JPS598281A - 加熱着脱形マイクロコネクタ - Google Patents
加熱着脱形マイクロコネクタInfo
- Publication number
- JPS598281A JPS598281A JP57115532A JP11553282A JPS598281A JP S598281 A JPS598281 A JP S598281A JP 57115532 A JP57115532 A JP 57115532A JP 11553282 A JP11553282 A JP 11553282A JP S598281 A JPS598281 A JP S598281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- micro
- connector
- melting point
- wiring board
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンピュータ等の電子機器に高密度実装用とし
て好適な加熱着脱形マイクロコネクタに関するものであ
る。
て好適な加熱着脱形マイクロコネクタに関するものであ
る。
近年、コンピュータ等の電子機器において、入出カケ−
プル（以下、′１０ケーブルと称する）を電子機器用の
配線基板に接続するコネクタは、電子バイアスの集積度
の著しい向上に伴ない、端子密度の増大およびコネクタ
の小形化が強く要求されている。
プル（以下、′１０ケーブルと称する）を電子機器用の
配線基板に接続するコネクタは、電子バイアスの集積度
の著しい向上に伴ない、端子密度の増大およびコネクタ
の小形化が強く要求されている。
このコンピュータ等の電子機器用のコネクタは従来にお
いて、コネクタソケットとしてりん育銅等のばね材料で
成形した弾性部材を具え、この弾性部材のばね変形力に
よって、雄、雌コンタクトとを接触させる接触構造のコ
ネクタが用いられていた。
いて、コネクタソケットとしてりん育銅等のばね材料で
成形した弾性部材を具え、この弾性部材のばね変形力に
よって、雄、雌コンタクトとを接触させる接触構造のコ
ネクタが用いられていた。
ところが、このような接触構造のコネクタにおいては、
コネクタピン間［け標準が２．５４調であるためコネク
タを小形にして実装密度を高めようとすると、接触力が
低下しでしまい、接触特性の信頼性が損なわれる等の欠
点ｔｌ−治していた。ま、た、将来の超高速コンピュー
タ用デバイスは室温以下に冷却して使用する場合が考え
られるが、この場合従来の接触形コネクタでは低温と室
温間の温度サイクルを行なうと、コネクタが結露してコ
ネクタのコンタクトの腐食が進み、接触抵抗が増大する
等の欠点があった。
コネクタピン間［け標準が２．５４調であるためコネク
タを小形にして実装密度を高めようとすると、接触力が
低下しでしまい、接触特性の信頼性が損なわれる等の欠
点ｔｌ−治していた。ま、た、将来の超高速コンピュー
タ用デバイスは室温以下に冷却して使用する場合が考え
られるが、この場合従来の接触形コネクタでは低温と室
温間の温度サイクルを行なうと、コネクタが結露してコ
ネクタのコンタクトの腐食が進み、接触抵抗が増大する
等の欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑み、コネクタの端子密
度の飛躍的増大を図ると共にコネクタの脱着が円滑にで
き、超高速コンピュータ等にも好適な加熱着脱形マイク
ロコネクタを提供することを目的とする。かかる目的を
達成する本発明としては、電子機器用の配線基板に入出
カケ−プル全接続するコネクタにおいて、前記入出カケ
−プルと接続する配線導体を表面に有する金属性絶縁基
板からなる支持体金具え、この支持体又は前記配線基板
のどちらか一方に当該支持体又は配線基板の配線導体上
に夫々位置する微細孔を有する絶縁板が接着されると共
にこれら微細孔内に低融点合金が充填されたマイクロソ
ケットと、前記支持体又ｅ」、配線基板のどちらか他方
に前記マイクロソケットの微Ｉｌ＋孔に夫々対応するよ
う針状のマイクロピンが突設された雄コネクタ部とから
なり、前記支持体を低融点温度以上にて加熱して前記低
融点合金を溶融することにより、前記微細孔内で前記マ
イクロソケットの配線導体と前記雄コネクタ部のマイク
ロピンとの着脱を行なうようにしたことを特徴とする。
度の飛躍的増大を図ると共にコネクタの脱着が円滑にで
き、超高速コンピュータ等にも好適な加熱着脱形マイク
ロコネクタを提供することを目的とする。かかる目的を
達成する本発明としては、電子機器用の配線基板に入出
カケ−プル全接続するコネクタにおいて、前記入出カケ
−プルと接続する配線導体を表面に有する金属性絶縁基
板からなる支持体金具え、この支持体又は前記配線基板
のどちらか一方に当該支持体又は配線基板の配線導体上
に夫々位置する微細孔を有する絶縁板が接着されると共
にこれら微細孔内に低融点合金が充填されたマイクロソ
ケットと、前記支持体又ｅ」、配線基板のどちらか他方
に前記マイクロソケットの微Ｉｌ＋孔に夫々対応するよ
う針状のマイクロピンが突設された雄コネクタ部とから
なり、前記支持体を低融点温度以上にて加熱して前記低
融点合金を溶融することにより、前記微細孔内で前記マ
イクロソケットの配線導体と前記雄コネクタ部のマイク
ロピンとの着脱を行なうようにしたことを特徴とする。
以）に本発明の実姉例を図面に基づいて詳細に説明する
。本発明に係る第一の実施例を第１図（ａ＞、 （ｂ）
および第２図に示す。第１図（ａ）、由）は配線基板上
に形成された雄コネクタ部Ａ、によびフラットケーブル
９が接続されたマイクロソケットＢ（雌コネクタ部）の
斜視図を示し、第２図は雄コネクタ部Ａが接続されたマ
イクロソケツ）Ｈの断面図を示している。
。本発明に係る第一の実施例を第１図（ａ＞、 （ｂ）
および第２図に示す。第１図（ａ）、由）は配線基板上
に形成された雄コネクタ部Ａ、によびフラットケーブル
９が接続されたマイクロソケットＢ（雌コネクタ部）の
斜視図を示し、第２図は雄コネクタ部Ａが接続されたマ
イクロソケツ）Ｈの断面図を示している。
本実施例は配線基板１にマイクロピン３を形威しで雄コ
ネクタ部Ａが構成され、他方、マイクロソケットＢ（雌
コネクタ部）か、！ロケープル接続用の支持体４に、微
細孔７を具えた絶縁板６を、張合せて構成されたもので
ある。尚、上記支持体４は、金属性絶縁基板にて形成さ
れているため、以下金属性絶縁基板と呼ぶ。
ネクタ部Ａが構成され、他方、マイクロソケットＢ（雌
コネクタ部）か、！ロケープル接続用の支持体４に、微
細孔７を具えた絶縁板６を、張合せて構成されたもので
ある。尚、上記支持体４は、金属性絶縁基板にて形成さ
れているため、以下金属性絶縁基板と呼ぶ。
前記雄コネクタ部Ａにおいては第１図ｒａ）および第２
図に示すように、アルミナセラミック製の配線基板１の
表面にＣｕ配線導体２が複数本並べて設けられており、
この各配線導体２の端部にけ表面を錫めっきしたＣｕよ
りなるマイクロピン３が夫々突設されている。このマイ
クロピン３は先端部直径が１００μｍで長さが２００μ
ｍ程度に形成されている。
図に示すように、アルミナセラミック製の配線基板１の
表面にＣｕ配線導体２が複数本並べて設けられており、
この各配線導体２の端部にけ表面を錫めっきしたＣｕよ
りなるマイクロピン３が夫々突設されている。このマイ
クロピン３は先端部直径が１００μｍで長さが２００μ
ｍ程度に形成されている。
他方、マイクロソケットＢにおいては、第１図（ｂ）お
よび第２図に示す如＜、’／Ｑケーブル接続用の金属性
絶縁基板４の表面にＣｕ配線導体５が複数本並べて設け
てあり、さらに表面に絶縁板６がネジ止めにより接着し
て張合わされている。この金属性絶縁基板４はＦｅ４２
％ Ｎｉ合金の表面をエポキシ樹脂で絶縁排覆して５
門程度の厚さに形成されたものであり、また絶縁板６は
ＦＪさ３００ ｐｍ（ＩＪ）Ｓｉ （１００）単結晶板
より形成されたものである。この絶縁板６には結晶面選
択エッチ法により形成される微細孔７が金属性絶縁基板
４表面に設けられた各配線導体５上に位置するよう夫々
対応して設けられている。
よび第２図に示す如＜、’／Ｑケーブル接続用の金属性
絶縁基板４の表面にＣｕ配線導体５が複数本並べて設け
てあり、さらに表面に絶縁板６がネジ止めにより接着し
て張合わされている。この金属性絶縁基板４はＦｅ４２
％ Ｎｉ合金の表面をエポキシ樹脂で絶縁排覆して５
門程度の厚さに形成されたものであり、また絶縁板６は
ＦＪさ３００ ｐｍ（ＩＪ）Ｓｉ （１００）単結晶板
より形成されたものである。この絶縁板６には結晶面選
択エッチ法により形成される微細孔７が金属性絶縁基板
４表面に設けられた各配線導体５上に位置するよう夫々
対応して設けられている。
この微細孔７の内部には低融点合金８が夫々充填されて
おり、この低融点合金８の融着により、雄コネクタ部Ａ
のマイクロピン３とマイクロソケツ）Ｂの配線導体５が
電気的に又機械的に夫夫接続される。この低融点合金８
は融点が５８℃の０．４９４ Ｂ１−０．１５ｐｂ−０
，１１６Ｓｎ−０，２１１ｎ合金が用いられている。ま
た、マイクロソケツ）Ｂの各配線導体５には、１１０用
フラツトケーブル９の心線がハンダ１０により接続され
ている。このハンダ１０は融点が２４０℃の０．５Ｐｂ
−０５Ｉｎ合金が用いられている。尚、Ｉ１０用フラ
ットケーブル９は金属性絶縁基板４と絶縁板６に挾さま
れた状態で支持されている。
おり、この低融点合金８の融着により、雄コネクタ部Ａ
のマイクロピン３とマイクロソケツ）Ｂの配線導体５が
電気的に又機械的に夫夫接続される。この低融点合金８
は融点が５８℃の０．４９４ Ｂ１−０．１５ｐｂ−０
，１１６Ｓｎ−０，２１１ｎ合金が用いられている。ま
た、マイクロソケツ）Ｂの各配線導体５には、１１０用
フラツトケーブル９の心線がハンダ１０により接続され
ている。このハンダ１０は融点が２４０℃の０．５Ｐｂ
−０５Ｉｎ合金が用いられている。尚、Ｉ１０用フラ
ットケーブル９は金属性絶縁基板４と絶縁板６に挾さま
れた状態で支持されている。
本実施例のマイクロコネクタにおいて雄コネクタＡとマ
イクロソケットＢとの着脱は、ハンダ鏝等の加熱体を金
属性絶縁基板４に接触し、低融点合金８を溶融した後、
微細孔内で行なわれる。そのため、本実施例においては
、低融点合金８の溶融を容易にするため、金属性絶縁基
板４としては熱伝導率の良好な金属が用いられている。
イクロソケットＢとの着脱は、ハンダ鏝等の加熱体を金
属性絶縁基板４に接触し、低融点合金８を溶融した後、
微細孔内で行なわれる。そのため、本実施例においては
、低融点合金８の溶融を容易にするため、金属性絶縁基
板４としては熱伝導率の良好な金属が用いられている。
尚、金属性絶縁基板４としてＦｅ−４２％Ｎｉの合金を
用いたのは、Ｓｉ製の枦敏圧シ≠４必→６と線膨張率を
ほぼ一致させる友めである。
用いたのは、Ｓｉ製の枦敏圧シ≠４必→６と線膨張率を
ほぼ一致させる友めである。
したがって、このような金属性絶縁基板４を使用するこ
とにより、マイクロソケットＢの機械的強度が著しく改
善される。
とにより、マイクロソケットＢの機械的強度が著しく改
善される。
次に第二の実施例について第３図の断面図に基づき説明
する。尚、第一の実施例と同一部分についての説明は省
略する。
する。尚、第一の実施例と同一部分についての説明は省
略する。
本実施例はマイクロピンッ）Ｂ（雌コネクタ部）が、配
線基板工に、微細孔７を具えた絶縁板６を張合せて構成
され、雄コネクタ部Ａが、１１０ケーブル接続用の金属
性絶縁基板４（支持体）に、マイクロピン３を突設して
構成されたものである。
線基板工に、微細孔７を具えた絶縁板６を張合せて構成
され、雄コネクタ部Ａが、１１０ケーブル接続用の金属
性絶縁基板４（支持体）に、マイクロピン３を突設して
構成されたものである。
前記マイクロソケット１３ （雌コネクタ部）は、液体
ヘリウム温度中で作動するジョセフソン素子搭載の配線
基板１の表面に、Ｎｂよりなる超伝導配線導体２が複数
本設けられており、この配線基板１の表面には、各超伝
導配線導体２上に夫々対応するよう設けられた微細孔７
を具えた絶縁板６がネジ止めにより接着して張合わされ
ている。さらに、微細孔７の位置する各超伝導配線導体
２の表面には厚さ２０００ ＸのＰｄ薄膜１１が蒸着さ
れており、この微細孔７内には融点が６０℃（Ｄ Ｏ，
５１１ｎ −０，３３Ｂｉ −０，１６Ｓｎ合金のハン
ダ８がそれぞれ充ｆ！Ｊ４されている。
ヘリウム温度中で作動するジョセフソン素子搭載の配線
基板１の表面に、Ｎｂよりなる超伝導配線導体２が複数
本設けられており、この配線基板１の表面には、各超伝
導配線導体２上に夫々対応するよう設けられた微細孔７
を具えた絶縁板６がネジ止めにより接着して張合わされ
ている。さらに、微細孔７の位置する各超伝導配線導体
２の表面には厚さ２０００ ＸのＰｄ薄膜１１が蒸着さ
れており、この微細孔７内には融点が６０℃（Ｄ Ｏ，
５１１ｎ −０，３３Ｂｉ −０，１６Ｓｎ合金のハン
ダ８がそれぞれ充ｆ！Ｊ４されている。
他方、雄コネクタ部Ａにおいては、支持体である金属性
絶縁基板４の表面Ｋ 、 Ｎｂ （ニオブ）よりなる超
伝導配線導体５が複数本設けられており、この超伝導配
線導体５にＰｄ （パラジウム）よりなるマイクロピン
３が前記絶縁板６の微細孔７に対応してそれぞれ突設さ
れている。さらに、この各超伝導配線導体５には１１０
用フラツトケーブル９の心線がノ１ンダＩＯＫより接続
されている。尚、超伝導配線導体２の表面上に設けられ
たＰｄ薄膜１１は、上記ノ・ンダ８と超伝導配線導体２
との密着性全向上させるために設けられたものである。
絶縁基板４の表面Ｋ 、 Ｎｂ （ニオブ）よりなる超
伝導配線導体５が複数本設けられており、この超伝導配
線導体５にＰｄ （パラジウム）よりなるマイクロピン
３が前記絶縁板６の微細孔７に対応してそれぞれ突設さ
れている。さらに、この各超伝導配線導体５には１１０
用フラツトケーブル９の心線がノ１ンダＩＯＫより接続
されている。尚、超伝導配線導体２の表面上に設けられ
たＰｄ薄膜１１は、上記ノ・ンダ８と超伝導配線導体２
との密着性全向上させるために設けられたものである。
本実施例においては、マイフロピ／３と超伝導配線導体
２とが合金のノ〜ンダ８により接続されているため、低
温と、室温とのヒートサイクルの際の結露の影響を受け
ることがなくなり、例えば、１００回のヒートサイクル
の試験においても、接続部の接触特性の劣化は生じなか
った。
２とが合金のノ〜ンダ８により接続されているため、低
温と、室温とのヒートサイクルの際の結露の影響を受け
ることがなくなり、例えば、１００回のヒートサイクル
の試験においても、接続部の接触特性の劣化は生じなか
った。
以上、説明したように本発明によれば、従来の如きバネ
を用いた接触５構造でなく、低融点合金のノ・ンダによ
る接続構造であるため、構造が簡単となりコネクタピン
の間隔を大幅に短縮でき、コネクタ端子密度を飛躍的に
増大できると共に、コネクタの超小形化を図ることが可
能となる。例えば、第一の実施例においては、コネクタ
ピン間隔は０．５ ＋＋ｍとなり、従来の標準間隔２．
５晴のものと比べ、約４程も短縮できた。
を用いた接触５構造でなく、低融点合金のノ・ンダによ
る接続構造であるため、構造が簡単となりコネクタピン
の間隔を大幅に短縮でき、コネクタ端子密度を飛躍的に
増大できると共に、コネクタの超小形化を図ることが可
能となる。例えば、第一の実施例においては、コネクタ
ピン間隔は０．５ ＋＋ｍとなり、従来の標準間隔２．
５晴のものと比べ、約４程も短縮できた。
また、コネクタの着脱の際には、着脱が低融点ハンダを
溶融した後に行われるため、雄コネクタ部とマイクロソ
ケットとの挿抜力が非常に小さくな９端子数によっても
制限を受けない。また、Ｉ１０用フラットケーブル側の
コネクタ部。
溶融した後に行われるため、雄コネクタ部とマイクロソ
ケットとの挿抜力が非常に小さくな９端子数によっても
制限を受けない。また、Ｉ１０用フラットケーブル側の
コネクタ部。
即ちマイクロソケットの支持体として金属性絶縁基板を
使用していることにより、ノ・ンダを溶融する所要時間
を短縮できるため接続作業の迅速化が図られ、また各コ
ネクタ部が均一に温度上性するため均一な状態にて接続
できると共に、コネクタ部の機械的強度を増大すること
ができる。さらに、低融点合金のノ１ンダの融着によっ
て電気的に接続されるため、環境に左右されず信頼性が
高く、超高速コンピュータ用低温動作デバイスの実装に
も対応することができる。
使用していることにより、ノ・ンダを溶融する所要時間
を短縮できるため接続作業の迅速化が図られ、また各コ
ネクタ部が均一に温度上性するため均一な状態にて接続
できると共に、コネクタ部の機械的強度を増大すること
ができる。さらに、低融点合金のノ１ンダの融着によっ
て電気的に接続されるため、環境に左右されず信頼性が
高く、超高速コンピュータ用低温動作デバイスの実装に
も対応することができる。
第１図（ａ）〜第２図は本発明の第一の実施例に係り、
第１図（ａ）は雄コネクタ部の斜視図、第１図山）はマ
イクロソケット（雌コネクタ部）の斜視図、第２図は接
続状態のマイクロコネクタを示す断面図、第３図は第二
の実施例に係り接続状態のマイクロコネクタを示す断面
図である。 図 面 中、 ｌは配線基板、 ２け配線基板１の配線導体、 ３けマイクロピン、 ４は支持体（金属性絶縁基板）、 ５はンｆｒ木止≠蔓李＋４の配線導体、６は絶縁板、 ７は微細孔、 ８け低融点合金のハンダ、 ９は入出カケ−プル、 １０け入出カケープル融着用の−・ンダ、１１はＰｄ
（パラジウム）薄膜、 八は雄コネクタ部、 Ｂはマイクロソケット（雌コネクタ部）である。 第１１凶
第１図（ａ）は雄コネクタ部の斜視図、第１図山）はマ
イクロソケット（雌コネクタ部）の斜視図、第２図は接
続状態のマイクロコネクタを示す断面図、第３図は第二
の実施例に係り接続状態のマイクロコネクタを示す断面
図である。 図 面 中、 ｌは配線基板、 ２け配線基板１の配線導体、 ３けマイクロピン、 ４は支持体（金属性絶縁基板）、 ５はンｆｒ木止≠蔓李＋４の配線導体、６は絶縁板、 ７は微細孔、 ８け低融点合金のハンダ、 ９は入出カケ−プル、 １０け入出カケープル融着用の−・ンダ、１１はＰｄ
（パラジウム）薄膜、 八は雄コネクタ部、 Ｂはマイクロソケット（雌コネクタ部）である。 第１１凶
Claims (1)
- 電子機器用の配線基板に入出カケ−プルを接続するコネ
クタにおいて、前記入出カケ−プルと接続する配線導体
を表面に有する金属性絶縁基板からなる支持体を具え、
この支持体又は前記配線基板のどちらか一方に小該支持
体又は配線基板の配線導体上に夫々位置する微細孔を有
する絶縁板が接着されると共にこれら微細孔内に低融点
合金が充填されたマイクロソケットと、前記支持体又は
配線基板のどちらか他方に前記マイクロソケットの微細
孔に夫り対応するよう針状のマイクロビンが突設された
雄コネクタ部とからなり、前記支持体を低融点温度以上
にて加熱して前記低融点合金を溶融することにより、前
記微細孔内で前記マイクロソケットの配線導体と前記雄
コネクタ部のマイクロビ／との着脱を行なうようにした
ことを特徴とする加熱着脱形マイクロコネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115532A JPS598281A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 加熱着脱形マイクロコネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115532A JPS598281A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 加熱着脱形マイクロコネクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598281A true JPS598281A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14664858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115532A Pending JPS598281A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 加熱着脱形マイクロコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120529A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体試験装置 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57115532A patent/JPS598281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120529A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体試験装置 |
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