JPS59190366A - ３−ｖ族化合物結晶用化学エツチング液 - Google Patents
３−ｖ族化合物結晶用化学エツチング液Info
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- JPS59190366A JPS59190366A JP6363083A JP6363083A JPS59190366A JP S59190366 A JPS59190366 A JP S59190366A JP 6363083 A JP6363083 A JP 6363083A JP 6363083 A JP6363083 A JP 6363083A JP S59190366 A JPS59190366 A JP S59190366A
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- Japan
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- etching
- etching solution
- etched
- crystal
- soln
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、■−Ｖ族化合物結晶用化学エツチング液に関
するものである。
するものである。
（背景技術）
従来、Ｉ−Ｖ族化合物、例えばＧａＡｓ 、 ＡｌＧａ
Ａｓ等の結晶の表面処理または素子製作のために化学エ
ツチング液が使用されている。この耶の化学エツチング
液としては、臭素−メチルアルコールの混合液、硫酸−
過酸化水素水一水、水酸化アンモニウム（または水酸化
す） ＩＪウム）−過酸化水素水−水などの混合液が一
般に使用されている。しかし、これらのエツチング液を
用いてＩＩ−Ｖ族化合物結晶を表面処理した場合、エッ
チ・ビットが現われたシ、表面に付着した酸化物などの
ために完全な鏡面を得る処理が不可能であるという欠点
があった。
Ａｓ等の結晶の表面処理または素子製作のために化学エ
ツチング液が使用されている。この耶の化学エツチング
液としては、臭素−メチルアルコールの混合液、硫酸−
過酸化水素水一水、水酸化アンモニウム（または水酸化
す） ＩＪウム）−過酸化水素水−水などの混合液が一
般に使用されている。しかし、これらのエツチング液を
用いてＩＩ−Ｖ族化合物結晶を表面処理した場合、エッ
チ・ビットが現われたシ、表面に付着した酸化物などの
ために完全な鏡面を得る処理が不可能であるという欠点
があった。
まだ、これらのエツチング液によ、６ｍ−ｖ族化合物結
晶をエツチングした場合、エッチ深さの再現性に乏しい
という欠点もあった。この欠点は、例えばＧａＡｓ Ｆ
ＥＴを製作する場合、活性領域となる層の厚さにばらつ
きをもたらすことになシ、従って、再現性良＜ ＦＥＴ
素子を製作することが不可能となる。
晶をエツチングした場合、エッチ深さの再現性に乏しい
という欠点もあった。この欠点は、例えばＧａＡｓ Ｆ
ＥＴを製作する場合、活性領域となる層の厚さにばらつ
きをもたらすことになシ、従って、再現性良＜ ＦＥＴ
素子を製作することが不可能となる。
さらに、これらのエツチング液を用いて■−■族化合物
結晶をメサ・エツチングした場合、これらのエツチング
液のエツチング作用が結晶方位に対して選択性を有する
ので、エツチングされた断面の形状に結晶方位での顕著
な相違を生ずるという欠点もあった。
結晶をメサ・エツチングした場合、これらのエツチング
液のエツチング作用が結晶方位に対して選択性を有する
ので、エツチングされた断面の形状に結晶方位での顕著
な相違を生ずるという欠点もあった。
第１Ａ図および第１Ｂ図は■−■族化合物結晶のＧａｌ
を、従来の代表的なエツチング液である臭素−メチルア
ルコールの混合液でメサ・エツチング液た場合のエッチ
断面形状を示しだものであり、第１Ａ図は（／１０ ）
而および第１Ｂ図は（／ ／ ０）面のエッチ断面形状
である。
を、従来の代表的なエツチング液である臭素−メチルア
ルコールの混合液でメサ・エツチング液た場合のエッチ
断面形状を示しだものであり、第１Ａ図は（／１０ ）
而および第１Ｂ図は（／ ／ ０）面のエッチ断面形状
である。
第７Ａ図および第１Ｂ図に示すように、（Ｉｌｏ）面の
エッチ断面形状ｌと（Ｉｌｏ ）面のエッチ断面形状−
とに明確な相違が現われ、（／１０’）面では逆メサ構
造になシ、他方（／１０ ）面では順メサ構造になって
いる。
エッチ断面形状ｌと（Ｉｌｏ ）面のエッチ断面形状−
とに明確な相違が現われ、（／１０’）面では逆メサ構
造になシ、他方（／１０ ）面では順メサ構造になって
いる。
また、この臭素−メチルアルコールの混合液によシ、写
真食刻の技法を用いて結晶をエツチングする場合、レジ
ストがこのエツチング液に浸されるという欠点もあった
。従って、第１Ａ図および第１Ｂ図の場合にはレジスト
が使えないので、５ｉ０２などの誘電体膜を用いてエツ
チングした結果を示しである。
真食刻の技法を用いて結晶をエツチングする場合、レジ
ストがこのエツチング液に浸されるという欠点もあった
。従って、第１Ａ図および第１Ｂ図の場合にはレジスト
が使えないので、５ｉ０２などの誘電体膜を用いてエツ
チングした結果を示しである。
（目 的）
そこで、本発明の目的は、上述の諸欠点を解決して、エ
ッチ面が鏡面状の高品質面となり、エッチ深さの再現性
の良い■−■族化合物結晶用化学エツチング液を提供す
ることにある。
ッチ面が鏡面状の高品質面となり、エッチ深さの再現性
の良い■−■族化合物結晶用化学エツチング液を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、エッチ断面形状が結晶方位に依存
することなく順メサ構造となり、かつレジストを浸さな
い■−Ｖ族化合物結晶用化学エツチング液を提供するこ
とにある。
することなく順メサ構造となり、かつレジストを浸さな
い■−Ｖ族化合物結晶用化学エツチング液を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
このような目的を達成するために、本発明■−Ｖ族化合
物結晶用化学エツチング液は、重クロム酸カリウム、Ｍ
クロム酸ナトリウム、重クロム酸マグネシウムなどの重
クロム酸アルカリ塩萬酸および酢酸の３成分の水溶液よ
り成ることを特徴とする。
物結晶用化学エツチング液は、重クロム酸カリウム、Ｍ
クロム酸ナトリウム、重クロム酸マグネシウムなどの重
クロム酸アルカリ塩萬酸および酢酸の３成分の水溶液よ
り成ることを特徴とする。
本発明による化学エツチング液を用いて■−■族化合物
結晶をエツチングした場合、エッチ・ビットの発生を防
止し得るばかりでなく、エッチ深さの再現性の良い鏡面
の表面処理が可能となると共に、エッチ断面の形状が結
晶方位に依存しないので、メサ・エッチ用エツチング液
として良好に用いることが可能であることが判明した。
結晶をエツチングした場合、エッチ・ビットの発生を防
止し得るばかりでなく、エッチ深さの再現性の良い鏡面
の表面処理が可能となると共に、エッチ断面の形状が結
晶方位に依存しないので、メサ・エッチ用エツチング液
として良好に用いることが可能であることが判明した。
本発明化学エツチング液は、上述しだ３成分のそれぞれ
の水溶液より調整され、例えば重クロム酸アルカリ塩は
０．０／規定〜飽和濃度の水溶液として配合し、塩酸お
よび酢酸は、例えば、それぞれ、市販の１？１ぼ／２規
定およびほぼ１７規定水溶液として配合するのが好適で
ある。
の水溶液より調整され、例えば重クロム酸アルカリ塩は
０．０／規定〜飽和濃度の水溶液として配合し、塩酸お
よび酢酸は、例えば、それぞれ、市販の１？１ぼ／２規
定およびほぼ１７規定水溶液として配合するのが好適で
ある。
（実施例）
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこ
れら実施例によりなんら限定されるものではない。
れら実施例によりなんら限定されるものではない。
第２図は、１２規定の塩酸、／７規定の酢酸および重ク
ロム酸アルカリ塩としてｌ規定亜クロム酸カリウム水溶
液から成る本発明エツチング液の混合割合に対する３℃
でのＧａＡｓのエッチ速度の等速度曲線を一般によく用
いられる三角図に表わしだものである。三角形の各頂点
はそれぞれの化学薬品の混合割合が７００％となる点に
相当する。等エッチ速度曲線は０．７３ｍ７分から０．
７μｍ／分まで０゜ｌのステップで示しである。破線で
分割した領域Ａは、エツチング液が明るいオレンジ色を
呈し、他方の領域Ｂでは茶かつ色ないしは黒色を呈する
。
ロム酸アルカリ塩としてｌ規定亜クロム酸カリウム水溶
液から成る本発明エツチング液の混合割合に対する３℃
でのＧａＡｓのエッチ速度の等速度曲線を一般によく用
いられる三角図に表わしだものである。三角形の各頂点
はそれぞれの化学薬品の混合割合が７００％となる点に
相当する。等エッチ速度曲線は０．７３ｍ７分から０．
７μｍ／分まで０゜ｌのステップで示しである。破線で
分割した領域Ａは、エツチング液が明るいオレンジ色を
呈し、他方の領域Ｂでは茶かつ色ないしは黒色を呈する
。
領域Ａでは、攪拌してもしなくてもエッチ速度が変らず
、従ってエツチングは化学反応′で律速されている。他
方、領域Ｂでは、エッチ速度は攪拌することにより増大
することから、エツチングは拡散で律速されている。領
域ＡおよびＢの双方共に、鏡面の良好なＧａＡｓエッチ
面を提供し、かつレジストを浸さない。この実施例から
明らかなように、塩酸、酢酸および重クロム酸カリウム
水溶液の混合割合を変えることによシ、エッチ速度を任
意所望の大きさに変え得ることは本発明エツチング液の
利点の一つでもある。
、従ってエツチングは化学反応′で律速されている。他
方、領域Ｂでは、エッチ速度は攪拌することにより増大
することから、エツチングは拡散で律速されている。領
域ＡおよびＢの双方共に、鏡面の良好なＧａＡｓエッチ
面を提供し、かつレジストを浸さない。この実施例から
明らかなように、塩酸、酢酸および重クロム酸カリウム
水溶液の混合割合を変えることによシ、エッチ速度を任
意所望の大きさに変え得ることは本発明エツチング液の
利点の一つでもある。
エッチ速度は、エツチング液の組成が一定であっても、
エツチング液の温度を変えることにょシ変化させること
ができる。第３図は領域ＡＶＣＭする液（蝮酸：酢酸：
／規定重クロム０カリウム水溶液＝／：／：／）および
領域ＢＩＣ属する液（塩酸：酢酸：／規定重クロム酸カ
リウム水溶液−！：／：／）によるＧａＡｓのエッチ速
度を、それぞれ、白丸および黒丸でプロットして表わし
たものである。横軸は温度の逆数であり、その数値が大
きいほど低温であり、図中の横軸の３．０は６０℃に相
当し、３．６は５℃に相当する。第３図より、エツチン
グ液の温度を変えることによりエッチ速度を任意所望に
変えることができることがわかる。
エツチング液の温度を変えることにょシ変化させること
ができる。第３図は領域ＡＶＣＭする液（蝮酸：酢酸：
／規定重クロム０カリウム水溶液＝／：／：／）および
領域ＢＩＣ属する液（塩酸：酢酸：／規定重クロム酸カ
リウム水溶液−！：／：／）によるＧａＡｓのエッチ速
度を、それぞれ、白丸および黒丸でプロットして表わし
たものである。横軸は温度の逆数であり、その数値が大
きいほど低温であり、図中の横軸の３．０は６０℃に相
当し、３．６は５℃に相当する。第３図より、エツチン
グ液の温度を変えることによりエッチ速度を任意所望に
変えることができることがわかる。
さらにまだ、エッチ速度は重クロム酸アルカリ塩の水溶
液の濃度を変えることにより任意所望に変えることがで
きる。第を図は、この例として、塩酸：酢酸：重クロム
酸カリウム水溶液＝ｌ：１：／における重クロム酸カリ
ウム水溶液の濃度を横軸にとシ、縦軸には２℃でのＧａ
Ａｓのエッチ速度を表わしたものである。重クロム酸カ
リウムの水溶液の濃度（規定）の増加に比例してエッチ
速度（μｍ７分）が増加し、０．２規定以上で飽和する
。
液の濃度を変えることにより任意所望に変えることがで
きる。第を図は、この例として、塩酸：酢酸：重クロム
酸カリウム水溶液＝ｌ：１：／における重クロム酸カリ
ウム水溶液の濃度を横軸にとシ、縦軸には２℃でのＧａ
Ａｓのエッチ速度を表わしたものである。重クロム酸カ
リウムの水溶液の濃度（規定）の増加に比例してエッチ
速度（μｍ７分）が増加し、０．２規定以上で飽和する
。
本発明者の実験では、重クロム酸カリウム水溶液の濃度
が０．０／規定〜飽和濃度において鏡面の良好なＧａＡ
ｓエッチ面を得ることができ、また、レジストを浸すこ
となくエツチングすることができることを見出した。か
かる濃度がｏ、ｏｉ規定以下であっても上述したような
エツチングが可能であるが、エッチ速度が０．０／μｍ
／分以下の遅いエツチング液となるだめ、実用には適さ
ないと思われる。
が０．０／規定〜飽和濃度において鏡面の良好なＧａＡ
ｓエッチ面を得ることができ、また、レジストを浸すこ
となくエツチングすることができることを見出した。か
かる濃度がｏ、ｏｉ規定以下であっても上述したような
エツチングが可能であるが、エッチ速度が０．０／μｍ
／分以下の遅いエツチング液となるだめ、実用には適さ
ないと思われる。
次に、本発明エツチング液によるエッチ機構の理論上の
説明を、重クロム酸アルカリ塩として重クロム酸カリウ
ムを用いた場合を例にとって説明する。重クロム酸カリ
ウムは塩酸などの酸性雰囲気中では、以下の化学反応を
する。
説明を、重クロム酸アルカリ塩として重クロム酸カリウ
ムを用いた場合を例にとって説明する。重クロム酸カリ
ウムは塩酸などの酸性雰囲気中では、以下の化学反応を
する。
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７→２に＋Ｃｒ２０７（１）Ｏｒ２０．
十／４ｔＨ＋ Ａｅ−→２Ｏｒ＋ ７Ｈ２０（２）第
２図の領域Ａでのオレンジ色は、このＧｒ２０．’−イ
オンによりもたらされており、このイオンは（２）式の
如く顕著な酸化作用を有する。この酸化作用によりＧａ
Ａｓが酸化され、ＧａおよびＡＳの酸化物 □が生
成される。これらの酸化物は塩酸により容易に分解され
る。これらの過程が順次に繰り返えされてエツチングが
進行するのである。酢酸はこれらの反応の希釈剤の役割
を果しておシ、酢酸の混合割合が多ければ多いほどエッ
チ速度が遅くなる。
十／４ｔＨ＋ Ａｅ−→２Ｏｒ＋ ７Ｈ２０（２）第
２図の領域Ａでのオレンジ色は、このＧｒ２０．’−イ
オンによりもたらされており、このイオンは（２）式の
如く顕著な酸化作用を有する。この酸化作用によりＧａ
Ａｓが酸化され、ＧａおよびＡＳの酸化物 □が生
成される。これらの酸化物は塩酸により容易に分解され
る。これらの過程が順次に繰り返えされてエツチングが
進行するのである。酢酸はこれらの反応の希釈剤の役割
を果しておシ、酢酸の混合割合が多ければ多いほどエッ
チ速度が遅くなる。
第２図の領域Ｂでのエツチングもほぼこの機構で説明さ
れるが、エツチング液が茶かつ色もしくは黒色を呈する
のは、種々のクロム酸化合物のためと考えられる。
れるが、エツチング液が茶かつ色もしくは黒色を呈する
のは、種々のクロム酸化合物のためと考えられる。
次に、本発明でのエツチング液によるエッチ断面形状に
ついて述べる。第夕Ａ図および第ｔＢ図は塩酸：酢酸：
／規定重クロム酸カリウム水溶液＝／：／：／のエツチ
ング液でＧａＡｓをエツチングした場合のそれぞれ（／
１０ ）面および（）１０）面のエッチ断面形状３およ
びグを示し、第５Ｃ図および第５Ｄ図は塩酸：酢酸：／
規定重クロム酸カリウム水溶液＝！；：／：／のエツチ
ング液でＧａＡｓをエツチングした場合のそれぞれ（ｌ
ｌＯ）面および（ｉｉｏ ）面のエッチ断面形状よおよ
び乙を示す。いずれのエツチング液の場合においても、
（／１０ ）面および（ンｉｏ ）面共に良好な順メサ
形状を得ることができた。特に、第ｊＡ図および第ｔＢ
図の例では、エッチされた部分の底部３Ａおよび’ＩＡ
が非常に平坦となるため、電界効果トランジスタ等のメ
サエッチング液として好適である。
ついて述べる。第夕Ａ図および第ｔＢ図は塩酸：酢酸：
／規定重クロム酸カリウム水溶液＝／：／：／のエツチ
ング液でＧａＡｓをエツチングした場合のそれぞれ（／
１０ ）面および（）１０）面のエッチ断面形状３およ
びグを示し、第５Ｃ図および第５Ｄ図は塩酸：酢酸：／
規定重クロム酸カリウム水溶液＝！；：／：／のエツチ
ング液でＧａＡｓをエツチングした場合のそれぞれ（ｌ
ｌＯ）面および（ｉｉｏ ）面のエッチ断面形状よおよ
び乙を示す。いずれのエツチング液の場合においても、
（／１０ ）面および（ンｉｏ ）面共に良好な順メサ
形状を得ることができた。特に、第ｊＡ図および第ｔＢ
図の例では、エッチされた部分の底部３Ａおよび’ＩＡ
が非常に平坦となるため、電界効果トランジスタ等のメ
サエッチング液として好適である。
なお、上述の実施例は重クロム酸アルカリ塩として重ク
ロム酸カリウムを用いたが、その他の重クロム酸アルカ
リ塩、例えば重クロム酸ナトリウムや重クロム酸マグネ
シウムを用いても同様に本発明エツチング液を有効に得
ることができる。
ロム酸カリウムを用いたが、その他の重クロム酸アルカ
リ塩、例えば重クロム酸ナトリウムや重クロム酸マグネ
シウムを用いても同様に本発明エツチング液を有効に得
ることができる。
（効 果）
以上の説明から明らかなように、本発明エツチング液に
よれば、Ｉ−Ｖ族化合物結晶に対してビットが現われず
、かつ鏡面をなして表面処理を施すことができ、しかも
そのエッチ深さの制御性も良く、かつエッチ速度も重ク
ロム酸アルカリ塩の混合割合を変えるだけで容易に変え
ることができるという利点がある。また、エッチ断面形
状についても、結晶方位の依存性がなく、良好な順メサ
構造を得ることができる。さらに、かかる本発明″エツ
チング液は一般の写真食刻で使用されるレジストを浸す
ことがないことから、電界効果トランジスタや集積回路
などの各種半導体素子製作用のエツチング液として有効
に用いることができる。
よれば、Ｉ−Ｖ族化合物結晶に対してビットが現われず
、かつ鏡面をなして表面処理を施すことができ、しかも
そのエッチ深さの制御性も良く、かつエッチ速度も重ク
ロム酸アルカリ塩の混合割合を変えるだけで容易に変え
ることができるという利点がある。また、エッチ断面形
状についても、結晶方位の依存性がなく、良好な順メサ
構造を得ることができる。さらに、かかる本発明″エツ
チング液は一般の写真食刻で使用されるレジストを浸す
ことがないことから、電界効果トランジスタや集積回路
などの各種半導体素子製作用のエツチング液として有効
に用いることができる。
第１Ａ図および第１Ｂ図は従来のエツチング液である臭
素−メチルアルコールの混合液を用いて常温においてＧ
ａＡｓをエツチングした場合のエッチ断面形状を示す断
面図、第２図は本発明エツチング液の一実施例として塩
酸、酢酸および／規定重クロム酸カリウム水溶液から成
るエツチング液についてその各成分の混合割合に対する
ＧａＡｓの３℃での等エッチ速度曲線を表わす三角図、
第３図は本発明エツチング液として、塩酸：酢酸：／規
定重クロム酸カリウム水溶液＝／：／：／（白丸）およ
び！；：／：／（黒丸）のエツチング液についての温度
とエッチ深さとの関係をプロットして示す特性曲線図、
第ψ図は本発明エツチング液としての塩ｒｌＩ：酢酸二
重クロム酸カリウム水溶液＝ ／ ： ／ 、： ／に
おける重クロム酸カリウムの濃度（規定）とＧａＡｓの
３℃でのエッチ速度との関係をプロットして示す特性曲
線図、第５Ａ図〜第ＳＤ図は塩酸：酢酸：／規定重クロ
ム酸カリウム水溶液＝ｉ：ｉ：ｉおよび！；： ／：
／に−よるＧａＡｓのそれぞれ＜ｉｉｏ ）面および（
）１０ ）面のエッチ断面形状を示す斜視図である。 ／・・・（／１０ ）面のエツチング断面形状、λ・・
・（７ｔｏ ）面のエツチング断面形状、３・・・（／
１０ ）面のエツチング断面形状、３Ａ・・・平坦な底
部、 ｔ・・・（７ｔｏ ）面のエツチング断面形状、１・・
・平坦な底部、 ！・・・（／１０ ）面のエツチング断面形状、乙・・
・（７１０）面のエツチング断面形状。 特許出願人 日本電信電話公社 第５Ｂ図 第５Ｄ図
素−メチルアルコールの混合液を用いて常温においてＧ
ａＡｓをエツチングした場合のエッチ断面形状を示す断
面図、第２図は本発明エツチング液の一実施例として塩
酸、酢酸および／規定重クロム酸カリウム水溶液から成
るエツチング液についてその各成分の混合割合に対する
ＧａＡｓの３℃での等エッチ速度曲線を表わす三角図、
第３図は本発明エツチング液として、塩酸：酢酸：／規
定重クロム酸カリウム水溶液＝／：／：／（白丸）およ
び！；：／：／（黒丸）のエツチング液についての温度
とエッチ深さとの関係をプロットして示す特性曲線図、
第ψ図は本発明エツチング液としての塩ｒｌＩ：酢酸二
重クロム酸カリウム水溶液＝ ／ ： ／ 、： ／に
おける重クロム酸カリウムの濃度（規定）とＧａＡｓの
３℃でのエッチ速度との関係をプロットして示す特性曲
線図、第５Ａ図〜第ＳＤ図は塩酸：酢酸：／規定重クロ
ム酸カリウム水溶液＝ｉ：ｉ：ｉおよび！；： ／：
／に−よるＧａＡｓのそれぞれ＜ｉｉｏ ）面および（
）１０ ）面のエッチ断面形状を示す斜視図である。 ／・・・（／１０ ）面のエツチング断面形状、λ・・
・（７ｔｏ ）面のエツチング断面形状、３・・・（／
１０ ）面のエツチング断面形状、３Ａ・・・平坦な底
部、 ｔ・・・（７ｔｏ ）面のエツチング断面形状、１・・
・平坦な底部、 ！・・・（／１０ ）面のエツチング断面形状、乙・・
・（７１０）面のエツチング断面形状。 特許出願人 日本電信電話公社 第５Ｂ図 第５Ｄ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）重クロム酸アルカリ塩、塩酸および酌量より成るこ
とを特徴とする■−Ｖ族化合物結晶用化学エツチング液
。 ２、特許請求の範囲第１項記載のＩ−Ｖ族化合物結晶用
化学エツチング液において、重クロム酸アルカリ塩は０
．０７規定ないし飽和濃度の水溶液であることを特徴と
する１１−Ｖ族化合物結晶用化学エツチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6363083A JPS59190366A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ３−ｖ族化合物結晶用化学エツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6363083A JPS59190366A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ３−ｖ族化合物結晶用化学エツチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59190366A true JPS59190366A (ja) | 1984-10-29 |
| JPS6216276B2 JPS6216276B2 (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=13234853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6363083A Granted JPS59190366A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | ３−ｖ族化合物結晶用化学エツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59190366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050255A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地に設けられた凸部、下地における凸部形成方法 |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP6363083A patent/JPS59190366A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050255A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地に設けられた凸部、下地における凸部形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6216276B2 (ja) | 1987-04-11 |
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