JPS59201226A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS59201226A JPS59201226A JP7457183A JP7457183A JPS59201226A JP S59201226 A JPS59201226 A JP S59201226A JP 7457183 A JP7457183 A JP 7457183A JP 7457183 A JP7457183 A JP 7457183A JP S59201226 A JPS59201226 A JP S59201226A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、磁気記録媒体、特にいわゆる斜め蒸着法によ
る連続薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法
に関する。
る連続薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法
に関する。
先行技術とその問題点
ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発か活発に行われている。
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発か活発に行われている。
このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo系、co−Nl系等
からなる蒸着膜が好適である。
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo系、co−Nl系等
からなる蒸着膜が好適である。
しかし、このような媒体では、基体と磁性層との密着力
が低いという欠点がある。
が低いという欠点がある。
II 発明の目的
本発明の主たる目的は、基体と磁性層との密着力が格段
と向上した連続薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体の
製造方法を提供することにある。
と向上した連続薄膜型の磁性層を有する磁気記録媒体の
製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、
非磁性の基体上に、連続薄膜型の磁性層を形成する場合
において、磁性層形成の初期の段階に、酸素を含むエネ
ルギー粒子を基体の磁性層形成面にさし向けることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
において、磁性層形成の初期の段階に、酸素を含むエネ
ルギー粒子を基体の磁性層形成面にさし向けることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
■ 発明の具体的構成
以下−1本発明の具体的構成につり1て詳細(こ説明す
る。
る。
本発明においては、磁性層形成の初期の段階に酸素を含
むエネルギー粒子を、基体の磁性層形成面にさし向ける
ものである。
むエネルギー粒子を、基体の磁性層形成面にさし向ける
ものである。
この場合、酸素の存在下で磁性層を形成することは広く
行われているものであるが、酸素をエネルギー粒子とし
て入射しないかぎり本発明の効果は実現しない。
行われているものであるが、酸素をエネルギー粒子とし
て入射しないかぎり本発明の効果は実現しない。
また、磁性層形成の初期の段階で、酸素を成膜部に供給
導入することも知られているが、このときも酸素はエネ
ルギーを付与されて1/)なし)ので、本発明の効果は
実現しない。
導入することも知られているが、このときも酸素はエネ
ルギーを付与されて1/)なし)ので、本発明の効果は
実現しない。
さらに、特開昭58−12134号公報[こは、酸素を
含む雰囲気下で磁性層を形成する際に、磁性層の基体側
の成膜部を放電状態番こすること°が記載されているが
、このときも酸素はエネルギー粒子として照射されるも
のではなく、本発明の効果は実現しない。
含む雰囲気下で磁性層を形成する際に、磁性層の基体側
の成膜部を放電状態番こすること°が記載されているが
、このときも酸素はエネルギー粒子として照射されるも
のではなく、本発明の効果は実現しない。
本発明においては、10eV以上、特に1OeV〜10
KeVのエネルギーを有するエネルギー粒子を照射する
ものである。
KeVのエネルギーを有するエネルギー粒子を照射する
ものである。
そして、エネルギー粒子は酸素を含むものである。
エネルギー粒子中に含まれる酸素は、酸素イオン(02
−,02+など)であってもよい。
−,02+など)であってもよい。
あるいは、中性酸素(02、活性中性酸素02など)で
あってもよい。
あってもよい。
そして、これら酸素は、エネルギー粒子中に、通常、2
0at%以」二含まれるものである。
0at%以」二含まれるものである。
なお、エネルギー粒子中には、酸素の他、アルゴン、窒
素、ヘリウム、オゾン等が含まれていてもよい。
素、ヘリウム、オゾン等が含まれていてもよい。
このような酸素イオンを含むエネルギー粒子を照射する
には、イオンガンを用いればよい。
には、イオンガンを用いればよい。
イオンガンは、ガスを冷陰極放電等によりプラズマ化し
、これによりイオン化したガス成分と活性中性ガス成分
とを、ビームとしてとりだし照射するものである。
、これによりイオン化したガス成分と活性中性ガス成分
とを、ビームとしてとりだし照射するものである。
この場合、粒子のエネルギーは10eV〜10KeV程
度、動作圧力は0.1〜100Pa程度、ビームサイズ
は 10〜100 m m X I O〜1000mm
程度、ガン−基体間隙は10mm〜500 m m程度
とすればよい。
度、動作圧力は0.1〜100Pa程度、ビームサイズ
は 10〜100 m m X I O〜1000mm
程度、ガン−基体間隙は10mm〜500 m m程度
とすればよい。
そして、このようなイオンガン照射により、酸素イオン
と中性酸素とを含むエネルギー粒子が照射されることに
なる。
と中性酸素とを含むエネルギー粒子が照射されることに
なる。
また、中性粒子ガンを用いることもできる。
中性粒子カンは、カスをプラズマ化しビームをとりだす
際に、ビーム出力からイオン化した成分を除去して照射
するものである。
際に、ビーム出力からイオン化した成分を除去して照射
するものである。
この場合には、粒子のエネルギーは10eV〜10Ke
V程度、動作圧力 0.1〜100Pa程度、ビームサ
イズ l O−’100 m m X 10〜1000
mm程度、ガン−基体間隙 10〜500mm程度とす
ればよい。
V程度、動作圧力 0.1〜100Pa程度、ビームサ
イズ l O−’100 m m X 10〜1000
mm程度、ガン−基体間隙 10〜500mm程度とす
ればよい。
そして、このような中性粒子カン照射により、中性の活
性酸素ガスが照射されることになる。
性酸素ガスが照射されることになる。
このような酸素を含むエネルギー粒子をさし向ける時期
は、磁性層形成の初期の段階である。
は、磁性層形成の初期の段階である。
この場合、磁性層形成の初期の段階とは、磁性層の膜厚
の1/3、より好ましくは1/4の厚さまで磁性層が形
成される以前であることが好ましい。
の1/3、より好ましくは1/4の厚さまで磁性層が形
成される以前であることが好ましい。
エネルギー粒子をさし向ける時期は、このような成膜段
階の範囲の任意の時期であってよいが、特に、磁性層の
基体側表面の成膜時に、エネルギー粒子が照射されてい
ることが好ましい。
階の範囲の任意の時期であってよいが、特に、磁性層の
基体側表面の成膜時に、エネルギー粒子が照射されてい
ることが好ましい。
このとき、磁性層成分と基体成分と酸素とが混合・反応
した層が形成さね、磁性層の密着強度がきわめて高いも
のとなるからである。
した層が形成さね、磁性層の密着強度がきわめて高いも
のとなるからである。
なお、成膜前にも、これらエネルギー粒子を基体の磁性
層形成面に照射してもよい。
層形成面に照射してもよい。
本発明における磁性層は、 Co、Co−Ni、Co
−Cr、Co−Ti、Co−Mo。
−Cr、Co−Ti、Co−Mo。
Co−V、 co−W、 Co−Re、 C。
−Ru 、Co−Mn 、Co−Fe 、Fe等の公知
の種々の組成であってよく、その形成法も、蒸着、イオ
ンブレーティング等が使用できる。
の種々の組成であってよく、その形成法も、蒸着、イオ
ンブレーティング等が使用できる。
ただ、本発明の効果が最も大きいのは、C。
を主成分とし、これにOを含み、さらに必要に応じNi
および/またはCrが含有される組成の磁性層を、いわ
ゆる斜め蒸着法によって基体上に形成する場合である。
および/またはCrが含有される組成の磁性層を、いわ
ゆる斜め蒸着法によって基体上に形成する場合である。
すなわち、CO単独からなってもよく、COとNiから
なってもよい、 Niが含まれる場合、Co / N
iの重量比は、1.5以上である。
なってもよい、 Niが含まれる場合、Co / N
iの重量比は、1.5以上である。
さらに、磁性層中には、Crが含有されていてもよい。
Crが含有されると、電磁変換特性が向上し、出力およ
びS/N比が向上し、さらに膜強度も向上する。
びS/N比が向上し、さらに膜強度も向上する。
このような場合、Cr / CoあるいはCr/(Co
+Ni)の重量比は0.001−0゜1、より好ましく
は、0.005〜0.05であることが好ましい。
+Ni)の重量比は0.001−0゜1、より好ましく
は、0.005〜0.05であることが好ましい。
そして、上記の酸素を含むエネルギー粒子の照射により
、あるいはこれに加え、後述のように酸素を含む雰囲気
中で蒸着を行うことによリ、磁性層中にはOが導入され
る。
、あるいはこれに加え、後述のように酸素を含む雰囲気
中で蒸着を行うことによリ、磁性層中にはOが導入され
る。
磁性層中の酸素量としては、O/(CoまたハCo +
N i )の原子比で、より好ましくは0.5以下、
特に0.05〜0.3であることが好ましい。
N i )の原子比で、より好ましくは0.5以下、
特に0.05〜0.3であることが好ましい。
なお、このような磁性層中には、さらに他の微量成分、
特に遷移元素、例えばF e 、 M n 。
特に遷移元素、例えばF e 、 M n 。
V、Zr、Nb、Ta、Ti、Zn、Mo。
W 、 Cu等が含まれていてもよい。
このような成分からなる磁性層は、斜め蒸着法によって
形成されることが好ましい。
形成されることが好ましい。
この場合、基体法線に対する、蒸着物質の入射角の最小
値は、20°以上とすることが好ましい。
値は、20°以上とすることが好ましい。
入射角が20°未満となると、電磁変換特性が低下する
。
。
なお、これ以外の蒸着条件には特に制限はない。
すなわち、蒸着雰囲気は、通常と同様、アルヨン、ヘリ
ウム、真空等の不活性雰囲気、あるいは低水準の酸素ガ
スを含む雰囲気とし、5 10 X100Pa程度の圧力とし、また、蒸着距離
、基体搬送方向、キャンやマスクの構造等は公知の条件
と同様にすればよい。
ウム、真空等の不活性雰囲気、あるいは低水準の酸素ガ
スを含む雰囲気とし、5 10 X100Pa程度の圧力とし、また、蒸着距離
、基体搬送方向、キャンやマスクの構造等は公知の条件
と同様にすればよい。
この場合、蒸着雰囲気中には、酸素を含有させて、電磁
変換特性を向上し、耐食性等を向上させることができる
が、本発明によれば、このときの酸素量を1O−3Pa
程度以下にまで低減でき、その結果、装置の運転に支障
がなく、蒸着物質溶液がルツボ中で酸化されることが少
なくなる。
変換特性を向上し、耐食性等を向上させることができる
が、本発明によれば、このときの酸素量を1O−3Pa
程度以下にまで低減でき、その結果、装置の運転に支障
がなく、蒸着物質溶液がルツボ中で酸化されることが少
なくなる。
このような斜め蒸着法により、基体上には、」二記した
COを主成分とする柱状結晶粒の集合体からなる磁性薄
膜が形成される。
COを主成分とする柱状結晶粒の集合体からなる磁性薄
膜が形成される。
この場合、磁性薄膜の厚さは0.05〜0゜5μm、好
ましくは、0.07〜0.3pmとされる。
ましくは、0.07〜0.3pmとされる。
そして、柱状の結晶粒は、薄膜の厚さ方向のほぼ全域に
亘る長さをもち、その長手方向は、基体の主面の法線に
対して、10〜70°の範囲にて傾斜している。
亘る長さをもち、その長手方向は、基体の主面の法線に
対して、10〜70°の範囲にて傾斜している。
また、結晶粒の短径は、 50〜500A程度の長さ
をもつ。
をもつ。
このような磁性薄膜を形成する基体は、非磁性のもので
ありさえすれば特に制限はなく、特に可どう性の基体、
特にポリエステル、ポリイミド等の樹脂製のものである
ことが好ましい。
ありさえすれば特に制限はなく、特に可どう性の基体、
特にポリエステル、ポリイミド等の樹脂製のものである
ことが好ましい。
また、その厚さは、種々のものであってよいが、特に5
〜201Lmであることが好ましい。
〜201Lmであることが好ましい。
この場合、基体の磁性層形成面の裏面には、公知の種々
のへツクコート層が形成されていてもよい。
のへツクコート層が形成されていてもよい。
そして、その磁性層形成面の裏面の表面あらさ高さのR
MS値は、0.05#Lm以上であることが好ましい。
MS値は、0.05#Lm以上であることが好ましい。
これにより、電磁変換特性が向上する。
なお、基体と磁性層との間には、必要に応じ、公知の下
地層を介在させることもできる。
地層を介在させることもできる。
なお、もし必要であるならば、磁性層を複数に分割して
、その間に非磁性層を介在させてもよく、あるいは磁性
層上に各種トップコート層を形成してもよい。
、その間に非磁性層を介在させてもよく、あるいは磁性
層上に各種トップコート層を形成してもよい。
■ 発明の具体的作用効果
本発明による磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ用
、計算機や各種フロッピーディスク用、さらには垂直磁
化用等の媒体として有用である。
、計算機や各種フロッピーディスク用、さらには垂直磁
化用等の媒体として有用である。
本発明によれば、磁性層と基体との接着強度のきわめて
高い媒体かえられる。
高い媒体かえられる。
■ 発明の具体的実施例
以下に本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例1
Co / N iの重量比が4である合金を用い、12
#Lm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム基体上
に、斜め蒸着法により、0.’2JLm厚の磁性層を形
成した。
#Lm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム基体上
に、斜め蒸着法により、0.’2JLm厚の磁性層を形
成した。
基体はキャンにて連続搬送し、蒸着物質の入射角は90
〜45″とした。 また、蒸着雰囲気は、P =1
0−2Paとした。
〜45″とした。 また、蒸着雰囲気は、P =1
0−2Paとした。
Ar
この比較用のサンプルをAOとする。
これとは別に、蒸着雰囲気を
P =10 Pa、P =3X10−2
Pa2 Ar 02 としてえた比較用サンプルAIを作製した。
Pa2 Ar 02 としてえた比較用サンプルAIを作製した。
また、磁性層の基体側表面から0.02p’m厚の部分
までの成膜部に、50m文/minにて酸素カスを吹き
つけて、サンプルAOと同様に作製した比較用サンプル
A2をえた。
までの成膜部に、50m文/minにて酸素カスを吹き
つけて、サンプルAOと同様に作製した比較用サンプル
A2をえた。
さらに、磁性層の基体側表面から 0.02gm厚の部
分までの成膜部にACIKVで放電を行い、サンプルA
2の条件でサンプルA3をえた。
分までの成膜部にACIKVで放電を行い、サンプルA
2の条件でサンプルA3をえた。
一方、本発明に従い、磁性層の基体側表面から0.02
pm厚の部分までの成膜部に、イオンガンおよび中性粒
子ガンによって、酸素イオン+中性酸素および中性酸素
を照射した。
pm厚の部分までの成膜部に、イオンガンおよび中性粒
子ガンによって、酸素イオン+中性酸素および中性酸素
を照射した。
イオンガンのガン−基体間隙は150mm、ビーム出力
は100mA、加速電圧はIKVであり、酸素ソースは
Arおよび02とした。
は100mA、加速電圧はIKVであり、酸素ソースは
Arおよび02とした。
また、中性粒子ガンのガン−基体間隙は100mm、ビ
ーム出力は25 m A、粒子エネルギーは約2KeV
であり、酸素ソースはArおよび02とした。
ーム出力は25 m A、粒子エネルギーは約2KeV
であり、酸素ソースはArおよび02とした。
これらサンプルをB1、B2、B3、B4とする。
これら各サンプルにつき、ひつかきテストを行い、磁性
層の接着強度をall定した。
層の接着強度をall定した。
ひっかきテストは、ガラス基板上にサンプルを固定し、
曲率30pmのサファイアボールを用いて行い、膜に傷
のつく荷重の大きさで膜強度を評価した。
曲率30pmのサファイアボールを用いて行い、膜に傷
のつく荷重の大きさで膜強度を評価した。
結果を表1に示す。
表1に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。
る。
実施例2
CO/ N i / Cr = 65 / 30 /
5 (重量比)の合金を用い、 Ar O2= l 0−2PaP
−IO−2Pa、P の条件下で、実施例1と同様にサンプルA5をえた。
5 (重量比)の合金を用い、 Ar O2= l 0−2PaP
−IO−2Pa、P の条件下で、実施例1と同様にサンプルA5をえた。
また、同様にイオンガンおよυ中性粒子ガンを用い、サ
ンプルB5、B6をえた。
ンプルB5、B6をえた。
これらの結果を表2に示す。
表 2
サンプル ひっかきテス(・A5(比 較
) 150gB5(イオンガン)
>5’00gB、6(中性粒子カン) >50
0g表2に示される結果から、本発明の効果があきらか
である。
) 150gB5(イオンガン)
>5’00gB、6(中性粒子カン) >50
0g表2に示される結果から、本発明の効果があきらか
である。
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 非磁性の基体上に、連続薄膜型の磁性層を形成す
る場合において、磁性層形成の初期の段階に、酸素を含
むエネルギー粒子を基体の磁性層形成面にさし向けるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 2、 酸素が酸素イオンである特許請求の範囲第1項に
記載の磁気記録媒体の製造方法。 3、 酸素が中性酸素である特許請求の範囲第1項また
は第2項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 4、 エネルギー粒子をさし向ける時期が、磁性層の膜
厚の1/3の厚さまで磁性層が形成される以前である特
許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の磁
気記録媒体の製造方法。 5、 エネルギー粒子のエネルギーが、1OeV〜1O
KeVである特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 6、 磁性層の形成を、基体の磁性層形成面の法線に対
し傾斜した角度で蒸着物質を入射させて蒸着することに
よって行う特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれ
かに記載の磁気記録媒体の製造方法。 7、 磁性層が、COとOとからなるか、C。 とOとNiおよびCrのうちの1種または2種とからな
る特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載
の磁気記録媒体の製造方法。 8、 磁性層がNiを含み、Co / N iの重量比
が1.5以上である特許請求の範囲第7項に記載の磁気
記録媒体の製造方法。 9、 磁性層がCrを含み、Cr/(CoまたはCo+
Ni)の重量比がo、ooi〜0.1である特許請求の
範囲第7項または第8項に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 10. 磁性層中の O/(Coまたは Co+Ni
)の原子比が0.5以下である特許請求の範囲第7項な
いし第9項のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法
。 Il、 磁性層の膜厚が0 、05〜0 、5μmで
ある特許請求の範囲第1項ないし第10項のいずれかに
記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457183A JPS59201226A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457183A JPS59201226A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201226A true JPS59201226A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13551017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7457183A Pending JPS59201226A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201226A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812317A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Sony Corp | 薄膜磁気媒体の製法 |
| JPS5873019A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-27 JP JP7457183A patent/JPS59201226A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5812317A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Sony Corp | 薄膜磁気媒体の製法 |
| JPS5873019A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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