JPS6035531A - 半導体チップの製作方法 - Google Patents
半導体チップの製作方法Info
- Publication number
- JPS6035531A JPS6035531A JP58144666A JP14466683A JPS6035531A JP S6035531 A JPS6035531 A JP S6035531A JP 58144666 A JP58144666 A JP 58144666A JP 14466683 A JP14466683 A JP 14466683A JP S6035531 A JPS6035531 A JP S6035531A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor
- semiconductor chips
- base substrate
- semiconductor wafer
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体ウェハから効率良く半導体チンプを得る
ための半導体チップの製作方法に関する。
ための半導体チップの製作方法に関する。
（従来技術の説明）
先ず、従来の半導体チップの完全切断方法と、ダイスポ
ンディング用Ｂステージ硬化タイプの樹脂の供給方法に
つき、第１図及び第２図（ａ）及び（ｂ）に治って説明
する。
ンディング用Ｂステージ硬化タイプの樹脂の供給方法に
つき、第１図及び第２図（ａ）及び（ｂ）に治って説明
する。
この第１ＩΔは断面図であり、先ず、半導体ウェハを支
持板に固定するため支持板１３（例えばシリコンウェハ
）を加熱し、接着剤１２（例えばワックス）を溶かして
半導体ウェハを支持板１３に固着させる。
持板に固定するため支持板１３（例えばシリコンウェハ
）を加熱し、接着剤１２（例えばワックス）を溶かして
半導体ウェハを支持板１３に固着させる。
次に、これをグイシングツ−を用い、切り込み深さが支
持板１３に届くまで入れて完全切断を行い、その後再び
支持板１３を加熱して接着剤１２を溶融させて分割した
チップ１１を支持板１３から分離させる。次に、この半
導体チップ１１に刺着した接着剤１２を洗浄するために
、半導体チップＩＩを有機溶媒（例えばトリクレン）で
ボイリング洗浄を行う。次に、第２図（ａ）（平面図）
及び第２図（ｂ）（第２図の側面図）に示すように、完
全に分割した半導体チンプ２１をトレイ２２の中に並べ
てスクリーン印刷手段でＢステージタイプ樹脂を半導体
チップ２１の裏面に供給し、１００’０Ｘ３０分の加熱
処理を施してダイスポンド樹脂の仮硬化を完了させ、よ
って、半導体チップ２１をダイスポンディング工程へ進
めることができる。
持板１３に届くまで入れて完全切断を行い、その後再び
支持板１３を加熱して接着剤１２を溶融させて分割した
チップ１１を支持板１３から分離させる。次に、この半
導体チップ１１に刺着した接着剤１２を洗浄するために
、半導体チップＩＩを有機溶媒（例えばトリクレン）で
ボイリング洗浄を行う。次に、第２図（ａ）（平面図）
及び第２図（ｂ）（第２図の側面図）に示すように、完
全に分割した半導体チンプ２１をトレイ２２の中に並べ
てスクリーン印刷手段でＢステージタイプ樹脂を半導体
チップ２１の裏面に供給し、１００’０Ｘ３０分の加熱
処理を施してダイスポンド樹脂の仮硬化を完了させ、よ
って、半導体チップ２１をダイスポンディング工程へ進
めることができる。
このように、従来の方法では、ウェハから半導体チップ
に完全に切断してから個別に半導体チップに樹脂を印刷
供給するため、（１）切断後のチップの取外し、（２）
洗浄、（３）樹脂の印刷の各々の際に、バラバラになっ
た半導体チップを取り扱うこととなり、これがため、ハ
ンドリング性が悪くかつ工数がかかり、製作効率が悪い
という欠点があった。
に完全に切断してから個別に半導体チップに樹脂を印刷
供給するため、（１）切断後のチップの取外し、（２）
洗浄、（３）樹脂の印刷の各々の際に、バラバラになっ
た半導体チップを取り扱うこととなり、これがため、ハ
ンドリング性が悪くかつ工数がかかり、製作効率が悪い
という欠点があった。
また、ウェハ段階でＢステージタイプ樹脂を印刷供給し
、１００℃Ｘ３０分の加熱処理を施してＢステージ化し
た後、ワックスを介して支持板に接着し、次いで、グイ
シングツ−でゝｒ、導体ウェハに切り込みを行ったのち
に加熱して支持板からウェハをはずし、然る後、有機溶
媒でボイリングして接着剤の洗浄を行っているため、Ｂ
ステージが加熱溶剤に溶解されるというダメージを受け
、ダイスボンディングが不可能となる欠点があった。
、１００℃Ｘ３０分の加熱処理を施してＢステージ化し
た後、ワックスを介して支持板に接着し、次いで、グイ
シングツ−でゝｒ、導体ウェハに切り込みを行ったのち
に加熱して支持板からウェハをはずし、然る後、有機溶
媒でボイリングして接着剤の洗浄を行っているため、Ｂ
ステージが加熱溶剤に溶解されるというダメージを受け
、ダイスボンディングが不可能となる欠点があった。
（発明の目的）
本発明はこのような従来方法の欠点を除去するために成
されたもので、従って本発明の目的は効率良くかつ高精
度で半導体チップを製作できる方法を提供するにある。
されたもので、従って本発明の目的は効率良くかつ高精
度で半導体チップを製作できる方法を提供するにある。
（発明の構成）
この１］的の達成を図るため、本発明の半導体チップの
製作方法によれば、半導体ウェハの裏面にＢステージ硬
化タイプの樹脂を塗４１シてこれを加熱硬化した後、こ
の半導体ウェハを水溶性接着剤を介してベース基板に固
着し、然るのち少なくともこの半導体ウェハ及び樹脂に
対し半導体チップに分割するための切り込みを入れ、次
に、このベース基板とこれに固着されている半導体ウェ
ハとの全体を水中に入れて半導体チップをベース基板か
ら分離さて所定の個別の半導体チップに分割するこを特
徴とする。
製作方法によれば、半導体ウェハの裏面にＢステージ硬
化タイプの樹脂を塗４１シてこれを加熱硬化した後、こ
の半導体ウェハを水溶性接着剤を介してベース基板に固
着し、然るのち少なくともこの半導体ウェハ及び樹脂に
対し半導体チップに分割するための切り込みを入れ、次
に、このベース基板とこれに固着されている半導体ウェ
ハとの全体を水中に入れて半導体チップをベース基板か
ら分離さて所定の個別の半導体チップに分割するこを特
徴とする。
（実施例の説明）
以下、第３図（ａ）〜（ｅ）基づいて本発明の実施例に
つき説明する。第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の詳細な
説明するための製作工程図であって、夫々各製作段階で
の状態を断面図で示しであるが、本発明が理解できる程
度に概略的に示しであるにすぎない。
つき説明する。第３図（ａ）〜（ｅ）は本発明の詳細な
説明するための製作工程図であって、夫々各製作段階で
の状態を断面図で示しであるが、本発明が理解できる程
度に概略的に示しであるにすぎない。
先ず、第１図（ａ）に示すように、゛１６１６中ェハ３
１の裏面にＢステージ硬化タイプの樹脂３２を印刷’４
１１３ した後これを、例えば、約１００℃の温度で約
３０分間加熱処理して仮硬化される。次に、第２図（ｂ
）に示すように、この樹脂付き半導体ウェハ３１を水溶
性接着剤３３を介して樹脂３２側をベース基板３４、例
えば、シリコンウェハに接着し、例工ば。
１の裏面にＢステージ硬化タイプの樹脂３２を印刷’４
１１３ した後これを、例えば、約１００℃の温度で約
３０分間加熱処理して仮硬化される。次に、第２図（ｂ
）に示すように、この樹脂付き半導体ウェハ３１を水溶
性接着剤３３を介して樹脂３２側をベース基板３４、例
えば、シリコンウェハに接着し、例工ば。
約８０°Ｃの温度で約３０分間加熱処理して固定する。
次に、第３図（ｃ）に示すように、グイシングツ−で半
導体ウェハ３１． Ｂステージ硬化樹脂３２及び水溶性
接着剤３３に崖導体チップ３５に分割するための切り込
み３６を入れ、これらを完全に切断する。この段階では
各半導体チップ３５は末だベース基板３４に固定されて
いる。
導体ウェハ３１． Ｂステージ硬化樹脂３２及び水溶性
接着剤３３に崖導体チップ３５に分割するための切り込
み３６を入れ、これらを完全に切断する。この段階では
各半導体チップ３５は末だベース基板３４に固定されて
いる。
次に、この状態の半導体ウェハ３１及びベース基板３４
の組立体全体を、第３図（ｄ）に示す、ように。
の組立体全体を、第３図（ｄ）に示す、ように。
容器３７中の水３８、例えば、純水中に侵漬して、例え
ば、約１２〜２４時間に亘って放置する。
ば、約１２〜２４時間に亘って放置する。
このようにすれば、第３図（ｅ）に示すように、Ｂステ
ージ硬化樹脂イ１きの個別の半導体チップ３５が得られ
る。
ージ硬化樹脂イ１きの個別の半導体チップ３５が得られ
る。
（発明の効果）
上述したところから明らかなように、本発明による半導
体チップの製作方法によれば、半導体ウェハの表面にＢ
ステージ硬化タイプ樹脂を塗布してこれを加熱硬化させ
、次いで、これを水溶性接着剤を介してベース基板に固
定し、然る後、半導体チップに分割するため少なくとも
半導体ウェハ及び硬化樹脂に切り込みを入れてこれを水
中に入れ、よって、個別の半導体チップに分割するよう
に成したのであるから、チンプに対するＢステージ・硬
化タイプ樹脂の供給をウェハレベルで行え、これがため
、従来のチップ単位の作業に比べてハンドリング性が極
めて良くなると共に各作業工数の大幅な削減が計れ、従
って、半導体チップの製作効率が著しく向上するという
利点がある。
体チップの製作方法によれば、半導体ウェハの表面にＢ
ステージ硬化タイプ樹脂を塗布してこれを加熱硬化させ
、次いで、これを水溶性接着剤を介してベース基板に固
定し、然る後、半導体チップに分割するため少なくとも
半導体ウェハ及び硬化樹脂に切り込みを入れてこれを水
中に入れ、よって、個別の半導体チップに分割するよう
に成したのであるから、チンプに対するＢステージ・硬
化タイプ樹脂の供給をウェハレベルで行え、これがため
、従来のチップ単位の作業に比べてハンドリング性が極
めて良くなると共に各作業工数の大幅な削減が計れ、従
って、半導体チップの製作効率が著しく向上するという
利点がある。
また、チップとペース基板との固着を水溶性接着剤を用
いて行っているので、従来のような有機溶媒を用いたボ
イリングによらずして、水中でチップの分離が行え、こ
れがため、Ｂステージ硬化樹脂が溶解したりしてチップ
がダメージを受る恐れが無いという利点がある。
いて行っているので、従来のような有機溶媒を用いたボ
イリングによらずして、水中でチップの分離が行え、こ
れがため、Ｂステージ硬化樹脂が溶解したりしてチップ
がダメージを受る恐れが無いという利点がある。
また、本発明によれば、高精度なグイシングが可能とな
り、また、半導体チップ形成後のダイスポンディングの
作業工程に対するチップ取り扱い作業も簡単かつ容易と
なる。
り、また、半導体チップ形成後のダイスポンディングの
作業工程に対するチップ取り扱い作業も簡単かつ容易と
なる。
本発明はこのような利点を有するので、高精度なマルチ
ンプモジュールの組立に広く利用することが出来る。
ンプモジュールの組立に広く利用することが出来る。
第１図及び第２図（ａ）及び（ｂ）は従来の半導体チッ
プの製作方法を説明するための線図、第３図（ａ）〜（
ｅ）は本発明の半導体チップの製作方法の一実施例を説
明するための製作工程図である。 ３１・・・半導体ウェハ ３２・・・Ｂステージ硬化タイプ樹脂 ３３・・・水溶性接着剤 ３４・・・ベース基板３５・
・・半導体チップ ３６・・・切り込み３７・・・容器
３８・・・水。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 Ｌ！ 第２図 第３図 （ｅ） ５
プの製作方法を説明するための線図、第３図（ａ）〜（
ｅ）は本発明の半導体チップの製作方法の一実施例を説
明するための製作工程図である。 ３１・・・半導体ウェハ ３２・・・Ｂステージ硬化タイプ樹脂 ３３・・・水溶性接着剤 ３４・・・ベース基板３５・
・・半導体チップ ３６・・・切り込み３７・・・容器
３８・・・水。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 Ｌ！ 第２図 第３図 （ｅ） ５
Claims (1)
- 半導体ウェハの裏面にＢステージ硬化タイプの樹脂を塗
布し、該樹脂を加熱硬化した後前記半導体ウェハを水溶
性接着剤を介してベース基板に固着し、然るのち少なく
とも前記半導体ウェハ及び前記樹脂を半導体チップに分
割するための切り込みを入れ、次に、前記ベース基板と
これに固着されている半導体ウェハとの全体を水中に入
れて前記半導体チップを前記ベース基板から分離させる
こを特徴とする半導体チップの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144666A JPS6035531A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 半導体チップの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144666A JPS6035531A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 半導体チップの製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035531A true JPS6035531A (ja) | 1985-02-23 |
| JPH0342506B2 JPH0342506B2 (ja) | 1991-06-27 |
Family
ID=15367401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144666A Granted JPS6035531A (ja) | 1983-08-06 | 1983-08-06 | 半導体チップの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035531A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358590A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-25 | Sony Corporation | Method of manufacturing individual element arrays |
| JPH0828221A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Korea Inst Of Mach & Metals | ２−行程エンジンの掃気向上のための掃気調節機構 |
| EP0715341A1 (en) | 1994-11-29 | 1996-06-05 | LINTEC Corporation | Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet |
| JP2003532291A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 半導体装置における導電性塗料の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917965A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-16 |
-
1983
- 1983-08-06 JP JP58144666A patent/JPS6035531A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917965A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-16 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358590A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-25 | Sony Corporation | Method of manufacturing individual element arrays |
| JPH0828221A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-01-30 | Korea Inst Of Mach & Metals | ２−行程エンジンの掃気向上のための掃気調節機構 |
| EP0715341A1 (en) | 1994-11-29 | 1996-06-05 | LINTEC Corporation | Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet |
| JP2003532291A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 半導体装置における導電性塗料の形成方法 |
| JP2012212886A (ja) * | 2000-04-26 | 2012-11-01 | Infineon Technologies Ag | 半導体装置における導電性塗料の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342506B2 (ja) | 1991-06-27 |
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