JPS59197119A - セラミツクキヤパシタおよび誘電体組成物 - Google Patents

セラミツクキヤパシタおよび誘電体組成物

Info

Publication number
JPS59197119A
JPS59197119A JP59043025A JP4302584A JPS59197119A JP S59197119 A JPS59197119 A JP S59197119A JP 59043025 A JP59043025 A JP 59043025A JP 4302584 A JP4302584 A JP 4302584A JP S59197119 A JPS59197119 A JP S59197119A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
dielectric composition
dielectric
oxide
niobate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59043025A
Other languages
English (en)
Inventor
ジエニフア−・マリ−・ウイ−ラ−
ド−ン・アニタ・ジヤツクソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STC PLC
Original Assignee
Standard Telephone and Cables PLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Telephone and Cables PLC filed Critical Standard Telephone and Cables PLC
Publication of JPS59197119A publication Critical patent/JPS59197119A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • H01G4/1263Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C04B35/497Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • Y10T29/435Solid dielectric type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はセラミックキャパシタに関するものであシ、特
に、それに限定されるものではないが多層セラミック材
料・ぐシフおよびそれに1更用される@Lシ体組)4に
物に関するものである。
〔発明の技術的背景〕
多j〆セラミックキャパシタは基本的にはセラミック材
料で形成された複数の誘電体部材およびそれら部材間に
位置する亀・匝を備えだ積層体で41.f成されている
。電価は導電性インクを使用し、加熱しない状態でセラ
ミック材料上にスクリーン印刷されることができ右。ス
クリーン印刷された誘電体部材、の積層体が組立てられ
、互にプレスされ、もしも必要なら個々の部品に切断さ
れ、多孔性を確実に無くすように焼結が生じるまで加熱
処理される。内部t4極は方tUであってそれに隣接す
る誘電体層の全面或はその一部区域を覆っている。順次
の層の内部電極は互倶熟 に横に段付けされてもよく、或は英・国特許第7841
677号明細薔に記載されたように互に交差した細長い
部分を有していてもよい。
通常使用される誘電体を有するキャパシタは1200〜
1400℃程度の温反で加熱されなければならず、それ
は内部電極がそのような温度に耐える適当な材料でなけ
ればならないことを意味している。それ故白金やパラジ
ウムのような箭価な貴金属を使用しなければならない。
しかしながら、もしも適当な誘電体を使用することによ
って加熱処理温度が低下できれば高い銀含有量(50〜
100%銀)を有する内部′電極が8120605号明
細書には950℃から1100℃の範囲の温度で加熱さ
れることができ、したがって高い銀含有量の電極を使用
することのできる誘電体組成物が記載されている。これ
ら低い加1iJ5温度のしυ電体はマグネシウムニオブ
ば鉛PbMgV2Nb、AO6を主成分とし、次のもの
、すなわちチタン酸鉛、錫酸鉛、ジルコン酸鉛の1以上
を含んでおシ、それらの誘電体組成物の成るものは75
00乃至10000の範囲の誘′疏定数を有するのでそ
れらは多層セラミックキャパシタ用に特に適したもので
ある。篩銀含有量電極と両立する通常使用されるセラミ
ック(米国コードZ5U )は誘電定数は6000以下
である。電子工朶では一般によシ小さい部品を要求し、
小型で上述の7500〜10000の範囲よシ高い誘電
定数を有する誘電体を主族することによって得ることが
できる。
嵯 英国特νM 8317265号明細畳(発明者J、4〜
4゜Wheeler )中にはマグネシウムニオブ酸鉛
PbMg、7. Nb V2O3と、非化学量1ffi
ii的(non−stoichiometic)鉄ニオ
ブ酸鉛と1以上の酸化物添加物から成、る誘電体組成物
が示されており、その酸化物添加物はシリカ、二級化マ
ンガ゛ン、セリウム酸化物、ランタン1に化物、亜鉛酸
化物、アルミニウム酸化物、タングステン酸化物、ニッ
ケル酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物から選ぶことが
できる。もしも例えば3つ以上の酸化物添加物が上述の
10独のうちの最初の8種の中から選択されるならば、
98o乃至1075℃の範囲の加熱処理温度を有する組
成物が得られ、加熱後の誘電定数は10600から16
800の範囲であシ、高銀含有量電極分有する小型多層
セラミックキャパシタとして特に適している。組成物は
チタン酸鉛P b ’、[’ t O4を追加的に含ん
でいてもよい。
〔発明の概要〕
本発明の目的は、高い銀含有量電値と共に反用すること
ができ、Z5U組成物よシ關い誘電定数を有する代りの
誘電体組成物を提供することである。
本発明によればマグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸
鉛とを含む誘電体組成物が提供される。
本発明によればマグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸
鉛とを含む誘電体を備えたセラミックキャパシタが提供
される。
本発明の別の観点によれば、複数の誘電体層と、その誘
電体j−の間に配置された複数の高銀言有量電極とを具
備し、誘電体層はマグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ
酸鉛よシ形成されている多層セラミックキャパシタが提
供される。
本発明のさらに別の観点によれは、板数の一1a体部材
のそれぞれの光面に複数の′屯)返をスクリーン印刷す
る工程と、それによって侍られたスクリーン印刷された
部材を積層する組立工程と、積層体をプレスする工程と
、)面々のキャパ/り部品に分釧する工程と、個々の部
品を900乃至1075℃の範囲の温度で加熱処理する
工程とを具備し、誘電体はマグネシウムニオブ酸鉛と亜
鉛ニオブ酸鉛から+1゛4成される多層セラミックキャ
パシタの製造方法が提供される。
誘電体組成物はまたシリカ、二酸化マンガン、亜鉛酸化
物、ニッケル酸化物、アルミナ、セリウム酸化物、ラン
タン酸化物、タングステン酸化物、二酸化チタニウム、
および鉛酸化物から成る群から選ばれた1以上の酸化物
添加物を含んでもよい。次の群から選んだ1以上のもの
を添加することもできる。すなわち錫酸ビスマス、チタ
ン酸ビスマス、錫酸鉛、ジルコン酸鉛およびチタン酸鉛
の1以上のものを酸化物と共に或はそれだけで添加する
ことができる。後述する衣1乃至4に示されるそのよう
な誘電体の実施例のものは900乃至1075℃の範囲
内の温度で加熱処理することができ、加熱処理後の誘電
定数は9000乃至17600の範囲にある。
〔発明の実施例〕
本発明の誘電体組成物はPbMg1ANbV20sとし
て一般的に示されるマグネシウムニオブ酸鉛と、Pbz
n1/8NblO3として一般的に示される亜鉛ニオブ
酸鉛とをペースにするものであシ、マグネシウムニオブ
酸鉛は田各々75%(二肛士唆)、亜鉛ニオブ酸鉛は約
25チ(重量)の比率であることが好ましい。これらの
比¥では最高の誘電定数イ11を与えることが明らかに
された。マグネシウムニオブ1波鉛は一般にPbMg、
z Nb≠03として示されるが、実際に使用される材
料は社1乃至4に示された結果が得られ、非化学量論的
なPbMgO,443”bo、5ffj+ 05である
。しかしながら、マグネシウムニオブ酸鉛という表現は
−j役的にはPbMg、4 Nb≠03として〕理解さ
れておシ、それは本発明において使用したニオブ酸鉛で
はない。
本発明で使用したニオブ酸鉛は一般に非化学量1iij
的であり、”Mg、7. Nb沼″に近いものである。
Wigは0,35乃至0.5の範囲が好ましく Nbは
0.4乃至06の範囲が好ましい。したがってPbMg
 O,、%〜0.5 NbL]、4〜0.603の表現
が使用される。
亜鉛ニオブ酸鉛は通常PbZn、、g Nb≠03を意
味するものと理解されているが、非化学量−面変化は可
能である。Znは0.3乃至0.5の範囲にあり、Nb
は06乃至0.7の範囲にあることが好ましい。したが
って表現はPb”0.3〜0.5 NbO,6〜0.7
03である。
以下の源には異なる加熱処理温度に対する基本材料の迎
j定された電気的・9ラメータ(漱1および2)および
基本材料にo、z%(、tW)のレベルで金属酸化9勿
を添加したもの(表3)或は酸化物捷たは他の添加物を
他のレベルで添加したもの(表4)の電気的ノ4ラメー
タが示されている。種々の組成物が1時間から2時間の
間加熱され、アルミニウム電極がその満面に蒸着される
。それによって誘電定数、誘電体損失(1=nδ)およ
び誘電定数の一30℃と85℃における(表1および3
)および+10℃と+85℃における(表2および4)
温度依存性が25℃における誘電定数に対して測定され
た。
基本材料に対して得られた表1および2に示された結果
は、それらの値がFfT費のオーダーであるため基本材
料のみで(添カド勿が加えずに)セラミックキャノぐシ
タ用誘゛東濁科として1史用できることを示している。
しかしながら基本材料の特性は硯加物を使用することに
よ−って変化させることができる。その排米(!−衣3
および4に示す。峙区PbOを硯刀口した時に非常に尚
い誘篭定故値と非常に低い加熱処理mi跣が倫られるこ
とか表4において注目され、同・1求にP bZ r 
O3+ T iO2およびB l 2 ’l 120 
yの三つの冷加吻が訪区体中に存在する時Z5U (Z
)y地囲内において尚い誇゛社定数と良好なキ、V−ぐ
シタンスの温度係数との組合せが1ηられることが7王
目6れる。
表3および4に示されたものの中から迫択された3棟以
上の姫加物の同様な組合せも−また多)曽セラミックキ
ャパシタ中で使用するのに逸した特性を有する誘電体を
与えることが期待される。
950℃以下(表4においては900℃として示されて
いる)の温度において加熱される5ヂの鉛酸化物を含む
組成物は高い誘電定数直とZ5U範囲内のキャパシタン
スの温度係数を有し、それは100%銀の電極を使用し
て加熱処理することが可能になるから特に重要である。
表4は表3に示された以外の酸化物に対して得られた結
果を示し、それにおいて温度依存性は表3におけるもの
と異なる6′ユ肢で測定されている。主要方性が単純な
酸化物と異なる添加物、1≦’1jL Id 錫酸ビス
マス、チタン1設ビスマス、賜藏鉛、ジルコン酸鉛およ
びチタン酸鉛晴の添加物についての結果も示されている
茨3に示されたパラメータに加えて、そこに示された実
施例材料に対するキャパシタンスの温度係数は、10℃
乃至85℃の範囲でキャパシタンスの盆化が+22%、
−56%以下である( EIAコード)Z5t1階性を
示す。したがって、本発明は900乃至1075℃の低
い加熱処理温j隻を使用し、したがって高い銀含有量の
内郡電憾と両立性であシ、比較的高い誘電定数(900
0〜17600 )とZ5U温度依存特性を有する誘電
体を提供する。3つ以上の酸化物を0.1チのレベルで
基本材料に添加したものは1つ或は2つを添加したもの
に対して示したのと類似した特性を生じることが予期さ
れる。
表1乃至4に示された誘電体組成物、を使用する多層セ
ラミックキャパシタの製造方法は、未加熱の多数の誘電
体シートのそれぞれの表面に高い銀含有量のインクで仮
数の電極をスクリーン印刷する工程と、使用される特定
゛の構造に適合するような例えば側方が段付けされた、
或は交差して重ねられた相互関係で配置された交互の電
極層を有するそのような印刷されたシートを積層する工
程と、もし必袂なら積層体の頂部と底部に余分の電極を
有しないセラミックシートを配置した後、それらシート
積層体をプレスする工程と、シートを切11Jrして餉
々のキャパシタ部品を形成し、個々の部品を900乃至
1075℃の範囲の温度に加熱する工程を有している。
それに続いて1つ置きのシートの’lt極が通常の方法
で導電性塗料を適当に施して、例えは積層体の対向する
両側面に被層して接続されることができる(端子終端)
高銀含有量′嘔匝の使用について特に説明したけれども
、本発明の誘電体組成物はパラジウム、プラチナ、或は
金のような他の醒(畠と共に使用されることもできる。
捷た内部直面を備えた多層キャパシタについて114・
に説明したけれども、本発明の誘・LL体組成物はセラ
ミックと共に加熱される電僅の有無に1)J係なく他の
形式のセラミックキャ・ぐシタに使用されることができ
る。
出、、、;+j人代鹿人  弁理士 鈴 江 武 彦第
1頁の続き 0発 明 者 トーン・アニタ・ジャックソンイギリス
国王セックス・オール ド・バーロウ・チャーチゲイト ・ストリート・ヒリングデン・ スクール・オブ・リツデイング ・ザ・グルームス・ハウス(番 地無し)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  マグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブは鉛と
    を含む誘電体組成物。 (2)  マグネシウムニオブ酸鉛がPbMgo、35
    〜。、5Nbo、4〜。、606であシ、亜鉛ニオブ酸
    鉛がPbzno、3〜。、。 Nbo、6〜。、706である、特許請求の範囲第1項
    記載の誘電体組成物・ (、づ) マグネシウムニオブf波鉛がPbMg、2 
    Nb、V/20、であり、亜鉛ニオブ敵船がPbZn、
    4 Nb、、 03である、特許請求の範囲第1項記載
    の誘電体組成物。 (4) シリカ、二酸化マンゴ/、亜鉛酸化物、ニッケ
    ル酸化物、アルミナ、セリウム酸化物、ランタン酸化物
    、タンゲステン酸化物、ガリウム峨化物、二酸化チタニ
    ウムおよび鉛酸化物から成る群から選ばれた1以上の酸
    化物添加物を含むム;ケ許1、i1求の範囲第1項記載
    の誘電体組成物。 (5)  錫酸ビスマス、チタン酸ビスマス、錫酸鉛、
    ジルコン酸鉛、およびチタン酸鉛から成る群から選ばれ
    た1以上の添加物を含む特許請求の範囲第1項記載の誘
    電体組成物。 (6)900乃至1075℃の範囲の′温度で加熱処理
    されることのできる特許請求の範囲第1項記載の誘電体
    組成物。 (7)加熱処理後9000乃至17600の範囲の誘電
    足数を有する特許請求の範囲第1項記載の誘電体組成物
    。 (8)  M、量で略々75%のマグネシウムニオブ酸
    鉛と、陥々°25チの亜鉛ニオブ酸鉛とよシなる基本材
    料で構成され、その基本材料に重量で約0.1%のレベ
    ルで添加物が添加されている特許請求の範囲第4項記載
    の誘電体組成物。 (9)添加物が表3に示されだ実施例の1つに示された
    ものである特許請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。 α@ 添加物が表4に示された実施例の1つに示された
    ものである特許請求の範囲第1項記載の誘電体組成物。 a■ 5重量%の鉛酸化物を含む特許請求の範1JJj
    第1項記載の誘電体組成物。 09重量で略々75係のマグネシウムニオブ眩鉛と略々
    25%の亜鉛ニオブ酸鉛とから成る基本材料を有する特
    許請求の範囲第11項記載訪′亀体組成物を有するセラ
    ミックキャA?シタ。 θ搬討電体組成吻がPbMgO,35〜0.5 NbO
    ,4〜0.603のマグネシウムニオブ酸鉛とPbZn
     O,3〜。、5 NbO,6〜。、703の亜鉛ニオ
    ブ酸鉛とを含む特許請求の範囲第13項記載のセラミッ
    クキャパシタ。 αG 誘電体組成物がPbMg1/2 Nbい06 の
    マグネシウムニオブ酸鉛とPbZnいNb≠05  (
    7) 亜鉛ニオブ酸鉛とを含む特許請求の範囲$13項
    記1jλのセラミックキャパシタ。 (IO誘電体組成物がシリカ、二酸化マンガン、亜鉛酸
    化物、ニッケル酸化物、アルミナ、セリウム酸化物、ラ
    ンタン酸化物、タングステン酸化物、ガリウム酸化物、
    二酸化チタニウムおよび鉛酸化物から成る群から選ばれ
    た1以上の酸化物添加物を含む特許請求の範囲第13項
    記載のセラミックキャノぐシタ。 α力 誘電体組成物が錫酸ビスマス・、チタン酸ビスマ
    ス、錫酸鉛、ジルコン酸鉛、およびチタン酸鉛から成る
    群から選択された1以上の添加物を含む特許請求の範囲
    第13項記載のセラミックキャノやシタ。 0機 誘電体組成物が900乃至1075℃の範囲の温
    度で加熱処理されることのできる特許請求の範囲第13
    項記載のセラミックキャパシタ。 α(う 誘電体組成物が加熱処理後9000乃至176
    00の範囲の誘電定数を有する特許請求の範囲第13項
    記載のセラミックキャA?シタ。 翰 誘電体組成物が重量で略々75%のマグネシウムニ
    オブ酸鉛と、略々25条の亜鉛ニオブ酸鉛とよりなる基
    本材料で構成され、その基本材料に重量で約0.1%の
    レベルで添加物が添加されている特許請求の範囲第16
    項記載のセラミックキャノぐシタ。 (21)誘電体組成物中の添加物が表3に示された実施
    例の1つに示されたものである特許請求の範囲第20項
    記載のセラミックキャパシタ。 0・)誘電体組成物中の添加物が表4に示された実施例
    の1つに示されたものである特許請求の範囲第13項記
    載のセラミックキャパシタ。 に)誘電体組成物と共に加熱処理される筒い銀含有量の
    電極を備えている特許請求の範囲第13項記載のセラミ
    ックキャパシタ。 し・0 誘電体組成物と共に加熱処理される100係銀
    の電極を具備し、誘電体組成物は5重量%の鉛酸化物を
    含んでいる特許請求の範囲第13項記載のセラミックキ
    ャパシタ。 (ハ) 板数の誘電体層とそれら誘電体層間に配置され
    た複数の高い銀含有−改の電極とを具備しており、誘電
    体層がマグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸鉛を含む
    誘電体組成物である多層キヤ・ぐシタとして構成された
    特許請求の範囲第13項乃至第24項の何れか1項記載
    のセラミックキャパシタ。 (ハ)誘電体がマグネシウムニオブ酸鉛と亜鉛ニオブ酸
    鉛とを含む誘電体組成物であり、そのような誘電体より
    なる複数の誘電体部材のそれぞれの表面に電極をスクリ
    ーン印刷する工程と、その結果得られたスクリーン印刷
    された部材を積層体に組立てる工程と、積層体をプレス
    する工程と、積層体を個々のキャパシタ部品に分割する
    工程と、分割された個々の部品を900乃至1075℃
    の範囲の温度において加熱処理する工程とを具備してい
    る多層セラミックキャパシタの5JA造方法。 eI)誘電体組成物のマグネシウムニオブ酸鉛がPbM
    gO,55〜(1,5NbO,4〜0.603であシ、
    亜鉛−オブ酸鉛がPbZn+3,3〜+)、5 NbO
    ,6〜0.703である特N’F ’jjR求の範囲第
    26項記載の方法。 い1 誘電体組成物は、シリカ、二酸化マンガム酸化物
    、二酸化チタニウムおよび鉛酸化物から成る群から選ば
    れた1以上の酸化物添加物を含んでいる特許請求の範囲
    第27項記載の方法。 い)誘電体組成物は表3または4に示された実施τ・り
    に示された添加物を含んでいる特許請求の範囲第27項
    記載の方法。
JP59043025A 1983-03-10 1984-03-08 セラミツクキヤパシタおよび誘電体組成物 Pending JPS59197119A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB838306659A GB8306659D0 (en) 1983-03-10 1983-03-10 Ceramic capacitors
GB8306659 1983-03-10
AU27750/84A AU566116B2 (en) 1983-03-10 1984-05-07 Dielectric compositions for ceramic capacitors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59197119A true JPS59197119A (ja) 1984-11-08

Family

ID=36803469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59043025A Pending JPS59197119A (ja) 1983-03-10 1984-03-08 セラミツクキヤパシタおよび誘電体組成物

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4536821A (ja)
JP (1) JPS59197119A (ja)
AU (1) AU566116B2 (ja)
GB (1) GB8306659D0 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991009814A1 (en) * 1989-12-22 1991-07-11 Marcon Electronics Co., Ltd. Ceramic composition and electronic component made therefrom

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124306A (ja) * 1983-12-06 1985-07-03 京セラ株式会社 誘電体磁器組成物
EP0180132B1 (en) * 1984-10-25 1992-05-27 Kabushiki Kaisha Toshiba High dielectric constant type ceramic composition
US4637989A (en) * 1985-03-29 1987-01-20 At&T Technologies, Inc. Method of preparing a ceramic composition
GB2179037A (en) * 1985-08-14 1987-02-25 Stc Plc Dielectric compositions
GB2182032A (en) * 1985-10-24 1987-05-07 Stc Plc Dielectric compositions
US4882652A (en) * 1986-11-04 1989-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba High dielectric constant type ceramic composition
US5023032A (en) * 1987-10-09 1991-06-11 Martin Marietta Corporation Electrostrictive ceramic material including a process for the preparation thereof and applications therefor
US5032558A (en) * 1987-10-09 1991-07-16 Martin Marietta Corporation Electrostrictive ceramic material including a process for the preparation thereof and applications thereof
DE69023316T2 (de) * 1989-03-22 1996-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Keramischer kondensator eines halbleitertyps mit laminierten und kornisolierten grenzschichten.
US5337209A (en) * 1992-09-10 1994-08-09 Martin Marietta Corporation High energy density lead magnesium niobate-based dielectric ceramic and process for the preparation thereof
US5525562A (en) * 1994-01-25 1996-06-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic compound
US7264744B2 (en) * 2004-03-26 2007-09-04 Tdk Corporation Piezoelectric ceramic and piezoelectric device
WO2008091226A1 (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Agency For Science, Technology And Research Co-doped nickel oxide

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5725607A (en) * 1980-07-22 1982-02-10 Murata Manufacturing Co Dielectric porcelain composition
JPS5727974A (en) * 1980-07-24 1982-02-15 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition
JPS57198617A (en) * 1981-05-30 1982-12-06 Nippon Electric Co Method of producing laminated ceramic condenser

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760244A (en) * 1972-08-31 1973-09-18 Illinois Tool Works Ceramic capacitor and method of forming same
US4086649A (en) * 1974-12-26 1978-04-25 Union Carbide Corporation Ceramic capacitor made from firing small barium titanate particles
US4335216A (en) * 1981-05-01 1982-06-15 Tam Ceramics, Inc. Low temperature fired dielectric ceramic composition and method of making same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5725607A (en) * 1980-07-22 1982-02-10 Murata Manufacturing Co Dielectric porcelain composition
JPS5727974A (en) * 1980-07-24 1982-02-15 Murata Manufacturing Co Dielectric ceramic composition
JPS57198617A (en) * 1981-05-30 1982-12-06 Nippon Electric Co Method of producing laminated ceramic condenser

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991009814A1 (en) * 1989-12-22 1991-07-11 Marcon Electronics Co., Ltd. Ceramic composition and electronic component made therefrom
US5182695A (en) * 1989-12-22 1993-01-26 Marcon Electronics Co., Ltde. Ceramic composition and electronic part using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US4536821A (en) 1985-08-20
GB8306659D0 (en) 1983-04-13
AU566116B2 (en) 1987-10-08
AU2775084A (en) 1985-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5799948B2 (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
JPS59197119A (ja) セラミツクキヤパシタおよび誘電体組成物
JP5794222B2 (ja) セラミック電子部品
TW200908043A (en) Multi-layered ceramic electronic component
JPS60118666A (ja) 誘電体磁器組成物
JP4211510B2 (ja) 積層型ptcサーミスタの製造方法
JPS6112016A (ja) 強度を増加した端子を有する卑金属電極積層コンデンサの製造方法
JP5452244B2 (ja) 積層セラミック電子部品とその製造方法
JP4748831B2 (ja) 電子部品
JPS6323646B2 (ja)
JPS58178903A (ja) 導電性ペ−スト
JPS59138003A (ja) 誘電体磁器物質
JPS5990915A (ja) 積層部品
JPS62157607A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS62122103A (ja) 積層型チツプバリスタの製造方法
JPS5990303A (ja) 誘電体磁器物質
JPS60206124A (ja) 誘電体組成物及びセラミツクコンデンサ
JP2001326121A (ja) 積層電子部品
JPH0113205B2 (ja)
JPS60118667A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6129529B2 (ja)
JPH0494517A (ja) 積層インダクタの製造方法
JPS62157605A (ja) 誘電体磁器組成物
JP2507951B2 (ja) バリスタ
JPS63136507A (ja) セラミツクコンデンサ