JPS5919320A - 検出光学系 - Google Patents
検出光学系Info
- Publication number
- JPS5919320A JPS5919320A JP57128560A JP12856082A JPS5919320A JP S5919320 A JPS5919320 A JP S5919320A JP 57128560 A JP57128560 A JP 57128560A JP 12856082 A JP12856082 A JP 12856082A JP S5919320 A JPS5919320 A JP S5919320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- lens
- imaging
- optical
- mask
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被検体を観察する２は光電検知するための光学
系に関し、特に半導体焼付装置のアラインド用光学系あ
るいは半導体面の欠陥検査のための顕微鏡の性能向上に
好適である。
系に関し、特に半導体焼付装置のアラインド用光学系あ
るいは半導体面の欠陥検査のための顕微鏡の性能向上に
好適である。
近年、半導体集積回路は増々微細化の傾向にあり、この
ような要求に答えるための半導体焼付技術の１つに光学
式投影露光技術がある。これは高解像度の焼付用レンズ
あるいは反射系を用いてマスクあるいはレチクル上の電
子回路パターンをウェーハ上に転写するものである。ま
た半導体焼付技術としては密着露光や極近接露光も併用
されている。
ような要求に答えるための半導体焼付技術の１つに光学
式投影露光技術がある。これは高解像度の焼付用レンズ
あるいは反射系を用いてマスクあるいはレチクル上の電
子回路パターンをウェーハ上に転写するものである。ま
た半導体焼付技術としては密着露光や極近接露光も併用
されている。
これらの焼付技術に於いては、焼付過程に先立ってマス
クとウェハーを規定の位置関係にアライメントすること
が不可欠である上、しかも単位時間に大量のウェハーを
処理するためにはアライメント作業を自動化することが
必要であるため、既に多くの提案がなされており、本出
願人による特開昭５４−５４０６号もその種の提案であ
る。
クとウェハーを規定の位置関係にアライメントすること
が不可欠である上、しかも単位時間に大量のウェハーを
処理するためにはアライメント作業を自動化することが
必要であるため、既に多くの提案がなされており、本出
願人による特開昭５４−５４０６号もその種の提案であ
る。
アライメント作業を自動化するための光学装置の１つと
して、アライメント光学系の瞳面又はその共役面上で空
間周波数フィルタリンクを行う方法が前記公開特許公報
等に記載されているが、この種のアライメント光学系で
は、物体（アライメントマーク）とその像の結像（物体
結像）のみならずアライメント光学系の瞳の結像につい
ても性能を保障することが大切である。
して、アライメント光学系の瞳面又はその共役面上で空
間周波数フィルタリンクを行う方法が前記公開特許公報
等に記載されているが、この種のアライメント光学系で
は、物体（アライメントマーク）とその像の結像（物体
結像）のみならずアライメント光学系の瞳の結像につい
ても性能を保障することが大切である。
しかしながら、この様な２重の条件を満たさなければな
らない光学系では、用途に応じてアライメント光学系内
の光路長を変えた時、両方の結像性能を共に維持するこ
とは困難と考えられる。
らない光学系では、用途に応じてアライメント光学系内
の光路長を変えた時、両方の結像性能を共に維持するこ
とは困難と考えられる。
実際の焼付装置では正に上述した光路長の変更を要求さ
れるが、第１図を使ってその点を概説する。図中、ＭＡ
はマスク、ＰＬは投影レンズ、ＷＡＦｉウェハーで、マ
スクＭＡとウェハーＷＡは投影レンズＰＬに関して共役
である。またり、とＬ２は夫々アライメント光学系の対
物レンズ、ＭＩと鳩は半導鏡によるビームスプリッタ−
１Ｌｓ （！： ＩＱは結像レンズである。各リレー１
メンズＬ３とＬは対物レンズＬ、とり、を射出した光束
を結像する作用を持つ。なお、各レンズを１枚で示した
が、実際は１枚あるｂは複数のレンズから成る。また以
降の光学系は省略する。
れるが、第１図を使ってその点を概説する。図中、ＭＡ
はマスク、ＰＬは投影レンズ、ＷＡＦｉウェハーで、マ
スクＭＡとウェハーＷＡは投影レンズＰＬに関して共役
である。またり、とＬ２は夫々アライメント光学系の対
物レンズ、ＭＩと鳩は半導鏡によるビームスプリッタ−
１Ｌｓ （！： ＩＱは結像レンズである。各リレー１
メンズＬ３とＬは対物レンズＬ、とり、を射出した光束
を結像する作用を持つ。なお、各レンズを１枚で示した
が、実際は１枚あるｂは複数のレンズから成る。また以
降の光学系は省略する。
次にＬＳ、とＬＳ、は照明光源、ＬＢとり、は集光レン
ズで、集光レンズＬ、とＬｏはそれぞれ照明光源ＬＳ、
とＬＳ、の像を対物レンズＬ、とり、の瞳位置に形成し
、物体をケーラー照明法で照明する。
ズで、集光レンズＬ、とＬｏはそれぞれ照明光源ＬＳ、
とＬＳ、の像を対物レンズＬ、とり、の瞳位置に形成し
、物体をケーラー照明法で照明する。
以上の構成で、対物レンズＬ１１ ビームスプリッタ−
Ｍｌ ％集光レンズＬｏそして照明光源ＬＳ、から成る
対物ユニットと対物レンズＬ７、ビームスプリッタ−に
、集光レンズＬ、そして照明光源ＬＳ２から成る対物ユ
ニットはそれぞれ結像レンズＬ、とＬ４へ近づきまた遠
ざかる方向に移動し得る様になっておシ、マスク上のア
ライメントマークを見込む位置にそれぞれ対物レンズＬ
１’と扉を停止させて目視あるいは光電的にアライメン
トマークを観測する。
Ｍｌ ％集光レンズＬｏそして照明光源ＬＳ、から成る
対物ユニットと対物レンズＬ７、ビームスプリッタ−に
、集光レンズＬ、そして照明光源ＬＳ２から成る対物ユ
ニットはそれぞれ結像レンズＬ、とＬ４へ近づきまた遠
ざかる方向に移動し得る様になっておシ、マスク上のア
ライメントマークを見込む位置にそれぞれ対物レンズＬ
１’と扉を停止させて目視あるいは光電的にアライメン
トマークを観測する。
その際、ウェハーチップのサイズが変わると、アライメ
ントマークの位置も変わるため、それに応じて対物レン
ズの位置も移動させることが必要であって、対物レンズ
Ｌ１とり、を移動すれば、固定の結像レンズＬ、とＬ２
の間隔が変わり、光路長の変化がもたらされる。
ントマークの位置も変わるため、それに応じて対物レン
ズの位置も移動させることが必要であって、対物レンズ
Ｌ１とり、を移動すれば、固定の結像レンズＬ、とＬ２
の間隔が変わり、光路長の変化がもたらされる。
あるいは半導体製造工程の自動化に伴い、マスクの搬送
、装着も自動化されているが、微細精度を必要とするこ
の精造工程にあっては、搬入されたマスクを装置の所定
位置にセットするためにアライメントすることが行われ
るが、この位置合わせ工程でもマスクとウエノ・−をア
ライメントするだめの光学系を流用することが可能であ
る。従ってこの場合も、セツティング用マーク上に対物
レンズを移動させるため、光路長の変化が生じることに
なる。即ち第２図で、ｏＦｉマスクの如き物体面、Ｌ、
を対物レンズ、Ｌ３を結像レンズ、■を結像面、Ｐは瞳
で、物体面０上の１点を発した光束は対物レンズＬ、で
平行光に変換され、結像レンズＬ、で結像面■上に結像
される。また破線は瞳の結像状態を示す。
、装着も自動化されているが、微細精度を必要とするこ
の精造工程にあっては、搬入されたマスクを装置の所定
位置にセットするためにアライメントすることが行われ
るが、この位置合わせ工程でもマスクとウエノ・−をア
ライメントするだめの光学系を流用することが可能であ
る。従ってこの場合も、セツティング用マーク上に対物
レンズを移動させるため、光路長の変化が生じることに
なる。即ち第２図で、ｏＦｉマスクの如き物体面、Ｌ、
を対物レンズ、Ｌ３を結像レンズ、■を結像面、Ｐは瞳
で、物体面０上の１点を発した光束は対物レンズＬ、で
平行光に変換され、結像レンズＬ、で結像面■上に結像
される。また破線は瞳の結像状態を示す。
第１図中の対物レンズの移動を第２図に対応させて説明
すると、対物レンズＬ、と物体面Ｏの間隔ｌｏは一定に
維持する一方、対物レンズＬ、と結像レンズＬ３の間隔
ｅを変化させることに相当する。例えば対物ユニットを
結像レンズの方向へ移動させれば、間隔ｅは短縮される
わけである。そして間隔ｌが変化した後、物体の結像が
維持されたとしても瞳の結像は崩れるから、空間周波数
フィルタリングなどを行った時の性能は低下する。
すると、対物レンズＬ、と物体面Ｏの間隔ｌｏは一定に
維持する一方、対物レンズＬ、と結像レンズＬ３の間隔
ｅを変化させることに相当する。例えば対物ユニットを
結像レンズの方向へ移動させれば、間隔ｅは短縮される
わけである。そして間隔ｌが変化した後、物体の結像が
維持されたとしても瞳の結像は崩れるから、空間周波数
フィルタリングなどを行った時の性能は低下する。
本発明の目的とする処は、光学系を構成する要素の１つ
あるいは複数の相対的位置変化が生じた場合でも物体の
結像のみならず瞳の結像特性を維持することにある。
あるいは複数の相対的位置変化が生じた場合でも物体の
結像のみならず瞳の結像特性を維持することにある。
第３図は、本発明の基礎的実施例を示す。図中０は物体
面、■は結像面、Ｌ、ｏは対物レンズ、Ｌｌｌは結像レ
ンズで、両レンズの相対的位置が変わり、両レンズの距
離ｌが変化するものとする。
面、■は結像面、Ｌ、ｏは対物レンズ、Ｌｌｌは結像レ
ンズで、両レンズの相対的位置が変わり、両レンズの距
離ｌが変化するものとする。
またＣは光路長変更器で、光軸上に斜設すべく固定され
たミラー鳩、斜設の可動ミラー塙と鳩。
たミラー鳩、斜設の可動ミラー塙と鳩。
固定ミラーに、視野絞りＤから成り、可動ミラ−Ｍ、と
鳩はそれぞれ固定ミラーＭ、とＭ、との平行状態を維持
したまま、固定レンズ鳩とＭ、に対して前後（白抜き矢
印の方向）へ一体に移動し得る様に支持してオプティカ
ル曽トロンポーンを構成する。そして間隔ｌの変化△ｅ
に関して可動ミラー鳩と鳩を矢印方向に△ｌ／またけ移
動するものとし、例えば間隔ｌが６ｇだけ短縮した時、
可動ミラー鳩とＭ７を図中下方に距離Δｌ／２路 移動すれば光路長変更器Ｃ中では九ｉ長がΔｌ伸長する
から、対物レンズＬ１０．固定ミラー鳩。
鳩はそれぞれ固定ミラーＭ、とＭ、との平行状態を維持
したまま、固定レンズ鳩とＭ、に対して前後（白抜き矢
印の方向）へ一体に移動し得る様に支持してオプティカ
ル曽トロンポーンを構成する。そして間隔ｌの変化△ｅ
に関して可動ミラー鳩と鳩を矢印方向に△ｌ／またけ移
動するものとし、例えば間隔ｌが６ｇだけ短縮した時、
可動ミラー鳩とＭ７を図中下方に距離Δｌ／２路 移動すれば光路長変更器Ｃ中では九ｉ長がΔｌ伸長する
から、対物レンズＬ１０．固定ミラー鳩。
可動ミラー鳩と鳩、固定ミラーＭ、そして結像レンズ１
．、ｏｌでの光路長は間隔ｇの変動に係わらず一定にな
る。また間隔ｊが６ｇだけ伸長した時は可動ミラー鳩と
Ｍ、を図中上方に距離Δ／／２移動して光路長を補償す
る。
．、ｏｌでの光路長は間隔ｇの変動に係わらず一定にな
る。また間隔ｊが６ｇだけ伸長した時は可動ミラー鳩と
Ｍ、を図中上方に距離Δ／／２移動して光路長を補償す
る。
従って実線で描いた物体の結像も破線で描いた瞳の結像
も共に維持される。なお、対物レンズＬ１１の絞りＤ面
（焦点面）に光源像を形成し、対物レンズＬ１６を介し
て物体を落射照明する場合、瞳の結像と光源の結像は同
じである。
も共に維持される。なお、対物レンズＬ１１の絞りＤ面
（焦点面）に光源像を形成し、対物レンズＬ１６を介し
て物体を落射照明する場合、瞳の結像と光源の結像は同
じである。
第４図は投影型半導体焼付装置のアライメント光学系に
適用した実施例を描いている。なお、アライメント光学
系は、実際には左右に２機設けられるが、本図では便宜
上、右側のみ示した。
適用した実施例を描いている。なお、アライメント光学
系は、実際には左右に２機設けられるが、本図では便宜
上、右側のみ示した。
符号ＭＡがマスク、ＰＬが投影レンズ、ＷＡがウェハー
を示すことは上述の通りで、マスクＭＡとウェハーＷＡ
は共役である。またＬｌｏは対物レンズ、Ｍ＋ｔｉビー
ムスプリッタ−である。ビームスプリッタ−Ｍ＋ ｔ−
透過させてマスクＭＡを照明する照明系は図示を省く。
を示すことは上述の通りで、マスクＭＡとウェハーＷＡ
は共役である。またＬｌｏは対物レンズ、Ｍ＋ｔｉビー
ムスプリッタ−である。ビームスプリッタ−Ｍ＋ ｔ−
透過させてマスクＭＡを照明する照明系は図示を省く。
Ｃは光路長変更器で、固定ミラー鳩、可動ミラー鳩と鳩
、固定ミラー鳩から成り、可動レンズにとＭ？Ｆｉ一体
に図中上下方向に移動可能で、調定機構Ｈにより、対物
レンズＬ、。とビームスプリッタ−Ｍｌの左右方向の移
動（６ｇ）に対して可動ミラーにとＭ７の半分の移動量
（△ｌ／２）の上下方向の移動が同期し、光路長が一定
に保たれる様に構成する。
、固定ミラー鳩から成り、可動レンズにとＭ？Ｆｉ一体
に図中上下方向に移動可能で、調定機構Ｈにより、対物
レンズＬ、。とビームスプリッタ−Ｍｌの左右方向の移
動（６ｇ）に対して可動ミラーにとＭ７の半分の移動量
（△ｌ／２）の上下方向の移動が同期し、光路長が一定
に保たれる様に構成する。
ここで、不図示の光源からの照明源はマスクＭＡそして
投影レンズＰＬを介してウエノ１−ＷＡを照明し、マス
クＭＡ及びそれと共役なウェハーＷＡ上のアライメント
マークからの光束は対物レンズＬ、。を射出して平行光
となり、ビームスプリツダーＭ１．固定ミラー鳩、可動
ミラー鳩とＭ７．固定ミラーＭ８を紅て結像レンズＬ１
１で結像され、また瞳の結像について瞳Ｐと共役な位置
で空間周波数フィルタリングＦが実行される。
投影レンズＰＬを介してウエノ１−ＷＡを照明し、マス
クＭＡ及びそれと共役なウェハーＷＡ上のアライメント
マークからの光束は対物レンズＬ、。を射出して平行光
となり、ビームスプリツダーＭ１．固定ミラー鳩、可動
ミラー鳩とＭ７．固定ミラーＭ８を紅て結像レンズＬ１
１で結像され、また瞳の結像について瞳Ｐと共役な位置
で空間周波数フィルタリングＦが実行される。
次にサイズの異なるウエノ・−が使用されたとすると、
アライメントマークの位置が相違するから、対物レンズ
Ｌ、。を例えば破線の位置Ｌ１゜′まで６ｇだけ右動さ
せると、調定機構Ｈが作動して可動ミラー鳩と鳩を一体
に△Ｊ／２だけ下降させる。従って対物レンズＬＩＧは
水平方向に平行移動したにも係わらず、物体の結像と瞳
の結像は維持されるから、アライメントマーク光電検知
性能が低下することはない。
アライメントマークの位置が相違するから、対物レンズ
Ｌ、。を例えば破線の位置Ｌ１゜′まで６ｇだけ右動さ
せると、調定機構Ｈが作動して可動ミラー鳩と鳩を一体
に△Ｊ／２だけ下降させる。従って対物レンズＬＩＧは
水平方向に平行移動したにも係わらず、物体の結像と瞳
の結像は維持されるから、アライメントマーク光電検知
性能が低下することはない。
更に本発明はアライメント光学系以外にも、一般の顕微
鏡観察系に於いて、主として対物レンズを何らかの用途
のために移動する場合に適用しイ８る。第５図は、半導
体焼付用マスクのゴミあるいは欠陥の検査装置に適用し
た例を示す。
鏡観察系に於いて、主として対物レンズを何らかの用途
のために移動する場合に適用しイ８る。第５図は、半導
体焼付用マスクのゴミあるいは欠陥の検査装置に適用し
た例を示す。
マスクＭＡのゴミや欠陥を検査する際に、顕微鏡対物Ｌ
２ｏを通して細い光束を走査し、マスクからの反射光の
空間周波数フィルタリングを行うものがある。しかしな
がらこの方法の場合、顕微鏡対物Ｌ２゜の視野の大きさ
に限度がある等の理由で検査範囲が限定されるため、マ
スクが大型化すると対応できない難点がある。顕微鏡対
物Ｌ２ｏと次の収斂レンズとの間の光路中に光路長変更
器Ｃを挿着しておけば、実線で示す顕微鏡対物Ｌ２゜の
位置で検査を終了した後、破線位置Ｌ２ｔに顕微鏡対物
を不図示の機構で移送して更に検査を行うが、その際、
移動で生じた光路長の変化は調定機構Ｈに駆動される光
路長変更器Ｃで補償されるから、最前と同じ性能で検知
が可能となる。なお、検査範囲に応じて３個所以上の位
置へ顕微鏡対物を移動しても同様の機能を達成できる。
２ｏを通して細い光束を走査し、マスクからの反射光の
空間周波数フィルタリングを行うものがある。しかしな
がらこの方法の場合、顕微鏡対物Ｌ２゜の視野の大きさ
に限度がある等の理由で検査範囲が限定されるため、マ
スクが大型化すると対応できない難点がある。顕微鏡対
物Ｌ２ｏと次の収斂レンズとの間の光路中に光路長変更
器Ｃを挿着しておけば、実線で示す顕微鏡対物Ｌ２゜の
位置で検査を終了した後、破線位置Ｌ２ｔに顕微鏡対物
を不図示の機構で移送して更に検査を行うが、その際、
移動で生じた光路長の変化は調定機構Ｈに駆動される光
路長変更器Ｃで補償されるから、最前と同じ性能で検知
が可能となる。なお、検査範囲に応じて３個所以上の位
置へ顕微鏡対物を移動しても同様の機能を達成できる。
以上述べた本発明によれば、光学要素の相対位置が変化
した場合でも、光学的補償手段の作用で物体の結像と瞳
の結像の両方の性能が維持される効果があり、種々の検
出装置に適用して、高度の機能を達成し得るものである
。また瞳結像に気を使わなくても済むから全体の光学系
配置が極めて容易なる利点がある。
した場合でも、光学的補償手段の作用で物体の結像と瞳
の結像の両方の性能が維持される効果があり、種々の検
出装置に適用して、高度の機能を達成し得るものである
。また瞳結像に気を使わなくても済むから全体の光学系
配置が極めて容易なる利点がある。
第１図は従来例を示す斜視図。第２図は光学作用の説明
図。第３図は実施例を示す光学断面図。第４図と第５図
は夫々装置に適用した例を示す光学断面図。 図中、０はマスク（物体）面、 Ｉ’ＩＯは対物レンズ
＋ Ｉノｌｌは結像レンズ、Ｃは光路長変更器で、Ｍ。 とＭ、は固定ミラー、Ｍ、と鳩は可動ミラー、 １１は
調定機構、ＭＡはマスク、ＰＬは投影レンズ。 ＷＡはウェハーである。
図。第３図は実施例を示す光学断面図。第４図と第５図
は夫々装置に適用した例を示す光学断面図。 図中、０はマスク（物体）面、 Ｉ’ＩＯは対物レンズ
＋ Ｉノｌｌは結像レンズ、Ｃは光路長変更器で、Ｍ。 とＭ、は固定ミラー、Ｍ、と鳩は可動ミラー、 １１は
調定機構、ＭＡはマスク、ＰＬは投影レンズ。 ＷＡはウェハーである。
Claims (4)
- （１）光学要素間の相対的位置を変化させ得る様に構成
した結像光学系に於いて、前記変化が生じた際にも光路
長を実質的に維持する光学的補償手段を結像光学系の光
路中に配して物体の結像特性と瞳の結像特性を共に維持
する様にしたことを特徴とする検出光学系。 - （２）前記結像光学系は、半導体焼付装置のマスクとウ
ェハーのアライメント光学系の一部である特許請求の範
囲第１項記載の検出光学系。 - （３）前記結像光学系は、顕微鏡光学系の一部である特
許請求の範囲第１項記載の検出光学系。 - （４）前記光学的補償手段はオグテイカル・トロンポー
ンを有する特許請求の範囲第１項記載の検出光学系。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128560A JPS5919320A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 検出光学系 |
| GB08319312A GB2126746B (en) | 1982-07-23 | 1983-07-18 | Compensating for optical path length changes |
| DE19833326346 DE3326346A1 (de) | 1982-07-23 | 1983-07-21 | Optische vorrichtung zur aufrechterhaltung der pupillenabbildung |
| US07/094,086 US4830499A (en) | 1982-07-23 | 1987-09-04 | Optical device capable of maintaining pupil imaging |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128560A JPS5919320A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 検出光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919320A true JPS5919320A (ja) | 1984-01-31 |
| JPH0359568B2 JPH0359568B2 (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=14987777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128560A Granted JPS5919320A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 検出光学系 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4830499A (ja) |
| JP (1) | JPS5919320A (ja) |
| DE (1) | DE3326346A1 (ja) |
| GB (1) | GB2126746B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159829A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 縮小投影式アライメント装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0795144B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1995-10-11 | 日商精密光学株式会社 | 顕微鏡用光学系アタッチメント |
| US6166866A (en) | 1995-02-28 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type optical system |
| EP0730180B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
| JP3292051B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2002-06-17 | キヤノン株式会社 | 変倍光学系及びそれを用いた撮像装置 |
| DE102004021600A1 (de) | 2004-05-03 | 2005-12-08 | Gretag-Macbeth Ag | Vorrichtung zur Inline-Überwachung der Druckqualität bei Bogenoffsetdruckmaschinen |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB699331A (en) * | 1952-01-02 | 1953-11-04 | Monotype Corp Ltd | Optical system for photo-composing machines |
| GB751149A (en) * | 1953-04-25 | 1956-06-27 | Zeiss Stiftung | Optical imaging system especially for a measuring microscope |
| US3346739A (en) * | 1964-05-18 | 1967-10-10 | Gen Precision Systems Inc | Photosensitive character reading apparatus |
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