JPS59196385A - 化学研摩液 - Google Patents

化学研摩液

Info

Publication number
JPS59196385A
JPS59196385A JP7196983A JP7196983A JPS59196385A JP S59196385 A JPS59196385 A JP S59196385A JP 7196983 A JP7196983 A JP 7196983A JP 7196983 A JP7196983 A JP 7196983A JP S59196385 A JPS59196385 A JP S59196385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing liquid
hydrogen peroxide
surfactant
window
chemical polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7196983A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6219511B2 (ja
Inventor
Takeshi Yoda
依田 猛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP7196983A priority Critical patent/JPS59196385A/ja
Publication of JPS59196385A publication Critical patent/JPS59196385A/ja
Publication of JPS6219511B2 publication Critical patent/JPS6219511B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04Heavy metals
    • C23F3/06Heavy metals with acidic solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光透過用窓部材を封止する低融点ガラスおよび
光透過用窓部材上にコーティングしたコーティング皮膜
等を変質、劣化させることなく、かつ安定的に化学研摩
処理が行える、低融点カラス封止された光透過用窓付キ
ャンプに用いて好適な化学研摩液に関する。
ディンタルオーティオディスク等に用いられる半導体装
置は、金属外環上に固定されたし・サー素子等を光透過
用窓付キャップで気密封止して用いられる。この光透過
用窓付キャップ10ば、第1図に示されるように、Fe
−Ni合金、あるいはFe −Ni−Co合金を素材と
するキャンプ部材12に、キャップ部材12の中央に設
けた通孔14を覆って硬質カラスなどから成る光透過用
窓16が低融点ガラス18によって封止されているもの
である。
ところで光透過用窓16として用いられている硬質ガラ
スは軟化点が約700°Cであるから、これを封止する
低融点ガラス18は、封止時の熱によって光透過用窓1
6が軟化変形して平?fk度が損なわれないように封着
温度が約500°Cの鉛系のものが用いられる。また一
方、上記のごとく光透過用窓16が低融点ガラス18に
よって封止された光透過用窓付キャップ10は半導体素
子等を固定した金属外環とのシール性を向上させ、しか
して気密特性を向上させるべく、最終的にめっき処理が
なされるものであるが、前記の低融点カラス18を用い
て光透過用窓16を封止するためあらかじめFe−Ni
−Co合金等を素材とするキャップ部材12の表面に金
属酸化膜を施して、低融点ガラス18とキャップ部材1
2との気密特性を向上させるようにしている。一方、め
っきを施す前に、めっきを施す際に障害となるこの金属
酸化膜を除去するとともに、密着性のよいめっき皮膜を
得るため、光沢を有する平滑な金属面とするだめの化学
研摩処理が必要となる。
本発明はこの化学研摩処理に用いる研摩液に関するもの
である。
従来のFe−Ni合金あるいはFe−Ni−Co合金そ
のものの化学研摩液としては、塩素イオン混入の硝酸系
のものと、フッ化物混入の過酸化水素系のものがある。
しかしながら、上記の化学研摩液を前記光透過用窓付キ
ャップ10の化学研摩処理に用いると、硝酸系のものに
あっては、研摩液中のNO,−CI−。
CIl、COO−イオンそれぞれが、低融点ガラス成分
中の鉛と化学反応を起し、低融点カラス18を変質。
劣化させてしまうff1it点かある。また過酸化水素
系のものにあっては、混入されているフッ化物によって
、光透過用窓1G上に施されている無反射コーテイング
膜(MgF、皮膜)を変質させてしまったり、前記同様
に低融点ガラス18を変質、劣化させたり、あるいは光
透過用窓16そのものの表面をも侵食して平滑性を損ね
たりする難点がある。
したかって従来においては、上記の研摩液を光透過用窓
付キャップに使用するに際しては、処理温度、処理時間
等を調製してやむを得ず用いていたものであるが、作業
性に劣るうえに、上記の弊害は避は得す、気密不良、半
導体装置の特性劣化を招来していた。
発明者は」二記の難点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、
従来のものは全てハロケンイオンが混入しており、この
ハロゲンイオンかカラス質を過度に侵食する根源である
ことに想到した。
本発明はこのような侵食性を有するハロケンイオンを混
入せず、低融点ガラスやコーティング皮膜などを変質劣
化させることがなく、かつ安定的に、作業性よく化学研
摩処理を行うことのできる、低融点カラス封止された光
透過用窓付キャップに用いて好適な化学研摩液を提供す
ることを目的とし、その特徴は、クエン酸、マロン酸、
コハク酸のうぢの1種の酸と、過酸化水素水と、硫酸と
、界面活性剤とを含むところにある。
酸としてはクエン酸が良好に用いられる。その他マロン
酸、コハク酸等の金属に対して侵食性の緩やかなものが
良好である。濃度は’15g//i〜25g/lの範囲
で有効であり、緩やかな研摩作用を呈する。
過酸化水素水は分解し易いものであるが、適宜な界面活
性剤、例えばポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリ
オギシエチレンアルキルエーテル等のエチレンオキサイ
ド系の界面活性剤を用いることによって、過酸化水素水
の分解の負触媒として作用し、特に過酸化水素水が分解
する温度条件を引き」二けるから、高温での安定した使
用が可能となり、研摩速度を速めることか可能となる。
過酸化水素水の濃度は150J/ff〜250−v e
の範囲が好適であり、また界面活性剤は0.05g/β
〜0.1g/6の微量で効果がある。
硫酸はガラス質に対する侵食性が硝酸や塩酸等のvi、
酸に比してきわめて低く、高温状態でも変わらない。し
たがって高温状態で安定して」二連の金属に対する緩や
かな研摩作用を呈する。濃度的には40社/12〜60
−/βが好適である。
(1)表1に種々の濃度設定における実施例を示す。
表1 (欠■里#jJ57゛C1姐l川寺間lO秒)なお硬質
ガラスに施したコーティング皮膜の変質は見られなかっ
た。
このようにFe−Ni合金、Fe−Ni−Co合金の良
好なめっき下地としての光沢面を得るには前述した組成
範囲か必要であり、またこの組成範囲では低融点カラス
の変質、劣化もない。
(2)次に、処理時間と研摩量との関係を第2図に示す
。なお組成は以下によった。
クエン酸     20g/j! 過酸化水素水  200.J/E 硫酸       50J/6 界面活性剤   0.05 g /β 処理開始温度   57℃ サンプル材質A   Fe−Ni−Co  54%−2
9%−17%ザンプル材質BFe−Ni58%−42%
キャンプ部材12上に前記した密着性のよいめっきを施
すために必要な研摩量は10μm〜20μm程度である
から、第2図から明らかなように、処理温度57°Cに
おいては処理時間は10秒程度の短時間で充分である。
(3)(2)の条件でサンプル材質Aを用いて調べた、
研摩液量(mλ)/処理金属表面積(CII+)と全屈
表面状態との関係を表2に示す。
表  2 このように処理すべき金属表面積に対して研摩液量が少
ないと、反応熱によって液温か上昇し、金属表面に荒れ
や変色が生じたり、研摩液自体も過酸化水素水が分解し
て変質してしまうから、充分な液量で処理することか望
ましい。
以上のように本発明に係る化学研摩液によれば、光透過
用窓を封止する低融点カラスを変質、劣化させることな
く、さらに光透過用窓面に施したコーティング皮膜や光
透過用窓そのものの表面をも変質させたり劣化させたり
することなく、かつ良好なめっきを得るための金属表面
を短時間に得ることができるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多(の改変を施し得るのは
もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第1図は光透過用窓付キャップを示す説明図、第2図は
本発明に係る研摩液で処理した際の処理時間と研摩量と
の関係を示すグラフである。 10・・・光透過用窓付キャップ、  12・・・キャ
ップ部材、  14・・・透孔、  16・・・光ふ適
用窓、  18・・・低融点ガラス。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、クエン酸、マロン酸、コハク酸のうちの1種の酸と
    、過酸化水素水と、硫酸と、界面活性剤とを含む化学研
    摩液。
JP7196983A 1983-04-23 1983-04-23 化学研摩液 Granted JPS59196385A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7196983A JPS59196385A (ja) 1983-04-23 1983-04-23 化学研摩液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7196983A JPS59196385A (ja) 1983-04-23 1983-04-23 化学研摩液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59196385A true JPS59196385A (ja) 1984-11-07
JPS6219511B2 JPS6219511B2 (ja) 1987-04-28

Family

ID=13475805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7196983A Granted JPS59196385A (ja) 1983-04-23 1983-04-23 化学研摩液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59196385A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2634498A1 (fr) * 1988-07-20 1990-01-26 Organisation Europ Rech Nucle Bain de polissage chimique de metaux et alliages de metaux
EP0351772A3 (en) * 1988-07-19 1990-07-04 HENKEL CORPORATION (a Delaware corp.) Stabilized hydrogen peroxide
EP0698917A1 (de) * 1994-08-25 1996-02-28 Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien mbH Reinigungsmittel und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben
US5827542A (en) * 1996-02-12 1998-10-27 Healthpoint, Ltd. Quick acting chemical sterilant
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
WO2004085707A1 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 Swagelok Company Aqueous metal finishing solution, methods for finishing metal components, system for cleaning metal components and finished brass products
EP1837393A3 (en) * 2006-03-22 2008-05-21 FUJIFILM Corporation Cleaning solution for substrate for use in semiconductor device and cleaning method using the same
US7897061B2 (en) * 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351772A3 (en) * 1988-07-19 1990-07-04 HENKEL CORPORATION (a Delaware corp.) Stabilized hydrogen peroxide
FR2634498A1 (fr) * 1988-07-20 1990-01-26 Organisation Europ Rech Nucle Bain de polissage chimique de metaux et alliages de metaux
EP0698917A1 (de) * 1994-08-25 1996-02-28 Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien mbH Reinigungsmittel und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben
US5695572A (en) * 1994-08-25 1997-12-09 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Cleaning agent and method for cleaning semiconductor wafers
CN1057330C (zh) * 1994-08-25 2000-10-11 瓦克硅电子半导体材料有限公司 半导体晶片的清洗方法
US6096348A (en) * 1996-02-12 2000-08-01 Healthpoint, Ltd. Quick acting chemical sterilant
US5827542A (en) * 1996-02-12 1998-10-27 Healthpoint, Ltd. Quick acting chemical sterilant
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6316366B1 (en) 1996-09-24 2001-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing using multi-oxidizer slurry
WO2004085707A1 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 Swagelok Company Aqueous metal finishing solution, methods for finishing metal components, system for cleaning metal components and finished brass products
US7897061B2 (en) * 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
EP1837393A3 (en) * 2006-03-22 2008-05-21 FUJIFILM Corporation Cleaning solution for substrate for use in semiconductor device and cleaning method using the same
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6219511B2 (ja) 1987-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59196385A (ja) 化学研摩液
US4579752A (en) Enhanced corrosion resistance of metal surfaces
KR960005828A (ko) 연마제 및 그것을 이용한 연마 방법
KR920702020A (ko) 산화막의 형성방법
ES2083236T3 (es) Procedimiento para la fabricacion de vidrios de ventanas con una elevada transmision de radiacion dentro de la zona espectral visible y con una elevada reflexion de radiacion dentro de la zona de radiacion termica.
KR960030328A (ko) 반도체 장치의 금속층 형성방법
JPS62272541A (ja) 半導体基板の表面処理方法
US5635084A (en) Method for creating a corrosion-resistant surface on an aluminum-copper alloy
US2836935A (en) Surface treatment of molybdenum and tungsten for glass sealing
KR970010936A (ko) 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법
US3954498A (en) Aluminum foil cleaning process
US6723578B2 (en) Method for the sulphidation treatment of III-V compound semiconductor surfaces
JPH06346255A (ja) ステンレス鋼の表面処理方法
JPH032347B2 (ja)
JPH05226312A (ja) 半導体薄膜素子の製造方法
DE949315C (de) Verfahren zur Herstellung von wischfesten, gegen Temperaturen und chemische Einfluesse weitgehend bestaendigen Oberflaechenspiegeln
US3484929A (en) Soldering methods and compositions
US2399770A (en) Sealing of glass to metal
SU1323608A1 (ru) Способ местной защиты изделий при жидкостном борировании
US1372258A (en) Mirror
JPH01214143A (ja) 光透過窓を有する気密部品
JPH0666516B2 (ja) ウインドウキヤツプおよびその製造方法
SU860973A1 (ru) Восстановительна среда дл пайки
US3261089A (en) Method of treating lead-in wires of electrode tubes
RU2036538C1 (ru) Способ защиты полупроводниковых приборов перед герметизацией