JPS59200438A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59200438A JPS59200438A JP58073961A JP7396183A JPS59200438A JP S59200438 A JPS59200438 A JP S59200438A JP 58073961 A JP58073961 A JP 58073961A JP 7396183 A JP7396183 A JP 7396183A JP S59200438 A JPS59200438 A JP S59200438A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- semiconductor
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- completely
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01331—Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
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- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、半導体ウェハを完全切断した後にＢステー
ジ硬化タイプのダイスボンド樹脂を印刷供給し、加熱硬
化させた後、ポイントスクライバで個別のチップに分割
するようにした半導体装置の製造方法に関する。
ジ硬化タイプのダイスボンド樹脂を印刷供給し、加熱硬
化させた後、ポイントスクライバで個別のチップに分割
するようにした半導体装置の製造方法に関する。
（従来技術）
従来のＢステーソ硬化タイプ樹脂の供給と半導体チップ
の完全切断方法を第１図について説明する。この第１図
は断面図であシ、まず、半導体ウェハを支持板に固定す
るため支持板１３（たとえばシリコンウェハ）′ｔ−加
熱し、接着剤１２（たとえばワックス）を溶かして半導
体ウェハを支持板に固着させる。
の完全切断方法を第１図について説明する。この第１図
は断面図であシ、まず、半導体ウェハを支持板に固定す
るため支持板１３（たとえばシリコンウェハ）′ｔ−加
熱し、接着剤１２（たとえばワックス）を溶かして半導
体ウェハを支持板に固着させる。
次に、これをグイシングツ−を用い、切り込み深さが支
持板に届くまで入れて完全切断を行い、その後再び支持
板１３を加熱して接着剤１２を溶融させて分割した半導
体チップ１１を支持板１３から分離させる。
持板に届くまで入れて完全切断を行い、その後再び支持
板１３を加熱して接着剤１２を溶融させて分割した半導
体チップ１１を支持板１３から分離させる。
次に、この半導体チップｉｉに付着した接着剤１２ｔ−
洗浄するために、半導体チップ１１を有機溶媒（たとえ
ばトリクレン）でボイリンダ洗浄ヲ行う。
洗浄するために、半導体チップ１１を有機溶媒（たとえ
ばトリクレン）でボイリンダ洗浄ヲ行う。
次に、第２図（ａ）（平面図）、第２図（ｂ）（第２図
（ａ）の断面図）に示すように、完全に分割した半導体
チップ２１をトレイ２２の中に並べてスクリーン印刷手
段でＢステージターイブ樹脂を半導体チップ２１の裏面
に供給し、１００ ℃Ｘ３０分の加熱処理を施してダイ
スがンド樹脂の仮硬化が完了し、半導体チップ２１をダ
イスボンディング工程へ進めることができる。
（ａ）の断面図）に示すように、完全に分割した半導体
チップ２１をトレイ２２の中に並べてスクリーン印刷手
段でＢステージターイブ樹脂を半導体チップ２１の裏面
に供給し、１００ ℃Ｘ３０分の加熱処理を施してダイ
スがンド樹脂の仮硬化が完了し、半導体チップ２１をダ
イスボンディング工程へ進めることができる。
上記説明のように従来の方法では、ウェハから半導体チ
ップに完全切断してから個別に半導体チップに樹脂を印
刷供給するため、（１）、切断後のチップの取ｐ外し、
（２）、洗浄、（３）、樹脂の印刷時にバラバラになっ
た半導体チップを取シ扱うために。
ップに完全切断してから個別に半導体チップに樹脂を印
刷供給するため、（１）、切断後のチップの取ｐ外し、
（２）、洗浄、（３）、樹脂の印刷時にバラバラになっ
た半導体チップを取シ扱うために。
ハンドリング性が悪くかつ工数がかかるという欠点があ
った。
った。
また、ウェハ段階でＢステージタイプ樹脂を印刷供給し
、１００℃×３０分の加熱処理を施しＢステージ化した
後ワックスを介して支持板に接着し、ダイシンダン−で
完全切断した後加熱して支持板からウェハはずして接着
剤洗浄を行うため、有機溶媒でボーイリングすると、Ｂ
ステージ樹脂が加熱溶剤に溶解されてダイスボンディン
グが不可能となる欠点があった。
、１００℃×３０分の加熱処理を施しＢステージ化した
後ワックスを介して支持板に接着し、ダイシンダン−で
完全切断した後加熱して支持板からウェハはずして接着
剤洗浄を行うため、有機溶媒でボーイリングすると、Ｂ
ステージ樹脂が加熱溶剤に溶解されてダイスボンディン
グが不可能となる欠点があった。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、高精度なダイシングと効率のよいダイスボンデ
ィンダ用樹脂の供給が可能となシ、高精度なマルチチッ
プモジュールの組立に広く利用することができる半導体
装置の製造方法全提供することを目的とする。
もので、高精度なダイシングと効率のよいダイスボンデ
ィンダ用樹脂の供給が可能となシ、高精度なマルチチッ
プモジュールの組立に広く利用することができる半導体
装置の製造方法全提供することを目的とする。
（発明の構成）
この発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハを一
方向のみ平行に完全切断して分割した後、Ｂステージ硬
化タイプのダイスボンド樹脂をこの分割した半導体ウェ
ハの裏面に印刷法で供給するとともに加熱硬化させ、ポ
イントスクライバで完全切断ラインと直交する方向に切
断ハツチを入れて所定の個別の半導体チップに分割する
ようにしたものである。
方向のみ平行に完全切断して分割した後、Ｂステージ硬
化タイプのダイスボンド樹脂をこの分割した半導体ウェ
ハの裏面に印刷法で供給するとともに加熱硬化させ、ポ
イントスクライバで完全切断ラインと直交する方向に切
断ハツチを入れて所定の個別の半導体チップに分割する
ようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明の半導体装置の製造方法の実施例につい
て図面に基づき説明する。第３図および第４図はその一
実施例を説明するための図である。
て図面に基づき説明する。第３図および第４図はその一
実施例を説明するための図である。
まず第３図（ａ）は平面図であシ、第３図市フは第３図
（ａ）の断面図である。
（ａ）の断面図である。
この第３図（ａ）、第３図（ｂ）の両図において、３１
は半導体ウェハ、３２はワックス、３３は支持板、３４
は完全切断ラインである。
は半導体ウェハ、３２はワックス、３３は支持板、３４
は完全切断ラインである。
まず、半導体ウェハ３１を支持板３３にワックス３２を
介して固着させ、ダイシングソーで半導体ウェハ３１を
一方向のみ完全切断を行う。
介して固着させ、ダイシングソーで半導体ウェハ３１を
一方向のみ完全切断を行う。
次に、半導体ウェハ３１を支持板３１から加熱しながら
外し、有機溶媒のポイリンダ（トリクレン）などでワッ
クス３２の洗浄を行う。
外し、有機溶媒のポイリンダ（トリクレン）などでワッ
クス３２の洗浄を行う。
次に第４図（ａ）（平面図）に示すように、完全切断さ
れた半導体ウェハ４１の義面に第４図（ｂ）（第４図（
ａ）の正面図）に示すようにＢステージ硬化タイプのダ
イスボンド樹脂４２をスクリーン印刷で供給し、ｉｏｏ
℃Ｘ３０分程度の加熱処理を行うと、このＢステージ硬
化タイプのダイスボンド樹脂４２がＢステージ硬化して
固体状となる。そして、この半導体ウェハ４１をポイン
トスクライバで切断用ハツチを入れて所定のチップサイ
ズに分割することができる。
れた半導体ウェハ４１の義面に第４図（ｂ）（第４図（
ａ）の正面図）に示すようにＢステージ硬化タイプのダ
イスボンド樹脂４２をスクリーン印刷で供給し、ｉｏｏ
℃Ｘ３０分程度の加熱処理を行うと、このＢステージ硬
化タイプのダイスボンド樹脂４２がＢステージ硬化して
固体状となる。そして、この半導体ウェハ４１をポイン
トスクライバで切断用ハツチを入れて所定のチップサイ
ズに分割することができる。
以上説明したように、この実施例では、半導体チップの
寸法精度の必要な端面はグイシングツ−によシ精密完全
切断を行いその後、Ｂステージ硬化タイプのダイスボン
ド樹脂４２を印刷供給し、加熱Ｂステージ硬化後、ポイ
ントスクライバにょシ所定のチップサイズに分割する方
法であるため、完全切断後の半導体の取シ外し、洗浄お
よび樹脂印刷供給がウェハレベルで行なえるため、チッ
プ単位の作業に比べて、ハンドリング性がよくなシ、ま
た各作業工数の大幅な削減が計れるという利点がある。
寸法精度の必要な端面はグイシングツ−によシ精密完全
切断を行いその後、Ｂステージ硬化タイプのダイスボン
ド樹脂４２を印刷供給し、加熱Ｂステージ硬化後、ポイ
ントスクライバにょシ所定のチップサイズに分割する方
法であるため、完全切断後の半導体の取シ外し、洗浄お
よび樹脂印刷供給がウェハレベルで行なえるため、チッ
プ単位の作業に比べて、ハンドリング性がよくなシ、ま
た各作業工数の大幅な削減が計れるという利点がある。
さらに、接着剤などの洗浄の後にＢステージ硬化タイプ
のダイスボンド樹脂４２の印刷が行なわれるため、樹脂
が溶解し、ダイスボンドが不可能になるという欠点は全
くとシ除かれる。
のダイスボンド樹脂４２の印刷が行なわれるため、樹脂
が溶解し、ダイスボンドが不可能になるという欠点は全
くとシ除かれる。
（発明の効果）
以上のように、この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体ウェハを完全切断した後、Ｂステージ硬化タ
イプ樹脂を分割した半導体ウェハの裏面に印刷法で供給
し加熱硬化させた後、ポイントスクライバで個別の半導
体チップに分割するようにしたので、ハンドリング性が
よくなるとともに、高精度なダイシングと効率のよいダ
イスボンデインダ用樹脂の供給が可能である。これにと
もない、高精度なマ、ルチチツプモソユールの組立に広
く利用することができる。
ば、半導体ウェハを完全切断した後、Ｂステージ硬化タ
イプ樹脂を分割した半導体ウェハの裏面に印刷法で供給
し加熱硬化させた後、ポイントスクライバで個別の半導
体チップに分割するようにしたので、ハンドリング性が
よくなるとともに、高精度なダイシングと効率のよいダ
イスボンデインダ用樹脂の供給が可能である。これにと
もない、高精度なマ、ルチチツプモソユールの組立に広
く利用することができる。
第１図は従来のダイシング方法を説明するための図、第
２図（ａ）は従来のダイスボンド用樹脂の供給方法を説
明するための平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の断
面図、第３図（ａ）はこの発明の半導体装置の製造方法
の一実施例に適用するダイシング方法を説明するための
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の断面図、第４図
（ａ）は同上半導体装置の製造方法に適用されるスクラ
イビング方法を説明するための図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）の正面図である。 ３１・・・半導体ウェハ、３２・・・ワックス、３３・
・・支持板、３４・・・完全切断ライン、４１・・・ス
クライブされたチップ、４２・・・Ｂステージ硬化タイ
プのダイスボンド樹脂。 第１図 第２図 ２ 第３図 ス４ 第４図
２図（ａ）は従来のダイスボンド用樹脂の供給方法を説
明するための平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の断
面図、第３図（ａ）はこの発明の半導体装置の製造方法
の一実施例に適用するダイシング方法を説明するための
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の断面図、第４図
（ａ）は同上半導体装置の製造方法に適用されるスクラ
イビング方法を説明するための図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）の正面図である。 ３１・・・半導体ウェハ、３２・・・ワックス、３３・
・・支持板、３４・・・完全切断ライン、４１・・・ス
クライブされたチップ、４２・・・Ｂステージ硬化タイ
プのダイスボンド樹脂。 第１図 第２図 ２ 第３図 ス４ 第４図
Claims (1)
- 半導体ウェハを一方向のみ平行に完全切断した後、Ｂス
テージ硬化タイプのダイスボンド樹脂を分割した半導体
ウェハの裏面に印刷し、加熱硬化させた後ポイントスク
ライバで完全切断ラインと直交する方向に切断ハツチを
入れて所定のチップに分割することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073961A JPS59200438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073961A JPS59200438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200438A true JPS59200438A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13533179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073961A Pending JPS59200438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200438A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2748350A1 (fr) * | 1996-05-06 | 1997-11-07 | Solaic Sa | Composant electronique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication |
| EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
| CN102225599A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-10-26 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933908A (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-28 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58073961A patent/JPS59200438A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933908A (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-28 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
| FR2748350A1 (fr) * | 1996-05-06 | 1997-11-07 | Solaic Sa | Composant electronique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication |
| WO1997042657A1 (fr) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Solaic | Composant electrique sous forme de circuit integre pour insertion a chaud dans un substrat et procedes pour sa fabrication |
| CN102225599A (zh) * | 2011-04-25 | 2011-10-26 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 一种多晶硅锭与托盘的粘接方法 |
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