ることなく。
オードを用い、平衡ミクサとして動作させているが、こ
の発明は、これに限ることなく。
半導体素子としては、 ＰＩＮダイオードＦＥＴ等を
用いてもよく、さらに、平衡変ｍ器として動作させても
よい。
用いてもよく、さらに、平衡変ｍ器として動作させても
よい。
また以上の説明では。マイクロストリップ線路（５）の
汲を平行な２本のスリット（３ａ） （３ｂ）上の偶モ
ードの汲に変換する変換部（７）は導通孔（８）を使う
形状としているが、これに限らず、偶モードを＠振する
回路ならばすべてよく０図４に示すように。
汲を平行な２本のスリット（３ａ） （３ｂ）上の偶モ
ードの汲に変換する変換部（７）は導通孔（８）を使う
形状としているが、これに限らず、偶モードを＠振する
回路ならばすべてよく０図４に示すように。
う変換部としてもよい。
（８）
以上のように、この発明は、 ＭＩＣ基板の裏面に設
けたスト９ッグ導体の長さ調整および、半導体素子と微
小スリットまでの距離の調整によシ、半導体素子をＭＩ
Ｃ基板から取シはずすことなく、各周〃数における整合
を独立にとることができる利点を侍っている。さらに、
この発明はダイオードの極く近傍に整合用の素子を設け
ているので、広帯域な特性が得られる利点を持っている
。
けたスト９ッグ導体の長さ調整および、半導体素子と微
小スリットまでの距離の調整によシ、半導体素子をＭＩ
Ｃ基板から取シはずすことなく、各周〃数における整合
を独立にとることができる利点を侍っている。さらに、
この発明はダイオードの極く近傍に整合用の素子を設け
ているので、広帯域な特性が得られる利点を持っている
。
Ａ−１図は、従来のマイクロ汲半導体装置の主要部分を
示す図、第２図は、この発明の一実施例を示す図、第３
図は、この発明の他の実施例を示す図、第４図はこの発
明の他の実施例を示す図である。 図中（１）は金属Ｍ、 ｆ２）はスリット、 （３ａ
）（３ｂ）は２本の平行なスリブ）、 （４ａン（４
ｂ）はミクサダイオード、００）はストリップ導体、
（１２，） （１２ｂ） （１２Ｃ）は微小スリット
である。 なお１．図中、同一あるいは、相当部分には同一符号を
付して示しである。 （９） 第１図 第２図 １ｒ
示す図、第２図は、この発明の一実施例を示す図、第３
図は、この発明の他の実施例を示す図、第４図はこの発
明の他の実施例を示す図である。 図中（１）は金属Ｍ、 ｆ２）はスリット、 （３ａ
）（３ｂ）は２本の平行なスリブ）、 （４ａン（４
ｂ）はミクサダイオード、００）はストリップ導体、
（１２，） （１２ｂ） （１２Ｃ）は微小スリット
である。 なお１．図中、同一あるいは、相当部分には同一符号を
付して示しである。 （９） 第１図 第２図 １ｒ
Claims (1)
- 一方の面に金属膜を設けた誘電体基板の金属膜上の１本
のスリットが、平行な２本のスリットに分岐され上記平
行な２本のスリットの所定の位置にそれぞれ半導体素子
を装着したマイクロ汲半導体装置において、平行な２本
のスリットの所定の位置の誘電体基板裏面に、長さを調
整できるストリップ導体を必要数設け、且つ、上記４８
導体累子と１本のスリットとの間の上記平行な２本のス
リットにはさまれる導体に、上記平行な２本のスリット
に直交する微小スリットを必要箇数設けたことを特徴と
するマイクロ汲半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048269A JPS59175142A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | マイクロ波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58048269A JPS59175142A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | マイクロ波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175142A true JPS59175142A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12798714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048269A Pending JPS59175142A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | マイクロ波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63209309A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535530A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mic double balance type mixer |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58048269A patent/JPS59175142A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5535530A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mic double balance type mixer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63209309A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
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