JPS5918695A - Ｌｓｉ実装用基板とプリント板の組合せ装置 - Google Patents
Ｌｓｉ実装用基板とプリント板の組合せ装置Info
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- JPS5918695A JPS5918695A JP12675882A JP12675882A JPS5918695A JP S5918695 A JPS5918695 A JP S5918695A JP 12675882 A JP12675882 A JP 12675882A JP 12675882 A JP12675882 A JP 12675882A JP S5918695 A JPS5918695 A JP S5918695A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（１）技術分野
本発明は回路基板、特に大規模集積回路（ＬＳＩ）モジ
ー−ル用回路基板とプリント回路基板すなわちマザーボ
ードとの相互接続を可能にするためのＬＳＩモジ−−ル
用回路基板に関する。 （２）従来技術 従来、大規模集積回路（ＬＳＩ）モジー−／し用回路基
板金プリント回路基板に接続する場合、一般に嵌合型接
続体を使用している。この接続は、各ＬＳＩモジーール
用回路基板に、その、底面から突出した接点ピンを規則
的に配列し、他方、接点ピンの接触時に、ピンに相当の
強さの接触力を付与するために、スプリング機構を備え
たジャックをプリント回路基板に設け、このジャックに
接点ピンを挿入することによ、！７Ｌｓ Ｉモジュール
用回路基板とプリント回路基板とを相互接続する。この
ような構成において、接点ピン当りの接触力が相当の強
さであることから、ＬＳＩモジ纂−ルの接点ピンを相互
接続体のジャックに挿入する際の挿入力あるいは抜き取
るときの抜去力は、接続体肖りの接点ピン数が多くなる
ほど大きくなる。たとえば数１００ビンの接続体におい
ては数ｔＯＫｆ以上の挿入力ひいては抜去力を必要とす
る相互接続体においては、この力に耐えるだけの接続部
材の強度全必要とするために、こノ′１．ＶＣ応じて接
続部材が大きくなる欠点がある。また接続体当りの接点
ピン数が多くなった場合、挿入および抜去力の軽減をは
かるために零挿入力接続体（ＺＩＦ）および軽挿入力接
続体（ＬＩＦ）が知られている。 これには−接点ピンをジャックに挿入後、カム機構によ
り接触力を付与する接続体、または分割接続機構を取り
入れた接続体などがある。しかし、これらＺＩＦ、ＬＩ
Ｆの接続体は複雑な機構を導入することになり、また製
品コストも比較的高くなる。 さらに、ジャックがある形状のスプリング機構を備える
ために、希望以上のスペースを必要とすることになり、
このスペースの条件は一般的に接続体、ＬＳＩそジーー
ル用回路基板などに設けるており、高密度の接続端子を
有゛するＬｆＳＩモジ３−ル用回路基板が得られないと
いう欠点がある。 （３）発明の目的 本発明の目的はモジー−ル用回路基鈑とプリント回路基
板との回路を、高密度に、しかも容易に、信頼度の高い
基板間の電気的接続を得るＬＳＩモジ−−ル用回路基板
？提供することである。 （４）発明の構成 本発明の上記目的は、電気的信号を通すための回路を内
部に配線しである回路基板において、この回路基板は、
この基板と電気的接続すべきプリント回路基板の上面に
設けたパッドと低融点金属を用いて接続するためのパッ
ドを基板の下面に有し、かつ基板の内部に、内部配線回
路と絶縁した状態で基板を加熱する。ための発熱体を配
線しであることを特徴とする回路基板によって達するこ
とができる。 本発明の回路基板は、基板の絶縁体の下面と、この絶縁
体を被う絶縁層との間に配線した発熱体を基板の内部に
有し、かつこの絶縁層の表面まで接続用導体を引出して
ノくラドを形成しであることも特徴としている。 また本発明の回路基板は、基板の下面に設けた接続用パ
ッドが、基板の１面の他の部分より高さを高くしである
ことが適当である。 本発明の回路基板であるＬＳＩモジ嘉−ル用回路基板を
プリント回路基板に接続するときは、モジュール用回路
基板の下面に設けたノくラドの表面に、はんだなどの低
融点金属をめっきし、他方接続すべきプリント回路基板
の上面にらるノくット°の表面も同様に低融点金属をめ
っきしておき、これらのパッドを位置合せしてモジー−
ル用回路基板とプリント回路基板とを重ねた後、前者の
発熱体に通電して絶縁体を介してノくラドをＪ＋ｕ熱し
、ノくット。 部分にめっきしである。はんだなどの金ｆＡカニ融角了
するまで温度を上昇させ、その状態でＬＳＩモジーール
用回路基板に軽い圧力を負荷し、ＬＳＩモジ−−ル用回
ｌｌ！２Ｓ基板とプリント回路基板との各ノくラド部分
の低融点金属が一体化した状態で通電を遮断し、ＬＳＩ
モジ−−ル用回路基板の温度を降下させ・低融点金属を
凝固させることにより接続する。このような接続によシ
イ８頼性の高い、低い接触抵抗の高密度接続？得ること
ができる。 一方、パッド部分で接続されたＬＳＩモジーール用回路
基板とプリント回路基板との接続を解除する場合は、接
続の場合と同様にＬＳＩモジエール用回路基板の発熱体
に通電し、ＬＳＩモジ＆−ル用回路基板を加熱して、パ
ッド部分の低融点金Ｆ％全融解状態とし、ＬＳＩモジュ
ールを持上げることによシ両者の接続を解除する。解除
後にＬＳＩモジ−−ル用回路基板の通電を遮断すればパ
ッド部分の低融点金属が凝固する。また解除する時の力
は融解状態の金属を引離す力でよいから非常に小さな力
で解除できる。 このようＶＣＬＳＩモジー−ル用回路基板に発熱体を内
蔵させることにより、パッドとパッドとの接続が可能と
なシ、１つの接続当りの占有面積全非常に小さくするこ
とができるので、比較的小さな面積内に非常に多数の接
続を設けることができる。 （５）実施例 第１図は本発明によるＬＳＩモジュール用回路基板の使
用方法を説明するための図で、多数の接続点を有する電
気装置を接続するための代表的なものである。図中、（
１１）はＬＳＩチップ。 （１２）＋（１３）ｌ（１’ｌけ大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）モジー−ルであって、本発明によるＬＳ’Ｉモジー
−ル用回路基板でもある。（１５）は第４番目のＬＳＩ
モジュールを取付ける予定の領域、（１６）はプリント
回路基板（１８）に明けられたガイドビン用の貫通孔、
（１７）はプリント回路基板（１８）の表面にある
回路パターンであるパッド、（１９〕はカードエツジコ
ネクタなどの接点と接触させる念めのプリント接点であ
る。ＬＳＩモジュール（１２） 、 （１３） ｌ （
１４）が高集積度になってくると、ＬＳＩモジ−−ルな
どの下面または側面に数１０００本のパッドｔたは端子
を取付け、このパッドまたは端子をプリント回路基板（
１８）に接続する必要がある。 第２図は本発明によるＬＳＩモジュール用回路基板（２
０）の１つのパッドとなる部分の断面を拡大して示した
ものである。第２図において（２１〕は電、気的絶縁体
であるガラスセラミックで形成されている板、（２２Ｌ
（２１）Ｉ（２４）は回路を構成している金導体の層で
、絶縁体（２１）により各層は完全に絶縁され九状態に
ｋつている。 また（２５）はバイアホール、（２６）はパッドで
ー−ル用回路基板とプリント回路基板すなわちマザーボ
ードとの相互接続を可能にするためのＬＳＩモジ−−ル
用回路基板に関する。 （２）従来技術 従来、大規模集積回路（ＬＳＩ）モジー−／し用回路基
板金プリント回路基板に接続する場合、一般に嵌合型接
続体を使用している。この接続は、各ＬＳＩモジーール
用回路基板に、その、底面から突出した接点ピンを規則
的に配列し、他方、接点ピンの接触時に、ピンに相当の
強さの接触力を付与するために、スプリング機構を備え
たジャックをプリント回路基板に設け、このジャックに
接点ピンを挿入することによ、！７Ｌｓ Ｉモジュール
用回路基板とプリント回路基板とを相互接続する。この
ような構成において、接点ピン当りの接触力が相当の強
さであることから、ＬＳＩモジ纂−ルの接点ピンを相互
接続体のジャックに挿入する際の挿入力あるいは抜き取
るときの抜去力は、接続体肖りの接点ピン数が多くなる
ほど大きくなる。たとえば数１００ビンの接続体におい
ては数ｔＯＫｆ以上の挿入力ひいては抜去力を必要とす
る相互接続体においては、この力に耐えるだけの接続部
材の強度全必要とするために、こノ′１．ＶＣ応じて接
続部材が大きくなる欠点がある。また接続体当りの接点
ピン数が多くなった場合、挿入および抜去力の軽減をは
かるために零挿入力接続体（ＺＩＦ）および軽挿入力接
続体（ＬＩＦ）が知られている。 これには−接点ピンをジャックに挿入後、カム機構によ
り接触力を付与する接続体、または分割接続機構を取り
入れた接続体などがある。しかし、これらＺＩＦ、ＬＩ
Ｆの接続体は複雑な機構を導入することになり、また製
品コストも比較的高くなる。 さらに、ジャックがある形状のスプリング機構を備える
ために、希望以上のスペースを必要とすることになり、
このスペースの条件は一般的に接続体、ＬＳＩそジーー
ル用回路基板などに設けるており、高密度の接続端子を
有゛するＬｆＳＩモジ３−ル用回路基板が得られないと
いう欠点がある。 （３）発明の目的 本発明の目的はモジー−ル用回路基鈑とプリント回路基
板との回路を、高密度に、しかも容易に、信頼度の高い
基板間の電気的接続を得るＬＳＩモジ−−ル用回路基板
？提供することである。 （４）発明の構成 本発明の上記目的は、電気的信号を通すための回路を内
部に配線しである回路基板において、この回路基板は、
この基板と電気的接続すべきプリント回路基板の上面に
設けたパッドと低融点金属を用いて接続するためのパッ
ドを基板の下面に有し、かつ基板の内部に、内部配線回
路と絶縁した状態で基板を加熱する。ための発熱体を配
線しであることを特徴とする回路基板によって達するこ
とができる。 本発明の回路基板は、基板の絶縁体の下面と、この絶縁
体を被う絶縁層との間に配線した発熱体を基板の内部に
有し、かつこの絶縁層の表面まで接続用導体を引出して
ノくラドを形成しであることも特徴としている。 また本発明の回路基板は、基板の下面に設けた接続用パ
ッドが、基板の１面の他の部分より高さを高くしである
ことが適当である。 本発明の回路基板であるＬＳＩモジ嘉−ル用回路基板を
プリント回路基板に接続するときは、モジュール用回路
基板の下面に設けたノくラドの表面に、はんだなどの低
融点金属をめっきし、他方接続すべきプリント回路基板
の上面にらるノくット°の表面も同様に低融点金属をめ
っきしておき、これらのパッドを位置合せしてモジー−
ル用回路基板とプリント回路基板とを重ねた後、前者の
発熱体に通電して絶縁体を介してノくラドをＪ＋ｕ熱し
、ノくット。 部分にめっきしである。はんだなどの金ｆＡカニ融角了
するまで温度を上昇させ、その状態でＬＳＩモジーール
用回路基板に軽い圧力を負荷し、ＬＳＩモジ−−ル用回
ｌｌ！２Ｓ基板とプリント回路基板との各ノくラド部分
の低融点金属が一体化した状態で通電を遮断し、ＬＳＩ
モジ−−ル用回路基板の温度を降下させ・低融点金属を
凝固させることにより接続する。このような接続によシ
イ８頼性の高い、低い接触抵抗の高密度接続？得ること
ができる。 一方、パッド部分で接続されたＬＳＩモジーール用回路
基板とプリント回路基板との接続を解除する場合は、接
続の場合と同様にＬＳＩモジエール用回路基板の発熱体
に通電し、ＬＳＩモジ＆−ル用回路基板を加熱して、パ
ッド部分の低融点金Ｆ％全融解状態とし、ＬＳＩモジュ
ールを持上げることによシ両者の接続を解除する。解除
後にＬＳＩモジ−−ル用回路基板の通電を遮断すればパ
ッド部分の低融点金属が凝固する。また解除する時の力
は融解状態の金属を引離す力でよいから非常に小さな力
で解除できる。 このようＶＣＬＳＩモジー−ル用回路基板に発熱体を内
蔵させることにより、パッドとパッドとの接続が可能と
なシ、１つの接続当りの占有面積全非常に小さくするこ
とができるので、比較的小さな面積内に非常に多数の接
続を設けることができる。 （５）実施例 第１図は本発明によるＬＳＩモジュール用回路基板の使
用方法を説明するための図で、多数の接続点を有する電
気装置を接続するための代表的なものである。図中、（
１１）はＬＳＩチップ。 （１２）＋（１３）ｌ（１’ｌけ大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）モジー−ルであって、本発明によるＬＳ’Ｉモジー
−ル用回路基板でもある。（１５）は第４番目のＬＳＩ
モジュールを取付ける予定の領域、（１６）はプリント
回路基板（１８）に明けられたガイドビン用の貫通孔、
（１７）はプリント回路基板（１８）の表面にある
回路パターンであるパッド、（１９〕はカードエツジコ
ネクタなどの接点と接触させる念めのプリント接点であ
る。ＬＳＩモジュール（１２） 、 （１３） ｌ （
１４）が高集積度になってくると、ＬＳＩモジ−−ルな
どの下面または側面に数１０００本のパッドｔたは端子
を取付け、このパッドまたは端子をプリント回路基板（
１８）に接続する必要がある。 第２図は本発明によるＬＳＩモジュール用回路基板（２
０）の１つのパッドとなる部分の断面を拡大して示した
ものである。第２図において（２１〕は電、気的絶縁体
であるガラスセラミックで形成されている板、（２２Ｌ
（２１）Ｉ（２４）は回路を構成している金導体の層で
、絶縁体（２１）により各層は完全に絶縁され九状態に
ｋつている。 また（２５）はバイアホール、（２６）はパッドで
【２
・５】、（２６）とも金で形成しである。 （２７）はガラスセラミック板（２１）の内部に配線し
である発熱体、（２８）は発熱体（２７）に通電するた
めの端子、（２９）はプリント回路基板のパッド部分と
接続するための低融点金属である。発熱体（２７）はガ
ラスセラミック板の内部に完全に埋没した状態で配線し
てあり１本実施例では面積抵抗１００Ω／口の厚膜抵抗
ペースト（デーボン社製抵抗ベース）Ａ４７２０）ｉ使
用した。また低融点金属（２９〕はＩｎ−４８％ａｎ共
晶合金（融点１１７℃）を使用した。 第３図は本発明によるＬＳＩモジ−−ル用回路基板（２
０）とプリント回路基板とを接続する際の、多数のパッ
ドを接続する時の構成金示した概略図である６第３図に
おいてＬＳＩモジ−−ル用回路基板の各部分は第２図の
それと同一である。 ただしく３０）はＬＳＩチップの端子またはパッドが接
続される予定のパッドである。また（３８）はプリント
回路基板に接続する際に位置決めをするためのガイドピ
ンである。 プリント回路基板（４０）は多層プリント回路基板であ
り、（３１）は樹脂などの絶縁体、（３２）？（３３〕
、（３４）は回路を構成している銅箔で、絶縁体（３１
）により各層は完全に絶縁した状態にしである。各銅箔
層（３２）ｌ（３３）ｌ（３４）の回路はスルーホール
めっき層（３５〕によって表面の回路パターンであるパ
ッド（３６）に接続しである。（３７っはＬＳＩモジ−
−ル用回路基板（２０〕のパッド部分と接続するための
低融点金属で、（２９）と同様ノＩｎ−４８％Ｓｎ共晶
合金である。（３９）はＬＳＩモジ−−ル用回路基板（
２０）２接続する際に位置決め？するためのガイド孔で
ある。 この実施例では、たとえば１．３１モジユ一ル用回路基
板（２０〕はパッド（２６）が４０Ｘ４０制の正方形面
積の中に１．２７ ｍｍの間隔で総計９００木を、それ
ぞれ絶縁した状態で整列して設けである。また、ＬＳＩ
モジ−−ル用回路基板（２０〕のパッドに対応する位置
に、プリント回路基板（４０）のパッド（３６）？ｉ−
整列して設けである。 この９００本のパッド数が非常に多く、またその接続が
高い密度であることｔよ容易に理解できるであろう。 第３図のＬＳＩモジ−−ル用回路基板（２０つとプリン
ト回路基板（４０つとを接続する手順は、ＬＳＩモジ−
−ル用回路基板（２０）’にプリント回路基板（４０）
の上に位置合せして的１き、５００２の荷重を加え、こ
の状態で発熱体（２７）Ｋ通電１して、パッド部分の低
融点金属（２９Ｌ（３７）を融解させ、両方の低融点金
属が一体になった状１１ｊで、通電を遮断し、そのまま
低融点金属を凝固させる。このような手ノ旧でＬＳＩモ
ジ−−ル用回路基板（２０）とプリント回路基板（４０
〕との安定した電気的接続を得、各パット゛部分の接触
抵抗は１ｍΩ以下であった。ＬＳＩモジ−−ル用回路基
板（２０）とプリント回路基板（４０）との接続ケ解除
するには、接続の場合の逆の工程により行えばよい。 第４図は発熱体（２７つがガラスセラミック絶縁体（２
１〕の下面に形成されており、この発熱体ｄ、絶縁層（
４１）で被われている。さらに、接続端子用導体（２５
）は下面に引出さね、接続用パッド（２６）を形成して
いる。また絶縁体（２１〕の端部には発熱体（２７）に
通電するための端子（２８）が形成されている。この実
施例では、発熱体（２７）υ、面積抵抗１００Ω／口の
厚膜ぺ一ヌト（デュポン社製抵抗ペースト遥４７２０）
４使用し、端子（２８）は厚膜導体ペースト（デーボン
社製導体ペーストＡ ９７７０ ）、絶ｆｊ！、層（４
１）は絶縁ペースト（デュポン社製絶縁ペーストＡ９１
３７Ｊ’ｋＩ史用した。さらに、接続端子用導体（２５
）およびパッド（２６）は第２図と同じくが、薄膜技術
を応用しても同様な効果が得らｔしる。 第５図は接続用パッド部（２６）が他の部分よりも高く
なるよう、あたかも突出したように形成しである。この
ような摺造圧するため、最”’Ｆ層の絶縁層の厚みおよ
びパッドにまで至る専体路（２５）の厚み方向の長さ１
１図における寸法よりも大きくとる。その後１通常のエ
ツチング技法を用いてパッド部以外の部分（図中破線の
部分（３２））を所定の厚みだけけすることによって、
パッド部を突出した形状ｖｃ−１−ることかできる。 この実施例では、絶縁層（２１）として、ガラスセラミ
ック材相全用い、この月利はぶつＹ策によって容易【て
、かつ１１度良くエツチングすることができる。 第６図は、他の変形例として、低融点金ＪＯｉケ融解す
るだめの発熱体を回路基板絶縁体の下面に形成しである
。このＦ１ａ造においても、本発明Ｖこよるパッド部ケ
突出させた形式を適用することができ。 その際何ら不都合は生じ疫い。 この実施例では、発熱体（２７）を被う絶縁層（４２）
Ｋガラスセラミックゲ用いた。これは前述のごとく、エ
ツチング工程を付加したためである。 なお、この例では、厚膜技術を用いたが、ｆＶＪ膜技術
を応用しても同様な効果が得られる。 （６）発明の効果 本発明の回路基板に」：る接続は低融点金属を融解して
接続するので、接続点が多数個であっても、実個゛的に
無荷重に近いものであり、また−釉の拡散接続であるた
め非常に安定なかつ低い接触抵抗が得られ、接続後は、
それだけで接融が自己保持されており、特に外部から締
付けるなどの手段ゲ設けなくても差支えない。 また本発明によれば低融点金属によりＬＳＩモジ−−ル
用回路基板とプリント回路基板とを接続できるので、電
気的装置ｆｆ ′ｆ、Ｒ，密度に実装することができる
。 また１回路基板の絶縁体の下面に発熱体を形成し、これ
を絶縁層で被うとともに、絶縁層の表面まで接続用導体
？引出してパッドを形成することによって、本発明の回
ｊ！′８基鈑ケ容易に作成することができる。 さらに、多層プリント板と接続するためＶＣｂ！ｌ路基
オＸの′１１：面に設けるパッド部のｉｉ’ｉさを、他
の部分より旨くする（１ａ造によって、１葺１路基板と
多層プリントとを相互に接続する際、接続ｇＢＶｃおい
て低融点金属の融解物が流１ｔｂ Ｌ／すぎた場合しこ
も、相互に瞬接するパッド間の短絡の可能性ケより低減
できる。
・５】、（２６）とも金で形成しである。 （２７）はガラスセラミック板（２１）の内部に配線し
である発熱体、（２８）は発熱体（２７）に通電するた
めの端子、（２９）はプリント回路基板のパッド部分と
接続するための低融点金属である。発熱体（２７）はガ
ラスセラミック板の内部に完全に埋没した状態で配線し
てあり１本実施例では面積抵抗１００Ω／口の厚膜抵抗
ペースト（デーボン社製抵抗ベース）Ａ４７２０）ｉ使
用した。また低融点金属（２９〕はＩｎ−４８％ａｎ共
晶合金（融点１１７℃）を使用した。 第３図は本発明によるＬＳＩモジ−−ル用回路基板（２
０）とプリント回路基板とを接続する際の、多数のパッ
ドを接続する時の構成金示した概略図である６第３図に
おいてＬＳＩモジ−−ル用回路基板の各部分は第２図の
それと同一である。 ただしく３０）はＬＳＩチップの端子またはパッドが接
続される予定のパッドである。また（３８）はプリント
回路基板に接続する際に位置決めをするためのガイドピ
ンである。 プリント回路基板（４０）は多層プリント回路基板であ
り、（３１）は樹脂などの絶縁体、（３２）？（３３〕
、（３４）は回路を構成している銅箔で、絶縁体（３１
）により各層は完全に絶縁した状態にしである。各銅箔
層（３２）ｌ（３３）ｌ（３４）の回路はスルーホール
めっき層（３５〕によって表面の回路パターンであるパ
ッド（３６）に接続しである。（３７っはＬＳＩモジ−
−ル用回路基板（２０〕のパッド部分と接続するための
低融点金属で、（２９）と同様ノＩｎ−４８％Ｓｎ共晶
合金である。（３９）はＬＳＩモジ−−ル用回路基板（
２０）２接続する際に位置決め？するためのガイド孔で
ある。 この実施例では、たとえば１．３１モジユ一ル用回路基
板（２０〕はパッド（２６）が４０Ｘ４０制の正方形面
積の中に１．２７ ｍｍの間隔で総計９００木を、それ
ぞれ絶縁した状態で整列して設けである。また、ＬＳＩ
モジ−−ル用回路基板（２０〕のパッドに対応する位置
に、プリント回路基板（４０）のパッド（３６）？ｉ−
整列して設けである。 この９００本のパッド数が非常に多く、またその接続が
高い密度であることｔよ容易に理解できるであろう。 第３図のＬＳＩモジ−−ル用回路基板（２０つとプリン
ト回路基板（４０つとを接続する手順は、ＬＳＩモジ−
−ル用回路基板（２０）’にプリント回路基板（４０）
の上に位置合せして的１き、５００２の荷重を加え、こ
の状態で発熱体（２７）Ｋ通電１して、パッド部分の低
融点金属（２９Ｌ（３７）を融解させ、両方の低融点金
属が一体になった状１１ｊで、通電を遮断し、そのまま
低融点金属を凝固させる。このような手ノ旧でＬＳＩモ
ジ−−ル用回路基板（２０）とプリント回路基板（４０
〕との安定した電気的接続を得、各パット゛部分の接触
抵抗は１ｍΩ以下であった。ＬＳＩモジ−−ル用回路基
板（２０）とプリント回路基板（４０）との接続ケ解除
するには、接続の場合の逆の工程により行えばよい。 第４図は発熱体（２７つがガラスセラミック絶縁体（２
１〕の下面に形成されており、この発熱体ｄ、絶縁層（
４１）で被われている。さらに、接続端子用導体（２５
）は下面に引出さね、接続用パッド（２６）を形成して
いる。また絶縁体（２１〕の端部には発熱体（２７）に
通電するための端子（２８）が形成されている。この実
施例では、発熱体（２７）υ、面積抵抗１００Ω／口の
厚膜ぺ一ヌト（デュポン社製抵抗ペースト遥４７２０）
４使用し、端子（２８）は厚膜導体ペースト（デーボン
社製導体ペーストＡ ９７７０ ）、絶ｆｊ！、層（４
１）は絶縁ペースト（デュポン社製絶縁ペーストＡ９１
３７Ｊ’ｋＩ史用した。さらに、接続端子用導体（２５
）およびパッド（２６）は第２図と同じくが、薄膜技術
を応用しても同様な効果が得らｔしる。 第５図は接続用パッド部（２６）が他の部分よりも高く
なるよう、あたかも突出したように形成しである。この
ような摺造圧するため、最”’Ｆ層の絶縁層の厚みおよ
びパッドにまで至る専体路（２５）の厚み方向の長さ１
１図における寸法よりも大きくとる。その後１通常のエ
ツチング技法を用いてパッド部以外の部分（図中破線の
部分（３２））を所定の厚みだけけすることによって、
パッド部を突出した形状ｖｃ−１−ることかできる。 この実施例では、絶縁層（２１）として、ガラスセラミ
ック材相全用い、この月利はぶつＹ策によって容易【て
、かつ１１度良くエツチングすることができる。 第６図は、他の変形例として、低融点金ＪＯｉケ融解す
るだめの発熱体を回路基板絶縁体の下面に形成しである
。このＦ１ａ造においても、本発明Ｖこよるパッド部ケ
突出させた形式を適用することができ。 その際何ら不都合は生じ疫い。 この実施例では、発熱体（２７）を被う絶縁層（４２）
Ｋガラスセラミックゲ用いた。これは前述のごとく、エ
ツチング工程を付加したためである。 なお、この例では、厚膜技術を用いたが、ｆＶＪ膜技術
を応用しても同様な効果が得られる。 （６）発明の効果 本発明の回路基板に」：る接続は低融点金属を融解して
接続するので、接続点が多数個であっても、実個゛的に
無荷重に近いものであり、また−釉の拡散接続であるた
め非常に安定なかつ低い接触抵抗が得られ、接続後は、
それだけで接融が自己保持されており、特に外部から締
付けるなどの手段ゲ設けなくても差支えない。 また本発明によれば低融点金属によりＬＳＩモジ−−ル
用回路基板とプリント回路基板とを接続できるので、電
気的装置ｆｆ ′ｆ、Ｒ，密度に実装することができる
。 また１回路基板の絶縁体の下面に発熱体を形成し、これ
を絶縁層で被うとともに、絶縁層の表面まで接続用導体
？引出してパッドを形成することによって、本発明の回
ｊ！′８基鈑ケ容易に作成することができる。 さらに、多層プリント板と接続するためＶＣｂ！ｌ路基
オＸの′１１：面に設けるパッド部のｉｉ’ｉさを、他
の部分より旨くする（１ａ造によって、１葺１路基板と
多層プリントとを相互に接続する際、接続ｇＢＶｃおい
て低融点金属の融解物が流１ｔｂ Ｌ／すぎた場合しこ
も、相互に瞬接するパッド間の短絡の可能性ケより低減
できる。
Ｚｎ１図は、プリント回路基鈑上に複数のｌ、Ｓｌモジ
ュールを配置したプリント回路基板の平面図であり、第
２図は本発明の実施態様の回路基板の、１つのパッドと
なる部分の拡大断面図であり、第３図は本発明の実施態
様の回路基板とプリント回路基板とケミ気的に接続する
際の、いくつかの接続部分の拡大断面図であり、第４
、ｆ、 ６ （￥１ ｉ、ｊ：・ビれぞり、本発明の実
施態様の回路基板の断面図である。 １１・・・・・・ＬＳＩテップ １２．１３，１４．２０・・・・・・ＬＳＩモジュール
用１−路基板 １８．４０・・・・・・プリント回路基板２１・・・・
・・セラミック絶縁体 ２２．２３，２４，３２，３３，３４・・・・・・臣１
路配線層 ２５・・・・・・接続端子用導体 ２６．５６・・・・・・パッド ２７・・・・・・発熱体 ２８・・・・・・発熱体の端子 ２９．３７・・・・・・低融点金属 ３０・・・・・・パッド ３１・・・・・・プリント目１路基板用絶縁体３５・・
・・・・スルーホールめっキ層４１．４２・・・・・・
絶縁体 第２図 ′７１ 第３図 ｎ 第４図 ２］ 第５図 １ ／ソ 第６図 １
ュールを配置したプリント回路基板の平面図であり、第
２図は本発明の実施態様の回路基板の、１つのパッドと
なる部分の拡大断面図であり、第３図は本発明の実施態
様の回路基板とプリント回路基板とケミ気的に接続する
際の、いくつかの接続部分の拡大断面図であり、第４
、ｆ、 ６ （￥１ ｉ、ｊ：・ビれぞり、本発明の実
施態様の回路基板の断面図である。 １１・・・・・・ＬＳＩテップ １２．１３，１４．２０・・・・・・ＬＳＩモジュール
用１−路基板 １８．４０・・・・・・プリント回路基板２１・・・・
・・セラミック絶縁体 ２２．２３，２４，３２，３３，３４・・・・・・臣１
路配線層 ２５・・・・・・接続端子用導体 ２６．５６・・・・・・パッド ２７・・・・・・発熱体 ２８・・・・・・発熱体の端子 ２９．３７・・・・・・低融点金属 ３０・・・・・・パッド ３１・・・・・・プリント目１路基板用絶縁体３５・・
・・・・スルーホールめっキ層４１．４２・・・・・・
絶縁体 第２図 ′７１ 第３図 ｎ 第４図 ２］ 第５図 １ ／ソ 第６図 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 電気的信号を通すための回路を内部に配線しであ
る回路基板において、この回路基板は、この基板と電気
的接続すべきプリント回路基板の上面に設けたパッドと
低融点金属を用いて接続するためのパッドを基板の下面
に有し、かつ基板の内部に、゛内部配線回路と絶縁した
状態で基板を加熱するための発熱体を配線しであること
を特徴とする回路基板。 ２ 基板の絶縁体の下面と、この絶縁体を被う絶縁層と
の間に配線した発熱体を基板の内部に有し、かつこの絶
縁層の表面まで接続用導体を引出してパッドを形成しで
ある、％Ｆｆｉｉｆｆ求の範囲第１・項記載の回路基板
。 ３、 基板の下面に設けた接続用パッドは、基板の下面
の他の部分より高さを高くしである、特許請求の範囲第
１項または第２項記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12675882A JPS5918695A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Ｌｓｉ実装用基板とプリント板の組合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12675882A JPS5918695A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Ｌｓｉ実装用基板とプリント板の組合せ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918695A true JPS5918695A (ja) | 1984-01-31 |
| JPH0430200B2 JPH0430200B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=14943187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12675882A Granted JPS5918695A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | Ｌｓｉ実装用基板とプリント板の組合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918695A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63191639U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-09 | ||
| JPH04234198A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層回路装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542520A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-25 | Okamura Shokuhin Kogyo:Kk | Overall tasty nourishing food |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP12675882A patent/JPS5918695A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542520A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-25 | Okamura Shokuhin Kogyo:Kk | Overall tasty nourishing food |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63191639U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-09 | ||
| JPH04234198A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430200B2 (ja) | 1992-05-21 |
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