JPS59182390A - 電子時計用温度検出回路 - Google Patents
電子時計用温度検出回路Info
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- JPS59182390A JPS59182390A JP5294884A JP5294884A JPS59182390A JP S59182390 A JPS59182390 A JP S59182390A JP 5294884 A JP5294884 A JP 5294884A JP 5294884 A JP5294884 A JP 5294884A JP S59182390 A JPS59182390 A JP S59182390A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/04—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses
- G04F5/06—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses using piezoelectric resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度補漬機０ヒを備えた電子時計における孟
度検出回路に係わシ、更に詳しくは、温度係数のダ゛４
なる複数個の抵抗とＣＭＯＳインバータ＋１４：により
構成される電子時ｄｔ用温度検出回路番て関する。
度検出回路に係わシ、更に詳しくは、温度係数のダ゛４
なる複数個の抵抗とＣＭＯＳインバータ＋１４：により
構成される電子時ｄｔ用温度検出回路番て関する。
本発明の目的は、簡便表電子時計用温度検出回路を提供
することであり、又、前記検出回路は、集積化され得る
回路構成とすることにある。
することであり、又、前記検出回路は、集積化され得る
回路構成とすることにある。
現在、電子時計の時間標準となる水晶振動子−は、ヤン
グ率の温度特性Ｋ特に依存した温度特性を待って訃り、
例えば５°×カツトの屈曲振動子の場合には、負の二次
係数（−１０〜１０７４０ｇ ）を持つ二次曲線となる
。従って水晶振動子の温度特性は、水晶式電子時計にと
って最も大きな対環境誤差原因となる。
グ率の温度特性Ｋ特に依存した温度特性を待って訃り、
例えば５°×カツトの屈曲振動子の場合には、負の二次
係数（−１０〜１０７４０ｇ ）を持つ二次曲線となる
。従って水晶振動子の温度特性は、水晶式電子時計にと
って最も大きな対環境誤差原因となる。
従来より、この温度誤差を補正する為、！１μｌｆ ’
６量変化のある磁器コンデンサを用いる方法−や、時間
標準となる水晶発振器と、もう一つ別の発：最冷とを設
け、両°者の温度−周波数特性の違い力・ら、温度検出
し、基準信号発生・原の温度−周波数特性を補正する方
法等が使用されている。
６量変化のある磁器コンデンサを用いる方法−や、時間
標準となる水晶発振器と、もう一つ別の発：最冷とを設
け、両°者の温度−周波数特性の違い力・ら、温度検出
し、基準信号発生・原の温度−周波数特性を補正する方
法等が使用されている。
磁器コンデンサを使用する方法においては、補正精度は
言うまでもなく、水晶振動子と磁器コンデンサとの温度
特性の兼合いで決定される。従つて、精度を向上させよ
うとすれば、各々の特性の均一化、合せ込みの努力等、
極端に重荷となってく る。
言うまでもなく、水晶振動子と磁器コンデンサとの温度
特性の兼合いで決定される。従つて、精度を向上させよ
うとすれば、各々の特性の均一化、合せ込みの努力等、
極端に重荷となってく る。
父、ニー）の発振器による補正の場合、６丑器コンデン
プに用の、場合に比べて、Ａ′ａ度面では多大の効果が
Ｊ舅待できる。しかし午ら、温度検出の為、基準１ゴ号
発生源の他に、もう−個の発振器が必要で心るへ１、温
度検出ｒ（際し−Ｃ１二つの発振周波数の周θＵ数弗等
を検出する検出回路を始めとする付加同品が必要であり
、それに伺属する制御回路も必要となり、補正回路自体
が大規模になってくる欠点をもっている。
プに用の、場合に比べて、Ａ′ａ度面では多大の効果が
Ｊ舅待できる。しかし午ら、温度検出の為、基準１ゴ号
発生源の他に、もう−個の発振器が必要で心るへ１、温
度検出ｒ（際し−Ｃ１二つの発振周波数の周θＵ数弗等
を検出する検出回路を始めとする付加同品が必要であり
、それに伺属する制御回路も必要となり、補正回路自体
が大規模になってくる欠点をもっている。
そこで、最も簡便で一般的な方法は、サーミスタ等の感
温素子を用いる方法であるが、サーミスタは他の回路と
同一の半導体基板上に形成することができず、外付けと
しなければならない、このため小さね時計に組み込んだ
際に困難を伴なうと共に、製造コスト、部品コストの上
昇の原因となってい几。そこで本発明は同一半導体基板
上に温１ｌｉａ号の異なる二種類の信号を形成して温度
検出回路をモノリシックに形成するものでちる。第１図
は本発明の実施１＋すでちシ、１０１はＰ−ｃｈ１Ａｏ
ｓｙｇＴ又（Ｉ′ｊ：Ｐ Ｎ Ｐバイポーラトランジス
タ等によるスイッチである。１０２は抵抗素子、４０３
〜１０５（グ１０２の抵抗素子とは温度信号の異なる抵
抗素子、１０６〜１０８は温度検出用Ｃ−ＭＯＳインバ
ータである。１０９は前記１０６〜１０８の二値論理出
力から温度変換する為の変換回路であジ、これらは同一
半導体基板上に形成される。
温素子を用いる方法であるが、サーミスタは他の回路と
同一の半導体基板上に形成することができず、外付けと
しなければならない、このため小さね時計に組み込んだ
際に困難を伴なうと共に、製造コスト、部品コストの上
昇の原因となってい几。そこで本発明は同一半導体基板
上に温１ｌｉａ号の異なる二種類の信号を形成して温度
検出回路をモノリシックに形成するものでちる。第１図
は本発明の実施１＋すでちシ、１０１はＰ−ｃｈ１Ａｏ
ｓｙｇＴ又（Ｉ′ｊ：Ｐ Ｎ Ｐバイポーラトランジス
タ等によるスイッチである。１０２は抵抗素子、４０３
〜１０５（グ１０２の抵抗素子とは温度信号の異なる抵
抗素子、１０６〜１０８は温度検出用Ｃ−ＭＯＳインバ
ータである。１０９は前記１０６〜１０８の二値論理出
力から温度変換する為の変換回路であジ、これらは同一
半導体基板上に形成される。
１０２の抵抗と１０３〜１０５の抵抗の温度精度を異な
らせるには、低濃度拡散抵抗、高温度拡散抵抗、ＭＯ８
抵抗等の温度信号の異なる抵抗を用いればよい。
らせるには、低濃度拡散抵抗、高温度拡散抵抗、ＭＯ８
抵抗等の温度信号の異なる抵抗を用いればよい。
次に動作を説明する。ｔ（℃）Ｋおける、１［］２〜線
で示している。尚第２図、第６図、第５図、第７図にお
いて、温度による、ヘルミ準位の変化等によるＶｔｒの
温度変化は無視して書かれている。
で示している。尚第２図、第６図、第５図、第７図にお
いて、温度による、ヘルミ準位の変化等によるＶｔｒの
温度変化は無視して書かれている。
又、１０６〜１０８の０−ＭＯＳインバータの出力値を
Ｈ（日ｉｇｈ出力）又ｕＬ （Ｌｏｗ出力）のＩ記号で
、各温度域に対して次表に示した。
Ｈ（日ｉｇｈ出力）又ｕＬ （Ｌｏｗ出力）のＩ記号で
、各温度域に対して次表に示した。
以上のように本発明によればサーミスタを使用すること
なく集積化された温度検出回路が実施できる。次に、本
発明の他の実施例を説明する。一般に？−ミスタは負の
温度係数を持ち、抵抗が正の温度特性を持つのに対し、
集積化されｆＣ場合、温度係数は僅かに異なるが、共に
正の温度係数を持っている。その結果、集積化すること
によシ、温度変化に対する、Ｖ２３ 、 Ｖ３４ ＊
Ｖ４５ 等（７） Ｃ−ＭＯＳインバータへの入力値の
変化が少なくなる。その結果、１０５の抵抗の抵抗値を
順次、Ｒ２（ｔ） 、 Ｒ３（ｔ）。
なく集積化された温度検出回路が実施できる。次に、本
発明の他の実施例を説明する。一般に？−ミスタは負の
温度係数を持ち、抵抗が正の温度特性を持つのに対し、
集積化されｆＣ場合、温度係数は僅かに異なるが、共に
正の温度係数を持っている。その結果、集積化すること
によシ、温度変化に対する、Ｖ２３ 、 Ｖ３４ ＊
Ｖ４５ 等（７） Ｃ−ＭＯＳインバータへの入力値の
変化が少なくなる。その結果、１０５の抵抗の抵抗値を
順次、Ｒ２（ｔ） 、 Ｒ３（ｔ）。
Ｒ４（ｔ） 、 Ｒｓ（ｔ）とし、父、１０２と１０３
の接合部（ＮＯＤＢ）’（ｉ）Ｖ２３という如＜ Ｖ３
４ ＋ Ｖ４５を定めよう。
の接合部（ＮＯＤＢ）’（ｉ）Ｖ２３という如＜ Ｖ３
４ ＋ Ｖ４５を定めよう。
すれば、Ｒ（ｔ）−Ｒｚ （ｔ）＋ Ｒａ （ｔ）＋Ｒ
ａ （ｔ）十Ｒｓ （ｔ）としたとき電源′電圧をＶＤ
Ｄとすると、 Ｖ２３−Ｖ ＤＤ （Ｒ３（ｔ）＋ Ｒ４（ｔ） ＋
Ｒｓ （ｔ） ）／Ｒ（ｔ）Ｖ３４＝ ’１’ＤＤ （
Ｒ４（ｔ）＋Ｒ５＜ｔ） ）Ｒ（ｔ）ｖ４５−ｖＤＤ−
Ｒ５（ｔ）／Ｒ（ｔ）となる。
ａ （ｔ）十Ｒｓ （ｔ）としたとき電源′電圧をＶＤ
Ｄとすると、 Ｖ２３−Ｖ ＤＤ （Ｒ３（ｔ）＋ Ｒ４（ｔ） ＋
Ｒｓ （ｔ） ）／Ｒ（ｔ）Ｖ３４＝ ’１’ＤＤ （
Ｒ４（ｔ）＋Ｒ５＜ｔ） ）Ｒ（ｔ）ｖ４５−ｖＤＤ−
Ｒ５（ｔ）／Ｒ（ｔ）となる。
更に、ｔ（匂のときの１０６〜１０８のＣ−ＭＯＳイン
バータの入力値を、Ｖｔｒ（ｔ）とする。そして以下の
ように１０２〜１０６の抵抗の値を設定する。
バータの入力値を、Ｖｔｒ（ｔ）とする。そして以下の
ように１０２〜１０６の抵抗の値を設定する。
ｔ＜ｔ、 ｖｔｒｒ（ｔ）＞ Ｖ２３ （ｔ）＞
Ｖ３４（ｔ） ＞ ｖ４５（ｔ）ｔ１≦ｔ＜ｔ２■２
３（ｔ）≧Ｖｔｒ （ｔ） ＞ Ｖ３４（ｔ）＞Ｖ４ｓ
（ｔ）ｔ２≦ｔ ＜ ｔ３Ｖ２３ （ｔ） ＞ Ｖ３４
（ｔ）≧Ｖｔｒ （ｔ） ＞ Ｖ４ ｓ （”）ｔ３
≦ｔ ｖ２３（ｔ） ＞ ■３４ （”） ＞
Ｖ４５（ｔ）≧ｖｔｒ（ｔ）第２図に、この様に設定さ
れた場合の温度変化に対する、Ｖｔｒ ｌ Ｖ２３ 、
ｖ３４１ ’Ｖ４５ （７）変化１１７）［略を直１
０５の抵抗の抵抗値を順次、Ｒ２（ｔ） 、 Ｒ３（ｔ
） 、 Ｒ４（ｔ） 。
Ｖ３４（ｔ） ＞ ｖ４５（ｔ）ｔ１≦ｔ＜ｔ２■２
３（ｔ）≧Ｖｔｒ （ｔ） ＞ Ｖ３４（ｔ）＞Ｖ４ｓ
（ｔ）ｔ２≦ｔ ＜ ｔ３Ｖ２３ （ｔ） ＞ Ｖ３４
（ｔ）≧Ｖｔｒ （ｔ） ＞ Ｖ４ ｓ （”）ｔ３
≦ｔ ｖ２３（ｔ） ＞ ■３４ （”） ＞
Ｖ４５（ｔ）≧ｖｔｒ（ｔ）第２図に、この様に設定さ
れた場合の温度変化に対する、Ｖｔｒ ｌ Ｖ２３ 、
ｖ３４１ ’Ｖ４５ （７）変化１１７）［略を直１
０５の抵抗の抵抗値を順次、Ｒ２（ｔ） 、 Ｒ３（ｔ
） 、 Ｒ４（ｔ） 。
Ｒ５（ｔ）とし、又、１０２と１０３の接合部（ＮｏＤ
Ｆｌ：）をＶ２３という如＜ Ｖ３４ 、 Ｖ４５を定
めよう。
Ｆｌ：）をＶ２３という如＜ Ｖ３４ 、 Ｖ４５を定
めよう。
すれば、Ｒ（ｔ） ＝ Ｒ２（１；） ＋ Ｒａ （ｔ
）十Ｒ４（ｔ）十Ｒ５（ｔ）としたとき、電源電圧をＶ
ＤＤとすると、 Ｖ２３ ＝ ＶＤＤ （Ｒ３（ｔ）十Ｒ４（ｔ）
十Ｒｓ（ｔ） ）／Ｒ（をンＶａ４ ＝ ＶＤＤ ＜
Ｒ４（ｔ）十Ｒ５（ｔ） ＞ Ｒ（ｔ）Ｖ４５−ＶＤ
Ｄ・Ｆｔｓ （ｔ）／Ｒ（ｔ）となる。
）十Ｒ４（ｔ）十Ｒ５（ｔ）としたとき、電源電圧をＶ
ＤＤとすると、 Ｖ２３ ＝ ＶＤＤ （Ｒ３（ｔ）十Ｒ４（ｔ）
十Ｒｓ（ｔ） ）／Ｒ（をンＶａ４ ＝ ＶＤＤ ＜
Ｒ４（ｔ）十Ｒ５（ｔ） ＞ Ｒ（ｔ）Ｖ４５−ＶＤ
Ｄ・Ｆｔｓ （ｔ）／Ｒ（ｔ）となる。
更に、ｔ（匂のときの、１０６〜１０８のＣ−ＭＯＳイ
ンバータの入力閾値を、Ｖ ｔ ｒ （ｔ）とする。
ンバータの入力閾値を、Ｖ ｔ ｒ （ｔ）とする。
ここでＶｔｒ（ｔ）は０−ＭＯＳインバータの出力が反
転する時の入力電圧であり、たとえばｖｚ３（ｔ）がＶ
ｔｒ（ｔ）より大きくなるとインバータ１０６の出力は
ＨからＬＫ反転する。そして以下のよう（て１０６〜１
０６の抵抗の値を設定する。
転する時の入力電圧であり、たとえばｖｚ３（ｔ）がＶ
ｔｒ（ｔ）より大きくなるとインバータ１０６の出力は
ＨからＬＫ反転する。そして以下のよう（て１０６〜１
０６の抵抗の値を設定する。
ｔ； ＜ ｔｌ ｖｔｒ（ｔ）＞Ｖｚ３（ｔ）＞
Ｖａ４（ｔ）＞ Ｖ４５（ｔ）ｔ１≦ｔ＜ｔ２ｖ２３（
ｔ）≧ｖｔｒ（ｔ）＞Ｖａ、ｔ（ｔ）＞Ｖ４ｓ（ｔ）ｔ
２≦ｔ＜ｔ３ Ｖ２３（ｔ）＞Ｖａ４（ｔ）、、＝Ｖ
ｔｒ（ｔ）＞Ｖ４５（ｔ）ｔ３ ≦ｔＶ２３（ｔ）＞
ｖａ４ｆｔ）＞Ｖ４ｓ（ｔ）ｇＶｔｒ（ｔ）第２図に、
この様に設定された場合の温度変化に対する、”” ■
２３ ｒ Ｖａ４ ＋ ｖ４５の変化の概略を直１０２
〜１０５の抵抗値の決定に余裕がなくなることがある。
Ｖａ４（ｔ）＞ Ｖ４５（ｔ）ｔ１≦ｔ＜ｔ２ｖ２３（
ｔ）≧ｖｔｒ（ｔ）＞Ｖａ、ｔ（ｔ）＞Ｖ４ｓ（ｔ）ｔ
２≦ｔ＜ｔ３ Ｖ２３（ｔ）＞Ｖａ４（ｔ）、、＝Ｖ
ｔｒ（ｔ）＞Ｖ４５（ｔ）ｔ３ ≦ｔＶ２３（ｔ）＞
ｖａ４ｆｔ）＞Ｖ４ｓ（ｔ）ｇＶｔｒ（ｔ）第２図に、
この様に設定された場合の温度変化に対する、”” ■
２３ ｒ Ｖａ４ ＋ ｖ４５の変化の概略を直１０２
〜１０５の抵抗値の決定に余裕がなくなることがある。
第５図の実施例では温度上昇に対して、０−ＭＯＳイン
バータの閾値を順次、変化してゆく様に制御するもので
ある。
バータの閾値を順次、変化してゆく様に制御するもので
ある。
第５図に於いて、４０２〜４０５は拡散抵抗又はＭＯＳ
抵抗であって、例えば４０２全高磯度−拡散抵抗、４０
６〜４０５を低濃度−拡散抵抗で作製したとすれば、ｖ
２３ ＋ Ｖａ４ ＊ Ｖ４５ は、温度上昇と共に
増加する特性全書ることが出来る。一方、４０９〜４１
４も集積化された抵抗であって、例えば４０９＝、４１
１及び４１３を低濃度−拡散抵抗４１ ｔｌ 、 ４１
２及び４１４を高濃度−拡散抵抗で作製したとすれば０
−ＭＯＳインバータ４０６〜４０８のＰ ｃ ｈ １ｌ
ｌｌソ一ス電位は、温度上昇と共に減少する特性を得る
。その結果、温度検出用０−ＭＯＳインバータの入力閾
値電圧は温度上昇と共に減少する事（てなり、入力電圧
Ｖ２３ 、 Ｖａ４ 、 Ｖ４５の増加とによシ相乗効
果を持たせる事が出来る。
抵抗であって、例えば４０２全高磯度−拡散抵抗、４０
６〜４０５を低濃度−拡散抵抗で作製したとすれば、ｖ
２３ ＋ Ｖａ４ ＊ Ｖ４５ は、温度上昇と共に
増加する特性全書ることが出来る。一方、４０９〜４１
４も集積化された抵抗であって、例えば４０９＝、４１
１及び４１３を低濃度−拡散抵抗４１ ｔｌ 、 ４１
２及び４１４を高濃度−拡散抵抗で作製したとすれば０
−ＭＯＳインバータ４０６〜４０８のＰ ｃ ｈ １ｌ
ｌｌソ一ス電位は、温度上昇と共に減少する特性を得る
。その結果、温度検出用０−ＭＯＳインバータの入力閾
値電圧は温度上昇と共に減少する事（てなり、入力電圧
Ｖ２３ 、 Ｖａ４ 、 Ｖ４５の増加とによシ相乗効
果を持たせる事が出来る。
第４図は、第６図の回路を使用したときの第２図面等図
である。
である。
第４図及び第６図において、ＶＤＤ 、 ｖｓｓ 、
Ｖｔｒのカッコ内の添字は各々第３図及び第５図のＣ−
ＭＯＥ＋インバータに関するＰ−ｃｈ、ンース屯圧ｎ
−Ｏｈソース電圧、入力閾値ＩＥ圧である。
Ｖｔｒのカッコ内の添字は各々第３図及び第５図のＣ−
ＭＯＥ＋インバータに関するＰ−ｃｈ、ンース屯圧ｎ
−Ｏｈソース電圧、入力閾値ＩＥ圧である。
第５図は、第３図の回路に６１５〜６２０の抵抗を加え
第２の分圧回路を４成することによシ、温ＩＷ検出用の
Ｃ−ＭＯＳインバータのｎ −ｃり側、ソース電位をも
温度上昇と共に減少させ、第３図の場合以上に入力閾値
電圧の温度変化を大きくした本発明の実施例である。
第２の分圧回路を４成することによシ、温ＩＷ検出用の
Ｃ−ＭＯＳインバータのｎ −ｃり側、ソース電位をも
温度上昇と共に減少させ、第３図の場合以上に入力閾値
電圧の温度変化を大きくした本発明の実施例である。
第６図（は、箒５図の回路を使用した場合の第１区間等
図である。第５図の実施列の方が、素子数が多くなる不
利を有するが、効果は第５図の実施・列に比べて太きい
。又、ｎ−を基板とする通常のＣ−ＭＯＳにおいてはｎ
ｃｈ狽１ｊのサブストレートの分離には工程増加となる
が、５ｏｓ（シリコンオンサファイア）（＋−用いれば
６易ｒ（なる。
図である。第５図の実施列の方が、素子数が多くなる不
利を有するが、効果は第５図の実施・列に比べて太きい
。又、ｎ−を基板とする通常のＣ−ＭＯＳにおいてはｎ
ｃｈ狽１ｊのサブストレートの分離には工程増加となる
が、５ｏｓ（シリコンオンサファイア）（＋−用いれば
６易ｒ（なる。
以上の如く、本発明は、従米果債化の要求を待ちながら
も、サーミスタを使用していた温度検出回路ケ温１更信
号の異なる２種類の抵抗金回−半導体基板上に形成する
ことにより、完全集積化温度検出回路を実現し良もので
、これにより小型化への要求の晶い電子時計に装、・ｕ
を可能にし、高精度電子時計の提供に貝１吠することか
できた。
も、サーミスタを使用していた温度検出回路ケ温１更信
号の異なる２種類の抵抗金回−半導体基板上に形成する
ことにより、完全集積化温度検出回路を実現し良もので
、これにより小型化への要求の晶い電子時計に装、・ｕ
を可能にし、高精度電子時計の提供に貝１吠することか
できた。
第１図（は、本発明の温度検出回路の一実施例である。
第２図は、第１図の回路の温度−電圧！特性である。
第３図は、本発明の他の実施例となる温度検出回路であ
る。 第４図は、第３図の回路のａ度−゛電圧特性である。 第５図は、本発明の他の実施例である。 化６図は、第５図の回路の温度−電圧特性である。。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務
る。 第４図は、第３図の回路のａ度−゛電圧特性である。 第５図は、本発明の他の実施例である。 化６図は、第５図の回路の温度−電圧特性である。。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務
Claims (1)
- （］１ 温度検出回路からの出力毎号に基づいて、基準
・、′８号発生源の温度−周波数特性？補償する電子’
Ｉ′ｉ’ ｔｌ’ ｌ’ζおいて、前記温度ノ次出回路
ケよ、異なる温ｌｙ係故全もつ抵抗群よりなり複数の分
圧点を有する１ｊ７１の分圧回路、前記第１の分圧回路
の複数の分圧点かＬり〆０出力をゲート入力とする醸成
のＣ−ＭＯＳインバータ及び前３Ｑ Ｏ”’ Ｍ ＯＳ
インバータの出力を温変信号Ｖζ変換する変換１１２＋
届よりなることを特徴とする電子時計用温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294884A JPS59182390A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 電子時計用温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294884A JPS59182390A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 電子時計用温度検出回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51158587A Division JPS6020924B2 (ja) | 1976-12-28 | 1976-12-28 | 電子時計用温度検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182390A true JPS59182390A (ja) | 1984-10-17 |
| JPS6142205B2 JPS6142205B2 (ja) | 1986-09-19 |
Family
ID=12929096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294884A Granted JPS59182390A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 電子時計用温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182390A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110002U (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-25 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110391A (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-21 | ||
| JPS5162964A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-05-31 | Citizen Watch Co Ltd | Ondohoshosuishohatsushinkairo |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5294884A patent/JPS59182390A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49110391A (ja) * | 1973-02-20 | 1974-10-21 | ||
| JPS5162964A (ja) * | 1974-11-29 | 1976-05-31 | Citizen Watch Co Ltd | Ondohoshosuishohatsushinkairo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142205B2 (ja) | 1986-09-19 |
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