JPS592004B2 - 表示体用電極基板の製造方法 - Google Patents
表示体用電極基板の製造方法Info
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- JPS592004B2 JPS592004B2 JP3484576A JP3484576A JPS592004B2 JP S592004 B2 JPS592004 B2 JP S592004B2 JP 3484576 A JP3484576 A JP 3484576A JP 3484576 A JP3484576 A JP 3484576A JP S592004 B2 JPS592004 B2 JP S592004B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示体用電極基板の製造方法に関する。
液晶やエレクトロクロミックの表示体に使用している電
極基板は、通常透明ガラス板を使い、その表面に透明電
導性薄膜層を選択的にパターニングして表示用電極とし
ている。
極基板は、通常透明ガラス板を使い、その表面に透明電
導性薄膜層を選択的にパターニングして表示用電極とし
ている。
例えば、７セグメントデジタル数字表示形式の場合は、
第１図のように表示しようとする形に透明電導性薄膜層
を形成しなければならない。この透明電導性薄膜として
はｓｎｏ２、Ｉｎ２ｏ３、Ｔｉ０２、Ｚｒｏ２、等が加
熱加水分解、蒸着、その他の手段でコーティングして使
われている。一般に、表示用電極の形成方法としては、
透明電導性薄膜をコーティングした後、電極となる部分
を印刷法やホト技術により保護被膜で被覆する。
第１図のように表示しようとする形に透明電導性薄膜層
を形成しなければならない。この透明電導性薄膜として
はｓｎｏ２、Ｉｎ２ｏ３、Ｔｉ０２、Ｚｒｏ２、等が加
熱加水分解、蒸着、その他の手段でコーティングして使
われている。一般に、表示用電極の形成方法としては、
透明電導性薄膜をコーティングした後、電極となる部分
を印刷法やホト技術により保護被膜で被覆する。
しかる後、透明電導性薄膜を溶解する薬液を用いて腐蝕
除去したり、電解によりエッチングを行なつている。こ
のエッチングを透明電導性薄膜として一般に多く使われ
ているｓｎｏ２を例にとつて説明すると、塩酸等のｓｎ
ｏ２を腐蝕する薬液を用いて化学エッチングあるいは電
解エッチングしている。しかし、ｓｎｏ２膜に限らず導
電性薄膜は馬連のようにその形成方法や条件により、特
性がかなり逸つてしまうため、エッチングにも影響を及
ぼし、時には全くエッチングが不可能な膜が得られる等
して、電極部以外の不要となる部分を常に安定して確実
にエッチング除去することはできなかつた。従つて、常
に均一に完全にエッチングするための実際的な方法とし
ては、Ｚｎ金属微粉末を薬液とともにエッチング基板に
塗布してブラッシングしながらＺｎでｓｎｏ２を表面か
ら徐々に還元し、金属Ｓｎにしてエッチングが除去して
いる。この方法によれぱ、確実にエソテング可能である
が、ブラッシングしながらエッチングしなければ均一に
除去できないため、被覆保護膜のパターン損傷により、
製造歩留りは悪かつた。またＺｎ粉末は、Ｓｎのエッチ
ング液に速溶性であるため、基板１枚１枚定期的にＺｎ
粉末を塗布しながら処理しなくてはならず、はなはだ非
能率な方法であつた。ｓｎｏ２に限らずＴｎ２ｏ３、Ｔ
ｉＯ２、Ｚｒｏ２等も同様な方式でやるため大量処理し
なければならない場合には適した方法とはいえなかつた
。本発明は、この透明電導性膜のうち特に酸化スズ、酸
化インジウムからなる薄膜を選択的にエッチングして表
示用電極を製造するための乾式エツチング方法に関する
。本発明は、透明電導性薄膜をカルボン酸によるガスブ
ラズマでエツチング除去する乾式方法である。
除去したり、電解によりエッチングを行なつている。こ
のエッチングを透明電導性薄膜として一般に多く使われ
ているｓｎｏ２を例にとつて説明すると、塩酸等のｓｎ
ｏ２を腐蝕する薬液を用いて化学エッチングあるいは電
解エッチングしている。しかし、ｓｎｏ２膜に限らず導
電性薄膜は馬連のようにその形成方法や条件により、特
性がかなり逸つてしまうため、エッチングにも影響を及
ぼし、時には全くエッチングが不可能な膜が得られる等
して、電極部以外の不要となる部分を常に安定して確実
にエッチング除去することはできなかつた。従つて、常
に均一に完全にエッチングするための実際的な方法とし
ては、Ｚｎ金属微粉末を薬液とともにエッチング基板に
塗布してブラッシングしながらＺｎでｓｎｏ２を表面か
ら徐々に還元し、金属Ｓｎにしてエッチングが除去して
いる。この方法によれぱ、確実にエソテング可能である
が、ブラッシングしながらエッチングしなければ均一に
除去できないため、被覆保護膜のパターン損傷により、
製造歩留りは悪かつた。またＺｎ粉末は、Ｓｎのエッチ
ング液に速溶性であるため、基板１枚１枚定期的にＺｎ
粉末を塗布しながら処理しなくてはならず、はなはだ非
能率な方法であつた。ｓｎｏ２に限らずＴｎ２ｏ３、Ｔ
ｉＯ２、Ｚｒｏ２等も同様な方式でやるため大量処理し
なければならない場合には適した方法とはいえなかつた
。本発明は、この透明電導性膜のうち特に酸化スズ、酸
化インジウムからなる薄膜を選択的にエッチングして表
示用電極を製造するための乾式エツチング方法に関する
。本発明は、透明電導性薄膜をカルボン酸によるガスブ
ラズマでエツチング除去する乾式方法である。
本発明で使用するカルボン酸、酢酸等、これも気化する
カルボン酸類であれば使用できる。この使用するカルボ
ン酸類は通常液状で保管されているため、加熱蒸発して
ペルシャーに送入するか、第２図の８のようなバブラ一
を用いて蒸発を促進させキヤリアガスと共にペルシャー
に送入させた方法をとる。カルボン酸類のガスはペルシ
ャー内で一定の濃度に達していれば、単体ガスあるいは
カルボン酸類のキヤリアガスとなり得る空気、０２、Ｎ
２、Ａｒ．Ｈ２等混合してもエツチングの障害とはなら
ない。
カルボン酸類であれば使用できる。この使用するカルボ
ン酸類は通常液状で保管されているため、加熱蒸発して
ペルシャーに送入するか、第２図の８のようなバブラ一
を用いて蒸発を促進させキヤリアガスと共にペルシャー
に送入させた方法をとる。カルボン酸類のガスはペルシ
ャー内で一定の濃度に達していれば、単体ガスあるいは
カルボン酸類のキヤリアガスとなり得る空気、０２、Ｎ
２、Ａｒ．Ｈ２等混合してもエツチングの障害とはなら
ない。
一般的に使い易い方法としては、第２図のように液状の
カルボン酸類をバブラ一に入れペルシャーを真空にする
と、自然に空気が９より吸弓されてバブラ一に入り液体
をバブルして蒸発させペルシャーに入れる方法をとる。
これらのガスによるプラズマエツチング法は、電導性薄
膜のコーテイング方法、条件、およびその特性いかんに
かかわらず、短時間に確実にエツチングできる画期的な
方法で、上記した従来の湿式エツチング方法の問題点を
解決した。
カルボン酸類をバブラ一に入れペルシャーを真空にする
と、自然に空気が９より吸弓されてバブラ一に入り液体
をバブルして蒸発させペルシャーに入れる方法をとる。
これらのガスによるプラズマエツチング法は、電導性薄
膜のコーテイング方法、条件、およびその特性いかんに
かかわらず、短時間に確実にエツチングできる画期的な
方法で、上記した従来の湿式エツチング方法の問題点を
解決した。
ガスプラズマによるエツチング方法を第２図を用いて説
明する。
明する。
第２図は、本発明で使用したカルボン酸ガスプラズマエ
ツチング装置の構造である。２は石英または耐熱ガス製
の真空ペルシャーで、品物の出し入れは開閉ドア３より
行なう。
ツチング装置の構造である。２は石英または耐熱ガス製
の真空ペルシャーで、品物の出し入れは開閉ドア３より
行なう。
真空ペルシャーの外周にプラズマ発生用印加電極５を付
設し、高周波電源装置４により印加してペルシャー内に
プラズマを誘起させる。エツチング用ガスは、流量計６
でコントロールしながらガス供給源８より空気９を吸入
してバブル蒸発させて送入する。ペルシャー内の真空吸
引はロータリー真空ポンプ７で行なう。このガスプラズ
マエツチング装置のペルシャー内に、エツチングする表
示体電極形成用基板１を入れ、真空度が０．５Ｔ０ｒｒ
前後になるようにエツチング用ガスをペルシャー内に微
量送入しながら、１５０〜６００Ｗの高周波電力を印加
し、ガスプラズマを発生させる。
設し、高周波電源装置４により印加してペルシャー内に
プラズマを誘起させる。エツチング用ガスは、流量計６
でコントロールしながらガス供給源８より空気９を吸入
してバブル蒸発させて送入する。ペルシャー内の真空吸
引はロータリー真空ポンプ７で行なう。このガスプラズ
マエツチング装置のペルシャー内に、エツチングする表
示体電極形成用基板１を入れ、真空度が０．５Ｔ０ｒｒ
前後になるようにエツチング用ガスをペルシャー内に微
量送入しながら、１５０〜６００Ｗの高周波電力を印加
し、ガスプラズマを発生させる。
ＳｎＯ２のような透明電導性薄膜は、プラズマ発生によ
り励起された非常に反応しやすい状態のラジカルガスに
よりガスエツチングされるためレジスト等により被覆保
護してない部分は気体化合物として短時間に完全に除去
することができる。
り励起された非常に反応しやすい状態のラジカルガスに
よりガスエツチングされるためレジスト等により被覆保
護してない部分は気体化合物として短時間に完全に除去
することができる。
この方法によると均一に確実にエツチングできるため、
エツチング残りが起こすことは全くない。ガスエツチン
グの反応機構としては、まずプラズマに発生した活性状
態のＨ２により金属酸化物である電導性薄膜が還元され
て金属となり、この金属が他の活性化ガス、例えばアル
キル基ガスと反応してガス化してしまうものと思われる
。上記したガスプラズマエツチングで表示用パターンを
形成する場合、湿式の場合と同様に電極部となる部分を
ホトレジストやガスプラズマでエツチングされないＡｌ
等で保護することにより行なう。
エツチング残りが起こすことは全くない。ガスエツチン
グの反応機構としては、まずプラズマに発生した活性状
態のＨ２により金属酸化物である電導性薄膜が還元され
て金属となり、この金属が他の活性化ガス、例えばアル
キル基ガスと反応してガス化してしまうものと思われる
。上記したガスプラズマエツチングで表示用パターンを
形成する場合、湿式の場合と同様に電極部となる部分を
ホトレジストやガスプラズマでエツチングされないＡｌ
等で保護することにより行なう。
ホトレジスト等の保護膜もガスプラズマで表面層から徐
々に犯され、薄くなるのである程度の薄膜は必要である
。また、本発明によるカルボン酸類によるガスプラズマ
は金属酸化物である酸化スズ、酸化インジウムの透明導
電性薄膜のみエツチングするが、表示体用ガラス、表示
体ガラスの汚染物質溶解防止のために表示体ガラスにコ
ーテイングしているＳｉＯ２、リンドープＳｉＯ２、Ｓ
ｉ３Ｎ４とは反応しないため、表示体用基板表面も弗素
プラズマのようにエツチングしてしまうようなことはな
い。したがつて、第５図のような構造をとる表示体用基
板のエツチングにも適用できる。以上のようにカルボン
酸類によるガスプラズマリるエツチングは透明電導性薄
膜のコーテイン！：リ：．ｉ：：′．″．′；＝；神ご
（、確実に安定にエツチングできるため、製造歩留りは
高く、常に同品質のものを得ることができる。
々に犯され、薄くなるのである程度の薄膜は必要である
。また、本発明によるカルボン酸類によるガスプラズマ
は金属酸化物である酸化スズ、酸化インジウムの透明導
電性薄膜のみエツチングするが、表示体用ガラス、表示
体ガラスの汚染物質溶解防止のために表示体ガラスにコ
ーテイングしているＳｉＯ２、リンドープＳｉＯ２、Ｓ
ｉ３Ｎ４とは反応しないため、表示体用基板表面も弗素
プラズマのようにエツチングしてしまうようなことはな
い。したがつて、第５図のような構造をとる表示体用基
板のエツチングにも適用できる。以上のようにカルボン
酸類によるガスプラズマリるエツチングは透明電導性薄
膜のコーテイン！：リ：．ｉ：：′．″．′；＝；神ご
（、確実に安定にエツチングできるため、製造歩留りは
高く、常に同品質のものを得ることができる。
なお、ペルシャーを大型にし、高周波印加電力を高出力
にすることにより、一度に大量にエツチング処理ができ
るため量産に適している等、表示体製造において、従来
の湿式エツチング法に比較して画期的な方法である。
にすることにより、一度に大量にエツチング処理ができ
るため量産に適している等、表示体製造において、従来
の湿式エツチング法に比較して画期的な方法である。
第１図は表示体用電極形状の→リで、ａ−ｇは透明電導
性薄膜層である。 第２図はガスプラズマエツチング装置の構造で本発明の
方法を説明するための図である。第３図は表示体用電極
基板の構造の一例を示す断面図である。１・・・・・・
表示体用基板、２・・・・・・ペルシャー、３・・・・
・・開閉ドア、４・・・・・・高周波印加電源装置、５
・・・・・・プラズマ発生用印加電極、６・・・・・・
ガス流量計、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・・
・気体供給源、９・・・・・・キヤリアガス送入口、１
０・・・・・・表示体用基板（ガラス）、１１・・・・
・・透明導電性薄膜、１２・・・・・・基板からの汚染
物質防止用ＳｉＯ２膜。
性薄膜層である。 第２図はガスプラズマエツチング装置の構造で本発明の
方法を説明するための図である。第３図は表示体用電極
基板の構造の一例を示す断面図である。１・・・・・・
表示体用基板、２・・・・・・ペルシャー、３・・・・
・・開閉ドア、４・・・・・・高周波印加電源装置、５
・・・・・・プラズマ発生用印加電極、６・・・・・・
ガス流量計、７・・・・・・真空ポンプ、８・・・・・
・気体供給源、９・・・・・・キヤリアガス送入口、１
０・・・・・・表示体用基板（ガラス）、１１・・・・
・・透明導電性薄膜、１２・・・・・・基板からの汚染
物質防止用ＳｉＯ２膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化スズ、酸化インジウムからなる透明電導性薄膜
をカルボン酸ガスプラズマにより選択エッチングして電
極パターンを形成することを特徴とする表示体用電極基
板の製造方法。 ２ 酸化スズ、酸化インジウムからなる透明電導性薄膜
をカルボン酸ガスと空気、Ｎ＿２、Ｏ＿２等、これらの
ガスのキャリアガスとなり得るガスとのガスプラズマに
より、選択エッチングして電極パターンを形成すること
を特徴とする表示体用電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3484576A JPS592004B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3484576A JPS592004B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52119246A JPS52119246A (en) | 1977-10-06 |
| JPS592004B2 true JPS592004B2 (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=12425515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3484576A Expired JPS592004B2 (ja) | 1976-03-30 | 1976-03-30 | 表示体用電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592004B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60234325A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Stanley Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPS63119238A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
| JPS64285A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dry etching method |
| JP2005330546A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Fujitsu Ltd | 金属膜の処理方法及び金属膜の処理装置 |
-
1976
- 1976-03-30 JP JP3484576A patent/JPS592004B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52119246A (en) | 1977-10-06 |
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