JPS6230528B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6230528B2 JPS6230528B2 JP55053882A JP5388280A JPS6230528B2 JP S6230528 B2 JPS6230528 B2 JP S6230528B2 JP 55053882 A JP55053882 A JP 55053882A JP 5388280 A JP5388280 A JP 5388280A JP S6230528 B2 JPS6230528 B2 JP S6230528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- slot
- microstrip line
- mixer
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、マイクロストリツプ線路およびス
ロツト線路を用いて構成し、かつ、小形化された
ミキサ動作あるいは、位相変調器動作をするマイ
クロ波半導体装置に関するものである。
ロツト線路を用いて構成し、かつ、小形化された
ミキサ動作あるいは、位相変調器動作をするマイ
クロ波半導体装置に関するものである。
この発明の詳細を述べる前にまず、従来のこの
種の装置の説明をする。
種の装置の説明をする。
第１図は従来のミキサを示す図であり、図にお
いて、実線で示した部分はマイクロ波集積回路基
板の地導体面に構成したスロツト線路を、破線で
示した部分は、基板の裏面に構成したマイクロス
トリツプ線路のストリツプ導体を示している。
いて、実線で示した部分はマイクロ波集積回路基
板の地導体面に構成したスロツト線路を、破線で
示した部分は、基板の裏面に構成したマイクロス
トリツプ線路のストリツプ導体を示している。
図に従つて従来のミキサの動作を説明する。
信号電力は、信号用マイクロストリツプ線路１
から、スロツト線路２を伝搬し、スロツト線路の
分岐部３におかれたミキサダイオード４，５に同
相で加えられる。局部発振電力は、局部発振用マ
イクロストリツプ線路６、キヤパシタ７、マイク
ロストリツプ線路８を通り、マイクロストリツプ
線路とスロツト線路との分岐９によつて、スロツ
ト線路１０，１１に分配され、ミキサダイオード
４，５に逆相に加えられる。IF出力は、スロツ
ト線路１０，１１で囲まれた地導体１２と、地導
体１３との間に発生するので、マイクロストリツ
プ線路８から低域通過フイルタ１４を通して得ら
れる。以上のようにミキサとして動作をする従来
のミキサでは信号用マイクロストリツプ線路１か
ら、スロツト線路２への信号電力の結合は、交差
部１５においてなされるが、交差部１５での電磁
界が乱れているので、スロツト線路２の長さが短
いと、スロツト線路の分岐部３におかれたミキサ
ダイオード４，５へ信号電力が均等に分配され
ず、ミキサの特性に悪影響を与える。このため
に、一般には、スロツト線路２の長さを1/4波長
程度にとり、スロツト線路２の電磁界が安定して
から、信号電力をミキサダイオードに分配するよ
うに設計する。しかし、スロツト線路をマイクロ
波電力が伝搬する場合、薄い金属膜のエツジに電
流が集中するために、マイクロストリツプ線路に
比べて、単位長さ当りの損失が大きい。したがつ
て第１図に示す従来のミキサでは、信号線路に1/
４波長程度の長さを持つスロツト線路が必要であ
るから、信号線路の損失が増し、変換損失が大と
なる欠点があつた。
から、スロツト線路２を伝搬し、スロツト線路の
分岐部３におかれたミキサダイオード４，５に同
相で加えられる。局部発振電力は、局部発振用マ
イクロストリツプ線路６、キヤパシタ７、マイク
ロストリツプ線路８を通り、マイクロストリツプ
線路とスロツト線路との分岐９によつて、スロツ
ト線路１０，１１に分配され、ミキサダイオード
４，５に逆相に加えられる。IF出力は、スロツ
ト線路１０，１１で囲まれた地導体１２と、地導
体１３との間に発生するので、マイクロストリツ
プ線路８から低域通過フイルタ１４を通して得ら
れる。以上のようにミキサとして動作をする従来
のミキサでは信号用マイクロストリツプ線路１か
ら、スロツト線路２への信号電力の結合は、交差
部１５においてなされるが、交差部１５での電磁
界が乱れているので、スロツト線路２の長さが短
いと、スロツト線路の分岐部３におかれたミキサ
ダイオード４，５へ信号電力が均等に分配され
ず、ミキサの特性に悪影響を与える。このため
に、一般には、スロツト線路２の長さを1/4波長
程度にとり、スロツト線路２の電磁界が安定して
から、信号電力をミキサダイオードに分配するよ
うに設計する。しかし、スロツト線路をマイクロ
波電力が伝搬する場合、薄い金属膜のエツジに電
流が集中するために、マイクロストリツプ線路に
比べて、単位長さ当りの損失が大きい。したがつ
て第１図に示す従来のミキサでは、信号線路に1/
４波長程度の長さを持つスロツト線路が必要であ
るから、信号線路の損失が増し、変換損失が大と
なる欠点があつた。
また、スロツト線路２の長さが1/4波長程度必
要なために、小形化が難しいという欠点があつ
た。
要なために、小形化が難しいという欠点があつ
た。
また、従来のミキサでは、マイクロストリツプ
線路とスロツト線路との分岐９は、IF電力をマ
イクロストリツプ線路８に結合させるために基板
の裏表を接続するための導通孔１６が必要であ
る。このため、アルミナ、石英等の基板を使う従
来のミキサでは、穴あけ加工の精度が悪いため
に、ミキサの特性を劣化させるばかりでなく、加
工時間が長くなる欠点を持つていた。
線路とスロツト線路との分岐９は、IF電力をマ
イクロストリツプ線路８に結合させるために基板
の裏表を接続するための導通孔１６が必要であ
る。このため、アルミナ、石英等の基板を使う従
来のミキサでは、穴あけ加工の精度が悪いため
に、ミキサの特性を劣化させるばかりでなく、加
工時間が長くなる欠点を持つていた。
この発明はこれらの欠点を除去するために、２
本のスロツト線路の間隔を狭くしたところにダイ
オードを接続し、その裏に信号用マイクロストリ
ツプ線路を配置し、さらにスロツト線路で囲まれ
た地導体へ細いストリツプ線路を接続させたもの
で、以下図面について詳細に説明する。
本のスロツト線路の間隔を狭くしたところにダイ
オードを接続し、その裏に信号用マイクロストリ
ツプ線路を配置し、さらにスロツト線路で囲まれ
た地導体へ細いストリツプ線路を接続させたもの
で、以下図面について詳細に説明する。
第２図は、この発明の実施例を示す図である。
第２図に示したこの発明によるマイクロ波半導
体装置をミキサとして動作させた場合について図
に従つて説明をする。
体装置をミキサとして動作させた場合について図
に従つて説明をする。
信号用マイクロストリツプ線路１の地導体に従
来よりも間隔を狭く並べたスロツト線路１０，１
１を配し、交差部１５において信号用マイクロス
トリツプ線路とスロツト線路１０，１１とが交差
し、かつ、交差部のスロツト線路１０，１１にミ
キサダイオードがそれぞれ接続している。したが
つて、信号用マイクロストリツプ線路１の地導体
に流れる信号電力による電流が、スロツト線路１
０，１１によつて切られるが、ミキサダイオード
４，５がスロツト線路１０，１１に並列に接続し
ているので、ミキサダイオード４，５に信号電力
による電流が均等に流れ、信号電力はバランス良
く同相にミキサダイオード４，５に加わる。
来よりも間隔を狭く並べたスロツト線路１０，１
１を配し、交差部１５において信号用マイクロス
トリツプ線路とスロツト線路１０，１１とが交差
し、かつ、交差部のスロツト線路１０，１１にミ
キサダイオードがそれぞれ接続している。したが
つて、信号用マイクロストリツプ線路１の地導体
に流れる信号電力による電流が、スロツト線路１
０，１１によつて切られるが、ミキサダイオード
４，５がスロツト線路１０，１１に並列に接続し
ているので、ミキサダイオード４，５に信号電力
による電流が均等に流れ、信号電力はバランス良
く同相にミキサダイオード４，５に加わる。
一方、マイクロストリツプ線路とスロツト線路
との分岐９は、導通孔１６の代わりに、先端開放
1/4波長マイクロストリツプ線路１７を用いて構
成しているので、局部発振電力は、局部発振電力
用マイクロストリツプ線路６から従来のミキサと
同様にミキサダイオード４，５に逆相に加わる
が、IF電力は局部発振用マイクロストリツプ線
路６には結合しない。
との分岐９は、導通孔１６の代わりに、先端開放
1/4波長マイクロストリツプ線路１７を用いて構
成しているので、局部発振電力は、局部発振電力
用マイクロストリツプ線路６から従来のミキサと
同様にミキサダイオード４，５に逆相に加わる
が、IF電力は局部発振用マイクロストリツプ線
路６には結合しない。
また、IF電力は、細いストリツプ導体１８と
高インピーダンススロツト線路１９とから構成さ
れる低域通過フイルタ１４を経てIF端子２０か
らとり出される。
高インピーダンススロツト線路１９とから構成さ
れる低域通過フイルタ１４を経てIF端子２０か
らとり出される。
以上述べたように、第２図に示すこの発明によ
るマイクロ波半導体装置をミキサとして動作させ
ると、信号電力は信号用マイクロストリツプ線路
１から、直接にダイオードに加わる。したがつ
て、信号線路に1/4波長程度の長さのスロツト線
路を持つ従来のミキサに比べ、信号線路の損失が
減り、変換損失さいという利点を持つている。
るマイクロ波半導体装置をミキサとして動作させ
ると、信号電力は信号用マイクロストリツプ線路
１から、直接にダイオードに加わる。したがつ
て、信号線路に1/4波長程度の長さのスロツト線
路を持つ従来のミキサに比べ、信号線路の損失が
減り、変換損失さいという利点を持つている。
さらに、IF電力をマイクロ波電力から分離
し、取り出すための低域通過フイルタを、マイク
ロストリツプ線路と、スロツト線路の結合部に構
成しているので、1/4波長の長さを必要とする部
分を１ケ所減らすことができ、全体として小形化
することができる利点を持つている。
し、取り出すための低域通過フイルタを、マイク
ロストリツプ線路と、スロツト線路の結合部に構
成しているので、1/4波長の長さを必要とする部
分を１ケ所減らすことができ、全体として小形化
することができる利点を持つている。
また、従来に比べて、基板の裏表を接続するた
めの導通孔１６を用いないので、基板の穴あけ加
工が不要となり、フオトエツチング加工の高い精
度が保たれ、加工精度が非常に良くなり、特性の
良いミキサが得られるばかりでなく、さらに加工
時間を短縮することができる利点を持つている。
めの導通孔１６を用いないので、基板の穴あけ加
工が不要となり、フオトエツチング加工の高い精
度が保たれ、加工精度が非常に良くなり、特性の
良いミキサが得られるばかりでなく、さらに加工
時間を短縮することができる利点を持つている。
なお以上は、この発明によるマイクロ波半導体
装置をミキサとして動作させた場合について説明
したが、この発明はこれに限らず、位相変調器と
しても動作することは明らかである。
装置をミキサとして動作させた場合について説明
したが、この発明はこれに限らず、位相変調器と
しても動作することは明らかである。
この場合には、ミキサのIF端子に変調信号
を、信号用マイクロストリツプ線路に搬送波を入
力して、局部発振電力用マイクロストリツプ線路
から変調出力波を得るか、あるいは、ミキサの
IF端子に変調信号を、局部発振電力用マイクロ
ストリツプ線路に搬送波を入力して、信号用マイ
クロストリツプ線路から変調出力波を得るように
入出力端子を設定する。
を、信号用マイクロストリツプ線路に搬送波を入
力して、局部発振電力用マイクロストリツプ線路
から変調出力波を得るか、あるいは、ミキサの
IF端子に変調信号を、局部発振電力用マイクロ
ストリツプ線路に搬送波を入力して、信号用マイ
クロストリツプ線路から変調出力波を得るように
入出力端子を設定する。
以上のようにこの発明によれば、マイクロスト
リツプ線路から直接２本のスロツト線路に接続さ
れている２箇のダイオードに電力を加えることが
できるので、損失が少なくできる利点があり、さ
らに、低域通過フイルタ部分をマイクロストリツ
プ線路とスロツト線路との変換部分に共用させて
構成しているので小形化ができる利点がある。ま
た、基部への穴あけ加工部分が不要なので、加工
精度が良く加工時間が短かいという利点がある。
リツプ線路から直接２本のスロツト線路に接続さ
れている２箇のダイオードに電力を加えることが
できるので、損失が少なくできる利点があり、さ
らに、低域通過フイルタ部分をマイクロストリツ
プ線路とスロツト線路との変換部分に共用させて
構成しているので小形化ができる利点がある。ま
た、基部への穴あけ加工部分が不要なので、加工
精度が良く加工時間が短かいという利点がある。
第１図は従来のミキサを示す図、第２図はこの
発明の実施例を示す図である。 図中、１は信号用マイクロストリツプ線路、２
はスロツト線路、４，５はミキサダイオード、６
は局部発振用マイクロストリツプ線路、９はマイ
クロストリツプ線路とスロツト線路との分岐、１
０，１１はスロツト線路、１４は低域通過フイル
タ、１５は交差部、１６は導通孔、１７は先端開
放1/4波長マイクロストリツプ線路、１８は細い
ストリツプ導体、１９は高インピーダンススロツ
ト線路、２０はIF端子である。なお、図中、同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示して
ある。
発明の実施例を示す図である。 図中、１は信号用マイクロストリツプ線路、２
はスロツト線路、４，５はミキサダイオード、６
は局部発振用マイクロストリツプ線路、９はマイ
クロストリツプ線路とスロツト線路との分岐、１
０，１１はスロツト線路、１４は低域通過フイル
タ、１５は交差部、１６は導通孔、１７は先端開
放1/4波長マイクロストリツプ線路、１８は細い
ストリツプ導体、１９は高インピーダンススロツ
ト線路、２０はIF端子である。なお、図中、同
一あるいは相当部分には同一符号を付して示して
ある。
Claims (1)
- １ 誘電体基板の一方の面に設けた導体に構成し
たスロツト線路の両端を同じ向きになるようにそ
ろえるとともに、互に接近させて配置し、その先
端を高インピーダンスとなるようになし、また誘
電体基板の他方の面にはストリツプ導体を持つ第
１のマイクロストリツプ線路を、上記接近させた
スロツト線路の先端部と交差するようにし、かつ
上記スロツト線路の先端部にそれぞれダイオード
を装荷するとともに、スロツト線路の中間部にス
ロツト線路と第２のマイクロストリツプ線路とが
交差し、スロツト線路で囲まれた導体に上記ダイ
オードとダイオードとの中間部で細いストリツプ
導体接続し、上記細いストリツプ導体と、上記高
インピーダンススロツト線路とからなる低域通過
フイルタを第３の線路に接続することを特徴とす
るマイクロ波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388280A JPS56149805A (en) | 1980-04-23 | 1980-04-23 | Microwave semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388280A JPS56149805A (en) | 1980-04-23 | 1980-04-23 | Microwave semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56149805A JPS56149805A (en) | 1981-11-19 |
| JPS6230528B2 true JPS6230528B2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=12955105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5388280A Granted JPS56149805A (en) | 1980-04-23 | 1980-04-23 | Microwave semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56149805A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2528239A1 (fr) * | 1982-06-08 | 1983-12-09 | Thomson Csf | Melangeur d'ondes electromagnetiques hyperfrequences |
| JPH04102833U (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-04 | 日本聖器株式会社 | 多機能熱融着装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101615A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | Balanced mixer |
| JPS54114027A (en) * | 1978-02-24 | 1979-09-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mic-formed single balance type mixer |
-
1980
- 1980-04-23 JP JP5388280A patent/JPS56149805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56149805A (en) | 1981-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0495598A1 (en) | Radio frequency mixer circuits | |
| US3735267A (en) | Balanced mixer | |
| US4330868A (en) | Balun coupled microwave frequency converter | |
| US4654600A (en) | Phase detector | |
| JPS6127924B2 (ja) | ||
| EP0081818A2 (en) | Microwave integrated circuit frequency converter | |
| US4800343A (en) | DC cutting circuit | |
| US4461040A (en) | Integrated single balanced mixer/oscillator with slot and hybrid coupler | |
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| US4392250A (en) | Symmetric microwave mixer | |
| US4399562A (en) | Full balun mixer | |
| US4359781A (en) | Balun coupled microwave frequency converter with single pair of diodes | |
| US4392251A (en) | Symmetric microwave mixer with coplanar diode connection | |
| JPH01300701A (ja) | コプラナー型アンテナ | |
| JP2636550B2 (ja) | 信号回路 | |
| JPH05251939A (ja) | マイクロ波回路 | |
| US4359782A (en) | Microwave mixer with linking juxtaposed balun port | |
| US4204168A (en) | Signal converter using a quad diode race | |
| JPS6397001A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPH01231501A (ja) | １８０度ハイブリッド | |
| JPS6236323Y2 (ja) | ||
| JP2868037B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JPS622704A (ja) | 検波回路 | |
| JPS6224963Y2 (ja) | ||
| JPS59175142A (ja) | マイクロ波半導体装置 |