JPS5917855B2 - 半導体支持体および半導体支持体を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の製造にあたつて高精度で、かつ
自動化を可能とする半導体支持体およびこの半導体支持
体を用いた製造方法に関する。

５ 従来、フィルム等をテープ状となし、この上で連続
的に半導体素子を組み立てるテープキャリヤ方式という
製造方法が知られている。

この従来のテープキャリヤ方式は半導体素子にリード線
を取りつける所までは工程を自動化することができる１
０が、組み立てられた半導体素子を回路基板等に取りつ
けて半導体装置とするためには、ひとつひとつの半導体
素子をテープから切り取り、これを回路基板上でそれぞ
れ位置合せをした後に半導体素子のリード線と回路基板
との接合をひとつひとつ１５行なわなければならない。
この従来の方法では、半導体装置の回路基板が比較的大
きなもので、半導体素子もそのリード線形状が大きくリ
ード線間隔も荒い場合は取り扱いも容易であるが、高密
度化を要求される半導体装置では、半導体素子自体フ０
も小さくなり実際の製造では位置合せやリード接合時
の取り扱いが困難になるとともに、半導体装置の製造工
程の自動化もできなかつた。本発明は、上記従来の欠点
を解決するもので、半導体素子をテープ状の半導体支持
体の上に組みノ５ 立て、そのまま順番こ半導体素子を
回路基板に取りつけ、その後半導体素子と半導体支持体
を切り離すことのできる半導体支持体と、この半導体支
持体を用いた半導体装置の製造方法を提供し、以下にそ
の一実施例を図面とともに説明する・■０１は可撓性を
有する有機絶縁フィルムをテープ状に形成した半導体支
持体である。

２はこの半導体支持体１に２本の片持ちはり出し形の突
出片３、３を残して略Ｅ形になるように設けた穴で、こ
の穴２はテープの方向に互いに間隔を有して多数、”５
−連に設けられている。

４、４は細い幅の金属箔導体で形成したリード線で、前
記突出片３、３のそれぞれに直角に交差して、多数が互
いに平行に並んで固着され、かつこのリード線４の両端
は突出片３の幅を越えて前記穴２の空間◆こ突出してい
る。

５，５は前記半導体支持体１の両縁にそれぞれ一列に設
けられたスプロケツト穴である。

ここで半導体支持体１に形成した有機絶縁フイルムとし
ては、厚さ約０．１ｍｍのポリイミド樹脂フイルムを用
いたが、他にもポリエステルフイルム等可撓性を有する
絶縁フイルムが用いられる。またりード線４は、厚さ約
３５μの銅箔を用いて、フオトエツチング法により幅約
５０μ、リード線間ピツチ約１００μに形成され、錫ま
たは金によりメツキが施されたものである。第２図は前
記半導体支持体１に半導体素子６を取りつける工程を示
したものである。

半導体素子６は、例えばシリコンチツプ７に形成された
ダイオードアレイ、半導体集積回路素子等で、このひと
つの面には金で突起状となした接続端子８，８が設けら
れている。上記半導体素子６は、前記略Ｅ形の穴２に順
次取りつけられるよう同一の間隔で他のテープ状体の上
にひとつずつ設けられている。前記半導体素子６の接続
端子８，８と前記半導体支持体１のリード線４，４とは
熱圧着により接合される。このとき、リード線４に錫メ
ツキが施してあれば、接続端子８の金の突起との間で金
−錫共晶による接合となり、リード線４に金メツキが施
してあれば、金一金の熱圧着接合となる。また半田によ
る接合方法も可能である。この工程は自動化され、半導
体素子６は順次半導体支持体１上でリード線４，４を接
合した形に組み立てられてゆく。第３図は組み上がつた
半導体素子６を取りつけた半導体支持体１を用いて回路
基板９にこの半導体素子６を接合する工程を示したもの
である。

回路基板９は印刷配線等が施された基板である。この上
に前記半導体支持体１を、そのリード線４，４側の面が
対向するように近づけ、半導体支持体１を動かすことに
よつて半導体素子６と回路基板９の配線パターンとの位
置合せを行なつた後、熱圧着または半田づけなどの方法
でリード線４，４と配線部分との接合を行なう。ひとつ
の半導体素子についてリード線４，４と回路基板９との
接合が完了したのち、半導体支持体１の突出片３，３の
つけ根付近でこの突出片３，３を切析し、半導体支持体
１から半導体素子６を分離する。このようにして順次半
導体素子６を回路基板９上へ接合し、半導体装置を製造
する。上記の実施例では、半導体装置の製造にめたつて
、回路基板９上にリード接合する時半導体素子６の保持
、位置合せ、送りなどをスプロケツト穴５，５を利用し
て半導体支持体１を保持することにより行なうことがで
きるため、半導体素子６の形状や寸法にかかわらず、確
実で精度の高い製造技術を実現できる。

特に第３図に示したように、半導体素子６同士が極めて
接近して回路基板９上に接合される高密度の半導体装置
においては、半導体支持体１に略Ｅ形の穴２があり、そ
の中で半導体素子を保持しているのは、２本の片持ちは
り出し形の突出片３，３であつてこの突出片３，３の一
端は半導体支持体１の本体から離れているので、フイル
ム体からなる半導体支持体１をその町撓性を利用して大
きく曲げることにより半導体素子６を接近させて回路基
板９上へ接合しやすくすることができる。即ち、突出片
３，３が片持ち形であるため半導体支持体１上での半導
体素子６同士の間隔１１に比べ、回路基板９上に接合さ
れた後の半導体素子６同士の間隔１２の方をより小さく
することが容易となり、特に高密度自動化に大きな効果
がある。例えば高密度の半導体装置として、多数のダイ
オードアレイを用いてマトリクス回路を形成した感熱記
録ヘツドでは、記録密度を上げるために１ｍ１Ｌ当り４
〜１０イ固のダイオードアレイを接続する必要があり、
この場合に上記実施例の半導体支持体１を用いれば特に
効果が大きく、従来の数倍の能率を実現することができ
た。また半導体支持体１を保持したまま、半導体素子６
の組み立ても半導体装置への接合をも行なうことができ
るので半導体素子から半導体装置までの一貫しこ工程の
自動化が可能となるすぐれた特徴を有している。以上の
ように本発明は、可撓性有機絶縁フイルム体に相互に間
隔を有して設けた一連の略Ｅ形の穴と、この略Ｅ形の穴
を形成する２本の片持ちはり出し形の突出片のそれぞれ
に、この突出片と交差して突出片の幅から両端を突出さ
せて設けた多数の細幅金属導体からなるリード線とを有
して形成した半導体支持体と、さらにこの半導体支持体
に半導体素子を取りつけ、回路基板上に前記りード線を
接合した後、この半導体素子を半導体支持体から切断分
離する製造方法とにより、半導体素子を高密度に接合す
る場合でも、前記突出片が片持ちはり出し形であるので
、半導体支持体を曲げながら保持して高精度にかつ効率
的に行なうことができるとともに、半導体素子から半導
体装置まで一貫した工程の自動化が実現できる優れた半
導体支持体および半導体支持体を用いた半導体装置の製
造方法を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体支持体の一実施例を示す斜視図
、第２図は半導体支持体に半導体素子を取りつける工程
の説明図、第３図は半導体支持体を用いて半導体素子を
回路基板に接合する工程の説明図である。 １・・・・・・半導体支持体、２・・・・・・穴、３・
・・・・・突出片、４・・・・・・リード線、６・・・
・・・半導体素子、９・・・・・・回路基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 可撓性有機絶縁フィルム体に相互に間隔を有して設
   けた一連の略Ｅ形の穴と、この略Ｅ形の穴を形成する２
   本の片持ちはり出し形の突出片のそれぞれに、この突出
   片と交差して突出片の幅から両端を突出させて設けた多
   数の細幅金属導体からなるリード線とを有したことを特
   徴とする半導体支持体。 ２ 可撓性有機絶縁フィルム体に相互に間隔を有して設
   けた一連の略Ｅ形の穴と、この略Ｅ形の穴を形成する２
   本の片持ちはり出し形の突出片のそれぞれに、この突出
   片と交差して突出片の幅から両端を突出させて設けた多
   数の細幅金属導体からなるリード線とを有する半導体支
   持体に、半導体素子を前記リード線と前記半導体素子の
   接続端子とを接合することにより取りつけ、さらに回路
   基板上に前記リード線を接合した後前記半導体素子を前
   記半導体支持体から切断分離することを特徴とする半導
   体支持体を用いた半導体装置の製造方法。