JPS59198780A - アモルフアス炭化シリコン系半導体 - Google Patents
アモルフアス炭化シリコン系半導体Info
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- JPS59198780A JPS59198780A JP58073610A JP7361083A JPS59198780A JP S59198780 A JPS59198780 A JP S59198780A JP 58073610 A JP58073610 A JP 58073610A JP 7361083 A JP7361083 A JP 7361083A JP S59198780 A JPS59198780 A JP S59198780A
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- silicon carbide
- amorphous silicon
- semiconductor
- silicon
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/162—Non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in insulating materials
- H10F77/166—Amorphous semiconductors
- H10F77/1662—Amorphous semiconductors including only Group IV materials
- H10F77/1665—Amorphous semiconductors including only Group IV materials including Group IV-IV materials, e.g. SiGe or SiC
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス炭化シリコン（以下［ａ−３ｔ
Ｃｌと記す。）半導体に関する。ａ −３ｉＣ半導体は
、アモルファスシリコンに比べて光学的ギャップが大き
いために、ＰＩＮ型太陽電池の光入射端面側のＰ層に使
用され太陽電池の変換効率の向上に寄与している。とこ
ろが炭素どシリコンの共有結合力は、シリコン−シリコ
ンの共有結合力に比べて大きいために、炭素原子の存在
によって理想的なアモルファス構造であるコンティニュ
アスランダムネットワーク構造の形成が阻害される。こ
のため、ａ−３ｉ（、半導体のアモルファス構造の不規
則性がアモルファスシリコン半導体に比べて大きくなり
、帯端テイル準位を形成したリダングリングボンドが多
く生成され、ミツドギャップ単位を形成りる。一方、半
導体側わ１を電子ディバイスとして応用する場合には、
一般的に、易動度が大きく、バンドギャップが明確に区
画され、バンドギャップ内に意図しない局在準位あるい
は局在状態を有しないのが望ましい。
Ｃｌと記す。）半導体に関する。ａ −３ｉＣ半導体は
、アモルファスシリコンに比べて光学的ギャップが大き
いために、ＰＩＮ型太陽電池の光入射端面側のＰ層に使
用され太陽電池の変換効率の向上に寄与している。とこ
ろが炭素どシリコンの共有結合力は、シリコン−シリコ
ンの共有結合力に比べて大きいために、炭素原子の存在
によって理想的なアモルファス構造であるコンティニュ
アスランダムネットワーク構造の形成が阻害される。こ
のため、ａ−３ｉ（、半導体のアモルファス構造の不規
則性がアモルファスシリコン半導体に比べて大きくなり
、帯端テイル準位を形成したリダングリングボンドが多
く生成され、ミツドギャップ単位を形成りる。一方、半
導体側わ１を電子ディバイスとして応用する場合には、
一般的に、易動度が大きく、バンドギャップが明確に区
画され、バンドギャップ内に意図しない局在準位あるい
は局在状態を有しないのが望ましい。
本発明の目的は、炭素原子をシリコンに混在させること
によって発生する局在状態密度を減少することを目的と
する。
によって発生する局在状態密度を減少することを目的と
する。
本発明者等は、かかる目的を達成するために研究を重ね
た結果、ａ−３ｉ（：、に、Ｓｎ、ＧＯ，Ｐｂのうち１
種以上の元素を微量ドーピングすれば局在状態密度を減
少さぜることができることを発見した。本発明は、かか
る発見の下になされた。
た結果、ａ−３ｉ（：、に、Ｓｎ、ＧＯ，Ｐｂのうち１
種以上の元素を微量ドーピングすれば局在状態密度を減
少さぜることができることを発見した。本発明は、かか
る発見の下になされた。
即ち、本発明はアモルファス構造の炭化シリコン半導体
に、 錫、ゲルマニウム、鉛のうち１種又は２種以上の原子を
ドーピングしたことを特徴とするアモルファス炭化シリ
コン系半導体からなる。
に、 錫、ゲルマニウム、鉛のうち１種又は２種以上の原子を
ドーピングしたことを特徴とするアモルファス炭化シリ
コン系半導体からなる。
炭素の共有結合半径は、０．７７人とシリコンの共有結
合半径１．１８人に比べて小さく、炭素シリコン間の共
有結合力は、シリコン−シリコン間の共有結合力に比べ
て大きい。よって、炭素原子の存在のため、原子構造に
、より大きな不規則性をもたらし、理想的なコンティニ
ュアスランダムネットワークｆ）ｓ ｒら遠ざかり、こ
のため局在状態密度がト昇りる。本発明者等は、シリコ
ンと同じ４族で、共有結合半径が、炭素原子と比へて大
きい池の元素、錫、ゲルマニウム、鉛の内１種又は２種
以上の原子を炭化シリコン半導イホにドーピングするこ
とにより、炭素とシリコンとの強力な結合によってもた
らされたアモルファスの不規則性を緩和し得ることを発
見した。ここで１−一ビング原子のドーピング量は、局
在状態密度を減少さＵるのに最適な量を必要とする。例
えばａ −３ｉ Ｃのタンクリングボンドによる局在ｉ
１（位密度が１０１ｑ Ｉ９゜ 〜１０ ５ｐｌｎＳ ／ｅＶ−ＣＧであることから、ビ
ー１午 １’１ ピング原子は、１０〜１０ ／Ｃｍ２であるのが良い
。原子数比で多（とも０．１％以下であり、望ましくは
、０．０１〜０．００１％である。又、前記の炭化シリ
コン半導体は、水素原子又はフッ素等のハロゲン元素に
Ｊ：って、タンクリングボンドがターミネートされてい
ることが望ましい。本発明のアモルファス炭化シリコン
系半導体の製造方法は、よく知られたグロー放電ＣＶＤ
法によって製作づることかできる。即ち、ａ−ＳＩＣは
シラン等のシリコンハイドライド＜ ｓ ｒ７Ｌ＋−＋
２７ケ、）とメタンエタン等のハイドロカーボンをプラ
ズマ分解して作成する。又、Ｓｎをドーピングづる場合
には、テトラメチルティン（Ｓｎ （ＣＨ３） ａ
）又は、スタナン＜ｓｎ Ｈ４）ガスを微量混合してプ
ラズマ分解、またはグロー放電分解する。上記ハイドロ
カーボンについては飽和脂肪族ハイドロカーボン（へＨ
２□２）、不飽和脂肪族ハイドロカーボン（エチレン、
プロピレン）、アヒチレンを使用できる。ドーピングす
る錫原子に関しては５ｎ（ＣＩ−１３）４の他にＳｎ
（Ｃ２Ｈ５）４．５ｎｉｎｓ ／ｅｖ−ｃｃの局在状
態密度を有し、真性アモルファスシリコンの局在状態密
度１０１”〜１０ｓｐｉｎｓ ／ｅｖ・ＣＣに比べて大
きなものであった。しかし、本発明のように錫、ゲルマ
ニウム、鉛等の他の４族元素の１種又は２種以上を適量
ドーピング＋４ 。
合半径１．１８人に比べて小さく、炭素シリコン間の共
有結合力は、シリコン−シリコン間の共有結合力に比べ
て大きい。よって、炭素原子の存在のため、原子構造に
、より大きな不規則性をもたらし、理想的なコンティニ
ュアスランダムネットワークｆ）ｓ ｒら遠ざかり、こ
のため局在状態密度がト昇りる。本発明者等は、シリコ
ンと同じ４族で、共有結合半径が、炭素原子と比へて大
きい池の元素、錫、ゲルマニウム、鉛の内１種又は２種
以上の原子を炭化シリコン半導イホにドーピングするこ
とにより、炭素とシリコンとの強力な結合によってもた
らされたアモルファスの不規則性を緩和し得ることを発
見した。ここで１−一ビング原子のドーピング量は、局
在状態密度を減少さＵるのに最適な量を必要とする。例
えばａ −３ｉ Ｃのタンクリングボンドによる局在ｉ
１（位密度が１０１ｑ Ｉ９゜ 〜１０ ５ｐｌｎＳ ／ｅＶ−ＣＧであることから、ビ
ー１午 １’１ ピング原子は、１０〜１０ ／Ｃｍ２であるのが良い
。原子数比で多（とも０．１％以下であり、望ましくは
、０．０１〜０．００１％である。又、前記の炭化シリ
コン半導体は、水素原子又はフッ素等のハロゲン元素に
Ｊ：って、タンクリングボンドがターミネートされてい
ることが望ましい。本発明のアモルファス炭化シリコン
系半導体の製造方法は、よく知られたグロー放電ＣＶＤ
法によって製作づることかできる。即ち、ａ−ＳＩＣは
シラン等のシリコンハイドライド＜ ｓ ｒ７Ｌ＋−＋
２７ケ、）とメタンエタン等のハイドロカーボンをプラ
ズマ分解して作成する。又、Ｓｎをドーピングづる場合
には、テトラメチルティン（Ｓｎ （ＣＨ３） ａ
）又は、スタナン＜ｓｎ Ｈ４）ガスを微量混合してプ
ラズマ分解、またはグロー放電分解する。上記ハイドロ
カーボンについては飽和脂肪族ハイドロカーボン（へＨ
２□２）、不飽和脂肪族ハイドロカーボン（エチレン、
プロピレン）、アヒチレンを使用できる。ドーピングす
る錫原子に関しては５ｎ（ＣＩ−１３）４の他にＳｎ
（Ｃ２Ｈ５）４．５ｎｉｎｓ ／ｅｖ−ｃｃの局在状
態密度を有し、真性アモルファスシリコンの局在状態密
度１０１”〜１０ｓｐｉｎｓ ／ｅｖ・ＣＣに比べて大
きなものであった。しかし、本発明のように錫、ゲルマ
ニウム、鉛等の他の４族元素の１種又は２種以上を適量
ドーピング＋４ 。
すれば局在状態密度を１０ ５ｐａｎｓ ／ｅｖｃｃに
減少させることができた。このため、本発明のアモルフ
ァス炭化シリコン系半導体素子を用いて製作した太陽電
池は高効率のものが得られた。即ち、開放電圧をＶｏｃ
、短絡電流を■ＳＣとづれぽ、３ｍＷの蛍光燈下におい
て、Ｖｏｃ＝ ７００１ｎ Ｖ、１ｓｃ＝６０μＡ／ｃ
ｍ２、ＡＭ１太陽光下におイＴ Ｇ、Ｊｌ、Ｖｏｃ＝９
００ｍ Ｖ、 Ｉ ｓｃ＝ １６ｍ△／Ｃ１１１２テあ
り、変換効率８．０８％であった。又、アモルファス薄
膜ＦＥＴに使用することもでき、これを用い／ｊＦ Ｅ
’１−を試作したところオン、オフ比が１０′７以上
のものが得られた。
減少させることができた。このため、本発明のアモルフ
ァス炭化シリコン系半導体素子を用いて製作した太陽電
池は高効率のものが得られた。即ち、開放電圧をＶｏｃ
、短絡電流を■ＳＣとづれぽ、３ｍＷの蛍光燈下におい
て、Ｖｏｃ＝ ７００１ｎ Ｖ、１ｓｃ＝６０μＡ／ｃ
ｍ２、ＡＭ１太陽光下におイＴ Ｇ、Ｊｌ、Ｖｏｃ＝９
００ｍ Ｖ、 Ｉ ｓｃ＝ １６ｍ△／Ｃ１１１２テあ
り、変換効率８．０８％であった。又、アモルファス薄
膜ＦＥＴに使用することもでき、これを用い／ｊＦ Ｅ
’１−を試作したところオン、オフ比が１０′７以上
のものが得られた。
実施例
本実施例は錫元素をドーピングしたａ−８ＩＣ半導体実
施例である。
施例である。
本実施例では基板ガラス上にアモルファス炭化シリコン
系半導体から成る薄膜を形成したものである。用いた材
料は、シランカス（Ｓｉｔ−Ｉ４）、メタンガス（ＣＨ
４）、テトラメチルティン（Ｓｎ （Ｃｆ−Ｉ３）
４ ）ガスを用いた。混合カスの比率はＳｉ Ｈａ ：
ＣＨａ＝６５：３５とし、ドーピング原子として錫（Ｓ
ｎ ）を選び、テトラメチルディン（Ｓｎ （ＣＨ３
）ａをモル比で１０−２〜１Ｏ−３までの範囲で各種ド
ーピングした試料を作成した。又、この混合ガスはアル
ゴン又は水素ガスで１０倍に稀釈され、その他の条件は
、流ａ３０〜５ Ｑ ＳＣＣｍ、内圧０．３〜０．５Ｔ
ｏｒｒ 、基板温度２００〜３００℃、ＲＦ電力１０〜
２０ワット（電力密度０．０１４〜０．０２８Ｗ／ｃｍ
２）である。この様な条件のプラズマＣＶＤ法によって
薄膜状のアモルファス炭化シリコン系半導体を作成した
。
系半導体から成る薄膜を形成したものである。用いた材
料は、シランカス（Ｓｉｔ−Ｉ４）、メタンガス（ＣＨ
４）、テトラメチルティン（Ｓｎ （Ｃｆ−Ｉ３）
４ ）ガスを用いた。混合カスの比率はＳｉ Ｈａ ：
ＣＨａ＝６５：３５とし、ドーピング原子として錫（Ｓ
ｎ ）を選び、テトラメチルディン（Ｓｎ （ＣＨ３
）ａをモル比で１０−２〜１Ｏ−３までの範囲で各種ド
ーピングした試料を作成した。又、この混合ガスはアル
ゴン又は水素ガスで１０倍に稀釈され、その他の条件は
、流ａ３０〜５ Ｑ ＳＣＣｍ、内圧０．３〜０．５Ｔ
ｏｒｒ 、基板温度２００〜３００℃、ＲＦ電力１０〜
２０ワット（電力密度０．０１４〜０．０２８Ｗ／ｃｍ
２）である。この様な条件のプラズマＣＶＤ法によって
薄膜状のアモルファス炭化シリコン系半導体を作成した
。
その試料について局在状態密度を測定した結果を第１図
に示す。このグラフから明らかなように真正アモルファ
ス炭化シリコン系半導体は、１０１９桁の局在状態密度
を有しているが、錫をドーピングするに従って局在状態
密度は減少し、最小値１６゜ １Ｑ ５ｐｌｎＳ ／ｅｖ−ｃｃを記録した後、局在
状態密度は上昇する。このことから錫がドーピングされ
ることにより、共有結合力の大きな炭素原子の効果に基
づく結晶構造の不規則性が錫元素の僅かな混入により緩
和されたものと思われる。このグラフから錫の添加割合
は１０−６〜１０−５が最も望ましいことが分った。こ
の１「１の１〜−ピンク用に１６ ・ 対して局在状態密度は１０ ５ｐ１ｎｓ ／ｅｖ−ｃｃ
ど、ドーピングしないものに比べて約１１（Ｊ以」−減
少りることができた。
に示す。このグラフから明らかなように真正アモルファ
ス炭化シリコン系半導体は、１０１９桁の局在状態密度
を有しているが、錫をドーピングするに従って局在状態
密度は減少し、最小値１６゜ １Ｑ ５ｐｌｎＳ ／ｅｖ−ｃｃを記録した後、局在
状態密度は上昇する。このことから錫がドーピングされ
ることにより、共有結合力の大きな炭素原子の効果に基
づく結晶構造の不規則性が錫元素の僅かな混入により緩
和されたものと思われる。このグラフから錫の添加割合
は１０−６〜１０−５が最も望ましいことが分った。こ
の１「１の１〜−ピンク用に１６ ・ 対して局在状態密度は１０ ５ｐ１ｎｓ ／ｅｖ−ｃｃ
ど、ドーピングしないものに比べて約１１（Ｊ以」−減
少りることができた。
第２実施例
第２実施例はアモルファス炭化シリ−」ン系半導体を用
いて薄膜形状に構成した太陽電池に関づるものである。
いて薄膜形状に構成した太陽電池に関づるものである。
そのアモルファス太陽電池の４Ｍ成断面図を第２図に示
す。厚さ２００〜５００μｍのステンレスＳＵＳ基板２
の上にアモルフシ・ス人陽電ｉ′Ｉ！！層をＮ型、Ｉ型
、Ｐ型と堆積形成した。その上には透明導電膜（１王０
）１０が１０００人員空蒸着によって形成されている。
す。厚さ２００〜５００μｍのステンレスＳＵＳ基板２
の上にアモルフシ・ス人陽電ｉ′Ｉ！！層をＮ型、Ｉ型
、Ｐ型と堆積形成した。その上には透明導電膜（１王０
）１０が１０００人員空蒸着によって形成されている。
アモルファス半導体層のＪ「積はプラズマＣＶＤ法によ
った。１３゜５６ Ｍ ｆ−（ｚの高周波放電によりＱ
、１〜１ＬＯ１’ｒの内圧のもとで行なわれた。Ｎ型
半導体層４にはアモルファスシリコンに燐をドーピング
してＮ型に形成したものである。即ち、成分比は５ｉｔ
−１４：ＢＨ３＝１００：０．５〜３で、前実施例と同
様な条件で厚さ３００〜５００人に作成した。
った。１３゜５６ Ｍ ｆ−（ｚの高周波放電によりＱ
、１〜１ＬＯ１’ｒの内圧のもとで行なわれた。Ｎ型
半導体層４にはアモルファスシリコンに燐をドーピング
してＮ型に形成したものである。即ち、成分比は５ｉｔ
−１４：ＢＨ３＝１００：０．５〜３で、前実施例と同
様な条件で厚さ３００〜５００人に作成した。
次に、１型半導体層６はシランＳｉｚトＩｓを同じにう
にプラズマＣＶＤ法によって５０００〜７０００人堆積
させて形成した。さらに、Ｐ型半導体層８を本発明のア
モルファスシリコンティンカーバイド（ａ −８ｔ Ｓ
ｎ Ｃ： Ｈ）で２０００〜４０００人の厚さに構成し
た。この層の形成にはＳｉ ｔｌ ４ ：
ＣＨ４： ３ｎ （ＣＨ３） ４ 〜０．
３ 〜０゜９７：０．８〜０．０３＋１０−’ 〜１
ｄｌ （７）範囲で各種ｊｆＩ積したものを製作した。
にプラズマＣＶＤ法によって５０００〜７０００人堆積
させて形成した。さらに、Ｐ型半導体層８を本発明のア
モルファスシリコンティンカーバイド（ａ −８ｔ Ｓ
ｎ Ｃ： Ｈ）で２０００〜４０００人の厚さに構成し
た。この層の形成にはＳｉ ｔｌ ４ ：
ＣＨ４： ３ｎ （ＣＨ３） ４ 〜０．
３ 〜０゜９７：０．８〜０．０３＋１０−’ 〜１
ｄｌ （７）範囲で各種ｊｆＩ積したものを製作した。
そして、Ｐ型にづるために８２Ｈｓのガスを全体の量に
対して０．０２〜１％混入してドーピングした。
対して０．０２〜１％混入してドーピングした。
これらの条件で作成した結果、５ｉｔ−１４：０Ｍ４〜
０．６５：０．３５でジボランのドープ徂０゜１％、５
ｎ（ＣＨ３）ａのドープａｌｏ−６とした時太陽電池の
素子性能を測定した結果、３ｍＷ螢光燈を照射した場合
の開放起電力は７００ｍ Ｖ。
０．６５：０．３５でジボランのドープ徂０゜１％、５
ｎ（ＣＨ３）ａのドープａｌｏ−６とした時太陽電池の
素子性能を測定した結果、３ｍＷ螢光燈を照射した場合
の開放起電力は７００ｍ Ｖ。
短絡電流Ｇ；＆６０ｍＡ／ｃｎｕであった、又、ＦＦ＝
６０％、ＡＭｌの太陽光の照射にａ′３いては解放電圧
が０．９Ｖ、短絡電流は１６ ｍ Ａ ／’ｃｍ２テあ
り、変換効率にＪ′３いて８．０８％という高効率のも
のが得られた。
６０％、ＡＭｌの太陽光の照射にａ′３いては解放電圧
が０．９Ｖ、短絡電流は１６ ｍ Ａ ／’ｃｍ２テあ
り、変換効率にＪ′３いて８．０８％という高効率のも
のが得られた。
第１図は錫のドーピング量に対するａ−３ｉ Ｃ：Ｈの
局在状態密度の測定結果をグラフに表したものである。 第２図は本発明の実施例に係る太陽電池の構成を示した
構成図である。 ２・・・ステンレス基板 ４・・・Ｎ型半導体層６・
・・Ｉ型半導体層 ８・・・Ｐ型半導体層１０・・
・透明導電膜層 特許出願人 日本電装株式会礼 代理人 弁理士 大川穴 同 弁理士 藤谷修 同 弁理士 丸山明夫
局在状態密度の測定結果をグラフに表したものである。 第２図は本発明の実施例に係る太陽電池の構成を示した
構成図である。 ２・・・ステンレス基板 ４・・・Ｎ型半導体層６・
・・Ｉ型半導体層 ８・・・Ｐ型半導体層１０・・
・透明導電膜層 特許出願人 日本電装株式会礼 代理人 弁理士 大川穴 同 弁理士 藤谷修 同 弁理士 丸山明夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〈１）′アモルファス構造の炭化シリコン半導体に、 錫、ゲルマニウム、鉛のうち１種又は２種以上の原子を
ドーピングしたことを特徴とするアモルファス炭化シリ
コン系半導体。 （２）前記ドーピング原子の量は、原子数比で、多くと
も、０．１％であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のアモルファス炭化シリコン系半導体。 （３）前記炭化シリコン半導体は、水素又は、ハロゲン
元素のうち、少なくとも１種以上の元素により、ダング
リングボンドがターミネートされていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のアモルファス
炭化シリコン系半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073610A JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073610A JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198780A true JPS59198780A (ja) | 1984-11-10 |
| JPH0614553B2 JPH0614553B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13523271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073610A Expired - Lifetime JPH0614553B2 (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルファス炭化シリコン系半導体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614553B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762571A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solar battery |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073610A patent/JPH0614553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
| JPS5762571A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solar battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0614553B2 (ja) | 1994-02-23 |
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