JPS6049886B2 - 顕微鏡 - Google Patents
顕微鏡Info
- Publication number
- JPS6049886B2 JPS6049886B2 JP50103158A JP10315875A JPS6049886B2 JP S6049886 B2 JPS6049886 B2 JP S6049886B2 JP 50103158 A JP50103158 A JP 50103158A JP 10315875 A JP10315875 A JP 10315875A JP S6049886 B2 JPS6049886 B2 JP S6049886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical path
- wafer
- mask
- microscope
- path length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Lens Barrels (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は深い焦点深度を有する顕微鏡に関する。
顕微鏡は想像力を上げる為に開口数を大きくすると、そ
の自乗に反比例して焦点深度が小さくなる事が知られて
いる。
の自乗に反比例して焦点深度が小さくなる事が知られて
いる。
この為開口数の大きい対物レンズの深度は数ミクロン程
度しかなく、観察できるのは対象物件のほんの一断面に
すぎなくなつてしまう。例えば生体観察などで時々刻々
変化していく現象を追つていく場合など、この様な制限
は極めて重大な欠陥となる。一方最近、焦点深度の深い
光学系が要求されている事の背景には、こうした生体観
察などの他に半導体工業の発達も大きい。
度しかなく、観察できるのは対象物件のほんの一断面に
すぎなくなつてしまう。例えば生体観察などで時々刻々
変化していく現象を追つていく場合など、この様な制限
は極めて重大な欠陥となる。一方最近、焦点深度の深い
光学系が要求されている事の背景には、こうした生体観
察などの他に半導体工業の発達も大きい。
即ち半導体工業のもたらした集積回路(IC)LSIな
ど)技術では最小線幅が既にミクロンオーダーに達して
いる。ICの製造はシリコン等の半導体基盤上に幾つも
のパターンを重ねていく事によつてなされるが、最小線
幅がミクロンだけに重ね合わせの精度もミクロン或いは
サブミクロンといつたオーダーが必要とされる。一方I
Cの検査もミクロンの想像を必要とする為に顕微鏡対物
の使用が必至であるが、測定対象物のシリコンウェーハ
−などが対物レンズの深度以上の凹凸を持つている為、
測定していくうちにピットが狂つてしまうといつた様な
欠点があつた。顕微鏡が焦点深度が浅いという事は特に
前者の位置合せの際に深刻である。何故なら通常ICの
焼付によく用いられているコンタクト焼付、或いはプロ
キシミテイ法といわれる焼付法で一は焼付パターンを持
つマスクと、焼付けられるべきウェーハ−の距離を数十
ミクロン程度離して位置調整を行うからである。マスク
とウェーハ−がお互いに接触してしまつては位置調整の
しようがないので数十ミクロン離して位置調整するのは
必フ須の条件であるが、この数値が、高い想像力を有す
る顕微鏡対物レンズの深度よりかなり大きな値である事
は明らかである。従つて例えばマスクにピットを合わせ
ればウェーハ−の像がぼけてしまい、逆にウェーハ−の
方にピットを台わせればマ5スクの方のピットがずれて
しまうという事でこの悪循環の為に位置合せの精度が期
待できないという欠点があつた。本発明の目的は上述の
欠点を解消するための深い焦点深度の顕微鏡を提供する
ことである。
ど)技術では最小線幅が既にミクロンオーダーに達して
いる。ICの製造はシリコン等の半導体基盤上に幾つも
のパターンを重ねていく事によつてなされるが、最小線
幅がミクロンだけに重ね合わせの精度もミクロン或いは
サブミクロンといつたオーダーが必要とされる。一方I
Cの検査もミクロンの想像を必要とする為に顕微鏡対物
の使用が必至であるが、測定対象物のシリコンウェーハ
−などが対物レンズの深度以上の凹凸を持つている為、
測定していくうちにピットが狂つてしまうといつた様な
欠点があつた。顕微鏡が焦点深度が浅いという事は特に
前者の位置合せの際に深刻である。何故なら通常ICの
焼付によく用いられているコンタクト焼付、或いはプロ
キシミテイ法といわれる焼付法で一は焼付パターンを持
つマスクと、焼付けられるべきウェーハ−の距離を数十
ミクロン程度離して位置調整を行うからである。マスク
とウェーハ−がお互いに接触してしまつては位置調整の
しようがないので数十ミクロン離して位置調整するのは
必フ須の条件であるが、この数値が、高い想像力を有す
る顕微鏡対物レンズの深度よりかなり大きな値である事
は明らかである。従つて例えばマスクにピットを合わせ
ればウェーハ−の像がぼけてしまい、逆にウェーハ−の
方にピットを台わせればマ5スクの方のピットがずれて
しまうという事でこの悪循環の為に位置合せの精度が期
待できないという欠点があつた。本発明の目的は上述の
欠点を解消するための深い焦点深度の顕微鏡を提供する
ことである。
そしてこの目的は顕微鏡の光軸に対して前後方向に異な
つた複数個の観察面に対する像を光路長補正手段によつ
て同一面上に結像させることによつて達成出来る。以下
本発明の実施例を図面を使用して説明する。
つた複数個の観察面に対する像を光路長補正手段によつ
て同一面上に結像させることによつて達成出来る。以下
本発明の実施例を図面を使用して説明する。
第1図は第1実施例を示すもので、この第1実施例は半
導体焼付機のアライメントスコープに本発明の顕微鏡を
適用した例てある。1はマスク、2はウェハーである。
導体焼付機のアライメントスコープに本発明の顕微鏡を
適用した例てある。1はマスク、2はウェハーである。
これらマスク、ウェハー1,2は不図示の公知の適宜な
照明光学系によつて照明されている。3は対物レンズで
ある。
照明光学系によつて照明されている。3は対物レンズで
ある。
この対物レンズ3からの光束はビームスプリッター4に
よつて光束5,6に分割される。7,8はミラーである
。
よつて光束5,6に分割される。7,8はミラーである
。
9は分割された光束5,6を再統合するためのハーフミ
ラーである。
ラーである。
10,11は夫々分割された光束5,6の光路中に配さ
れた光路長補正用ガラスブロックである。
れた光路長補正用ガラスブロックである。
このガラスブ購ンク10,11は同一平面12上にマス
クの像13、ウェハーの像14を形成するためのもので
ある。すなわち、光路6によつてウェハー像14が形成
され、光路5によつてマスク像13が形成される様にす
るためには、例えば同一の屈折率のガラスブロックを使
用するとすれば、ガラスプロ,ツク11の厚さをガラス
ブロック10の厚さに対してTa?■程度厚くすれば良
い。但し、tはマスク1とウェハー2の空気間隔、αは
対物レンズの縦倍率、nはガラスブロックの屈折率であ
3る。15は接眼レンズである。
クの像13、ウェハーの像14を形成するためのもので
ある。すなわち、光路6によつてウェハー像14が形成
され、光路5によつてマスク像13が形成される様にす
るためには、例えば同一の屈折率のガラスブロックを使
用するとすれば、ガラスプロ,ツク11の厚さをガラス
ブロック10の厚さに対してTa?■程度厚くすれば良
い。但し、tはマスク1とウェハー2の空気間隔、αは
対物レンズの縦倍率、nはガラスブロックの屈折率であ
3る。15は接眼レンズである。
本実施例はこの様に構成されている為、接眼レンズ15
を介して、間隔を−置いて配されたマスク1とウェハー
2の像13,14を同時に観察可能である。従つて、深
い焦点深度の顕微鏡が得られる。尚、光路6によ3つて
当然ウェハーの像14のみならず、マスク1の像も形成
され、又、光路5によつてマスクの像13のみならず、
ウェハー2の像も形成されるが、これらの像はデイフオ
ーカス像であるためあまり目に付かない。
4,尚、本実施例に於いては分割した
両方の光束5,6中に光路長補正部材10,11を配し
たが、一方の光束中に配しても良い。又、2光束に分割
し、2つの面を観察する場合について説明したが、3光
束以上に分割し、3つの面以上を観察する様にしても良
い。第2図には本発明の第2実施例が示されている。
を介して、間隔を−置いて配されたマスク1とウェハー
2の像13,14を同時に観察可能である。従つて、深
い焦点深度の顕微鏡が得られる。尚、光路6によ3つて
当然ウェハーの像14のみならず、マスク1の像も形成
され、又、光路5によつてマスクの像13のみならず、
ウェハー2の像も形成されるが、これらの像はデイフオ
ーカス像であるためあまり目に付かない。
4,尚、本実施例に於いては分割した
両方の光束5,6中に光路長補正部材10,11を配し
たが、一方の光束中に配しても良い。又、2光束に分割
し、2つの面を観察する場合について説明したが、3光
束以上に分割し、3つの面以上を観察する様にしても良
い。第2図には本発明の第2実施例が示されている。
この実施例は第1実施例とほぼ同一であるが配置が多少
異なり、ハーフミラーを光束分割用と、光束再統合用に
共用している。すなわち、ハーフミラー16によつて夫
々分割された光束5,6は光路長補正部材10,11を
通して、ミラー17,18に向う。このミラー17,1
8によつて反射された光束は再び光路長補正部材10,
11を通過して、ハーフミラー16に向い、このハーフ
ミラー16によつて再統合される。この再統合された光
束はミラー19によつて面12の方向に向けられ、この
面上にウェハーとマスクの像13,14を形成する。尚
、この様な配置の場合、光路長補正部材10,11を光
束5,6は2度通過することを考慮してこの部材10,
11の厚さを設定しなければならない。第3図には本発
明の第3実施例が示されている。
異なり、ハーフミラーを光束分割用と、光束再統合用に
共用している。すなわち、ハーフミラー16によつて夫
々分割された光束5,6は光路長補正部材10,11を
通して、ミラー17,18に向う。このミラー17,1
8によつて反射された光束は再び光路長補正部材10,
11を通過して、ハーフミラー16に向い、このハーフ
ミラー16によつて再統合される。この再統合された光
束はミラー19によつて面12の方向に向けられ、この
面上にウェハーとマスクの像13,14を形成する。尚
、この様な配置の場合、光路長補正部材10,11を光
束5,6は2度通過することを考慮してこの部材10,
11の厚さを設定しなければならない。第3図には本発
明の第3実施例が示されている。
この実施例では光路長補正部材としてミラーが使用され
ている。すなわち、ミラー17とハーフミラー16との
間隔に比してドけ短い位置に配置されたミラー18によ
つて同一面12上にウェハーとマスクの像13,14は
形成される。第4図はコンパクトに構成した第4実施例
が示されている。この実施例は2枚のハーフミラー20
,21を使用している。そしてこのハーフミラー20,
21はその間が空気である場合、その間隔はRである。
図面に於いてはこの2枚のハーフミラー20,21はガ
ラスブロックに夫々担持され、ハーフミラー20,21
の間隔はガラスブロックによつて占められている。この
第4実施例はこの様な構成になつているため、平面上に
はハーフミラー20,21を通過した光束によつてウェ
ハー2の像14が形成され、更にハーフミラー21によ
つて反射されハーフミラー20を透過した光束によつて
マスク1の像13が形成される。光路長補正用のガラス
ブロックはあらかじめ固定されたものでも良いが第5図
には第1,第2,第4実施例に適用可能な可変光路長補
正部材が示されている。すなわち、(a)は2個の同一
屈折率のガラスブロック22,23によつて形成され、
一方のブロック23を矢印方向に移動させることによつ
て、所望の光路長補正部材が得られる。又、(b)は肉
厚が段階的に異なるガラス板24で、このガラス板24
を光束中に1段階毎に入れることによつて所望の光路長
補正部材が得られる。又、(c)は肉厚が区分25〜2
8毎に異なるガラス円板で、回転させることによつて、
所望の光路長補正部材が得られる。尚、第4実施例にこ
れ等の光路長補正部材を使用する場合は、表面、裏面に
夫々ハーフミラーを設ければ良い。第3図の例では光路
15,6の長さを調整できる様にミラー17又は18が
移動できる様にすればよい。通常の顕微鏡による観察だ
けならこれだけの方法で効果が大であるが、更にこの方
法を測定に用いる場合にはもう少し細かい配慮が必要で
ある。
ている。すなわち、ミラー17とハーフミラー16との
間隔に比してドけ短い位置に配置されたミラー18によ
つて同一面12上にウェハーとマスクの像13,14は
形成される。第4図はコンパクトに構成した第4実施例
が示されている。この実施例は2枚のハーフミラー20
,21を使用している。そしてこのハーフミラー20,
21はその間が空気である場合、その間隔はRである。
図面に於いてはこの2枚のハーフミラー20,21はガ
ラスブロックに夫々担持され、ハーフミラー20,21
の間隔はガラスブロックによつて占められている。この
第4実施例はこの様な構成になつているため、平面上に
はハーフミラー20,21を通過した光束によつてウェ
ハー2の像14が形成され、更にハーフミラー21によ
つて反射されハーフミラー20を透過した光束によつて
マスク1の像13が形成される。光路長補正用のガラス
ブロックはあらかじめ固定されたものでも良いが第5図
には第1,第2,第4実施例に適用可能な可変光路長補
正部材が示されている。すなわち、(a)は2個の同一
屈折率のガラスブロック22,23によつて形成され、
一方のブロック23を矢印方向に移動させることによつ
て、所望の光路長補正部材が得られる。又、(b)は肉
厚が段階的に異なるガラス板24で、このガラス板24
を光束中に1段階毎に入れることによつて所望の光路長
補正部材が得られる。又、(c)は肉厚が区分25〜2
8毎に異なるガラス円板で、回転させることによつて、
所望の光路長補正部材が得られる。尚、第4実施例にこ
れ等の光路長補正部材を使用する場合は、表面、裏面に
夫々ハーフミラーを設ければ良い。第3図の例では光路
15,6の長さを調整できる様にミラー17又は18が
移動できる様にすればよい。通常の顕微鏡による観察だ
けならこれだけの方法で効果が大であるが、更にこの方
法を測定に用いる場合にはもう少し細かい配慮が必要で
ある。
即ち今迄説明してきたマスクとウェハーの位置合せの様
な2物体の相対位置測定の様な場合には、マスクの像の
倍率とウェハーの像の倍率が異なつてしまうと、大きな
誤差を生じる結果を招く。この様子は第6図に示してあ
る。29と30は同じ−大きさの物体てありレンズ31
によつて32と33に像を結ふ。
な2物体の相対位置測定の様な場合には、マスクの像の
倍率とウェハーの像の倍率が異なつてしまうと、大きな
誤差を生じる結果を招く。この様子は第6図に示してあ
る。29と30は同じ−大きさの物体てありレンズ31
によつて32と33に像を結ふ。
29と30は光軸上で少しずれており、この関係はマス
ク1とウェハー2の関係と相似てある。
ク1とウェハー2の関係と相似てある。
本発明ては前述の方法により、像32と33の位置を一
致させるわけであるが、像の大きさまでは変えないので
、両物体の相対位置の観察には誤差が生ずる。精密測定
の場合にはこの点を考慮しなければならない。この様な
誤差を除く為に、顕微鏡対物レンズとしてはまず、テレ
セントリックなものを用いる事が望ましい。
致させるわけであるが、像の大きさまでは変えないので
、両物体の相対位置の観察には誤差が生ずる。精密測定
の場合にはこの点を考慮しなければならない。この様な
誤差を除く為に、顕微鏡対物レンズとしてはまず、テレ
セントリックなものを用いる事が望ましい。
テレセントリック対物レンズはレンズの前側焦点位置に
瞳位置があり、その為、光束の中心てある主光線は光軸
に対して平行になる。この様子は第7図に示す通りで、
34の瞳が、対物レンズ3の焦点位置に置かれている。
この様なレンズを使用する事によつて光軸に対して前後
方向に異つた物点は光軸に対して直角な方向に横ずれす
る事なしに結像系に入る事ができる。しかしながらテレ
セントリック対物レンズを用いるだけでは精度は実は十
分ではない。第7図においてはリレーレンズ35が配置
されているが、リレーレンズもまたテレセントリックに
なつていなければ倍率の誤差が生じてしまうのである。
第7図のリレーはテレセントリックになつていないので
、リレーレンズを出た後の主光線は光軸に対して傾いて
いる。物体1,2の像13,14は図示の位置にできる
が光軸に対して平行な位置関係にあるA,Bが本発明の
方法により、13と14の位置を一致させた後ではA″
とB″となつて位置が一致せず、あたかもΔの位置ずれ
があるかの様に観察されてしまう。第8図がリレーレン
ズ36までテレセントリックになつている例である。リ
レーレンズを出た後の光束の中心である主光線は対物レ
ンズに入射する場合と同様に光軸と平行なので、A″B
″は横ずれなく観察される。即ちABの関係を正しくA
″B″に反映させる事ができる。リレーレンズのテレセ
ントリックの度合は測定精度により異なり、13と14
の位置のずれる度合によつても異なるので適当に選ぶ事
が重要であり、横ずれが許容できる範囲でテレセントリ
ックを崩してもよい。半導体焼付のアライメントスコー
プはどでは対物レンズの位置が動くので多少のリレーレ
ンズのテレセントリック性が崩れるが、問題が生じない
程度に設計が可能である。観察面である1と2の間の距
離が非常に近い場合には第1図〜4図までの通常の顕微
鏡系で十分な場合もある。また第9図に示した様に精度
を要する系で対物リレーともテレセントリックにした場
合にはハーフミラーを用いた本発明の光学系の部分37
はリレーと結像面の間に置かれる事は勿論である。以上
の様に本発明はハーフミラーを有効に用いて焦点深度を
深くし、またそれにテレセントリック光学系の思想を加
える事によつて精密測定も可)能となる様にしたもので
あり、顕微鏡による像の観察及び検出に多大の効果が期
待される。
瞳位置があり、その為、光束の中心てある主光線は光軸
に対して平行になる。この様子は第7図に示す通りで、
34の瞳が、対物レンズ3の焦点位置に置かれている。
この様なレンズを使用する事によつて光軸に対して前後
方向に異つた物点は光軸に対して直角な方向に横ずれす
る事なしに結像系に入る事ができる。しかしながらテレ
セントリック対物レンズを用いるだけでは精度は実は十
分ではない。第7図においてはリレーレンズ35が配置
されているが、リレーレンズもまたテレセントリックに
なつていなければ倍率の誤差が生じてしまうのである。
第7図のリレーはテレセントリックになつていないので
、リレーレンズを出た後の主光線は光軸に対して傾いて
いる。物体1,2の像13,14は図示の位置にできる
が光軸に対して平行な位置関係にあるA,Bが本発明の
方法により、13と14の位置を一致させた後ではA″
とB″となつて位置が一致せず、あたかもΔの位置ずれ
があるかの様に観察されてしまう。第8図がリレーレン
ズ36までテレセントリックになつている例である。リ
レーレンズを出た後の光束の中心である主光線は対物レ
ンズに入射する場合と同様に光軸と平行なので、A″B
″は横ずれなく観察される。即ちABの関係を正しくA
″B″に反映させる事ができる。リレーレンズのテレセ
ントリックの度合は測定精度により異なり、13と14
の位置のずれる度合によつても異なるので適当に選ぶ事
が重要であり、横ずれが許容できる範囲でテレセントリ
ックを崩してもよい。半導体焼付のアライメントスコー
プはどでは対物レンズの位置が動くので多少のリレーレ
ンズのテレセントリック性が崩れるが、問題が生じない
程度に設計が可能である。観察面である1と2の間の距
離が非常に近い場合には第1図〜4図までの通常の顕微
鏡系で十分な場合もある。また第9図に示した様に精度
を要する系で対物リレーともテレセントリックにした場
合にはハーフミラーを用いた本発明の光学系の部分37
はリレーと結像面の間に置かれる事は勿論である。以上
の様に本発明はハーフミラーを有効に用いて焦点深度を
深くし、またそれにテレセントリック光学系の思想を加
える事によつて精密測定も可)能となる様にしたもので
あり、顕微鏡による像の観察及び検出に多大の効果が期
待される。
実施例においてはウェハーとマスクを例にとつて説明し
たが、ウェハーとマスクをそれぞれ顕微鏡で観察しよう
という観察面と考えれば通常の顕5微鏡観察にも適用が
可能なことは十分理解されよう。
たが、ウェハーとマスクをそれぞれ顕微鏡で観察しよう
という観察面と考えれば通常の顕5微鏡観察にも適用が
可能なことは十分理解されよう。
また実施例の説明でアライメントスコープとして用いる
場合には、2つの対物レンズが必要であるがここでは簡
単の為1つだけを例にとつた。
場合には、2つの対物レンズが必要であるがここでは簡
単の為1つだけを例にとつた。
プθロキシミテイ法やコンタクト法ではアライメントを
行つた後にマスクとウェハーの距離を縮めたり、コンタ
クトさせてしまつたりするが、その時の距離の変化量に
応じて、光路長補正用ユニットを連動して動かせば常に
マスクと、ウェハーの両者にピントを合わせて観察でき
る。従つて例えばプロキシミテイ法でアライメント時ギ
ャップが50μで焼付ける時20μという風に変化させ
た場合、この変化に対応して調整部材を動かせばアライ
メントしてから、焼きつける為マスク、ウェハー間の距
離を縮めた際に位置ずれが生じなかつたかをきちんと観
察する事ができる。また本方法を逆用すれは光路長補正
用手段の移動量により任意の2つの面の間の距離を算出
する事も可能てある。
行つた後にマスクとウェハーの距離を縮めたり、コンタ
クトさせてしまつたりするが、その時の距離の変化量に
応じて、光路長補正用ユニットを連動して動かせば常に
マスクと、ウェハーの両者にピントを合わせて観察でき
る。従つて例えばプロキシミテイ法でアライメント時ギ
ャップが50μで焼付ける時20μという風に変化させ
た場合、この変化に対応して調整部材を動かせばアライ
メントしてから、焼きつける為マスク、ウェハー間の距
離を縮めた際に位置ずれが生じなかつたかをきちんと観
察する事ができる。また本方法を逆用すれは光路長補正
用手段の移動量により任意の2つの面の間の距離を算出
する事も可能てある。
第1図は本発明の顕微鏡の第1実施例を説明する図、第
2,第3,第4図は夫々第2,第3,第4実施例を説明
する図、第5図は可変光路長補正部材を示す図、第6図
は非テレセントリック結像系を説明する図、第7図はテ
レセントリック対物レンズと非テレセントリックリレー
レンズよりなる結像系を説明する図、第8図はテレセン
トリック対物レンズとテレセントリックリレーレンズよ
りなる結像系を説明する図、第9図は第5実施例を説明
する図である。 図中、1はマスク、2はウェハー、3は対物レンズ、4
,9はハーフミラー、7,8はミラー、10,11は光
路長補正部材、13,14はマスク、ウェハー像、15
は接眼レンズである。
2,第3,第4図は夫々第2,第3,第4実施例を説明
する図、第5図は可変光路長補正部材を示す図、第6図
は非テレセントリック結像系を説明する図、第7図はテ
レセントリック対物レンズと非テレセントリックリレー
レンズよりなる結像系を説明する図、第8図はテレセン
トリック対物レンズとテレセントリックリレーレンズよ
りなる結像系を説明する図、第9図は第5実施例を説明
する図である。 図中、1はマスク、2はウェハー、3は対物レンズ、4
,9はハーフミラー、7,8はミラー、10,11は光
路長補正部材、13,14はマスク、ウェハー像、15
は接眼レンズである。
Claims (1)
- 1 テレセントリツクな顕微鏡対物レンズからの光束を
複数個の光束に分割する手段と、この複数個に分割され
た光束を再統合する手段と、再統合された光束を受ける
テレセントリツクな顕微鏡リレーレンズと光軸上で離れ
た距離に存在している複数個の観測面を同一面上に結像
させるために、前記複数個に分割された光束の少なくと
も1つの光路中に、観測面間の光軸上の距離X顕微鏡対
物レンズの縦倍率分だけ光路長を補正する光路長補正手
段が配されていることを特徴とする光軸上で異なつた位
置の複数観測面観察可能な顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50103158A JPS6049886B2 (ja) | 1975-08-25 | 1975-08-25 | 顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50103158A JPS6049886B2 (ja) | 1975-08-25 | 1975-08-25 | 顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5226844A JPS5226844A (en) | 1977-02-28 |
| JPS6049886B2 true JPS6049886B2 (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=14346683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50103158A Expired JPS6049886B2 (ja) | 1975-08-25 | 1975-08-25 | 顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049886B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5277610A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Remote control circuit of automatic answering telephon set |
| JPS56168463A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-24 | Iwao Koyama | Telephone set |
| JPS59101213U (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-07 | 古河電気工業株式会社 | 光フアイバの観察装置 |
| JPS6159405A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 透過物体2方向同時観察装置 |
| JPS6263905A (ja) * | 1986-09-20 | 1987-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバの観察装置 |
| JPH03248118A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 人工衛星塔載用光学系装置 |
| JP3995030B2 (ja) | 1996-09-17 | 2007-10-24 | コグネックス・テクノロジー・アンド・インベストメント・コーポレーション | 半導体パッケージの検査装置 |
| GB0625775D0 (en) | 2006-12-22 | 2007-02-07 | Isis Innovation | Focusing apparatus and method |
| JP5543863B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2014-07-09 | オリンパス株式会社 | 撮像装置 |
| EP3486706B1 (en) * | 2017-11-16 | 2024-05-08 | SD Optics, Inc. | Functional module and microscope equipped with the same |
| AU2020273903B2 (en) | 2019-05-14 | 2024-05-09 | Progen Co., Ltd. | Novel modified immunoglobulin Fc-fusion protein and use thereof |
-
1975
- 1975-08-25 JP JP50103158A patent/JPS6049886B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5226844A (en) | 1977-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7023561B2 (en) | Exposure apparatus with interferometer | |
| US5751404A (en) | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates | |
| JP5743958B2 (ja) | 計測方法、露光方法および装置 | |
| KR100517159B1 (ko) | 노광장치 및 방법 | |
| JPH03155112A (ja) | 露光条件測定方法 | |
| US4669867A (en) | Alignment and exposure apparatus | |
| JPS5998525A (ja) | 分割焼付け装置のアライメント方法 | |
| JP3728187B2 (ja) | 結像光学系性能測定方法及び装置 | |
| JPS6049886B2 (ja) | 顕微鏡 | |
| JPH0245324B2 (ja) | ||
| JP2010251546A (ja) | 露光方法 | |
| US7095509B2 (en) | Aberration measuring method for projection optical system with a variable numerical aperture in an exposure apparatus | |
| JPH0574684A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP2756862B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP6061912B2 (ja) | 計測方法、露光方法および装置 | |
| JPS5838765B2 (ja) | 多重焦点顕微鏡 | |
| JP7353916B2 (ja) | 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 | |
| JPH113853A (ja) | 位置検出方法及び位置検出装置 | |
| JP2646417B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS63221616A (ja) | マスク・ウエハの位置合わせ方法 | |
| JPH0954443A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH0740542B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JP4078361B2 (ja) | 投影光学系の光学性能測定方法及び投影露光装置 | |
| JPS6135520A (ja) | 位置合せ装置の対物レンズ系基準位置決定方法 | |
| JPH0235446B2 (ja) |