JPS59196385A - 化学研摩液 - Google Patents
化学研摩液Info
- Publication number
- JPS59196385A JPS59196385A JP7196983A JP7196983A JPS59196385A JP S59196385 A JPS59196385 A JP S59196385A JP 7196983 A JP7196983 A JP 7196983A JP 7196983 A JP7196983 A JP 7196983A JP S59196385 A JPS59196385 A JP S59196385A
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- JP
- Japan
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- polishing liquid
- hydrogen peroxide
- surfactant
- window
- chemical polishing
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
- C23F3/04—Heavy metals
- C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光透過用窓部材を封止する低融点ガラスおよび
光透過用窓部材上にコーティングしたコーティング皮膜
等を変質、劣化させることなく、かつ安定的に化学研摩
処理が行える、低融点カラス封止された光透過用窓付キ
ャンプに用いて好適な化学研摩液に関する。
光透過用窓部材上にコーティングしたコーティング皮膜
等を変質、劣化させることなく、かつ安定的に化学研摩
処理が行える、低融点カラス封止された光透過用窓付キ
ャンプに用いて好適な化学研摩液に関する。
ディンタルオーティオディスク等に用いられる半導体装
置は、金属外環上に固定されたし・サー素子等を光透過
用窓付キャップで気密封止して用いられる。この光透過
用窓付キャップ10ば、第1図に示されるように、Fe
−Ni合金、あるいはFe −Ni−Co合金を素材と
するキャンプ部材12に、キャップ部材12の中央に設
けた通孔14を覆って硬質カラスなどから成る光透過用
窓16が低融点ガラス18によって封止されているもの
である。
置は、金属外環上に固定されたし・サー素子等を光透過
用窓付キャップで気密封止して用いられる。この光透過
用窓付キャップ10ば、第1図に示されるように、Fe
−Ni合金、あるいはFe −Ni−Co合金を素材と
するキャンプ部材12に、キャップ部材12の中央に設
けた通孔14を覆って硬質カラスなどから成る光透過用
窓16が低融点ガラス18によって封止されているもの
である。
ところで光透過用窓16として用いられている硬質ガラ
スは軟化点が約700°Cであるから、これを封止する
低融点ガラス18は、封止時の熱によって光透過用窓1
6が軟化変形して平?fk度が損なわれないように封着
温度が約500°Cの鉛系のものが用いられる。また一
方、上記のごとく光透過用窓16が低融点ガラス18に
よって封止された光透過用窓付キャップ10は半導体素
子等を固定した金属外環とのシール性を向上させ、しか
して気密特性を向上させるべく、最終的にめっき処理が
なされるものであるが、前記の低融点カラス18を用い
て光透過用窓16を封止するためあらかじめFe−Ni
−Co合金等を素材とするキャップ部材12の表面に金
属酸化膜を施して、低融点ガラス18とキャップ部材1
2との気密特性を向上させるようにしている。一方、め
っきを施す前に、めっきを施す際に障害となるこの金属
酸化膜を除去するとともに、密着性のよいめっき皮膜を
得るため、光沢を有する平滑な金属面とするだめの化学
研摩処理が必要となる。
スは軟化点が約700°Cであるから、これを封止する
低融点ガラス18は、封止時の熱によって光透過用窓1
6が軟化変形して平?fk度が損なわれないように封着
温度が約500°Cの鉛系のものが用いられる。また一
方、上記のごとく光透過用窓16が低融点ガラス18に
よって封止された光透過用窓付キャップ10は半導体素
子等を固定した金属外環とのシール性を向上させ、しか
して気密特性を向上させるべく、最終的にめっき処理が
なされるものであるが、前記の低融点カラス18を用い
て光透過用窓16を封止するためあらかじめFe−Ni
−Co合金等を素材とするキャップ部材12の表面に金
属酸化膜を施して、低融点ガラス18とキャップ部材1
2との気密特性を向上させるようにしている。一方、め
っきを施す前に、めっきを施す際に障害となるこの金属
酸化膜を除去するとともに、密着性のよいめっき皮膜を
得るため、光沢を有する平滑な金属面とするだめの化学
研摩処理が必要となる。
本発明はこの化学研摩処理に用いる研摩液に関するもの
である。
である。
従来のFe−Ni合金あるいはFe−Ni−Co合金そ
のものの化学研摩液としては、塩素イオン混入の硝酸系
のものと、フッ化物混入の過酸化水素系のものがある。
のものの化学研摩液としては、塩素イオン混入の硝酸系
のものと、フッ化物混入の過酸化水素系のものがある。
しかしながら、上記の化学研摩液を前記光透過用窓付キ
ャップ10の化学研摩処理に用いると、硝酸系のものに
あっては、研摩液中のNO,−CI−。
ャップ10の化学研摩処理に用いると、硝酸系のものに
あっては、研摩液中のNO,−CI−。
CIl、COO−イオンそれぞれが、低融点ガラス成分
中の鉛と化学反応を起し、低融点カラス18を変質。
中の鉛と化学反応を起し、低融点カラス18を変質。
劣化させてしまうff1it点かある。また過酸化水素
系のものにあっては、混入されているフッ化物によって
、光透過用窓1G上に施されている無反射コーテイング
膜(MgF、皮膜)を変質させてしまったり、前記同様
に低融点ガラス18を変質、劣化させたり、あるいは光
透過用窓16そのものの表面をも侵食して平滑性を損ね
たりする難点がある。
系のものにあっては、混入されているフッ化物によって
、光透過用窓1G上に施されている無反射コーテイング
膜(MgF、皮膜)を変質させてしまったり、前記同様
に低融点ガラス18を変質、劣化させたり、あるいは光
透過用窓16そのものの表面をも侵食して平滑性を損ね
たりする難点がある。
したかって従来においては、上記の研摩液を光透過用窓
付キャップに使用するに際しては、処理温度、処理時間
等を調製してやむを得ず用いていたものであるが、作業
性に劣るうえに、上記の弊害は避は得す、気密不良、半
導体装置の特性劣化を招来していた。
付キャップに使用するに際しては、処理温度、処理時間
等を調製してやむを得ず用いていたものであるが、作業
性に劣るうえに、上記の弊害は避は得す、気密不良、半
導体装置の特性劣化を招来していた。
発明者は」二記の難点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、
従来のものは全てハロケンイオンが混入しており、この
ハロゲンイオンかカラス質を過度に侵食する根源である
ことに想到した。
従来のものは全てハロケンイオンが混入しており、この
ハロゲンイオンかカラス質を過度に侵食する根源である
ことに想到した。
本発明はこのような侵食性を有するハロケンイオンを混
入せず、低融点ガラスやコーティング皮膜などを変質劣
化させることがなく、かつ安定的に、作業性よく化学研
摩処理を行うことのできる、低融点カラス封止された光
透過用窓付キャップに用いて好適な化学研摩液を提供す
ることを目的とし、その特徴は、クエン酸、マロン酸、
コハク酸のうぢの1種の酸と、過酸化水素水と、硫酸と
、界面活性剤とを含むところにある。
入せず、低融点ガラスやコーティング皮膜などを変質劣
化させることがなく、かつ安定的に、作業性よく化学研
摩処理を行うことのできる、低融点カラス封止された光
透過用窓付キャップに用いて好適な化学研摩液を提供す
ることを目的とし、その特徴は、クエン酸、マロン酸、
コハク酸のうぢの1種の酸と、過酸化水素水と、硫酸と
、界面活性剤とを含むところにある。
酸としてはクエン酸が良好に用いられる。その他マロン
酸、コハク酸等の金属に対して侵食性の緩やかなものが
良好である。濃度は’15g//i〜25g/lの範囲
で有効であり、緩やかな研摩作用を呈する。
酸、コハク酸等の金属に対して侵食性の緩やかなものが
良好である。濃度は’15g//i〜25g/lの範囲
で有効であり、緩やかな研摩作用を呈する。
過酸化水素水は分解し易いものであるが、適宜な界面活
性剤、例えばポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリ
オギシエチレンアルキルエーテル等のエチレンオキサイ
ド系の界面活性剤を用いることによって、過酸化水素水
の分解の負触媒として作用し、特に過酸化水素水が分解
する温度条件を引き」二けるから、高温での安定した使
用が可能となり、研摩速度を速めることか可能となる。
性剤、例えばポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリ
オギシエチレンアルキルエーテル等のエチレンオキサイ
ド系の界面活性剤を用いることによって、過酸化水素水
の分解の負触媒として作用し、特に過酸化水素水が分解
する温度条件を引き」二けるから、高温での安定した使
用が可能となり、研摩速度を速めることか可能となる。
過酸化水素水の濃度は150J/ff〜250−v e
の範囲が好適であり、また界面活性剤は0.05g/β
〜0.1g/6の微量で効果がある。
の範囲が好適であり、また界面活性剤は0.05g/β
〜0.1g/6の微量で効果がある。
硫酸はガラス質に対する侵食性が硝酸や塩酸等のvi、
酸に比してきわめて低く、高温状態でも変わらない。し
たがって高温状態で安定して」二連の金属に対する緩や
かな研摩作用を呈する。濃度的には40社/12〜60
−/βが好適である。
酸に比してきわめて低く、高温状態でも変わらない。し
たがって高温状態で安定して」二連の金属に対する緩や
かな研摩作用を呈する。濃度的には40社/12〜60
−/βが好適である。
(1)表1に種々の濃度設定における実施例を示す。
表1
(欠■里#jJ57゛C1姐l川寺間lO秒)なお硬質
ガラスに施したコーティング皮膜の変質は見られなかっ
た。
ガラスに施したコーティング皮膜の変質は見られなかっ
た。
このようにFe−Ni合金、Fe−Ni−Co合金の良
好なめっき下地としての光沢面を得るには前述した組成
範囲か必要であり、またこの組成範囲では低融点カラス
の変質、劣化もない。
好なめっき下地としての光沢面を得るには前述した組成
範囲か必要であり、またこの組成範囲では低融点カラス
の変質、劣化もない。
(2)次に、処理時間と研摩量との関係を第2図に示す
。なお組成は以下によった。
。なお組成は以下によった。
クエン酸 20g/j!
過酸化水素水 200.J/E
硫酸 50J/6
界面活性剤 0.05 g /β
処理開始温度 57℃
サンプル材質A Fe−Ni−Co 54%−2
9%−17%ザンプル材質BFe−Ni58%−42%
キャンプ部材12上に前記した密着性のよいめっきを施
すために必要な研摩量は10μm〜20μm程度である
から、第2図から明らかなように、処理温度57°Cに
おいては処理時間は10秒程度の短時間で充分である。
9%−17%ザンプル材質BFe−Ni58%−42%
キャンプ部材12上に前記した密着性のよいめっきを施
すために必要な研摩量は10μm〜20μm程度である
から、第2図から明らかなように、処理温度57°Cに
おいては処理時間は10秒程度の短時間で充分である。
(3)(2)の条件でサンプル材質Aを用いて調べた、
研摩液量(mλ)/処理金属表面積(CII+)と全屈
表面状態との関係を表2に示す。
研摩液量(mλ)/処理金属表面積(CII+)と全屈
表面状態との関係を表2に示す。
表 2
このように処理すべき金属表面積に対して研摩液量が少
ないと、反応熱によって液温か上昇し、金属表面に荒れ
や変色が生じたり、研摩液自体も過酸化水素水が分解し
て変質してしまうから、充分な液量で処理することか望
ましい。
ないと、反応熱によって液温か上昇し、金属表面に荒れ
や変色が生じたり、研摩液自体も過酸化水素水が分解し
て変質してしまうから、充分な液量で処理することか望
ましい。
以上のように本発明に係る化学研摩液によれば、光透過
用窓を封止する低融点カラスを変質、劣化させることな
く、さらに光透過用窓面に施したコーティング皮膜や光
透過用窓そのものの表面をも変質させたり劣化させたり
することなく、かつ良好なめっきを得るための金属表面
を短時間に得ることができるという著効を奏する。
用窓を封止する低融点カラスを変質、劣化させることな
く、さらに光透過用窓面に施したコーティング皮膜や光
透過用窓そのものの表面をも変質させたり劣化させたり
することなく、かつ良好なめっきを得るための金属表面
を短時間に得ることができるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多(の改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多(の改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第1図は光透過用窓付キャップを示す説明図、第2図は
本発明に係る研摩液で処理した際の処理時間と研摩量と
の関係を示すグラフである。 10・・・光透過用窓付キャップ、 12・・・キャ
ップ部材、 14・・・透孔、 16・・・光ふ適
用窓、 18・・・低融点ガラス。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫
本発明に係る研摩液で処理した際の処理時間と研摩量と
の関係を示すグラフである。 10・・・光透過用窓付キャップ、 12・・・キャ
ップ部材、 14・・・透孔、 16・・・光ふ適
用窓、 18・・・低融点ガラス。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫
Claims (1)
- 1、クエン酸、マロン酸、コハク酸のうちの1種の酸と
、過酸化水素水と、硫酸と、界面活性剤とを含む化学研
摩液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196983A JPS59196385A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | 化学研摩液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196983A JPS59196385A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | 化学研摩液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196385A true JPS59196385A (ja) | 1984-11-07 |
| JPS6219511B2 JPS6219511B2 (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=13475805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7196983A Granted JPS59196385A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | 化学研摩液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196385A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2634498A1 (fr) * | 1988-07-20 | 1990-01-26 | Organisation Europ Rech Nucle | Bain de polissage chimique de metaux et alliages de metaux |
| EP0351772A3 (en) * | 1988-07-19 | 1990-07-04 | HENKEL CORPORATION (a Delaware corp.) | Stabilized hydrogen peroxide |
| EP0698917A1 (de) * | 1994-08-25 | 1996-02-28 | Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien mbH | Reinigungsmittel und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben |
| US5827542A (en) * | 1996-02-12 | 1998-10-27 | Healthpoint, Ltd. | Quick acting chemical sterilant |
| US6033596A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-07 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
| US6039891A (en) * | 1996-09-24 | 2000-03-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing |
| WO2004085707A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Swagelok Company | Aqueous metal finishing solution, methods for finishing metal components, system for cleaning metal components and finished brass products |
| EP1837393A3 (en) * | 2006-03-22 | 2008-05-21 | FUJIFILM Corporation | Cleaning solution for substrate for use in semiconductor device and cleaning method using the same |
| US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
| US8778211B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
-
1983
- 1983-04-23 JP JP7196983A patent/JPS59196385A/ja active Granted
Cited By (14)
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| CN1057330C (zh) * | 1994-08-25 | 2000-10-11 | 瓦克硅电子半导体材料有限公司 | 半导体晶片的清洗方法 |
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| US5827542A (en) * | 1996-02-12 | 1998-10-27 | Healthpoint, Ltd. | Quick acting chemical sterilant |
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| US6316366B1 (en) | 1996-09-24 | 2001-11-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing using multi-oxidizer slurry |
| WO2004085707A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-10-07 | Swagelok Company | Aqueous metal finishing solution, methods for finishing metal components, system for cleaning metal components and finished brass products |
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| US8778211B2 (en) | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6219511B2 (ja) | 1987-04-28 |
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