JPS5918687Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5918687Y2
JPS5918687Y2 JP1980071121U JP7112180U JPS5918687Y2 JP S5918687 Y2 JPS5918687 Y2 JP S5918687Y2 JP 1980071121 U JP1980071121 U JP 1980071121U JP 7112180 U JP7112180 U JP 7112180U JP S5918687 Y2 JPS5918687 Y2 JP S5918687Y2
Authority
JP
Japan
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oxide film
electrodes
silver
substrate
electrode
Prior art date
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Expired
Application number
JP1980071121U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56172942U (ja
Inventor
佑二 岩崎
栄一 小林
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置、特に銀ボンディング細線を用いた
半導体装置の改良に関する。
従来例を第１図を参照して説明する。
１はシリコン半導体基板、２は基板１表面に形成された
酸化膜、３はアルミニウムの電極、４は電極３を除く酸
化膜２表面を被覆するＣＶＤ酸化膜、５は銀のボンディ
ング細線、６は封止のためのエポキシ樹脂である。
斯上の構造ではエポキシ樹脂６またはリードフレーム界
面を通って侵入する水分によってエポキシ樹脂６とＣＶ
Ｄ酸化膜４の界面に銀７の析出現象が発生する。
この銀７の析出は電位の高い電極３から電位の低い電極
３方向に戊長し、やがて電極間を短絡してしまう。
本考案は斯点に鑑みてなされ、銀の析出現象を防止する
半導体装置を実現するものであり、本考案の一実施例を
第２図および第３図を参照して詳述する。
第２図は本考案の上面図であり、第３図は第２図のＡ−
Ａ線断面図である。
１１はシリコン半導体基板であり、基板１１内にはトラ
ンジスタ・ダイオード・集積回路等が形成されている。
１２は基板１１表面を被覆する酸化膜であり、熱酸化な
どで形成される。
１３はアルミニウムの電極であり、基板１１の端部等に
複数個形成される。
１４はＣＶＤ酸化膜であり、基板１１内に形成された素
子や配線の保護を行うためのものであり電極１３を除く
酸化膜１２のほぼ全面に形成されている。
１５は銀のボンディング細線であり、一端を電極１３に
固着されている。
従来多用された金のボンディング細線を銀に換えること
によりコストダウンができる。
１６は封止のためのエポキシ樹脂である。
本考案の特徴は電極１３間のＣＶＤ酸化膜１４をエツチ
ングして溝１８を設けることにある。
溝１８は電極１３の三辺を囲むコ字状の溝１８とコ字状
の溝１８の間に形成される１つ以上の直線状の溝１８か
ら構成される。
これらの溝はＣＶＤ酸化膜１４をエツチングして電極１
３を露出する工程で同時形成される。
本考案に依ればエポキシ樹脂１６とＣＶＤ酸化膜１４の
界面の電極１３間のパスが凹凸状となり長くなりまたエ
ポキシ樹脂１６ＣＶＤ酸化膜１４の結合もこの凹凸でか
なり強化される。
この結果銀ボンディング細線１５からの銀１７の析出は
この溝１８によってかなり押えられ、銀の析出による電
極１３の短絡を防げる。
以上に詳記した如く本考案に依れば、ＣＶＤ酸化膜に溝
を形成するだけで銀の析出による電極の短絡を防止でき
且つ金より安価に銀ポンチ゛イング細線を用いることを
可能とする。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本考案を説
明する上面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線断面図である
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板と該基板上に形成された酸化膜と該酸化膜上
    に形成された複数の電極と該電極を除く前記酸化膜を被
    覆するＣＶＤ酸化膜と前記電極に固着された銀ボンディ
    ング細線とを具備する半導体装置に於いて、前記電極間
    のＣＶＤ酸化膜をエツチングして溝を設けることを特徴
    とする半導体装置。
JP1980071121U 1980-05-22 1980-05-22 半導体装置 Expired JPS5918687Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980071121U JPS5918687Y2 (ja) 1980-05-22 1980-05-22 半導体装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980071121U JPS5918687Y2 (ja) 1980-05-22 1980-05-22 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56172942U JPS56172942U (ja) 1981-12-21
JPS5918687Y2 true JPS5918687Y2 (ja) 1984-05-30

Family

ID=29664941

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JP1980071121U Expired JPS5918687Y2 (ja) 1980-05-22 1980-05-22 半導体装置

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JPS56172942U (ja) 1981-12-21

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