JPS59185046A - 情報消去記録再生装置 - Google Patents
情報消去記録再生装置Info
- Publication number
- JPS59185046A JPS59185046A JP58059564A JP5956483A JPS59185046A JP S59185046 A JPS59185046 A JP S59185046A JP 58059564 A JP58059564 A JP 58059564A JP 5956483 A JP5956483 A JP 5956483A JP S59185046 A JPS59185046 A JP S59185046A
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- Japan
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- light source
- light
- low
- semiconductor laser
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、二つのエネルギー状態によって反射率の変化
を起こすカルコゲナイド半導体材料を利用した。消去、
記録、再生可能な光ディスク等に関するものである。
を起こすカルコゲナイド半導体材料を利用した。消去、
記録、再生可能な光ディスク等に関するものである。
従来のこの種の装置は、カルコゲナイド半導体材料を使
った光ディスクの情報消去を行なう場合６０Ｏｎｍ以上
の波長の光により行なわれ、通常Ｈｅ −Ｎθレーザを
光源として用い、６５０ｎｍ程度の比較的長波長で高い
光強度のレーザ光線を照射し、反射率の低いＬＯＷ−ア
モルファス状態にした。情報を記録する場合、６００ｎ
ｍ以下の波長の光により行なわれ、通常Ａｒレーザを光
源として用い５６０ｎｍ程度の比較的短波長のし←ザ光
線を照射し、反射率の低いＬＯＷ−アモルファス状態か
ら反射率の高いＨｌｇｈ−アモルファス状態に変化させ
た。情報を再生する場合、ＬＯＷ−７モル７アス状態か
らＨｌｇｈ−アモルファス状態への変化が起こらないよ
うにＡｒレーザよりも波長が長く、逆にＨｌｇｈ−アモ
ルファス状態からＬＯＷ−アモルファス状態への変化が
起こらないよう消去時のＨｅ −Ｎθレーザよりも低い
光強度のＨｅ −Ｎ ｅレーザを用いて、光デイスク表
面に付けられているカルコゲナイド半導体装置の反射率
の変化を光学的に検出して記録した情報を再生していた
。
った光ディスクの情報消去を行なう場合６０Ｏｎｍ以上
の波長の光により行なわれ、通常Ｈｅ −Ｎθレーザを
光源として用い、６５０ｎｍ程度の比較的長波長で高い
光強度のレーザ光線を照射し、反射率の低いＬＯＷ−ア
モルファス状態にした。情報を記録する場合、６００ｎ
ｍ以下の波長の光により行なわれ、通常Ａｒレーザを光
源として用い５６０ｎｍ程度の比較的短波長のし←ザ光
線を照射し、反射率の低いＬＯＷ−アモルファス状態か
ら反射率の高いＨｌｇｈ−アモルファス状態に変化させ
た。情報を再生する場合、ＬＯＷ−７モル７アス状態か
らＨｌｇｈ−アモルファス状態への変化が起こらないよ
うにＡｒレーザよりも波長が長く、逆にＨｌｇｈ−アモ
ルファス状態からＬＯＷ−アモルファス状態への変化が
起こらないよう消去時のＨｅ −Ｎθレーザよりも低い
光強度のＨｅ −Ｎ ｅレーザを用いて、光デイスク表
面に付けられているカルコゲナイド半導体装置の反射率
の変化を光学的に検出して記録した情報を再生していた
。
従来の装置では、小型化を考える上で最大の問題は短波
長の半導体レーザが無いことであった。
長の半導体レーザが無いことであった。
長波長のＨｅ −Ｎ ｅレーザよりも長波長のレーザの
代わりに半導体レーザを用いることは可能であるが、短
波長のＡｒレーザの代わりとなる半導体レーザは未だ開
発されておらず、情報を記録する際にはどうしてもＡｒ
レーザが必要であり、そのため装置全体が非常に大ぎく
なるという欠点があった。
代わりに半導体レーザを用いることは可能であるが、短
波長のＡｒレーザの代わりとなる半導体レーザは未だ開
発されておらず、情報を記録する際にはどうしてもＡｒ
レーザが必要であり、そのため装置全体が非常に大ぎく
なるという欠点があった。
そこで本発明は、このような欠点を除去し、書込みに半
導体レーザを用いて装置の小型化を実現することを目的
とする。本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図を
用いて説明する。第１図はカルコゲナイド半導体材料の
膜をつけた光ディスク１の情報を消去する説明図である
。本発明では光ディスク１の情報を消失する時、短波長
の光を含んだ例えば白色光源や紫外線ランプなどの光源
２からの光線を用い光ディスク１全体に照射し、従アモ
ルファス状態にしておく。情報を記録する場合を説明し
たのが第２図である。光ディスク１の表面のカルコゲナ
イド半導体材料の膜は反射率の高いＨｌｇｈ−アモルフ
ァス状態になっており１情報を記録するには反射率の低
いＬＯＷ−アモルファスのピットを形成させる必要があ
る。そのために６００ ％ｒｎ以上の波長の光が必要で
あるから７００ルｔｒＬ〜８００ ｎｍ程度の長波長で
大出力の半導体レーザ光源３を用い情報源４からの情報
を光信号に変換し光学系５でレーザ光をディスク１上に
収束させ情報を記録することができるのである。情報を
再生する場合を説明したのが第３図である。情報の再生
においては従来と同様、Ｌｏｗ−アモルファス状態から
Ｈｌｇｈ−アモルファス状態への変化が起こらないよう
に６００ｎｍ以上の長波長の光線であることと、逆にＨ
ｌｇｈ−アモ／ｌ／ファス状態かＩ）Ｌｏｗ−アモルフ
ァス状態への変化が起こらないように低出力であること
が必要であるので半導体レーザ光源乙の出力光を用いる
ことか出来る。半導体レーザ光源６の出力光はビームス
プリッタ−７を通過し光学系５によって光ディスク１の
表面にレーザ光を収束させる。光ディスク１の表面のカ
ルコゲナイド半導体材料の膜の反射率がピットの有無に
より変化し光ディスク１の表面による反射光の光強度が
変化する。反射光はビームスプリッタ−７により方向を
変え光検出器８に入射し、反射光の光強度の変化を電気
信号に変換することによって光ディスク１に記録された
情報を再生することができる。さらに消去する時は再び
白色光源２がらの光線をディスク１全体に照射すれば良
いのである。
導体レーザを用いて装置の小型化を実現することを目的
とする。本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図を
用いて説明する。第１図はカルコゲナイド半導体材料の
膜をつけた光ディスク１の情報を消去する説明図である
。本発明では光ディスク１の情報を消失する時、短波長
の光を含んだ例えば白色光源や紫外線ランプなどの光源
２からの光線を用い光ディスク１全体に照射し、従アモ
ルファス状態にしておく。情報を記録する場合を説明し
たのが第２図である。光ディスク１の表面のカルコゲナ
イド半導体材料の膜は反射率の高いＨｌｇｈ−アモルフ
ァス状態になっており１情報を記録するには反射率の低
いＬＯＷ−アモルファスのピットを形成させる必要があ
る。そのために６００ ％ｒｎ以上の波長の光が必要で
あるから７００ルｔｒＬ〜８００ ｎｍ程度の長波長で
大出力の半導体レーザ光源３を用い情報源４からの情報
を光信号に変換し光学系５でレーザ光をディスク１上に
収束させ情報を記録することができるのである。情報を
再生する場合を説明したのが第３図である。情報の再生
においては従来と同様、Ｌｏｗ−アモルファス状態から
Ｈｌｇｈ−アモルファス状態への変化が起こらないよう
に６００ｎｍ以上の長波長の光線であることと、逆にＨ
ｌｇｈ−アモ／ｌ／ファス状態かＩ）Ｌｏｗ−アモルフ
ァス状態への変化が起こらないように低出力であること
が必要であるので半導体レーザ光源乙の出力光を用いる
ことか出来る。半導体レーザ光源６の出力光はビームス
プリッタ−７を通過し光学系５によって光ディスク１の
表面にレーザ光を収束させる。光ディスク１の表面のカ
ルコゲナイド半導体材料の膜の反射率がピットの有無に
より変化し光ディスク１の表面による反射光の光強度が
変化する。反射光はビームスプリッタ−７により方向を
変え光検出器８に入射し、反射光の光強度の変化を電気
信号に変換することによって光ディスク１に記録された
情報を再生することができる。さらに消去する時は再び
白色光源２がらの光線をディスク１全体に照射すれば良
いのである。
つまり本発明の情報消去記録再生装置はＡｒレーザのよ
うな大きな部品を用いる代わりに半導体レーザと白色光
源あるいは紫外線ランプなどを用い装置全体を小型化す
ることができるのである。
うな大きな部品を用いる代わりに半導体レーザと白色光
源あるいは紫外線ランプなどを用い装置全体を小型化す
ることができるのである。
また、情報記録再生装置と情報消失装置とを分ければ、
情報記録再生装置は光源として半導体レーザだけとなり
小型化することができる。しがも記録と再生用の光源と
して半導体レーザを兼用させることによってさらに小型
化することができる。
情報記録再生装置は光源として半導体レーザだけとなり
小型化することができる。しがも記録と再生用の光源と
して半導体レーザを兼用させることによってさらに小型
化することができる。
半導体レーザを兼用する場合は光の強度を電流の量によ
って変えるか、光減衰器を用いるかして光の強度を変え
れば良い。以上のように従来の装置ではＡｒレーザを用
いるために装置全体が非常に大きくなってしまうのであ
ったが、本発明の情報消失記録再生装置は大きな部品が
必要でないため小型化が容易に実現できるのである。
って変えるか、光減衰器を用いるかして光の強度を変え
れば良い。以上のように従来の装置ではＡｒレーザを用
いるために装置全体が非常に大きくなってしまうのであ
ったが、本発明の情報消失記録再生装置は大きな部品が
必要でないため小型化が容易に実現できるのである。
第１図は本発明の情報消去記録再生装置の情報消去を説
明した図であり、第２図は情報記録を、第３図は情報再
生を説明した図である。 １・・・・・・・・・光ディスク ２・・・・・・・・・白色光源 ３・・・・・・・・・大出力の半導体レーザ光源４・・
・・・・・・・情報源 ５・・・・・・・・・光学系 ６・・・・・・・・・半導体レーザ光源７・・・・・・
・・・ビームスプリッター８・・・・・・・・・光検出
器 第１図 一、ユ慕 第２図 一一益 第３図 一一μ ２４３− ゴコフ コ】
明した図であり、第２図は情報記録を、第３図は情報再
生を説明した図である。 １・・・・・・・・・光ディスク ２・・・・・・・・・白色光源 ３・・・・・・・・・大出力の半導体レーザ光源４・・
・・・・・・・情報源 ５・・・・・・・・・光学系 ６・・・・・・・・・半導体レーザ光源７・・・・・・
・・・ビームスプリッター８・・・・・・・・・光検出
器 第１図 一、ユ慕 第２図 一一益 第３図 一一μ ２４３− ゴコフ コ】
Claims (2)
- （１） 第１の波長の光を含む光線を放射する第１の
手段と、前記第１の波長より長い波長である第２の波長
の光を含む光線を放射する第２の手段と前記第２の波長
の光よりも低い光強度の光線を放射する第３の手段との
３つの手段を有していることを特徴とする情報消去記録
再生装置。 - （２） 前記第２．第３の光放射手段・は半導体レー
ザにより構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の情報消去記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059564A JPS59185046A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 情報消去記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059564A JPS59185046A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 情報消去記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185046A true JPS59185046A (ja) | 1984-10-20 |
Family
ID=13116855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059564A Pending JPS59185046A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 情報消去記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59185046A (ja) |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP58059564A patent/JPS59185046A/ja active Pending
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